化合物、显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明属于有机发光技术领域，具体涉及一种化合物、显示面板及显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)是利用有机薄膜层产生电激发光的自发光装置。具体来说，oled器件在外加电场驱动下，由阳极和阴极分别注入空穴和电子；空穴和电子分别迁移至发光层并在有机发光材料内结合，产生激子；激发态的激子可以以光的形式释放能量回到稳定的基态，产生可见光。作为新一代显示技术，oled显示面板具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低等优点，因而已广泛应用于平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示等行业。
3.尽管oled显示面板已得到广泛的商业化应用，其发光效率仍有很大的改善空间。oled显示面板的发光效率除了与器件结构有关外，还受到所使用有机材料的较大影响。因此，为了进一步提高oled显示面板和显示装置的市场竞争力，仍需提供一种能改善oled器件效率的化合物。


技术实现要素：

4.本发明提供一种化合物以及包含该化合物的显示面板及显示装置，旨在改善显示面板和显示装置中oled器件的发光效率，并进一步使oled器件具有较低的工作电压和较长的使用寿命。
5.为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种化合物，其具有式(1)所示的结构，
[0006][0007]
式(1)中，l
11
、l
12
、r
11
、r
12
、r1至r8、m、n、p和q分别如本文所定义。
[0008]
本发明的第二方面提供一种显示面板，其包括有机发光器件，该有机发光器件包括阳极、阴极和有机膜层，有机膜层包含位于所述阳极和阴极之间的发光层，其中有机膜层包含至少一种如本发明所述的化合物。
[0009]
本发明的第三方面提供一种显示装置，其包括根据本发明的显示面板。
[0010]
本发明的化合物具有二苯并二氮杂八元环
‑
二酮结构的核心单元，其为受电子单元，本身具有较好的电子传输能力。进一步通过在核心单元上进行合适的取代基(如具有给
电子能力的第一基团和/或具有受电子能力的第二基团)取代，可以有效调节整个分子的极性和载流子(空穴、电子)传输特性，从而能调节oled器件发光层的激子复合区，改善发光效率和器件寿命。同时，核心单元上连接取代基还可以实现调节分子的homo和lumo能级，使得化合物与相邻层化合物的能级相匹配，降低空穴和/或电子的注入势垒，由此能防止载流子在层间界面区域堆积，提高发光效率，同时降低器件的工作电压。
[0011]
可选地，在具有受电子能力的核心单元上进行具有给电子能力的第一基团取代，可以实现适当的homo和lumo能级，同时有利于空穴和电子的传输，从而获得具有良好的电子和空穴双极性传输能力的化合物。化合物同时还具有较高的三线态能级，适于作为发光层中的发光主体材料，可以防止从发光客体材料到发光主体材料之间的三线态能量倒流，从而将三线态激子最大限度地限制在发光层内，因此能提高激子利用率，改善oled器件发光效率。此外，化合物还可具有较大的homo和lumo能级差。发光主体材料的能级差大于发光客体材料的能级差，有利于发光主体材料到发光客体材料的能量转移，以及载流子在发光客体材料上的直接俘获，从而有助于进一步提高发光效率。
[0012]
可选地，通过在核心单元上进行具有受电子能力的第二基团取代，或者同时进行具有受电子能力的第二基团和具有给电子能力的第一基团取代，可以使化合物具有适当的homo能级和较深的lumo能级，实现更强的电子传输能力，同时还能有效阻挡空穴。并且，化合物同时还具有较高的三线态能级，可以将激子阻挡在发光层中。因此，这些化合物适合作为oled器件中的电子传输材料或空穴阻挡材料。采用该化合物能降低器件的工作电压，提升器件的发光效率。
[0013]
本发明的化合物具有较高的玻璃化转变温度tg，因此分子稳定性较好。化合物在空间构型上平面性较差，分子间作用力弱，因此成膜性能良好，有助于在热真空蒸镀过程中形成稳定、均一的无定型的非晶薄膜。并且，采用本发明化合物的器件在使用中能减少分子间的堆叠和结晶化现象，保证优良的薄膜稳定性，同时还能有效地抑制发光层中的聚集发光猝灭的现象，因此能提升发光效率，并且提升器件寿命。
附图说明
[0014]
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据附图获得其他的附图。
[0015]
图1为本发明实施例提供的一种oled器件的结构示意图。
[0016]
图2为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
[0017]
为了使本发明的发明目的、技术方案和有益技术效果更加清晰，以下结合实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的实施例仅仅是为了解释本发明，并非为了限定本发明。
[0018]
本发明的上述发明内容并不意欲描述本发明中的每个公开的实施方式或每种实现方式。如下描述更具体地举例说明示例性实施方式。在整篇申请中的多处，通过一系列实
施例提供了指导，这些实施例可以以各种组合形式使用。在各个实例中，列举仅作为代表性组，不应解释为穷举。
[0019]
在本文的描述中，除非另有说明，“以上”、“以下”为包含本数，“几种(个)”、“多种(个)”的含义均是两种(个)以上。
[0020]
术语“优选的”和“优选地”是指在某些情况下可以提供某些益处的本发明的实施方式。然而，在相同或其他情况下，其他实施方式也可以是优选的。此外，对一个或多个优选实施方式的叙述并不意味着其他实施方式不可用，并且不意欲将其他实施方式排除在本公开的范围之外。
[0021]
本文公开的替换性要素或实施方式的分组不应被理解为限制。每个组成员可被单独采用和被单独要求保护，或者与该组其它成员或在本文中找到的其它要素以任何组合被采用和要求保护。可以预见到，为了方便和/或可专利性的理由，组中的一个或多个成员可被包含进组中或从中删除。当任何此类包含或删除发生时，说明书在此被看作为含有经过改动的组，因此满足对权利要求书中所用的全部马库什组的书面描述。
[0022]
除另有说明外，当化合物或化学结构特征(例如芳基)被称为是“取代的”时，该特征可具有一个或多个取代基。术语“取代基”具有本领域普通技术人员所知晓的最广泛的含义，并且包括这样的片段(moiety)：其占据了正常由与母化合物或化学结构特征相连的一个或多个氢原子占据的位置。在一些实施方式中，取代基可以是本领域中已知的普通有机片段，其可以具有15～50g/mol、15～100g/mol、15～200g/mol或者15～500g/mol的分子量(例如取代基的原子的原子质量的总和)。一些取代基包括f、cl、br、i、no2、c1‑
12
h3‑
25
、c1‑
12
h1‑
25
o、c1‑
12
h1‑
25
o2、c1‑
12
h3‑
26
n、c1‑
12
h1‑
26
no、c1‑
12
h3‑
27
n2、c1‑
12
f3‑
25
、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的c3～c10杂芳基等。
[0023]
