专利名称：有机硅树脂组合物、薄片及其制造方法、光半导体元件装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在光半导体元件的密封等中使用的有机硅树脂组合物、使该有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片、具有使该有机硅树脂组合物固化而得到的密封层的光半导体元件装置、及有机硅树脂薄片的制造方法。
背景技术：
迄今为止，作为用于密封发光二极管(LED)等光半导体元件的密封材料，使用透明性优异的有机硅树脂。作为这样的密封材料，例如已知有包含含有烯基的有机聚硅氧烷和有机氢聚硅氧烷的有机硅树脂组合物(例如參照日本特开2000-198930号公报、日本特开2004-186168号公报及日本特开2008-150437号公报。)。这样的有机硅树脂组合物通常在室温下为液态，通过在钼催化剂的存在下加热， 有机聚硅氧烷的烯基与有机氢聚硅氧烷的氢化硅烷基发生加成反应而固化。并且，使用这样的有机硅树脂组合物密封光半导体元件时，例如已知向配置光半导体元件的壳体内填充有机硅树脂组合物并使其固化的方法。但是，该方法中，液态的有机硅树脂组合物的粘度等有时会因作业环境发生改变，有时难以稳定地填充有机硅树脂组合物。于是，例如提出了将包含具有含环状醚基(具体而言为缩水甘油基、环氧环己基、氧杂环丁烷基)的有机硅树脂和含有与含环状醚基反应的热固化剂的密封薄片用组合物加热、干燥来制作光半导体用密封薄片，使用该光半导体用密封薄片密封光半导体元件的方法(例如參照日本特开2009-84511号公报。)。
发明内容
并且，对使用上述日本特开2000-198930号公报、日本特开2004-186168号公报及日本特开2008-150437号公报中记载的有机硅树脂组合物并如上述日本特开2009-84511号公报所述制作光半导体用密封薄片吋，控制烯基和氢化硅烷基的加成反应而将有机硅树脂组合物制成半固化状态的方案进行了探讨。但是，这种情况下，难以控制有机硅树脂组合物中烯基和氢化硅烷基的反应，因此，难以使有机硅树脂组合物均匀地半固化。因此，本发明的目的在于，提供能均匀地半固化的有机硅树脂组合物、使该有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片、具有使该有机硅树脂组合物固化而得到的密封层的光半导体元件装置、及有机硅树脂薄片的制造方法。
本发明的有机硅树脂组合物的特征在于，含有1分子中兼有至少2个こ烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和不含有こ烯系不饱和烃基、I分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和氢化硅烷化催化剂，和氢化硅烷化抑制齐U。另外，本发明的有机硅树脂组合物中，优选前述氢化硅烷化抑制剂含有氢氧化季铵。
另外，本发明的有机硅树脂薄片的特征在于，通过使上述有机硅树脂组合物半固化而得到。另外，本发明的有机硅树脂薄片中，优选以7g/mm2的压カ加压后的厚度为加压前的厚度的0. I 10%。另外，本发明的光半导体元件装置的特征在于，其具备光半导体元件，和通过使上述有机硅树脂薄片固化而得到的、密封前述光半导体元件的密封层。另外，本发明的有机硅树脂薄片的制造方法的特征在于，其包括将上述有机硅树脂组合物涂覆在基材上的エ序；和将前述涂覆于基材的前述有机硅树脂组合物在20 200で下加热0. I 120分钟的エ序。根据本发明的有机硅树脂组合物，其含有1分子中兼有至少2个こ烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和不含有こ烯系不饱和烃基、I分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和氢化硅烷化催化剂，和氢化硅烷化抑制剂。因此，可以边通过氢化硅烷化抑制剂抑制第一有机聚硅氧烷的こ烯系不饱和烃基和第二有机聚硅氧烷的氢化硅烷基的氢化硅烷化反应，边进行第一有机聚硅氧烷的氢化硅烷基和第一有机聚硅氧烷的氢化硅烷基的缩合反应。其结果，可以使有机硅树脂组合物均匀地半固化。
图I是光半导体元件装置的构成示意图。
具体实施例方式本发明的有机硅树脂组合物含有第一有机聚硅氧烷、和第二有机聚硅氧烷、和氢化硅烷化催化剂、和氢化硅烷化抑制剂作为必要成分。第一有机聚娃氧烧在I分子中兼有至少2个こ烯系不饱和烃基和至少2个氢化娃烷基(H-Si e、參照下述式(U)。第一有机聚硅氧烷具体而言包含下述式(I)表示的含氢末端和こ烯系不饱和烃基侧链的有机聚硅氧烷、下述式(2)表示的含こ烯系不饱和烃基末端和氢侧链的有机聚硅氧烷或下述式(3)表示的含氢 こ烯系不饱和烃基侧链的有机聚硅氧烷。式(I):
权利要求
1.ー种有机硅树脂组合物，其特征在于，其含有 I分子中兼有至少2个こ烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和 不包含こ烯系不饱和烃基、I分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和 氢化硅烷化催化剂，和 氢化硅烷化抑制剂。
2.根据权利要求I所述的有机硅树脂组合物，其特征在于，所述氢化硅烷化抑制剂含有氢氧化季铵。
3.一种有机硅树脂薄片，其特征在于，其为通过使有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片,所述有机硅树脂组合物含有 I分子中兼有至少2个こ烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和 不包含こ烯系不饱和烃基、I分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和 氢化硅烷化催化剂，和 氢化硅烷化抑制剂。
4.根据权利要求3所述的有机硅树脂薄片，其特征在干，以7g/mm2的压カ加压后的厚度是加压前的厚度的0. f 10%。
5.一种光半导体元件装置，其特征在于，其具备 光半导体兀件，和 通过使有机硅树脂薄片固化而得到的、密封所述光半导体元件的密封层， 所述有机硅树脂薄片是通过使有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片，所述有机硅树脂组合物含有 I分子中兼有至少2个こ烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和 不包含こ烯系不饱和烃基、I分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和 氢化硅烷化催化剂，和 氢化硅烷化抑制剂。
6.一种有机硅树脂薄片的制造方法，其特征在于，其包括 将有机娃树脂组合物涂覆在基材上的エ序，和 将涂覆于所述基材上的所述有机硅树脂组合物在2(T200°C下加热0. ri20分钟的エ序， 所述有机硅树脂组合物含有 I分子中兼有至少2个こ烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和 不包含こ烯系不饱和烃基、I分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和 氢化硅烷化催化剂，和 氢化硅烷化抑制剂。
全文摘要
本发明提供有机硅树脂组合物、薄片及其制造方法、光半导体元件装置。所述有机硅树脂组合物含有1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和不包含乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和氢化硅烷化催化剂，和氢化硅烷化抑制剂。
文档编号C08J5/18GK102807756SQ201210182088
公开日2012年12月5日 申请日期2012年6月4日 优先权日2011年6月2日
发明者三谷宗久, 片山博之, 藤井春华 申请人:日东电工株式会社