专利名称：四硫富瓦烯衍生物、以及使用它的有机膜和有机晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及新的四硫富瓦烯衍生物，以及使用所述新的四硫富瓦烯衍生物的有机电子器件，例如有机TFT、电致变色显示器、EL显示器、有机半导体材料和用于电荷输送材料的原材料。
背景技术：
四硫富瓦烯(TTF)及其衍生物是具有强的供电子性能的分子，且与电子受体分子如四氰基醌二甲烷(TCNQ) —起形成电荷转移络合物。得到的电荷转移络合物显示出金属导电性。所述电荷转移络合物预期用于许多应用，例如有机超导体、有机磁性材料、有机电致变色材料和有机电致发光材料。近年来，使用有机半导体的薄膜晶体管已经引起了关注。使用硅制造薄膜晶体管的常规方法需要真空条件和沉积步骤。因此，所述制造薄膜晶体管的常规方法具有需要非常昂贵的制造设备的缺点。然而，由于通过使用将有机半导体材料溶解在溶剂中而形成的油墨的印刷方法来按需(on-demand)制造晶体管，制造使用有机半导体的晶体管的方法可降低成本。而且，通过使用有机半导体的所述印刷方法，可扩大电子电路的面积，或可制造柔性器件。已经证实在有机半导体中使用常规报道的TTF衍生物的薄膜晶体管具有高的场效应迁移率。在非专利文献1和2中，通过将TTF衍生物溶解在溶剂中，制得了晶体，且将所述晶体放置在源电极和漏电极之间，从而制造有机半导体层，然后测量其晶体管特性。证实使用DB-TTF作为有机半导体层的薄膜晶体管具有高的迁移率。然而，通过将单晶放置在薄膜晶体管的有机半导体层上来制造元件的方法，实际上不能用作其中考虑工业便利性的方法。此外，典型的TTF衍生物具有低电离电位和弱环境稳定性。为了改善DB-TTF和DN-TTF的电离电位，非专利文献3和专利文献1提出了包含氮原子的分子结构。与其中不包含氮原子的DB-TTF和DN-TTF相比，各自包含氮原子的DB-TTF 和DN-TTF的电离电位得以改善，但迁移率显著降低。引文列表专利文献PTL 1 日本专利申请公开(JP-A) 2007-42717非专利文献NPL 1 J. Am. Chem. Soc. 2004，126,984-985NPL 2 :Appl. Phys. Lett. 2005,86 012110NPL 3 J. Am. Chem. Soc. 2005，127，10142—1014
发明内容
鉴于常规技术的现状，本发明的目的是提供保持高迁移率且比常规的四硫富瓦烯衍生物具有更强的电离电位的具有特定结构的四硫富瓦烯衍生物，以及提供使用该具有特定结构的四硫富瓦烯衍生物的有机膜和有机晶体管。本发明的发明人已经进行了深入研究从而实现了本发明的所述目的，并发现在有机电子器件中使用具有特定结构的四硫富瓦烯衍生物是有效的。如下实现了本发明。<1>通式(I)所示的四硫富瓦烯衍生物
权利要求
1.通式(I)所示的四硫富瓦烯衍生物
2.有机膜，其包含根据权利要求1所述的四硫富瓦烯衍生物。
3.有机晶体管，其包含根据权利要求1所述的四硫富瓦烯衍生物。
全文摘要
通式(I)所示的四硫富瓦烯衍生物在通式(I)中，X表示选自碳原子、硫原子和氮原子的原子，且各X可相同或不同；条件是当X为碳原子或氮原子时，R1-R8各自表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、和取代或未取代的硫代烷氧基中之一，且可相同或不同；并且Y1和Y2各自表示通式(II)和通式(III)所示的结构之一，且可相同或不同。
文档编号C07D339/06GK102365274SQ20108001356
公开日2012年2月29日 申请日期2010年3月17日 优先权日2009年3月25日
发明者冈田崇, 加藤拓司, 匂坂俊也, 后藤大辅, 山本谕, 松本真二, 毛利匡贵, 篠田雅人 申请人:株式会社理光