术语“烷基”不仅包括直链或支链饱和烃基，例如甲基、乙基、丙基(如正丙基、异丙基)、丁基(如正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基)、戊基(如正戊基、异戊基、新戊基)等类似烷基，而且包括带有本领域已知的其它取代基的烷基取代基，所述其它取代基例如为羟基、烷基磺酰基、卤素原子、氰基、硝基、氨基、羧基等。因此，“烷基”包括醚基、卤代烷基、硝基烷基、羧基烷基、羟烷基、磺基烷基等。在各种实施方式中，c1～c10烷基即烷基可含有1～10个碳原子。
[0024]
术语“卤代”或“卤素”是指氟、氯、溴和碘，如氟。
[0025]
术语“烷氧基”是指
‑
o
‑
烷基。烷氧基的实例包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基(如正丙氧基、异丙氧基)、丁氧基(如正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基)及类似烷氧基。
[0026]
术语“烷硫基”是指
‑
s
‑
烷基。烷硫基的实例包括但不限于甲硫基、乙硫基、丙硫基(如正丙硫基、异丙硫基)、丁硫基(如正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基)及类似烷硫基。
[0027]
术语“环烷基”是指非芳香族的碳环基，包括环化的烷基、烯基和炔基。环烷基可以是单环(如环己基)或多环(如稠环、桥接环和/或螺环)。环烷基的实例包括但不限于环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基。在各种实施方式中，c3～c10的环烷基即环烷基可含有3～10个用于形成环的碳原子。
[0028]
术语“硅烷基”是指
‑
si
‑
(烷基)3。硅烷基的实例包括但不限于三甲基硅烷基、三乙
基硅烷基、二甲基乙基硅烷基、二乙基甲基硅烷基等。
[0029]
术语“芳基”是指闭合的芳族环或环体系。芳基的实例包括但不限于苯基、萘基、联二苯基、三联苯基、芴基、茚基、蒽基、菲基、芘基、螺二芴基及类似芳基。在各种实施方式中，c6～c30芳基即芳基可含有6～30个用于形成环的碳原子。
[0030]
术语“杂芳基”是指芳基的环中的一个或多个原子是除碳以外的元素(如n、o、s、si等)。在一些实施方式中，就c2～c30的杂芳基的整体而言，可包含1～8或1～5个环杂原子(如n、o、s、si等)。杂芳基的实例包括但不限于吡咯基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三唑基(如1,2,3
‑
三唑基、1,3,4
‑
三唑基、1,2,5
‑
三唑基)、三嗪基(如1,3,5
‑
三嗪基)、吲哚基、异吲哚基、咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯基吲哚并咔唑基、邻菲罗啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、异苯并呋喃基及类似杂芳基。在各种实施方式中，c2～c30的杂芳基即杂芳基可含有2～30个用于形成环的碳原子。
[0031]
在本说明书的各处，化合物的取代基以组或范围公开。明确地预期这种描述包括这些组和范围的成员的每一个单独的子组合。例如，明确地预期术语“c1～c6的烷基”单独地公开c1、c2、c3、c4、c5、c6、c1～c6、c1～c5、c1～c4、c1～c3、c1～c2、c2～c6、c2～c5、c2～c4、c2～c3、c3～c6、c3～c5、c3～c4、c4～c6、c4～c5、和c5～c6烷基。作为其它实例，明确地预期范围为6～30的整数单独地公开6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29和30；明确地预期范围为1～20的整数单独地公开1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19和20。据此，可明确地预期其它组或范围。
[0032]
在本文中，单键穿过环或环体系的表示方法是指单键可以连接在该环或环体系的任意可接入位置。“#”出现时表示连接位置。
[0033]
在第一方面的实施方式中，本发明提供一种化合物，其具有式(1)所示的结构，
[0034][0035]
式(1)中，l
11
和l
12
分别独立地选自取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c20的杂芳基、取代或未取代的金刚烷基。
[0036]
r
11
和r
12
分别独立地选自第一基团或第二基团。第一基团选自具有给电子能力的基团。优选地，第一基团选自取代或未取代的咔唑基及其衍生基团、取代或未取代的吖啶基及其衍生基团、取代或未取代的芳氨基及其衍生基团、取代或未取代的含二苯并b和g杂六元环单元的基团，其中芳氨基中的芳基独立地选自取代或未取代的c6～c30的芳基，g独立地表示o、s或n。第二基团选自具有受电子能力的基团。优选地，第二基团选自取代或未取代的含氮杂原子的杂芳基、氰基、氰基取代的芳基、氰基取代的杂芳基、取代或未取代的芳硼基、取代或未取代的芳基酮类基团、取代或未取代的杂芳基酮类基团、取代或未取代的芳基
砜类基团、取代或未取代的芳基磷氧基及其衍生基团、取代或未取代的邻苯二甲基酰胺基及其衍生基团、取代或未取代的萘二甲基酰胺基及其衍生基团、取代或未取代的苝酰亚胺基及其衍生基团。
[0037]
m和n分别独立地表示0、1、2或3。p和q分别独立地表示0、1、2或3。m+p≥1。n+q≥1。若m为0，则表示(r
11
)
p
－直接通过单键与n连接。若p为0，则表示无r
11
基团取代。类似地，若n为0，则表示(r
12
)
q
－直接通过单键与n连接。若q为0，则表示无r
12
基团取代。
[0038]
r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8分别独立地表示氢、卤素、氰基、异氰基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c3～c10的环烷基、取代或未取代的c1～c10的烷氧基、取代或未取代的c1～c10的烷硫基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基。
[0039]
在任意实施方式中，m表示0、1或2。在一些实施例中，m表示1。并且，p+q≥1。作为示例，p表示0，q表示1、2或3。可选地，p表示0，q表示1。作为另一示例，p表示1、2或3，q表示0、1、2或3。在这些实施例中，r
11
基团通过l
11
基团连接至核心单元，能提高分子的稳定性。可选地，p表示1，q表示0或1。
[0040]
在任意实施方式中，l
11
可独立地选自取代或未取代的c6～c30的芳基。可选地，l
11
可独立地选自取代或未取代的c6～c20的芳基。还可选地，l
11
可独立地选自取代或未取代的c6～c14的芳基。在一些实施例中，l
11
可独立地选自苯基、萘基、菲基、蒽基、联苯基、三亚苯基、芘基、螺双芴基、基、苝基、茚基、薁基。联苯基的示例包括联二苯基、三联苯基等。可选地，l
11
可独立地选自苯基、萘基、菲基、蒽基、联苯基、三亚苯基。还可选地，l
11
可独立地选自苯基、萘基、蒽基、联二苯基。进一步可选地，l
11
表示苯基、联二苯基。尤其可选地，l
