一种n型单晶硅的生长方法
【专利摘要】本发明提供一种n型单晶硅生长方法，选择P作为n型单晶硅的主掺杂元素，且在单晶硅生长过程中加入，加入具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素，抵消单晶硅中P浓度增量，控制单晶硅生长过程中的电阻波动。同时当单晶硅的重量达到特定要求时，一次或多次加入副掺杂元素Ga，可进一步精确控制单晶硅中的共掺杂元素综合浓度，减小电阻率的波动，也可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响，提高单晶硅生长的良品率。
【专利说明】
一种η型单晶硅的生长方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种直拉法生长单晶硅的生长方法，特别涉及η型半导体用单晶硅的 生长方法，尤其是采用相反电阻率特性控制电阻率波动，从而制备窄电阻率波动单晶硅的 生长技术。
【背景技术】
[0002] 在半导体单晶硅的制造工艺中，最常使用的是直拉法(Czochralski，缩写CZ)，在 直拉法中，多晶硅是填充在石英玻璃坩埚(也称石英坩埚）中，然后加热熔融形成硅熔液，在 硅熔液中浸入籽晶后向上旋转提拉，硅在籽晶与熔溶液的界面处凝固结晶，形成单晶硅锭。
[0003] 采用单晶硅为基底制备的功率器件，要求单晶硅的电阻率高，同时要求使用基底 电阻变化小。通常情况下，要求电阻率波动小于±20%，严格的器件要求电阻率波动小于土 15%。但是采用CZ法制造 η型单晶硅时，掺杂元素相对硅单晶的分凝系数小于1，单晶硅中掺 杂元素的浓度比熔体中的浓度低。随着晶体的生长，硅熔体中的掺杂物浓度逐渐变高，在相 同平衡分凝系数下，动态分凝系数逐渐升高，单晶硅中掺杂元素的浓度逐渐升高，使单晶硅 的轴向电阻率逐渐降低。最近，硅基电子器件，尤其是功率器件，要求单晶硅具有非常窄的 电阻率波动，因此优化掺杂工艺减少电阻率波动就显得尤重要。
[0004] 为了控制单晶硅电阻率降低，专利CN103282555、CN103046130采用双掺杂提拉生 长工艺，在多晶硅原料中加入两种或两种以上的具有相反电阻特征的元素，例如Β和Ρ，来减 小电阻率波动。专利201510295534采用坩埚底部放置Ga原料，分断熔化添加。但是在实际生 产中，硅熔液在熔化后要稳定一段时间，熔液在自然对流的情况下，坩埚底部的原料不会残 留，会全部熔化，不能起到逐步增加 Ga的效果。CN201310447431采用在坩埚内壁涂含有相反 性能原料涂层的方法，但是在实际生产中，如果涂层在提拉过程中熔化进入熔液，会形成小 颗粒，颗粒会在晶体中引入缺陷和形成多晶。严重影响晶体质量。CN200910152971在生长含 Ga的太阳能级硅单晶，在生长过程中加及P，但是Ga的挥发性非常高，受到熔化速度、稳定时 间、热场温度等多种因素的影响，无法准确加入点和加入量。虽然两种掺杂元素单独使用时 均会造成电阻率降低，但是两种掺杂元素具有相反的导电机理，共同掺杂时相互抵消。例如 在晶体生长过程中，在掺杂元素 B浓度增加的同时，掺杂元素 P的浓度也增加，抵消掺杂元素 B浓度。因此电阻率可在一定范围内控制。
[0005]但是，目前单晶硅的尺寸的增大和晶体长度的增加，晶棒的重量显著增加。这样熔 体总重量也显著增加，因此多晶硅原料的熔化时间、稳定时间、晶体生长时间均与小尺寸、 小重量的晶体生长工艺发生了明显的变化。同时由于掺杂元素的挥发性、分凝系数的不同， 实际产品生产中，这些方法可以在晶体生长初期实现减小电阻率波动的目的。但是随着晶 体的生长，两种具有相反电阻特征的掺杂元素的分凝系数不同，在熔体中的富集速度不同， 其中一种元素一定超过另一种元素，而电阻率对掺杂元素的含量极为敏感，掺杂元素综合 浓度的微小变化会引起电阻率的急剧变化，双掺杂对电阻率的控制会迅速偏离初始值，超 出性能要求的范围。
[0006] 同时由于掺杂元素挥发程度不同，在多晶硅原料中加入的掺杂元素，在实际单晶 硅中的浓度更加难以预测和控制。
[0007] 为了解决上述问题，本发明专利提供了一种单晶硅的生长技术，可精确控制单晶 硅中的共掺杂元素综合浓度，减小电阻率的波动，提高单晶硅生长的良品率。
