专利名称：多面体结构聚硅氧烷改性体、多面体结构聚硅氧烷系组合物、固化物及光半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及多面体结构聚硅氧烷改性体、多面体结构聚硅氧烷系组合物、固化物及光半导体器件。
背景技术：
聚硅氧烷系组合物的耐热性、耐寒性、耐候性、耐光性、化学稳定性、电特性、阻燃性、耐水性、透明性、着色性、不粘合性、不腐蚀性优异，在各种产业中被利用。其中，已知由具有多面体结构的聚硅氧烷构成的组合物由于其特异的化学结构，显示更优异的耐热性、耐光性、化学稳定性、低介电特性等。作为使用具有多面体结构的聚硅氧烷的应用例,有意图向光半导体元件密封剂用途展开的例子，例如在专利文献I中，公开了具有多面体结构的聚硅氧烷系组合物，其含有:具有含2个以上的氧杂环丁烷基的多面体结构的聚硅氧烷树脂、含有I个以上的环氧基的脂肪族烃、和阳离子聚合引发剂，该材料为高折射且光的取出效率高。然而，专利文献I中公开的聚硅氧烷系组合物由于具有氧杂环丁烷基或环氧基，所以存在耐热性、耐光性低的问题。针对这样的问题，例如，在专利文献2中，通过限定具有环氧基的聚有机聚硅氧烷的玻璃化转变温度来改善耐热性、耐光性的问题，进而，该材料在耐冷热冲击试验后也不易
产生裂缝。然而，依然很难在像白色LED那样的要求高耐热性、耐光性的用途中使用，并非是耐冷热冲击性也能够令人满意的材料。此外，聚硅氧烷系组合物具有优异的特性，另一方面通常具有阻气性低的问题。因此，在光半导体元件密封剂用途中使用时，存在反射器因硫化物而黑色化的问题，对于该问题，例如在专利文献3中，预先将金属构件用阻气性高的丙烯酸系树脂进行涂敷处理，然后，用硅酮树脂进行密封。然而，该技术中使用的硅酮树脂自身的阻气性低，在用丙烯酸系树脂进行涂敷处理后，另外用硅酮树脂进行密封等，费时费力，生产率存在问题。此外，在光半导体元件密封剂用途中，为了得到白色光，采用对于蓝色的发光元件使用含有黄色的荧光体的密封剂等手段，或者，为了进一步提高演色性，采用对于蓝色的发光元件使用含有绿色的荧光体和红色的荧光体的密封剂等手段，但在密封剂的粘度低的情况下，存在在密封剂的处理时引起荧光体的沉降，产生发光色不均的问题。例如，在专利文献4中，公开了使用具有多面体结构的聚硅氧烷改性体的组合物，该材料的成型加工性、透 明性、耐热耐光性、粘接性优异。然而，关于组合物的粘度(处理性)和阻气性还留有进一步改良的余地。如上所述，期望开发具有高耐热性、耐光性、且耐冷热冲击性及阻气性优异、并且将光半导体元件进行密封时的处理性良好的材料。
现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-163260号公报专利文献2:日本特开2007-169427号公报专利文献3:日本特开2009-206124号公报专利文献4:国际公开第2008/010545号
发明内容
发明所要解决的问题提供具有高耐热性、耐光性、且阻气性及耐冷热冲击性优异、并且将光半导体元件等进行密封时的处理性良好的多面体结构聚硅氧烷系组合物、用于得到这样的组合物的多面体结构聚硅氧烷改性体、使用了这样的组合物的固化物及光半导体器件。用于解决问题的手段本发明人等为了解决上述课题，反复进行了深入研究，结果完成了具有以下构成的多面体结构聚硅氧烷改性体、多面体结构聚硅氧烷系组合物、固化物、及光半导体器件。(I) 一种多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物(a)与具有氢硅烷基的化合物(b)进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体，其中，所述多面 体结构聚硅氧烷改性体具有来自于I分子中具有I个链烯基的有机硅化合物(a')的结构。(2)根据(I)所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，多面体结构聚硅氧烷改性体在温度为20°C下为液状。(3)根据(I)或(2)所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，I分子中具有I个链烯基的有机硅化合物(a')为具有I个以上芳基的有机硅化合物。(4)根据(3)所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，芳基直接键合在硅原子上。(5)根据(I) (4)中任一项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，具有氢硅烷基的化合物(b)为具有氢硅烷基的环状硅氧烷和/或直链状硅氧烷。(6)根据(I) (4)中任一项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，含有氢硅烷基的化合物(b)为具有氢硅烷基的环状硅氧烷。(7)根据(6)所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，含有氢硅烷基的化合物(b)为1，3，5，7-四氢_1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷。(8)根据(I) (7)中任一项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物(a)为由下式表示的硅氧烷单元构成的具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物，[AR12SiO-SiO372] a [R23SiO-SiO372] b(式中，a+b为6 24的整数，a为I以上的整数，b为0或I以上的整数；A为链
烯基A1为烷基或芳基；R2为氢原子、烷基、芳基、或与其它的多面体骨架聚硅氧烷连接的基团)。
(9) 一种多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，其由下式表示的硅氧烷单元构成，[XR32SiO-SiO372] a [R43SiO-SiO372] b[式中，a+b为6 24的整数,a为I以上的整数，b为0或I以上的整数；R3为烧基或芳基；R4为链烯基、氢原子、烷基、芳基、或与其它的多面体骨架聚硅氧烷连接的基团；X具有下述通式(I)或通式(2 )中的任一结构，当X有多个时通式(I)或通式(2 )的结构可以不同，而且通式(I)或通式(2 )的结构也可以混合存在。[化学式I]
权利要求
1.一种多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物(a)与具有氢硅烷基的化合物(b)进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体， 其中，所述多面体结构聚硅氧烷改性体具有来自于I分子中具有I个链烯基的有机硅化合物(a')的结构。
