空穴传输材料的制作方法

技术特征：

1.一种具有式I的空穴传输共聚物

其中：

A为包含至少一个三芳胺基团的单体单元；

B’为具有在所述共聚物中的至少三个附接点的单体单元；

C’为芳族单体单元或其氘代类似物；

E在每次出现时相同或不同并且选自H、D、卤化物、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳基、芳氨基、硅氧烷、可交联基团、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代芳基、氘代芳氨基、氘代硅氧烷、以及氘代可交联基团；

a、b和c相同或不同并且为摩尔份数，使得a+b+c＝1，并且a和b为非零。

2.根据权利要求1所述的共聚物，其中单体单元A具有选自式II、式III、式IV、式V-a和式V-b的式

其中：

Ar¹在每次出现时相同或不同并且为芳基或氘代芳基基团；

Ar²在每次出现时相同或不同并且为芳基或氘代芳基基团；

Ar³在每次出现时相同或不同并且为芳基或氘代芳基基团；

Ar⁴在每次出现时相同或不同并且选自亚苯基、被取代的亚苯基、亚萘基、被取代的亚萘基、以及它们的氘代类似物；

Ar⁵、Ar⁶和Ar⁷在每次出现时相同或不同并且为芳基基团或氘代芳基基团；

R¹和R²在每次出现时相同或不同并且选自D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及交联基团，其中选自R¹和R²的相邻基团能够连接在一起以形成稠合环；

T¹和T²在每次出现时独立地相同或不同并且为以非平面构型连接的共轭部分或其氘代类似物；

X在每次出现时相同或不同并且选自单键、芳基基团、以及氘代芳基基团；

d在每次出现时相同或不同并且为1至6的整数；

e在每次出现时相同或不同并且为1至6的整数；

k1为0-4的整数；

g1在每次出现时相同或不同并且为0-3的整数；

q为0或更大的整数；并且

*表示所述共聚物中的附接点。

3.根据权利要求2所述的共聚物，其中单体单元A具有式III。

4.根据权利要求3所述的共聚物，其中单体单元A具有式III-b

其中：

Ar²在每次出现时相同或不同并且为芳基或氘代芳基基团；

R¹至R⁵在每次出现时相同或不同并且选自D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及交联基团，其中相邻的R¹或R⁵基团能够连接在一起以形成稠合的5元或6元芳族环；

k在每次出现时相同或不同并且为0至4的整数；

g为0至3的整数；

h和h1相同或不同并且为1或2；并且

*表示所述共聚物中的附接点。

5.根据权利要求2所述的共聚物，其中Ar¹为不具有稠合环的烃芳基基团。

6.根据权利要求5所述的共聚物，其中Ar¹具有至少一个选自下列的取代基：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、交联基团、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及氘代交联基团；在一些实施方案中，所述取代基选自D、烷基、芳氨基、烃芳基、氘代烷基、氘代芳氨基、以及氘代烃芳基。

7.根据权利要求2所述的共聚物，其中Ar²为不具有稠合环的烃芳基基团。

8.根据权利要求2所述的共聚物，其中Ar²选自苯基、联苯基、三联苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它们的氘代类似物、以及它们的衍生物，所述衍生物具有一个或多个选自下列的取代基：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲锗烷基、甲硅烷氧基、具有交联基团的取代基、以及它们的氘代类似物。

9.根据权利要求2所述的共聚物，其中R¹选自D、C_1-10烷基、C_1-10甲硅烷基、C_6-20烃芳基、C_3-20杂芳基、氨基基团、氘代C_1-10烷基、氘代C₁-₁₀甲硅烷基、氘代C_6-20烃芳基、氘代C_3-20杂芳基、以及氘代氨基基团。

10.根据权利要求1所述的共聚物，其中单体单元B’具有式VI

其中：

Z选自具有至少三个键合位置的C、Si、Ge、N、环状脂族部分、芳族部分、氘代环状脂族部分、或氘代芳族部分；

Y为单键、烷基、芳族部分、氘代烷基、或氘代芳族部分，前提条件是当Y为单键、烷基、或氘代烷基时，Z为芳族部分或氘代芳族部分；

s为3至Z上可获得的最大键合位置数的整数；并且

*表示所述共聚物中的附接点。

11.根据权利要求1所述的共聚物，其中单体单元B’具有选自式VII、式VIII、式IX、式X和式XI的式

其中：

Ar⁸为具有至少三个键合位置的芳族部分或氘代芳族部分；

R⁶在每次出现时独立地相同或不同并且选自D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及交联基团，其中相邻的R⁶基团能够连接在一起以形成稠合的5元或6元芳族环；

k在每次出现时相同或不同并且为0至4的整数；

k1为0至5的整数；并且

*表示所述共聚物中的附接点。

12.根据权利要求1所述的共聚物，其中E为烃芳基基团或氘代烃芳基基团。

13.根据权利要求1所述的共聚物，其中式I的E选自苯基、联苯基、二苯基氨基、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。

14.根据权利要求1所述的共聚物，其中a＝0.60–0.90，b＝0.10–0.40，并且c＝0–0.20。

15.一种有机电子器件，其包括阳极、阴极、以及处于它们之间的至少一个有机活性层，其中所述有机活性层包含根据权利要求1所述的共聚物。

16.根据权利要求15所述的有机电子器件，其中所述器件包括阳极、空穴传输层、光敏层、以及阴极，其中所述空穴传输层和所述光敏层中的一者或两者包含所述共聚物。

17.根据权利要求16所述的有机电子器件，其中所述空穴传输层包含所述共聚物。

18.一种具有下式I’的共聚物

其中：

A为包含至少一个三芳胺基团的单体单元；

B’为具有在所述共聚物中的至少三个附接点的单体单元；

C’为芳族单体单元或其氘代类似物；

E在每次出现时相同或不同并且选自H、D、卤化物、烷基、芳基、芳氨基、硅氧烷、可交联基团、氘代烷基、氘代芳基、氘代芳氨基、氘代硅氧烷、以及氘代可交联基团；

a1、b1、c1和e1为反应物单体的摩尔份数，使得a1+b1+c1+e1＝1，并且a1和b1为非零；

z为等于或大于3的整数；并且

*表示所述共聚物中的附接点。

19.根据权利要求18所述的共聚物，其中a1＝0.30–0.90，b1＝0.05–0.40，c1＝0–0.15，并且e1＝0.05–0.60。