【发明内容】
[0008] 本发明的目的在于提供一种η型直拉法硅单晶生长方法，单晶硅从头部到尾部的 电阻率波动小，同时可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响。
[0009] 为了达到以上的目的，本发明工艺技术是通过以下方法实现:选择Ρ(磷)作为η型 半导体单晶硅的主掺杂元素，选择具有相反作用的Ga(镓)作为半导体单晶硅副掺杂元素， 根据单晶硅的电阻率要求，求出单晶硅的固化率，并在单晶硅达到所要求的固化率时加入 Ga 〇
[0010] 进一步的，第一次加入Ga的方法的特征在于， 第一步，确定P的初始加入量 本发明单晶硅的生长方法，选择P作为η型半导体单晶硅的主掺杂元素。根据单晶硅的 电阻率要求给出最高电阻率Rsi_max和最低电阻率Rsi_min。根据最高电阻率R si_max要求，确定出 初始多晶硅中P掺杂浓度以及按照式根据最低电阻率Rsl- max要求得出副掺杂元素加入点 时的固化率。
[0011] 单晶硅的电阻率Rsi与掺杂元素总浓度C的关系为： ' (1) 式中，Rsi为单晶硅的电阻率，单位为Ω，C为单晶硅中掺杂元素总浓度，单位为atom/g。 a为常数，取值1.84 X1015。
[0012] 第二步，确定Ga的第一次加入点Si。
[0013] 在单晶硅生长初期，P添加在多晶硅原料中，单晶硅中的P的浓度CP随着单晶硅的 生长而发生变化，其关系为：
式(3)中，S为单晶硅的固化率，Cpo1为硅熔融液中P的初始浓度，Cp1为硅熔融液中P的实 时浓度，GCTystai为生长出的单晶硅重量，Gtcltai为加入多晶硅的的总重量，r。为石英坩埚的半 径，:rsi为娃单晶棒的半径，v为提拉速度。
[0014] 随着晶体生长，单晶硅中的P的浓度Cp随着单晶硅的生长而增加，单晶硅的电阻率 Rsi也逐渐降低。根据最低电阻率Rsi-min和式（1)确定出单晶硅中掺杂元素最高浓度Co,由于 此时单晶硅中只有P-种掺杂元素，此时的单晶硅中掺杂元素总浓度即为单晶硅中的P的浓 度，从而确定固化率和此时单晶硅的重量。此时的单晶硅的重量标记为Gcrystal-i，此时的固 化率标记为Si，掺杂元素总浓度记为心，单晶硅中的P的浓度标记为C P1。当单晶硅的重量达 到时GcrystM，加入副掺杂元素 Ga。在此时晶体生长过程中加入副掺杂元素，可以避免掺杂 元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响。
[0015] 第三步确定Ga的第一次加入量CGal0。
[0016] 副掺杂元素 Ga在熔体中的加入量为CCalQ，其中， (6) 式(5)中，Ccaio为副掺杂元素 Ga在熔体中第一次的加入量，单位为atom/g。Co为多晶硅 中初始掺杂元素总浓度，由于初始多晶硅中只有P，Co与Cpo相同。C1加入第一次加入副掺杂 元素 Ga时熔融液中掺杂元素总浓度。副掺杂元素 Ga加入后，单晶硅的电阻率恢复到接近最 高电阻率1^-_。
[0017] 本发明专利的特征在于，当单晶硅的重量到达Gcrystal-dt，加入副掺杂元素 Ga。本 发明专利的特征还在于副掺杂元素 Ga以Si-Ga合金的形式加入，Si-Ga合金中含Ga量为 O.lwt^LSi-Ga合金中含Ga量过低则加入合金量多，恪化速度低，固体影响晶体质量;过高则 局部Ga含量过高，挥发大，浓度不准确。
[0018] 进一步地，本发明专利的特征在于，可以一次或多次加入副掺杂元素 Ga。
[0019] 第二次加入Ga的方式的特征在于 第一步，确定单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长的变化关系 副掺杂元素 Ga加入后，单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长继续增加，其特征为：
式中，S为单晶硅的固化率，CCal为第一次加入Ga后单晶硅中Ga的浓度。(Λ3?为第一次加 入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度，cUo为第一次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度，SCa^ 第一次加入Ga的固化率。单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加。
