通过内部气相沉积工艺制造光学预制件的方法和装置及基管组件的制作方法_4

文档序号:9364888阅读:来源:国知局
3.5厘米。
[0120]在该基管组件的另一实施例中,延长管在重叠区域处的内径比中空基管在重叠区域处的外径大了 0.5?5毫米、优选为I?2毫米。
[0121]图1公开了根据本发明的基管组件I的第一示例。
[0122]在诸如等离子体气相沉积工艺等的内部气相沉积工艺中要使用基管组件1,其中在中空基管8的内部上沉积玻璃层7。在这种工艺期间,经由中空基管8供给玻璃形成前体,并且同时使用施加器来生成向着在基管8的内部所生成的等离子体的电磁辐射。
[0123]图1公开了中空基管8的排出侧、即玻璃形成前体从中空基管8离开的一侧。
[0124]根据本发明,在中空基管8的排出侧,延长管3套装在中空基管8上,其中,中空基管8延伸至延长管3的内部。此外,延长管在重叠区域2处的内径5比中空基管8在重叠区域2处的外径4大了至少0.5毫米。
[0125]在当前情形下,中空基管8延伸至内部的长度2约为3.5厘米。根据本发明的实施例,中空基管8延伸至延长管3内的长度应在0.5?10厘米的范围内。这样避免了在连接点、即中空基管8和延长管3之间的连接处积累机械应力。
[0126]此外,延长管的内径5至少在重叠区域2处大于中空基管8的外径4。这样提供了延长管3的内部所沉积的玻璃(未示出)与中空基管8的内部的所沉积玻璃7没有接触的优点。如此,在延长管3的内部所沉积的玻璃中发生的任何缺陷均不会传播至中空基管8中的所沉积玻璃7内。
[0127]应选择直径4、5的差,以使得中空基管8和延长管3之间的间距6为0.25毫米?2.5毫米、优选为0.5?I毫米之间的某个值。
[0128]图2公开了根据本发明的基管组件11的第二示例。
[0129]图2和3中的具有与图1相同的附图标记的部分或方面表示相同或相似的部分或方面。
[0130]根据图2所示的示例,将插入管16放置、即安装在延长管15内,其中该插入管是以与中空基管8成直线的方式安装的。这意味着中空基管8的纵轴与插入管16的纵轴在一条直线上。由于插入管16的内部所沉积的玻璃与中空基管8的内部中的所沉积玻璃7没有接触,因此根据本发明,中空基管8和插入管16之间的距离12是有利的。如此,插入管16中的所沉积玻璃的任何缺陷均不会横向移动到中空基管8的内部中的所沉积玻璃。
[0131]为了防止玻璃形成前体在从中空基管向插入管16过渡期间发生任何湍流,插入管16的内径14应至少等于中空基管的内径13。在本发明的所有实施例而不仅仅是图2的该实施例中,这些直径之间的约5%的小的公差是可接受的。在插入管的内径14小于中空基管8的内径13的情况下,有可能在基管8和插入管15之间的过渡区域中发生湍流,这导致质量较差的玻璃7沉积在中空基管8的排出端。
[0132]图3公开了根据本发明的基管组件21的第三示例。
[0133]图3的基管组件21与图2的基管组件11之间的不同之处在于:中空基管8还延伸至插入管23的内部。只要插入管23的内径23大于中空基管的内径13,在基管8和插入管23之间将产生间距22。间距22确保了在插入管中所沉积的玻璃(即,残余粉尘)和基管8的内部上所沉积的玻璃7之间没有发生物理接触。
[0134]除非另外说明,否则以上针对本发明的任一方面所论述的实施例还可适用于本发明的其它方面。
[0135]本发明不限于以上所公开的实施例,并且本领域技术人员可以在不必应用发明性技术的情况下,在如所附权利要求书所公开的本发明的范围内对本发明进行修改和改进。
【主权项】
1.一种用于通过内部气相沉积工艺来制造光学预制件的装置,所述装置包括能量源和中空基管,所述中空基管具有供给侧和排出侧,所述能量源能够沿着所述中空基管的长度移动,所述装置还包括以大致气密的方式连接至所述中空基管的所述排出侧的延长管,其特征在于, 所述中空基管延伸至所述延长管的内部,由此定义所述中空基管和所述延长管之间的重叠区域,以及 所述延长管在所述重叠区域处的内径比所述中空基管在所述重叠区域处的外径大了至少0.5毫米。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述延长管熔融至所述中空基管。3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述中空基管延伸至所述延长管的内部的长度为0.5厘米?10厘米、优选为2厘米?5厘米、甚至更优选为2.5厘米?3.5厘米。4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其特征在于,所述延长管在所述重叠区域处的内径比所述中空基管在所述重叠区域处的外径大了 0.5毫米?5毫米、优选为I毫米?2毫米。