技术总结
一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。
技术研发人员：杨文龙;陈高汝;林家齐
受保护的技术使用者：哈尔滨理工大学
文档号码：201611146193
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.05.31