11
表示苯基。
[0041]
在一些实施例中，(r
11
)
p
‑
(l
11
)
m
‑
#可表示其中p如本文所定义。作为具体的示例包括或p表示0或1。在一些实施例中。p表示1。
[0042]
在一些实施例中，(r
11
)
p
‑
(l
11
)
m
‑
#可表示或其中p如本文所定义。作为具体的示例包括如下所示结构，其中p表示0或1。在一些实施例中。p表示1。
[0043]
[0044]
在一些实施例中，(r
11
)
p
‑
(l
11
)
m
‑
#可表示或其中p如本文所定义。作为具体的示例可包括或其中p表示0或1。在一些实施例中，p表示1。
[0045]
在一些实施例中，(r
11
)
p
‑
(l
11
)
m
‑
#可表示如下结构中的任一种，其中p如本文所定义。
[0046][0047]
作为具体的示例可包括p表示0或1。在一些实施例中，p表示1。
[0048]
在任意实施方式中，l
11
可独立地选自取代或未取代的c2～c20的杂芳基。可选地，l
11
可独立地选自取代或未取代的c4～c12的杂芳基。在一些实施例中，l
11
可独立地选自吡咯基、呋喃基、噁唑基、异噁唑基、噻吩基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、噁二唑基、咪唑基、吡唑基、三氮唑、哒嗪基、吡嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吡喃酮基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、嘌呤基、蝶啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、香豆素基、噌啉、喹喔啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、菲啰啉基、吩噻嗪基、吩噁嗪基。可选地，l
11
表示吡啶基。
[0049]
在一些实施例中，(r
11
)
p
‑
(l
11
)
m
‑
#可表示或其中p如本文所定义。作为具体的示例可包括p表示0或1。在一些实施例中，p表示1。
[0050]
在任意实施方式中，l
11
可独立地选自取代或未取代的金刚烷基。金刚烷基为非共轭刚性结构，分子中引入金刚烷基可以实现高的三线态能级。该化合物可适用于蓝光发光主体材料或绿光发光主体材料。此外，在核心单元上引入金刚烷基可以使化合物获得更好的热稳定性；并且还能提升分子的溶解性，有利于量产阶段掩膜版(mask)的清洗。
[0051]
在任意实施方式中，n表示0、1或2。在一些实施例中，n表示1。并且，p+q≥1。作为示例，q表示0，p表示1、2或3。可选地，q表示0，p表示1。作为另一示例，q表示1、2或3，p表示0、1、2或3。在这些实施例中，r
12
基团通过l
12
基团连接至核心单元，能提高分子的稳定性。可选地，q表示1，p表示0或1。
[0052]
在任意实施方式中，l
12
可独立地选自取代或未取代的c6～c30的芳基。可选地，l
12
可独立地选自取代或未取代的c6～c20的芳基。还可选地，l
12
可独立地选自取代或未取代的
c6～c14的芳基。在一些实施例中，l
12
可独立地选自苯基、萘基、菲基、蒽基、联苯基、三亚苯基、芘基、螺双芴基、基、苝基、茚基、薁基。联苯基的示例包括联二苯基、三联苯基等。可选地，l
12
可独立地选自苯基、萘基、菲基、蒽基、联苯基、三亚苯基。还可选地，l
12
可独立地选自苯基、萘基、蒽基、联二苯基。进一步可选地，l
12
表示苯基、联二苯基。尤其可选地，l
12
表示苯基。
[0053]
在一些实施例中，(r
12
)
q
‑
(l
12
)
n
‑
#可表示其中q如本文所定义。作为具体的示例包括或q表示0或1。在一些实施例中。q表示1。
[0054]
在一些实施例中，(r
12
)
q
‑
(l
12
)
n
‑
#可表示或其中q如本文所定义。作为具体的示例包括如下所示结构，其中q表示0或1。在一些实施例中。q表示1。
[0055][0056]
在一些实施例中，(r
12
)
q
‑
(l
12
)
n
‑
#可表示或其中q如本文所定义。作为具体的示例可包括其中q表示0或1。在一些实施例中，q表示1。
[0057]
在一些实施例中，(r
12
)
q
‑
(l
12
)
n
‑
#可表示如下结构中的任一种，其中q如本文所定义。
[0058][0059]
作为具体的示例可包括q表示0或1。在一些实施例中，q表示1。
[0060]
在任意实施方式中，l
12
可独立地选自取代或未取代的c2～c20的杂芳基。可选地，l
12
可独立地选自取代或未取代的c4～c12的杂芳基。在一些实施例中，l
12
可独立地选自吡咯基、呋喃基、噁唑基、异噁唑基、噻吩基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、噁二唑基、咪唑基、吡唑基、三氮唑、哒嗪基、吡嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吡喃酮基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、嘌呤基、蝶啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、香豆素基、噌啉、喹喔啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、菲啰啉基、吩噻嗪基、吩噁嗪基。可选地，l
12
表示吡啶基。
[0061]
在一些实施例中，(r
12
)
q
‑
(l
12
)
n
‑
#可表示或其中q如本文所定义。作为具体的示例可包括q表示0或1。在一些实施例中，q表示1。
[0062]
在任意实施方式中，l
12
可独立地选自取代或未取代的金刚烷基。金刚烷基为非共轭刚性结构，分子中引入金刚烷基可以实现高的三线态能级。该化合物可适用于蓝光发光主体材料或绿光发光主体材料。此外，在核心单元上引入金刚烷基可以使化合物获得更好的热稳定性；并且还能提升分子的溶解性，有利于量产阶段掩膜版(mask)的清洗。
[0063]
在任意实施方式中，l
11
和l
12
可以相同或不同。当m≥2时，该2个以上的l
11
可以相同或不同。当n≥2时，该2个以上的l
12
可以相同或不同。可选地，l
11
和l
12
分别独立地表示苯基、联二苯基、萘基或蒽基。在一些实施例中，l
11
和l
12
相同。
[0064]
在任意实施方式中，m表示1，p表示0或1，n表示1，q表示0或1，p+q≥1。可选地，p和q均为1。可选地，p为1，q为0；或者，p为0，q为1。
[0065]
在一些实施例中，化合物具有式(1
‑
1)、式(1
‑
2)、或式(1
‑
3)所示的结构。各式中，r
11
、r
12
、r1至r8、p和q分别如本文所定义。可选地，化合物具有式(1
‑
1)、或式(1
‑
2)所示的结构。
[0066]
[0067]
在任意实施方式中，r
11
和r
12
可以相同或不同。当p≥2时，该2个以上的r
11
可以相同或不同，并且可独立地选自第一基团或第二基团。当q≥2时，该2个以上的r
12
可以相同或不同，并且可独立地选自第一基团或第二基团。可以根据实际需求来对r
11
、r
12
、r
11
与l
11
的组合以及r
12
与l
12
