本发明涉及一种微电子芯片封装处理材料，属于微电子芯片封装技术领域。
背景技术：
微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子芯片安装过程中，有必要采用合适的方式改善其封装处理效果。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种微电子芯片封装处理材料，以便更好地实现微电子芯片封装处理材料的使用功能，使产品具有更好的封装性能，改善产品使用性能。
为了实现上述目的，本发明的技术方案如下。
一种微电子芯片封装处理材料，由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯18～22份、尿素甲醛树脂16～20份、丙烯酸丁酯16～20份、甲基丙烯酸甲酯14～18份、改性酚醛树脂16～20份、甲基异丁基甲醇16～20份、牛脂基二羟乙基氧化胺14～18份、N-甲基吡咯烷酮16～20份、丙酸戊酯16～20份、二乙二醇乙醚14～18份、硼酸钙14～18份、二苯并呋喃14～18份、十六烷基溴16～20份、咪唑啉14～18份、氟硅酸铵12～16份、白云石粉末16～20份、氮化钛粉末14～18份、二氟化铅粉末12～16份、二氧化钛粉末14～18份、氟化钙粉末12～16份、锡酸锌12～16份、聚噻吩12～16份、聚磷酸铵10～14份、对甲苯酚6～10份、三甘醇二异辛酸酯4～8份、硬脂酸聚乙二醇酯4～8份、乙酰柠檬酸三丁酯4～8份、乙二醇一异丁醚4～8份、次磺酰胺类促进剂4～8份、2-硫醇基苯骈噻唑4～8份。
进一步地，上述微电子芯片封装处理材料，由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛树脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛树脂16份、甲基异丁基甲醇16份、牛脂基二羟乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸钙14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸铵12份、白云石粉末16份、氮化钛粉末14份、二氟化铅粉末12份、二氧化钛粉末14份、氟化钙粉末12份、锡酸锌12份、聚噻吩12份、聚磷酸铵10份、对甲苯酚6份、三甘醇二异辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰柠檬酸三丁酯4份、乙二醇一异丁醚4份、次磺酰胺类促进剂4份、2-硫醇基苯骈噻唑4份。
进一步地，上述微电子芯片封装处理材料，由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛树脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛树脂18份、甲基异丁基甲醇18份、牛脂基二羟乙基氧化胺16份、N-甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、二乙二醇乙醚16份、硼酸钙16份、二苯并呋喃16份、十六烷基溴18份、咪唑啉16份、氟硅酸铵14份、白云石粉末18份、氮化钛粉末16份、二氟化铅粉末14份、二氧化钛粉末16份、氟化钙粉末14份、锡酸锌14份、聚噻吩14份、聚磷酸铵12份、对甲苯酚8份、三甘醇二异辛酸酯6份、硬脂酸聚乙二醇酯6份、乙酰柠檬酸三丁酯6份、乙二醇一异丁醚6份、次磺酰胺类促进剂6份、2-硫醇基苯骈噻唑6份。
进一步地，上述微电子芯片封装处理材料，由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯22份、尿素甲醛树脂20份、丙烯酸丁酯20份、甲基丙烯酸甲酯18份、改性酚醛树脂20份、甲基异丁基甲醇20份、牛脂基二羟乙基氧化胺18份、N-甲基吡咯烷酮20份、丙酸戊酯20份、二乙二醇乙醚18份、硼酸钙18份、二苯并呋喃18份、十六烷基溴20份、咪唑啉18份、氟硅酸铵16份、白云石粉末20份、氮化钛粉末18份、二氟化铅粉末16份、二氧化钛粉末18份、氟化钙粉末16份、锡酸锌16份、聚噻吩16份、聚磷酸铵14份、对甲苯酚10份、三甘醇二异辛酸酯8份、硬脂酸聚乙二醇酯8份、乙酰柠檬酸三丁酯8份、乙二醇一异丁醚8份、次磺酰胺类促进剂8份、2-硫醇基苯骈噻唑8份。
进一步地，上述微电子芯片封装处理材料制备方法步骤如下：
(1)将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末予以混合，超声高速分散，超声波频率为20～40KHz，分散速度5000～5400r/min左右，分散时间为30～60min；
(2)加入所述质量份数的锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯，超声高速分散，超声波频率为20～35KHz，分散速度4800～5200r/min左右，分散时间为30～50min；
(3)加入所述质量份数的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑，超声高速分散，超声波频率为20～30KHz，分散速度4600～4800r/min左右，分散时间为20～40min；混合均匀后制得本品。
该发明的有益效果在于：本发明中的微电子芯片封装处理材料，由以下组分组成：聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末、锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯、硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑。本发明通过对微电子芯片的封装材料进行优化，显著的提高了微电子芯片封装材料的折射率、硬度和粘结强度。本发明的方法制备得到的微电子芯片封装材料邵氏硬度为74A至86A，粘结强度为7.8MPa至8.6MPa。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的具体实施方式进行描述，以便更好的理解本发明。