[0020] 第二步，确定第二次Ga的加入As2 在单晶硅的生长过程中，单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加，再根 据式（1 )确定出最低电阻率Rsilin，和单晶硅重量。当单晶硅再次达到最低电阻率Rsiiin时， 此时的单晶硅的重量标记为G crystal-2，此时的固化率标记为&，掺杂元素总浓度记为C2。当单 晶硅的重量达到G CTystai-2时，第二次加入副掺杂元素 Ga。
[0021] 第三步，确定第二次Ga的加入量CGa20 在单晶硅的生长过程中，副掺杂元素 Ga在熔体中的第二次加入量为CCa2Q。的特征在于， feo::·-:Co (12) 式中，CCa2副掺杂元素 Ga在熔体中的第二次加入量，单位为atom/g。副掺杂元素 Ga加入 后，单晶娃的电阻率恢复到接近最尚电阻率Rsi-max。
[0022] 第四步，确定单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着晶体生长的变化 在单晶硅的生长过程中，副掺杂元素 Ga加入后，单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着 晶体生长继续增加，其特征为：
式中，S为单晶硅的固化率，CCa2为第二次加入Ga后引入单晶硅中Ga的浓度。cU为第二 次加入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度，为第二次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度， Sca2为第二次加入Ga的固化率。
[0023] 进一步地，在单晶硅的生长过程中，如果单晶硅的电阻率再次达到最低电阻率 Rsi-min，还可以在熔体中继续加入副控制元素 Ga。其加入量按上述方法进行。
[0024] 进一步地，在单晶硅的生长过程中，当固化率达到90%以上时，电阻率虽然达到最 小电阻率Rsi-min，但不再加入控制元素 Ga。可以保证良品率达到85%以上。
[0025] 本发明的单晶硅生长方法，选择P作为η型半导体单晶硅的主掺杂元素，且在单晶 硅生长过程中加入，具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素，抵消单晶硅中Ρ浓度 增量，控制单晶硅生长过程中的电阻波动。同时当单晶硅的重量达到特定要求时，一次或多 次加入副掺杂元素 Ga，可进一步精确控制单晶硅中的共掺杂元素综合浓度，减小电阻率的 波动，也可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响，提高单晶硅生长的 良品率。
【附图说明】
[0026] 图1为本发明单晶硅生长中掺杂元素浓度随晶体生长变化关系。
[0027] 图2为本发明单晶硅生长实施例1示意图。
[0028] 图3为本发明单晶硅生长实施例2示意图。
[0029] 图4为本发明单晶硅生长对比例2示意图。
【具体实施方式】
[0030] 实施例1 采用CZ法生长8英寸〈100>方向的η型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料 和磷，电阻率目标值60-100Ω，即最高电阻率Rsi_max为100Ω，最低电阻率R si_min为60Ω。按式 (1)由最高电阻率Rsi，x得出磷的初始浓度为5.9X1013atom/g，同时由最低电阻率R si-_计 算得出副掺杂元素加入点时固化率为0.54。
[0031] 具体实施中，在惰性气体的保护下，除去原料中的吸附氧。打开加热器逐步升温到 1420Γ以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等径阶段。 当固化率达到0.54,既晶棒的重量达到65kg时，加入10mg的Ga，加入方法为加入10g含Ga量 为0.1%的Si-Ga合金。当晶体重量达到105kg时，进入收尾，最终的晶体总重量为111 kg。