的组合进行不同设计，来使化合物具有所需的homo和lumo能级、以及所需的电子传输能力和空穴传输能力等特性。
[0068]
在一些实施例中，r
11
和r
12
分别独立地选自第一基团。可选地，p和q均为1。可选地，p为1，q为0；或者，p为0，q为1。在具有受电子能力的核心单元上进行具有给电子能力的第一基团取代，可以实现适当的homo和lumo能级，同时有利于空穴和电子的传输，从而获得具有良好的电子和空穴双极性传输能力的化合物。化合物同时还具有较高的三线态能级，适于作为发光层中的发光主体材料，可以防止从发光客体材料到发光主体材料之间的三线态能量倒流，从而将三线态激子最大限度地限制在发光层内，因此能提高激子利用率，改善oled器件发光效率。此外，化合物还可具有较大的homo和lumo能级差。发光主体材料的能级差大于发光客体材料的能级差，有利于发光主体材料到发光客体材料的能量转移，以及载流子在发光客体材料上的直接俘获，从而有助于进一步提高发光效率。
[0069]
在一些实施例中，r
11
和r
12
分别独立地选自第二基团。可选地，p和q均为1。可选地，p为1，q为0；或者，p为0，q为1。在具有受电子能力的核心单元上进行具有受电子能力的第二基团取代，可以使化合物具有适当的homo能级和较深的lumo能级，实现更强的电子传输能力，同时还能有效阻挡空穴。并且，化合物同时还具有较高的三线态能级，可以将激子阻挡在发光层中。因此，这些化合物适合作为oled器件中的电子传输材料或空穴阻挡材料。采用该化合物能降低器件的工作电压，提升器件的发光效率。
[0070]
在一些实施例中，r
11
和r
12
中的一者选自第一基团，另一者选自第二基团。可选地，p和q均为1。在具有受电子能力的核心单元上进行具有给电子能力的第一基团和具有受电子能力的第二基团取代，可以根据实际需求同时调节化合物的homo和lumo能级，来使化合物具有所需的电子传输能力和空穴传输能力，同时使化合物的能级与oled器件相邻层材料的能级更加匹配。可选地，化合物可具有适当的homo能级和较深的lumo能级，实现更强的电子传输能力，同时还能有效阻挡空穴。这些化合物适合作为oled器件中的电子传输材料或空穴阻挡材料。化合物同时还具有较高的三线态能级，可以将激子阻挡在发光层中。因此，采用该化合物能降低器件的工作电压，提升器件的发光效率。
[0071]
在任意实施方式中，第一基团可选自取代或未取代的咔唑基及其衍生基团。作为实例可包括如下所示取代或未取代的咔唑基及其衍生基团。
[0072][0073]
在出现时，r
a
、r
b
和r
c
分别独立地表示氰基、取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、或取代或未取代的c6～c40芳基。在一些实施例中，c1～c20烷基、c1～c20烷氧基和c6～c40芳基分别可选自本文所描述的那些。
[0074]
可选地，r
a
在出现时表示氰基、甲基、异丙基、叔丁基、甲氧基、或苯基。在一些实施例中，r
a
在出现时表示甲基、异丙基、或叔丁基。
[0075]
可选地，r
b
在出现时表示氰基、甲基、异丙基、叔丁基、甲氧基、或苯基。在一些实施例中，r
b
在出现时表示甲基、异丙基、或叔丁基。
[0076]
可选地，r
c
在出现时表示氰基、甲基、异丙基、叔丁基、甲氧基、或苯基。在一些实施
例中，r
c
在出现时表示甲基、异丙基、或叔丁基。
[0077]
在出现时，r
a
和r
b
分别独立地表示氰基、取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、取代或未取代的c6～c40芳基、取代或未取代的c4～c40的杂芳基、或取代或未取代的芳氨基。在一些实施例中，c1～c20烷基、c1～c20烷氧基、c6～c40芳基、c4～c40的杂芳基和芳氨基分别可选自本文所描述的那些。
[0078]
可选地，r
a
在出现时表示氰基、甲基、异丙基、叔丁基、甲氧基、苯基、吡啶基、或二苯基氨基。还可选地，r
a
在出现时表示甲基、异丙基、叔丁基、甲氧基、或苯基。在一些实施例中，r
a
在出现时表示甲基、异丙基、或叔丁基。
[0079]
可选地，r
b
在出现时表示氰基、甲基、异丙基、叔丁基、甲氧基、苯基、吡啶基、或二苯基氨基。还可选地，r
b
在出现时表示甲基、异丙基、叔丁基、甲氧基、或苯基。在一些实施例中，r
b
在出现时表示甲基、异丙基、或叔丁基。
[0080]
在出现时，x独立地表示o、s、n(z)、c(z)2、si(z)2，其中z独立地表示氢、取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、或取代或未取代的c6～c40芳基。在一些实施例中，所述c1～c20烷基、c1～c20烷氧基、c6～c40芳基分别可选自本文所描述的那些。
[0081]
在一些实施例中，x独立地表示o。
[0082]
在一些实施例中，x独立地表示s。
[0083]
在一些实施例中，x独立地表示n(z)。例如n(ph)。在本文中，ph表示苯基。再例如n(联苯基)。再例如，n(萘基)。
[0084]
在一些实施例中，x独立地表示c(z)2。例如c(ph)2。再例如c(ch3)2。
[0085]
在一些实施例中，x独立地表示si(z)2。例如si(ph)2。
[0086]
在出现时，α表示0、1或2。β表示0、1或2。γ表示0、1或2。在一些实施例中，在α、β和γ中的两个以上同时出现时，它们中的一个或多个表示0。在一些实施例中，在α、β和γ中的两个以上同时出现时均表示0。
[0087]
在一些实施例中，第一基团选自r
a
和r
b
分别如本文所定义，α表示0或1，β表示0或1。作为具体的示例可包括如下所示结构：
[0088][0089]
在一些实施例中，第一基团选自如下所示基团，其中x、r
a
和r
b
如本文所定义，α表示0或1，β表示0或1。例如，α表示0，β表示0。
[0090][0091]
作为具体的示例可包括如下所示基团，
[0092][0093]
可选地，第一基团选自
[0094]
在一些实施例中，第一基团选自如下所示咔唑基衍生基团，其中x如本文所定义，
[0095][0096]
在一些实施例中，第一基团选自如下所示基团，
[0097][0098]
在任意实施方式中，第一基团可选自取代或未取代的吖啶基及其衍生基团。作为实例可包括如下所示取代或未取代的吖啶基及其衍生基团，
[0099][0100]
上述各结构式中，r
a
、r
b
、r
c
、x、α、β和γ分别如本文所定义。
[0101]
在出现时，y独立地表示o、s、n(z)、c(z)2、si(z)2，其中z如本文所定义。
[0102]
在一些实施例中，y独立地表示o。
[0103]
在一些实施例中，y独立地表示s。
[0104]
在一些实施例中，y独立地表示n(z)。例如n(ph)。再例如n(联苯基)。再例如，n(萘基)。
[0105]
在一些实施例中，y独立地表示c(z)2。例如c(ph)2。再例如c(ch3)2。
[0106]
在一些实施例中，y独立地表示si(z)2。例如si(ph)2。
[0107]
在一些实施例中，第一基团可选自r
a
和r
b
分别如本文所定义，α表示0或1，β表示0或1。作为实例可包括但不限于：
[0108][0109]
在一些实施例中，第一基团可选自如下所示基团，
[0110][0111]
作为具体示例可包括但不限于：
[0112][0113]