实施例1
本实施例中的微电子芯片封装处理材料，由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛树脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛树脂16份、甲基异丁基甲醇16份、牛脂基二羟乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸钙14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸铵12份、白云石粉末16份、氮化钛粉末14份、二氟化铅粉末12份、二氧化钛粉末14份、氟化钙粉末12份、锡酸锌12份、聚噻吩12份、聚磷酸铵10份、对甲苯酚6份、三甘醇二异辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰柠檬酸三丁酯4份、乙二醇一异丁醚4份、次磺酰胺类促进剂4份、2-硫醇基苯骈噻唑4份。
上述微电子芯片封装处理材料制备方法步骤如下：
(1)将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末予以混合，超声高速分散，超声波频率为20kHz，分散速度5400r/min左右，分散时间为60min；
(2)加入所述质量份数的锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯，超声高速分散，超声波频率为20kHz，分散速度5200r/min左右，分散时间为50min；
(3)加入所述质量份数的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑，超声高速分散，超声波频率为20kHz，分散速度4800r/min左右，分散时间为40min；混合均匀后制得本品。
本发明的方法制备得到的微电子芯片封装材料邵氏硬度为74A，粘结强度为7.8MPa。
实施例2
本实施例中的微电子芯片封装处理材料，由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛树脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛树脂18份、甲基异丁基甲醇18份、牛脂基二羟乙基氧化胺16份、N-甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、二乙二醇乙醚16份、硼酸钙16份、二苯并呋喃16份、十六烷基溴18份、咪唑啉16份、氟硅酸铵14份、白云石粉末18份、氮化钛粉末16份、二氟化铅粉末14份、二氧化钛粉末16份、氟化钙粉末14份、锡酸锌14份、聚噻吩14份、聚磷酸铵12份、对甲苯酚8份、三甘醇二异辛酸酯6份、硬脂酸聚乙二醇酯6份、乙酰柠檬酸三丁酯6份、乙二醇一异丁醚6份、次磺酰胺类促进剂6份、2-硫醇基苯骈噻唑6份。
上述微电子芯片封装处理材料制备方法步骤如下：
(1)将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末予以混合，超声高速分散，超声波频率为30kHz，分散速度5200r/min左右，分散时间为45min；
(2)加入所述质量份数的锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯，超声高速分散，超声波频率为27kHz，分散速度5000r/min左右，分散时间为40min；
(3)加入所述质量份数的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑，超声高速分散，超声波频率为25kHz，分散速度4700r/min左右，分散时间为30min；混合均匀后制得本品。
本发明的方法制备得到的微电子芯片封装材料邵氏硬度为78A，粘结强度为8.2MPa。
实施例3
本实施例中的微电子芯片封装处理材料，由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯22份、尿素甲醛树脂20份、丙烯酸丁酯20份、甲基丙烯酸甲酯18份、改性酚醛树脂20份、甲基异丁基甲醇20份、牛脂基二羟乙基氧化胺18份、N-甲基吡咯烷酮20份、丙酸戊酯20份、二乙二醇乙醚18份、硼酸钙18份、二苯并呋喃18份、十六烷基溴20份、咪唑啉18份、氟硅酸铵16份、白云石粉末20份、氮化钛粉末18份、二氟化铅粉末16份、二氧化钛粉末18份、氟化钙粉末16份、锡酸锌16份、聚噻吩16份、聚磷酸铵14份、对甲苯酚10份、三甘醇二异辛酸酯8份、硬脂酸聚乙二醇酯8份、乙酰柠檬酸三丁酯8份、乙二醇一异丁醚8份、次磺酰胺类促进剂8份、2-硫醇基苯骈噻唑8份。
上述微电子芯片封装处理材料制备方法步骤如下：
(1)将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末予以混合，超声高速分散，超声波频率为40kHz，分散速度5000r/min，分散时间为30min；
(2)加入所述质量份数的锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯，超声高速分散，超声波频率为35kHz，分散速度4800r/min，分散时间为30min；
(3)加入所述质量份数的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑，超声高速分散，超声波频率为30kHz，分散速度4600r/min左右，分散时间为20min；混合均匀后制得本品。
本发明的方法制备得到的微电子芯片封装材料邵氏硬度为86A，粘结强度为8.6MPa。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。