一种渗花砖及其制备方法_3

文档序号:9720545阅读:来源:国知局
30s,备用;
[0071] (5)压制成型,把第(1)步所得的瓷质砖原料颗粒进行定型压制成型得到瓷质砖生 坯;
[0072] (6)干燥,把第(5)步压制成型的瓷质砖生坯置于干燥窑中以120~250°C烘干并进 行清洁;
[0073] (7)施面釉制作,将步骤(3)制备的面釉用湿法布料均匀涂覆在完成第(6)步干燥 后的瓷质砖生还表面,施釉量为600~1200g/m 2;
[0074] (8)图案层制作,将步骤(2)制备水溶性渗花墨水采用陶瓷喷墨打印机按设计好的 图案纹理喷涂在施过面釉的瓷质砖生坯上形成图案层;
[0075] (9)施透明釉制作,将步骤(4)制备的透明釉用湿法布料均匀涂覆在具有图案层的 瓷质砖生坯上,施釉量为600~850g/m 2;
[0076] (10)干燥和烧结:将第(9)步完成施透明釉制作后的瓷质砖生坯在干燥窑中以60 ~120°C烘干,坯体干燥后的含水率0~2%,入辊道窑中烧成成型,周期35~85分钟,温度 1050~1250°C,氧化气氛,制得渗花砖半成品;
[0077] (11)磨边、仿柔型抛釉处理,得到最终的渗花砖。
[0078] 实施例5
[0079] -种渗花砖,按照以下方法进行制备:
[0080] (1)瓷质砖原料处理,按瓷质砖配方配料、球磨、喷雾造粒得到瓷质砖原料颗粒;
[0081 ] (2)水溶性渗花墨水的制备,所述的墨水中包含Fe、Cr、Co、Cu、Au和/或Ag金属阳离 子中的一种或几种混合物制成的水溶性金属盐溶液,所述水溶性金属盐溶液的离子质量浓 度5~15% ;
[0082] (3)面釉的制备,所述面釉按质量份数由以下物质组成:Si02为50份,Al 2〇3为25份, MgO+CaO为5份,K20+Na20为8份,ZnO为4份,Ti02为3份,BaO为4份,B 2〇3为0.8份,其余为杂质, 面釉的细度控制在标准筛325目,筛余1.9份,比重1.65g/cm3,流速41s,所述面釉与瓷质砖 生坯之间具有坯釉适应性,同时有较好的发色能力和表面遮盖效果,备用;
[0083] (4)透明釉的制备,所述透明釉按质量份数由以下物质组成为Si02为50份,Al 2〇3为 22份,MgO+CaO为5份,K20+Na20为3.5份,ZnO为5份,BaO为4份,B 2〇3为0.8份,其余为杂质,面 釉的细度控制在标准筛325目,筛余0.5份,比重1.68g/cm3,流速54s,备用;
[0084] (5)压制成型,把第(1)步所得的瓷质砖原料颗粒进行定型压制成型得到瓷质砖生 坯;
[0085] (6)干燥,把第(5)步压制成型的瓷质砖生坯置于干燥窑中以120~250°C烘干并进 行清洁;
[0086] (7)施面釉制作,将步骤(3)制备的面釉用湿法布料均匀涂覆在完成第(6)步干燥 后的瓷质砖生还表面,施釉量为600~1200g/m 2;
[0087] (8)图案层制作,将步骤(2)制备水溶性渗花墨水采用陶瓷喷墨打印机按设计好的 图案纹理喷涂在施过面釉的瓷质砖生坯上形成图案层;
[0088] (9)施透明釉制作,将步骤(4)制备的透明釉用湿法布料均匀涂覆在具有图案层的 瓷质砖生坯上,施釉量为600~850g/m 2;
[0089] (10)干燥和烧结:将第(9)步完成施透明釉制作后的瓷质砖生坯在干燥窑中以60 ~120°C烘干,坯体干燥后的含水率0~2%,入辊道窑中烧成成型,周期35~85分钟,温度 1050~1250°C,氧化气氛,制得渗花砖半成品;
[0090] (11)磨边、仿柔型抛釉处理,得到最终的渗花砖。
[0091] 为了进一步研究本发明所述渗花砖产品的性能,按照实施例1~5的方法和配比制 作得到渗花砖产品各1000PCS,每中实施例制备得到的产品随机抽取5PCS进行相关性能测 试,各测试数据取其平均值,并与采用【背景技术】所述通过丝网给砖坯印刷网版上固有的图 案纹理的对比实施例进行产品性能对比,具体情况如表1所示:
[0092] 表1渗花砖性能对比表
[0094] 从表1可以看到,采用本发明的渗花砖制备方法制备得到的渗花砖,将传统渗花砖 在坯体中发色的方式改为在致密度与坯体相近的面釉中发色,颜色更为鲜艳且丰富,渗花 深度达到0.38~0.61mm,采取抛釉砖的仿柔型抛光处理方式减少抛削量,降低抛光废料的 产生量,提供了一种更环保经济、装饰效果更优秀的渗花砖的生产方法。