在任意实施方式中，第一基团可选自取代或未取代的芳氨基及其衍生基团，其中芳氨基中的芳基独立地选自取代或未取代的c6～c30的芳基。在一些实施例中，c6～c30的芳基可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，芳氨基中的芳基独立地选自取代或未取代的苯基、或取代或未取代的萘基。
[0114]
在一些实施例中，第一基团可选自如下所示取代或未取代的芳氨基及其衍生基团，
[0115][0116]
[0117]
上述各结构式中，r
a
、r
b
、r
c
、α、β和γ分别如本文所定义。各芳氨基及其衍生基团中的任选两个芳基之间还可以可选地连接。
[0118]
在一些实施例中，第一基团可选自如下基团，
[0119][0120]
在一些实施例中，第一基团可选自如下基团，
[0121][0122]
在任意实施方式中，第一基团可选自取代或未取代的含二苯并b和g杂六元环单元(如)的基团，其中g独立地表示o、s或n。在一些实施例中，第一基团可选自如下所示含二苯并b和g杂六元环单元的基团，
[0123][0124]
在任意实施方式中，第二基团可选自取代或未取代的含氮杂原子的杂芳基。
[0125]
在一些实施例中，受电子基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基，
[0126][0127]
在出现时，r独立地选自氢、取代或未取代的c1～c20的烷基、取代或未取代的c1～c20的烷氧基、取代或未取代的c4～c8的环烷基、取代或未取代的c6～c40的芳基、取代或未取代的c4～c40的杂芳基。在一些实施例中，前述c1～c20的烷基、c1～c20的烷氧基、c4～c8的环烷基、c6～c40的芳基、c4～c40的杂芳基分别可以选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r表示苯基。
[0128]
可选地，第二基团可选自如下所示基团，
[0129][0130]
在一些实施例中，第二基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基，
[0131][0132]
可选地，第二基团可选自：
[0133]
在一些实施例中，第二基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基，
[0134][0135]
可选地，第二基团选自如下所示基团，
[0136][0137]
进一步可选地，第二基团选自
[0138]
在一些实施例中，第二基团可选自其中r如本文所定义。在一些实施例中，r表示苯基。
[0139]
在一些实施例中，第二基团可选自(如)，其中r如本文所定义。在一些实施例中，r表示苯基。
[0140]
在一些实施例中，第二基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基。
[0141][0142]
可选地，第二基团可选自
[0143]
在一些实施例中，第二基团可选自
[0144]
可选地，第二基团可选自：
[0145][0146]
在一些实施例中，第二基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基。
[0147][0148]
可选地，第二基团可选自
[0149]
在一些实施例中，第二基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基。
[0150][0151]
在一些实施例中，第二基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基。
[0152][0153]
可选地，第二基团可选自如下所示含氮杂原子的杂芳基，
[0154][0155]
在任意实施方式中，第二基团可选自氰基。
[0156]
在任意实施方式中，第二基团可选自氰基取代的芳基。在一些实施例中，芳基可以是本文所描述的那些，例如苯基、萘基等。在一些实施例中，第二基团可选自如下所示的氰基取代的芳基，
[0157][0158]
可选地，第二基团选自如下所示基团，
[0159][0160]
在任意实施方式中，第二基团可选自氰基取代的杂芳基。杂芳基可以是本文所描述的那些，如吡啶基等。在一些实施例中，第二基团选自如下所示氰基取代的杂芳基，
[0161][0162]
可选地，第二基团选自
[0163]
在任意实施方式中，第二基团可选自芳基硼。在一些实施例中，第二基团选自如下所示芳基硼，
[0164][0165]
在任意实施方式中，第二基团可选自芳基酮类基团。在一些实施例中，第二基团选自如下所示芳基酮类基团，
[0166][0167]
在出现时，r’独立地表示氢、取代或未取代的c1～c20的烷基、取代或未取代的c1～c20的烷氧基、取代或未取代的c2～c20的烯基、取代或未取代的c2～c20的炔基、取代或未取代的c4～c8的环烷基、取代或未取代的c6～c40的芳基、取代或未取代的c4～c40的杂芳基。在一些实施例中，前述c1～c20的烷基、c1～c20的烷氧基、c2～c20的烯基、c2～c20的炔基、c4～c8的环烷基、c6～c40的芳基、c4～c40的杂芳基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r’独立地表示苯基。
[0168]
可选地，第二基团选自如下所示芳基酮类基团，
[0169][0170]
在任意实施方式中，第二基团可选自杂芳基酮类基团。可选地选自：进一步可选自
[0171]
在任意实施方式中，第二基团可选自芳基砜类基团。在一些实施例中，第二基团选自如下所示芳基砜类基团，
[0172][0173]
可选地，第二基团可选自如下所示芳基砜类基团，
[0174][0175]
进一步可选地，第二基团可选自如下所示芳基砜类基团，
[0176][0177]
在任意实施方式中，第二基团可选自取代或未取代的芳基磷氧基及其衍生基团。可选地，第二基团选自r’如本文所定义，例如表示苯基。进一步可选地，第二基团选自
[0178]
在任意实施方式中，第二基团可选自取代或未取代的邻苯二甲基酰胺基及其衍生基团。可选地选自r’如本文所定义，例如表示苯基。进一步可选地，第二基团选自
[0179]
在任意实施方式中，第二基团可选自取代或未取代的萘二甲基酰胺基及其衍生基团。可选地选自r’如本文所定义，例如表示苯基。进一步可选地，第
二基团选自
[0180]
在任意实施方式中，第二基团可选自取代或未取代的苝酰亚胺基及其衍生基团。可选地选自如下所示基团，r’如本文所定义，例如表示苯基。
[0181][0182]
进一步可选地，第二基团选自
[0183]
在任意实施方式中，r1表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r1表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r1表示氢或氟。
[0184]
在任意实施方式中，r2表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r2表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r2表示氢或氟。
[0185]
在任意实施方式中，r3表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r3表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r3表示氢或氟。