[0032] 从晶棒上切取多个片检测电阻，晶棒头部的电阻率为99 Ω，然后随着向尾部的延 伸，电阻率下降，在Ga加入前电阻率为61 Ω。加入Ga后电阻上升至97 Ω，随后下降，在尾部为 58 Ω 实施例2 采用CZ法生长8英寸〈100>方向的η型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料 和磷，电阻率目标值70-100Ω，即最高电阻率Rsi-max为100Ω，最低电阻率R si-min为70Ω。按式 (1)由最高电阻率Rsi，x得出磷的初始浓度为5.9X1013atom/g，同时由最低电阻率R si-_计 算得出副掺杂元素需要两次加入，加入点时固化率分别为〇. 40和0.68。
[0033]具体实施中，在惰性气体的保护下，除去原料中的吸附氧。打开加热器逐步升温到 1420Γ以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等级阶段。 当固化率达到0.40，既晶棒的重量达到48kg时，第一次加入7.9mg的Ga，加入方法为加入 7.9g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当固化率达到0.68，既晶棒的重量达到81.6kg时，加入 4 · 2mg的Ga，加入方法为加入4 · 2g含Ga量为0 · 1%的Si-Ga合金。
[0034]当晶体重量达到105kg时，进入收尾，最终的晶体总重量为112kg。
[0035] 从晶棒上切取多个片检测电阻，晶棒头部的电阻率为99 Ω，然后随着向尾部的延 伸，电阻率下降，在Ga第一次加入前电阻率为71 Ω。加入Ga后电阻上升至98 Ω，随后下降，在 Ga第二次加入前电阻率为71 Ω。加入Ga后电阻上升至97 Ω，随后下降，在尾部为55 Ω。
[0036] 实施例3 采用CZ法生长8英寸〈100>方向的η型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料 和磷，电阻率目标值80-100Ω，即最高电阻率Rsi-max为100Ω，最低电阻率R si-min为80Ω。按式 (1)由最高电阻率Rsi，x得出磷的初始浓度为5.9X10 13atom/g，同时由最低电阻率Rsi-_计 算得出副掺杂元素需要四次加入，加入点时固化率分别为〇.25、0.47、0.63和0.78。
[0037] 具体实施中，在惰性气体的保护下，除去原料中的吸附氧。打开加热器逐步升温到 1420Γ以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等径阶段。 当固化率达到0.25，既晶棒的重量达到30kg时，第一次加入5 . lmg的Ga，加入方法为加入 5. lg含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当固化率达到0.47,既晶棒的重量达到56kg时，第二次加 入3.6mg的Ga，加入方法为加入3.6g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当固化率达到0.63，既晶棒 的重量达到75kg时，第三次加入2.5mg的Ga，加入方法为加入2.5g含Ga量为0.1%的Si-Ga合 金。当固化率达到0.78，既晶棒的重量达到93.5kg时，第四次加入1.5mg的Ga，加入方法为加 入1.5g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。
[0038]当晶体重量达到105kg时，进入收尾，最终的晶体总重量为110kg。
[0039] 从晶棒上切取多个片检测电阻，晶棒头部的电阻率为99 Ω，然后随着向尾部的延 伸，电阻率下降。在Ga第一次加入前电阻率为83 Ω，加入Ga后电阻上升至99 Ω，随后下降。在 Ga第二次加入前电阻率为82 Ω。加入Ga后电阻上升至97 Ω，随后下降。在Ga第三次加入前电 阻率为81 Ω，加入Ga后电阻上升至97 Ω，随后下降。在Ga第四次加入前电阻率为81 Ω。加入 Ga后电阻上升至96 Ω，随后下降。在尾部为50 Ω。良品率88%。