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其中,所述延长管包括中空插入管,其特征在于,所述中空插入管的内径大于或等于所述中空基管的内径。6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述中空插入管的端面位于所述中空基管的外径和所述延长管的内径之间的重叠区域中。7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述中空插入管是以与所述中空基管成直线的方式定向和安装的,以使得所述中空插入管的一端和所述中空基管的延伸至所述延长管的内部的一端之间的距离至少为0.5毫米、优选至少为2毫米。8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其特征在于,所述延长管在所述延长管的一个端面处连接至所述中空基管的外表面。9.一种用于通过内部气相沉积工艺来制造初级预制件所用的前体的方法,其中:向中空基管的供给侧供给玻璃形成前体,所述中空基管还具有排出侧;使能量源沿着所述中空基管的长度移动,以在所述中空基管中产生沉积条件;以及在所述中空基管的内表面上沉积多个玻璃层以形成初级预制件所用的所述前体,其特征在于, 将延长管套装在所述中空基管的所述排出侧并以大致气密的方式连接至所述中空基管的所述排出侧,以使得所述中空基管延伸至所述延长管的内部,由此定义所述中空基管和所述延长管之间的重叠区域,以及 所述延长管在所述重叠区域处的内径比所述中空基管在所述重叠区域处的外径大了至少0.5毫米。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,使所述延长管熔融至所述中空基管。11.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述中空基管延伸至所述延长管的内部的长度为0.5厘米?10厘米、优选为2厘米?5厘米、甚至更优选为2.5厘米?3.5厘米。12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法,其特征在于,所述延长管在所述重叠区域处的内径比所述中空基管在所述重叠区域处的外径大了 0.5毫米?5毫米、优选为I毫米?2毫米。13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法,其中,所述延长管包括中空插入管,其特征在于,所述中空插入管的内径大于或等于所述中空基管的内径。14.一种基管组件,其在内部气相沉积工艺中使用,所述基管组件包括具有供给侧和排出侧的中空基管,其中,所述基管组件还包括延长管,所述延长管套装在所述中空基管的所述排出侧并以大致气密的方式连接至所述中空基管的所述排出侧,其特征在于, 所述中空基管延伸至所述延长管的内部,由此定义所述中空基管和所述延长管之间的重叠区域,以及 所述延长管在所述重叠区域处的内径比所述中空基管在所述重叠区域处的外径大了至少0.5毫米。15.根据权利要求14所述的基管组件,其特征在于,所述中空基管延伸至所述延长管的内部的长度为0.5厘米?10厘米、优选为2厘米?5厘米、甚至更优选为2.5厘米?3.5厘米。16.根据权利要求14或15所述的基管组件,其特征在于,所述延长管在所述重叠区域处的内径比所述中空基管在所述重叠区域处的外径大了 0.5毫米?5毫米、优选为I毫米?2毫米。
【专利摘要】本发明涉及通过内部气相沉积工艺制造光学预制件的方法和装置及基管组件。用于通过内部气相沉积工艺来制造光学预制件的该装置包括能量源和中空基管,该中空基管具有供给侧和排出侧,该能量源能够沿着中空基管的长度移动,该装置还包括连接至中空基管的排出侧的延长管,中空基管延伸至延长管的内部,以及延长管的内径比中空基管的外径大了至少0.5毫米。
【IPC分类】C03B8/04
【公开号】CN105084714
【申请号】CN201510268260
【发明人】I·米莉瑟维克, J·A·哈特苏克, M·J·N·范·斯特劳伦, G·克拉比希斯, E·A·库伊佩斯
【申请人】德拉克通信科技公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年5月22日
【公告号】EP2947056A1, US20150336838
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