[0186]
在任意实施方式中，r4表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r4表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r4表示氢或氟。
[0187]
在任意实施方式中，r5表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r5表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r5表示氢或氟。
[0188]
在任意实施方式中，r6表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可
选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r6表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r6表示氢或氟。
[0189]
在任意实施方式中，r7表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r7表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r7表示氢或氟。
[0190]
在任意实施方式中，r8表示氢、卤素、氰基、取代或未取代的c1～c10的烷基、或取代或未取代的c1～c10的烷氧基。可选地，卤素、c1～c10的烷基、和c1～c10的烷氧基分别可选自本文所描述的那些。在一些实施例中，r8表示氢、卤素、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、或甲氧基。在一些实施例中，r8表示氢或氟。
[0191]
在一些实施例中，r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8中的一个或多个为氟。氟原子作为取代基团，能调节化合物的能级，进一步改善化合物的极性和载流子传输性能；并且还可以增强化合物的稳定性，提升器件工作寿命。尤其是在有机发光二极管中，c
‑
h
…
f相互作用能引起典型的π
‑
堆积排列方式，从而增强电荷迁移率。
[0192]
在本发明的一些实施例中，m、n、p和q均为1；l
11
和l
12
选自苯基或联二苯基，且l
11
和l
12
相同；r
11
和r
12
分别选自第一基团，且r
11
和r
12
相同；r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8均表示氢。作为化合物的实例包括如下中任意一种：
[0193]
[0194]
[0195]
[0196]
[0197]
[0198]
[0199]
[0200]
[0201]
[0202]
[0203][0204]
在本发明的一些实施例中，m和n均为1，p为0，q为1；l
11
选自苯基、联二苯基或萘基，l
12
选自苯基或联二苯基；r
12
选自第一基团；r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8均表示氢。作为化合物的实例包括如下中任意一种：
[0205][0206]
在本发明的一些实施例中，m、n、p和q均为1；l
11
和l
12
选自苯基或联二苯基，且l
11
和l
12
相同；r
11
和r
12
分别选自第二基团，且r
11
和r
12
相同；r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8均表示氢。作为化合物的实例包括h001～h081中的任意一种。
[0207]
在本发明的一些实施例中，m、n、p和q均为1；l
11
和l
12
选自苯基或联二苯基，且l
11
和l
12
相同；r
11
和r
12
分别选自第二基团，且r
11
和r
12
不同；r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8均表示氢。作为化合物的实例包括h082中的任意一种。
[0208]
在本发明的一些实施例中，m和n均为1，p为0，q为1；l
11
选自苯基、联二苯基或萘基，l
12
选自苯基或联二苯基；r
12
选自第二基团；r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8均表示氢。作为化合物的实例包括h083～h092中的任意一种。
[0209]
[0210]
[0211]
[0212]
[0213]
[0214]
[0215]
[0216][0217]
在本发明的一些实施例中，m、n、p和q均为1；l
11
和l
12
选自吡啶基，且l
11
和l
12
相同；r
11
和r
12
分别选自第二基团，且r
11
和r
12
相同；r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8均表示氢。作为化合物的实例包括h093中的任意一种。
[0218][0219]
在本发明的一些实施例中，m、n、p和q均为1；l
11
和l
12
选自苯基或联二苯基，且l
11
和l
12
相同；r
11
和r
12
中的一者选自第一基团，另一者选自第二基团；r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8均表示氢。作为化合物的实例包括如下中的任意一种，
[0220]
[0221][0222]
可以理解的是，本发明的化合物可以是本文所描述的任意l
11
、l
12
、r
11
、r
12
、r1至r8、m、n、p和q所确定的化合物，而并不限于所列出的那些。
[0223]
接下来本发明提供一种显示面板。显示面板包括有机发光器件，有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于阳极和阴极之间的有机膜层，该有机膜层包括发光层(eml)。有机膜层中还可以包含其它功能层。例如，其它功能层可包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子阻挡层(ebl)、空穴阻挡层(hbl)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)、盖帽层(capping layer)中的一种或几种。有机膜层中包含一种以上的本发明化合物。
[0224]
本发明化合物可以通过在核心单元上进行不同的基团取代，由此可以根据不同的需要获得所需的homo和lumo能级，以及所需的空穴和/或电子传输能力，进而可以应用于有机膜层中的不同功能材料，例如发光主体材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子阻挡材料、盖帽层材料等。当本发明化合物应用于任一功能层中时，其它功能层的材料分别可选自本领域已知的材料。
[0225]
在一些实施方式中，化合物中，r
11
和r
12
分别独立地选自第一基团。这些化合物适用于发光层材料。发光层包括1种以上的本发明化合物。
[0226]