[0040] 对比例1 采用CZ法生长8英寸〈100>方向的η型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料 和磷，不加入副掺杂元素进行控制。电阻率目标值70-100 Ω。
[0041] 具体实施中，在惰性气体的保护下，除去原料中的吸附氧。打开加热器逐步升温到 1420Γ以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等径阶段。 当晶体重量达到l〇5kg时，进入收尾，最终的晶体总重量为110kg。
[0042] 从晶棒上切取多个片检测电阻，晶棒头部的电阻率为99 Ω，然后随着向尾部的延 伸，电阻率下降，在尾部为25 Ω。良品率低于30%。
[0043] 对比例2 采用CZ法生长8英寸〈100>方向的η型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原 料，在多晶硅原料中同时加入磷和镓，电阻率目标值60-100 Ω。
[0044] 熔体中P的原始浓度为1.6X1014atom/g，为了达到要求的电阻率范围，与之相对应 的Ga在熔体中的浓度为3 · 5 X 1015atom/g。
[0045] 晶体生长后电阻率检测表明，在晶棒头部约5kg位置，单晶硅的电阻率为74 Ω。在 约40kg位置，单晶硅的电阻率为64 Ω。在约50kg位置，单晶硅的电阻率降为59 Ω，在约l〇5kg 位置，单晶硅的电阻率已为15 Ω。良品率小于50%。
[0046] 这个例子中，与多晶硅同时加入的Ga，在实际生产中有效的Ga含量相当于为3.1 X 1015 atom/g，与加入量有一个差值，约为0.5X1015 atom/g。产生这一差值是因为Ga容易挥 发。而这么微小的量在初始原料加入时是很难控制的，但是就是因为这么微小的差别，却可 以造成电阻率非常大的变化。因此说明采用与多晶硅同时副掺杂元素进行共同控制是难以 实现的。
【主权项】
1. 一种直拉法硅单晶生长方法，主要是η型半导体单晶硅的生长方法，选择P作为η型半 导体单晶硅的主掺杂元素，选择具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素，其特征 在于，根据单晶硅的电阻率要求，求出单晶硅的固化率，并在单晶硅达到所要求的固化率时 加入Ga 02. 根据权利要求1所述的直拉法硅单晶生长方法，其特征在于，在单晶硅达到所要求的 固化率时向坩埚中第一次加入Ga，并且第一次加入Ga的具体方法为： (1) 第一步，确定P的掺杂量 根据单晶硅的电阻率要求给出最高电阻率R?x和最低电阻率Rsl-min，并按照式⑴根 据最高电阻率Rsi^ax要求，确定出初始多晶硅中P掺杂浓度Cpq，以及按照式(2 )、（ 3 )、（4)、 (5)根据最低电阻率Rsl-max要求得出副掺杂元素加入点时的固化率，其中， 单晶硅的电阻率Rsi与掺杂元素总浓度C的关系为： Rsi-me (η 式（1)中，Rsi为单晶硅的电阻率，单位为Ω，C为单晶硅中掺杂元素总浓度，单位为atom/ g，a为常数，取值1.84 X IO15; (2) 第二步，确定Ga的第一次加入AS1 在单晶硅生长初期，P添加在多晶硅原料中，单晶硅中的P的浓度Cp随着单晶硅的生长而 发生变化，其关系为：式(3)中，S为单晶硅的固化率，Cpo1为硅熔融液中P的初始浓度，Cp1为硅熔融液中P的实 时浓度，GcrystaI为生长出的单晶硅重量，GtcitaI为加入多晶硅的的总重量，r。为石英坩埚的半 径，:TSi为娃单晶棒的半径，V为提拉速度， 根据最低电阻率Rsi-min和式（1 )确定出单晶硅中掺杂元素最高浓度Co，单晶硅的重量标 记为GcrystM，此时的固化率标记SS1，掺杂元素总浓度记为&，单晶硅中的P的浓度标记为 Cpi; 当单晶硅的重量达到时Gcrystal-i，加入副掺杂元素 Ga ; (3) 第三步，确定Ga的第一次加入量CGal0 副掺杂元素 Ga在熔体中的加入量为CCalQ，其中，(6) 式(5)中，CCalQ为副掺杂元素 Ga在熔体中的第一次加入量，单位为atom/g，Co为多晶硅中 初始掺杂元素总浓度，由于初始多晶硅中只有P，CQ与Cpq相同，Cl为加入第一次加入副掺杂 元素 Ga时熔融液中掺杂元素总浓度，副掺杂元素 Ga加入后，单晶硅的电阻率恢复到接近最 高电阻率1^__。