2.根据权利要求1所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，多面体结构聚硅氧烷改性体在温度20°C下为液状。
3.根据权利要求1或2所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，I分子中具有I个链烯基的有机硅化合物(a')为具有I个以上芳基的有机硅化合物。
4.根据权利要求3所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，芳基直接键合在硅原子上。
5.根据权利要求1 4中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，具有氢硅烷基的化合物(b)为具有氢硅烷基的环状硅氧烷和/或直链状硅氧烷。
6.根据权利要求1 4中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，含有氢硅烷基的化合物(b)为具有氢硅烷基的环状硅氧烷。
7.根据权利要求6所述的多面体结构聚娃氧烧改性体,其特征在于,含有氢娃烧基的化合物(b)为1，3，5，7-四氢-1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷。
8.根据权利要求1 7中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物(a)为由下式表示的硅氧烷单元构成的具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物， [AR12SiO-SiO372] JR23SiO-SiO372Jb 式中，a+b为6 24的整数，a为I以上的整数，b为0或I以上的整数；A为链烯基；R1为烷基或芳基；R2为氢原子、烷基、芳基、或与其它的多面体骨架聚硅氧烷连接的基团。
9.一种多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，其由下式表示的硅氧烷单元构成， [XR32SiO-SiO372] JR43SiO-SiO372Jb 式中，a+b为6 24的整数，a为I以上的整数，b为0或I以上的整数；R3为烷基或芳基；R4为链烯基、氢原子、烷基、芳基、或与其它的多面体骨架聚硅氧烷连接的基团；X具有下述通式(I)或通式(2 )中的任一结构，当X有多个时通式(I)或通式(2 )的结构可以不同，而且通式(I)或通式(2 )的结构也可以混合存在， [化学式I]
10.根据权利要求9所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，R5含有I个以上的芳基。
11.根据权利要求10所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，芳基直接键合在硅原子上。
12.根据权利要求1 11中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，分子中平均含有3个以上的氢硅烷基。
13.一种多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，其含有权利要求1 12中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体(A)。
14.根据权利要求13所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，其进一步含有I分子中具有2个以上链烯基的化合物(B)。
15.根据权利要求14所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，化合物(B)为I分子中具有2个以上链烯基的聚硅氧烷(BI)。
16.根据权利要求15所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，I分子中具有2个以上链烯基的聚硅氧烷(BI)具有I个以上的芳基。
17.根据权利要求14所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，化合物(B)为下述通式(4)表示的有机化合物、且为I分子中含有2个以上链烯基的有机化合物(B2)， [化学式3]
18.根据权利要求17所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，有机化合物(B2)的数均分子量低于900。
19.根据权利要求17或18所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，有机化合物(B2)为选自由三烯丙基异氰脲酸酯、二烯丙基异氰脲酸酯、二烯丙基单甲基异氰脲酸酯、二烯丙基单缩水甘油基异氰脲酸酯组成的组中的至少I种化合物。
20.根据权利要求17或18所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，有机化合物(B2)为二烯丙基单甲基异氰脲酸酯。
21.根据权利要求13 20中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，多面体结构聚硅氧烷系组合物在温度23°C下具有IPa s以上的粘度。
22.根据权利要求13 21中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，其含有氢化硅烷化催化剂。
23.根据权利要求13 22中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物，其特征在于，其含有固化延迟剂。
24.一种固化物，其是使权利要求13 23中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物固化而形成的。
25.一种光半导体器件，其是将权利要求13 23中任I项所述的多面体结构聚硅氧烷系组合物作为密封剂使用而形成的。
全文摘要
本发明的目的在于，提供一种多面体结构聚硅氧烷系组合物，其具有高耐热性、耐光性，阻气性及耐冷热冲击性优异，并且将光半导体元件进行密封时的处理性良好，本发明的多面体结构聚硅氧烷系组合物的特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物(a)与具有氢硅烷基的化合物(b)进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体，其中，所述多面体结构聚硅氧烷改性体具有来自于1分子中具有1个链烯基的有机硅化合物(a')的结构。
文档编号C07F7/21GK103119048SQ20118004563
公开日2013年5月22日 申请日期2011年9月13日 优先权日2010年9月22日
发明者田中裕之, 真锅贵雄 申请人:株式会社钟化