目前oled中的发光层基本都使用主客发光体系统结构，即在发光主体材料中掺杂发光客体材料。可以通过进行发光主体材料和发光客体材料的匹配，来调控oled的光色，同时提升器件效率。在一些实施例中，发光主体材料包括本发明化合物。优选地，作为发光主体材料的化合物，homo能级可以为
‑
5.0
±
0.3ev。进一步地，化合物的lumo能级可以为
‑
1.1
±
0.3ev。在这些实施例中，发光客体材料可以是荧光发光材料、热活化延迟荧光材料、或磷光发光材料，并且可以是蓝色发光材料、绿色发光材料、红色发光材料等。在一些实施例中，发光客体材料是磷光发光材料。进一步可选地，发光客体材料是绿色磷光发光材料。本领域技术人员可根据发光原理、发光颜色的不同进行搭配选择。
[0227]
可选地，发光主体材料的homo能级与发光客体材料的homo能级之差小于0.6ev，或发光主体材料的lumo能级与发光客体材料的lumo能级之差小于0.6ev。可选地，发光客体材料可以是荧光发光材料、或热活化延迟荧光材料，发光客体材料的单线态能级小于发光主体材料的单线态能级，且发光主体材料的单线态能级与发光客体材料的单线态能级之差小于1.0ev。发光客体材料可以是磷光材料，发光客体材料的三线态能级小于发光主体材料的
三线态能级，且发光主体材料的三线态能级与发光客体材料的三线态能级之差小于1.0ev。
[0228]
在一些实施方式中，化合物中，r
11
和r
12
分别独立地选自第二基团。还可选地，r
11
和r
12
中的一者表示第一基团，另一者表示第二基团，p≥1，q≥1。这些化合物可适用于空穴阻挡材料或电子传输材料。优选地，化合物的lumo能级可以为
‑
1.8
±
0.1ev。进一步地，化合物的homo能级可以为
‑
6.0
±
0.4ev。因此，在一些实施例中，有机膜层包含位于阴极和发光层之间的空穴阻挡层，空穴阻挡层包含1种以上本发明化合物。在一些实施例中，有机膜层包含位于阴极和发光层之间的电子传输层，电子传输层包含1种以上本发明化合物。
[0229]
在一些实施方式中，阳极材料可包括金属(例如，铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金)、金属氧化物(例如，氧化铟、氧化锌、氧化铟锡ito、氧化铟锌izo、氧化铟镓锌igzo等)、导电性聚合物(例如，聚苯胺、聚吡咯、聚(3
‑
甲基噻吩)等)。除以上有助于空穴注入的材料及其组合，还可包括其它已知的适合做阳极的材料。
[0230]
在一些实施方式中，阴极可包括金属层(例如，铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金金属层)、金属层和包含金属氧化物和金属卤化物中的一种以上的层复合形成的多层阴极(例如，lif/al、lio2/al、baf2/al等)。除以上有助于电子注入的材料及其组合，还包括其它已知的适合做阴极的材料。
[0231]
图1示出有机发光器件的一个示例。参照图1，有机发光器件包括依次层叠的基板1、阳极2、有机膜层和阴极9，其中有机膜层包括在阳极2至阴极9的方向上依次层叠的空穴注入层3、第一空穴传输层4、第二空穴传输层或电子阻挡层5、发光层6、第一电子传输层或空穴阻挡层7、和第二电子传输层8。可选地，在第二电子传输层8和阴极9之间还可以设置电子注入层。图中箭头表示出光方向。
[0232]
可采用本领域已知的方法制作有机发光器件。示例性制作方法包括：在透明或不透明的基板上形成阳极，在阳极上形成有机膜层，在有机膜层上形成阴极。基板可采用硬质基板(如玻璃基板、硬塑料基板等)，也可以采用柔性基板(如聚酰亚胺基板等)。形成有机膜层可采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。本发明的化合物可在常规溶剂(如二氯甲烷dcm、氯仿、甲苯、二甲基甲酰胺dmf、四氢呋喃thf、乙醇等)中具有较高的溶解度，便于含有其的有机物层的制备。并且，该有机物层能获得较好的成膜均匀性，减少或避免出现孔洞。
[0233]
接下来本发明提供一种显示装置。显示装置包括根据本发明的显示面板。显示装置的示例包括但不限于手机(如图2所示为作为一个示例的手机100)、电脑、电视、智能手表、智能汽车、vr或ar头盔等，本发明对此不作特殊限定。
[0234]
实施例
[0235]
下述实施例更具体地描述了本发明公开的内容，这些实施例仅仅用于阐述性说明，因为在本发明公开内容的范围内进行各种修改和变化对本领域技术人员来说是明显的。除非另有声明，以下实施例中所报道的所有份、百分比、和比值都是基于重量计，而且实施例中使用的所有试剂都可商购获得或是按照常规方法进行合成获得，并且可直接使用而无需进一步处理，以及实施例中使用的仪器均可商购获得。
[0236]
(一)化合物的合成
[0237]
本发明示例性地提供了几个化合物的制备方法。本发明的其他化合物可参照该示例性的方法来制备。根据示例性的化合物制备方法，本领域技术人员可从相关科学文献或
本领域的标准教科书容易地获得实现各合成步骤的具体方法。除非特别指明，使用商业上可得的或文献中已知的化合物作为合成的原材料。有机合成的本领域技术人员将认识到，为了优化本文所述的化合物的生成的目的，可改变所提出的合成步骤的性质和顺序。
[0238]
本文所述的工艺可根据本领域已知的任何适宜方法来监控。例如，产物生成可通过光谱手段如核磁共振波谱法(nmr，例如1h或
13
c)、红外光谱法(ir)、分光光度法(例如uv可见的)、质谱法(ms)或通过色谱法如高效液相色谱法(hplc)、气相色谱法(gc)、凝胶渗透色谱法(gpc)或薄层色谱法(tlc)来监控。
[0239]
(1)中间体s1的合成
[0240][0241]
在300ml水中，加入s01(10mmol)，s02(10mmol)，naoh(10mmol)，形成悬浊液；将悬浊液在85℃下加热1h，直至溶液变为澄清状态。冷却后，再次添加水对溶液进行稀释。向稀释后的溶液添加冰醋酸使固体从溶液中沉淀出来，过滤，真空干燥，得到中间体粗品a。中间体粗品a使用乙酸乙酯进行提取，用食盐水清洗有机相，并使用无水硫酸钠对有机相进行干燥，减压蒸馏去除有机溶剂。加入100ml甲醇，缓慢逐滴加入5ml浓硫酸。加热回流72h。减压蒸馏移除过量的甲醇，将得到的固体加入到水中；加入naoh的水溶液，将溶液的ph调节到8。使用乙酸乙酯萃取，收集有机相。依次使用1mol/l的naoh水溶液、去离子水、食盐水清洗有机相，并使用无水硫酸钠对有机相进行干燥，减压蒸馏去除有机溶剂，得到中间体粗品b。将中间体粗品b溶解在200ml无水四氢呋喃thf中，加入2摩尔当量的naoh的矿物油溶液，加热回流18h。减压蒸馏去除过量的thf，得到的有机相依次使用1mol/l的hcl水溶液、去离子水、食盐水清洗，并使用无水硫酸钠对有机相进行干燥，减压蒸馏去除有机溶剂，得到粗产物。粗产物使用柱色谱进行纯化，洗脱剂为正己烷/乙酸乙酯，得到目标化合物s1(3.4mmol,34％)。
[0242]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c26h16br2n2o2:546.0；测量值：545.8
[0243]
(2)中间体s2的合成
[0244][0245]
参照s1的合成方法，合成目标化合物s2(3.2mmol,32％)。
[0246]
(3)中间体s3的合成
[0247][0248]
参照s1的合成方法，可合成目标化合物s3(2.8mmol,28％)。
[0249]
实施例1：化合物m001的合成
[0250][0251]