3. 根据权利要求1所述的直拉法硅单晶生长方法，特征在于副掺杂元素 Ga以Si-Ga合金 的形式加入，Si-Ga合金中含Ga量为0. lwt%。4. 根据权利要求2或3所述的直拉法硅单晶生长方法，可以一次或多次加入副掺杂元素 Ga，其特征在于，每当单晶硅再次达到最低电阻率Rsl-mirJt再次加入副掺杂元素 Ga，以此类 推，在电阻率达到最低值时一次或多次加入副掺杂元素 Ga。5. 根据权利要求4所述的直拉法硅单晶生长方法，其特征在于，在单晶硅达到所要求的 固化率时向坩埚中第二次加入Ga，并且方法具体为： (1) 第一步，确定单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长的变化关系 副掺杂元素 Ga加入后，单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长继续增加，其中：式中，S为单晶硅的固化率，Ccal为第一次加入Ga后单晶硅中Ga的浓度，C1cal为第一次加 入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度，C1calQ为第一次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度，Sca^ 第一次加入Ga的固化率，单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加； (2) 第二步，确定第二次Ga的加入点S2 在单晶硅的生长过程中，单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加，再根 据式（1 )确定出最低电阻率Rsiiin，和单晶硅重量，当单晶硅再次达到最低电阻率Rsiiin时， 此时的单晶硅的重量标记为G crystal-2，此时的固化率标记为S2，掺杂元素总浓度记为C2，当单 晶硅的重量达到G CTystai-2时，第二次加入副掺杂元素 Ga; (3) 第三步，确定第二次Ga的加入量CGa20 在单晶硅的生长过程中，副掺杂元素 Ga在熔体中的第二次加入量为CCa2Q，其中， (:細=W (12) 式中，Cca2副掺杂元素 Ga在熔体中的第二次加入量，单位为atom/g，副掺杂元素 Ga加入 后，单晶娃的电阻率恢复到接近最尚电阻率Rsi-max ; (4) 第四步，确定单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着晶体生长的变化 在单晶硅的生长过程中，副掺杂元素 Ga加入后，单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着 晶体生长继续增加，其中：式中，S为单晶硅的固化率，Cca2为第二次加入Ga后引入单晶硅中Ga的浓度，C1ca2为第二 次加入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度，C1ca2Q为第二次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度， Sca2为第二次加入Ga的固化率。6. 根据权利要求2所述的直拉法硅单晶生长方法，其特征在于，随着单晶硅的生长，其 电阻率如果再次达到最低电阻率Rsi_ min，还可以在熔体中继续加入副控制元素 Ga。7. 根据权利要求5所述的直拉法硅单晶生长方法，其特征在于，随着单晶硅的生长，其 电阻率如果再次达到最低电阻率Rsi_ min，还可以在熔体中继续加入副控制元素 Ga。
【文档编号】C30B15/20GK105887194SQ201610364056
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年5月30日
【发明人】张俊宝, 刘浦锋, 宋洪伟, 陈猛
【申请人】上海超硅半导体有限公司