[0095] 以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制;凡 本行业的普通技术人员均可按说明书所示和以上所述而顺畅地实施本发明;但是,凡熟悉 本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内,可利用以上所揭示的技术内容而作出 的些许更动、修饰与演变的等同变化,均为本发明的等效实施例;同时,凡依据本发明的实 质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等,均仍属于本发明的技术 方案的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种渗花砖,包括瓷质砖,其特征在于:还包括涂覆在瓷质砖表面的面釉和涂覆在面 釉表面的透明釉,所述面釉和透明釉之间设置有图案层,所述图案层通过喷墨印刷在所述 面釉表面; 所述面釉按质量份数由以下物质组成:Si〇2为50~72份,Al2〇3为12~25份,MgO+CaO为 0.5~2份,1(20+恥20为3~11.5份,2110为0.2~8份,1^02为0.5~5份,830为1~6份,8203为 0.5~1份,其余为杂质。2. 根据权利要求1所述的渗花砖,其特征在于:所述透明釉按质量份数由以下物质组 成:Si〇2为 50~70份,Al2〇3为 12 ~22份,MgO+CaO为 1~9份,K20+Na20为3.5~11.5份,211〇为1 ~10份,BaO为1~7份,B2〇3为0.5~1.5份,其余为杂质。3. 根据权利要求2所述的渗花砖,其特征在于:所述面釉的细度控制在标准筛325目,筛 余1.5~2.5份,比重1.5~1.85 8/〇113,流速30~608〇4. 根据权利要求3所述的渗花砖,其特征在于:所述透明釉的细度控制在标准筛325目, 筛余0· 5份以内,比重1 · 5~1 ·85g/cm3,流速30~60s〇5. 根据权利要求4所述的渗花砖,其特征在于:所述喷墨印刷所使用的墨水为水溶性渗 花墨水,所述墨水中包含?6、0、(:〇、(:11、411和/或48金属阳离子中的一种或几种混合物制成 的的水溶性金属盐溶液,所述水溶性金属盐溶液的离子质量浓度5~15%。6. -种渗花砖的制备方法,其特征在于包括以下步骤: (I) 瓷质砖原料处理,按瓷质砖配方配料、球磨、喷雾造粒得到瓷质砖原料颗粒; (2 )水溶性渗花墨水的制备,所述墨水中包含Fe、Cr、Co、Cu、Au和/或Ag金属阳离子中的 一种或几种混合物制成的水溶性金属盐溶液; (3) 面釉的制备,所述面釉按质量份数由以下物质组成:Si02为50~72份,Al2〇3为12~ 25份,MgO+CaO为0 · 5~2份,K20+Na20为3~11 · 5份,ZnO为0 · 2~8份,Ti〇2为0 · 5 ~5份,BaO为 1~6份,B2〇3为0.5~1份,其余为杂质,备用; (4) 透明釉的制备,所述透明釉按质量份数由以下物质组成为Si02为50~70份,Al2〇3为 12 ~22份,MgO+CaO为 1 ~9份,K20+Na20 为3.5 ~11.5份,ZnO为 1 ~10份,BaO为 1 ~7份,B2〇3为 0.5~1.5份,其余为杂质,备用; (5) 压制成型,把第(1)步所得的瓷质砖原料颗粒进行定型压制成型得到瓷质砖生坯; (6) 干燥,把第(5)步压制成型的瓷质砖生坯置于干燥窑中以120~250°C烘干并进行清 洁; (7) 施面釉制作,将步骤(3)制备的面釉湿法布料在完成第(6)步干燥后的瓷质砖生坯 表面,施釉量为600~1200g/m2; (8) 图案层制作,将步骤(2)制备水溶性渗花墨水采用陶瓷喷墨打印机按设计好的图案 纹理喷涂在施过面釉的瓷质砖生坯上形成图案层; (9) 施透明釉制作,将步骤(4)制备的透明釉湿法布料在具有图案层的瓷质砖生坯上, 施釉量为600~850g/m2; (10) 干燥和烧结:将第(9)步完成施透明釉制作后的瓷质砖生坯在干燥窑中以60~120 °C烘干,入辊道窑中烧成成型,周期35~85分钟,温度1050~1250°C,氧化气氛,制得渗花砖 半成品; (II) 磨边、仿柔型抛釉处理,得到最终的渗花砖。7. 根据权利要求6所述渗花砖的制备方法,其特征在于:所述面釉的细度控制在标准筛 325目筛余1 · 5~2 · 5份,比重1 · 5~1 · 85g/cm3,流速30~60s〇8. 根据权利要求6所述渗花砖的制备方法,其特征在于:透明釉的细度控制在标准筛 325目筛余0 · 5份以内,比重1 · 5~1 · 85g/cm3,流速30~60s〇
【专利摘要】本发明公开了一种渗花砖及其制备方法,所述渗花砖包括瓷质砖、涂覆在瓷质砖表面的面釉和涂覆在面釉表面的透明釉,所述面釉和透明釉之间设置有图案层,所述图案层通过喷墨印刷在所述面釉表面。所述制备方法包括瓷质砖原料处理、水溶性渗花墨水的制备、面釉的制备、透明釉的制备、压制成型、干燥、施面釉制作、图案层制作、施透明釉制作、干燥和烧结及磨边等步骤。本发明的渗花砖及其制作方法具有产品颜色鲜艳且丰富,产品渗花深度深、制作方法经济环保的特点。
【IPC分类】C03C8/00, C04B41/89, C04B41/86
【公开号】CN105481478
【申请号】CN201510964469
【发明人】杨福伟, 古战文, 刘任松, 王永强
【申请人】广东家美陶瓷有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月18日
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