将s1(1.3mmol)、s4(3.25mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.13mmol)、叔丁醇钠(0.13mmol)、三叔丁基膦(0.26mmol)投入250ml三口烧瓶中，一边搅拌，一边迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入80ml甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流24小时。反应后，放置冷却至室温；然后向反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得m001(1.12mmol，86％)。
[0252]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c50h32n4o2:720.2；测量值：720.3
[0253]
元素分析计算值：c,83.31；h,4.47；n,7.77；o,4.44；测量值：c,83.35；h,4.48；n,7.74；o,4.42。
[0254]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.09
‑
8.16(m,6h),7.63
‑
7.68(m,10h),7.51
‑
7.53(m,2h),7.37
‑
7.38(m,2h),7.30
‑
7.33(m,10h),7.21
‑
7.23(m,2h)。
[0255]
实施例2：化合物m045的合成
[0256][0257]
将s1(1.5mmol)、s5(3.75mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.15mmol)、叔丁醇钠(0.15mmol)、三叔丁基膦(0.30mmol)投入250ml三口烧瓶中，一边搅拌，一边迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入90ml甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流24小时。反应后，放置冷却至室温；然后向反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得m045(1.23mmol，82％)。
[0258]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c74h46n6o2:1050.4；测量值：1050.6
[0259]
元素分析计算值：c,84.55；h,4.41；n,7.99；o,3.04；测量值：c,84.59；h,4.42；n,
7.96；o,3.02。
[0260]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.09
‑
8.13(m,6h),7.64
‑
7.69(m,12h),7.56
‑
7.58(m,2h),7.48
‑
7.52(m,8h),7.37
‑
7.41(m,6h),7.30
‑
7.33(m,10h),7.21
‑
7.23(m,2h)。
[0261]
实施例3：化合物m063的合成
[0262][0263]
将s3(1.5mmol)、s6(3.75mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.15mmol)、叔丁醇钠(0.15mmol)、三叔丁基膦(0.30mmol)投入250ml三口烧瓶中，一边搅拌，一边迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入80ml甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流24小时。反应后，放置冷却至室温；然后向反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得m063(1.2mmol，80％)。
[0264]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c48h30n6o2:722.2；测量值：722.4
[0265]
元素分析计算值：c,79.76；h,4.18；n,11.63；o,4.43；测量值：c,79.79；h,4.20；n,11.60；o,4.41。
[0266]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.48
‑
8.50(m,2h),8.44
‑
8.46(m,2h),8.08
‑
8.10(m,4h),7.87(d,2h),7.78(d,2h),7.71(d,2h),7.62
‑
7.64(m,2h),7.49
‑
7.52(m,6h),7.31
‑
7.33(m,4h),7.26
‑
7.27(m,2h),7.22
‑
7.23(m,2h)。
[0267]
实施例4：化合物m081的合成
[0268][0269]
将s1(1.0mmol)、s7(2.5mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.10mmol)、叔丁醇钠(0.10mmol)、三叔丁基膦(0.20mmol)投入250ml三口烧瓶中，一边搅拌，一边迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入70ml甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流24小时。反应后，放置冷却至室温；然后向反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得m080(0.75mmol，75％)。
[0270]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c62h42n6o2:902.3；测量值：902.5
[0271]
元素分析计算值：c,82.46；h,4.69；n,9.31；o,3.54；测量值：c,82.49；h,4.71；n,9.28；o,3.52。
[0272]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.08(d,2h),7.62
‑
7.64(m,2h),7.51
‑
7.52(m,6h),7.31
‑
7.33(m,12h),7.25
‑
7.26(m,4h),7.18
‑
7.22(m,16h)。
[0273]
实施例5：化合物h004的合成
[0274][0275]
在氮气保护下，称取化合物s1(2.0mmol)、s8(5.0mmol)、[pd2(dba)3]
·
chcl3(0.2mmol)和hp(tbu)3·
bf4(0.4mmol)，加入到250ml的两口烧瓶中。向两口烧瓶内注入80ml甲苯(提前通n
2 15min除氧气)，然后再逐滴加入1.2ml浓度为1mol/l的k2co3水溶液(提前通n
2 15min除氧气)，室温搅拌过夜。反应结束后，加入30ml去离子水，再滴入几滴2mol/l hcl溶液。用二氯甲烷萃取，收集有机相，并用无水na2so4干燥处理。过滤干燥后的溶液，用旋转蒸发仪除去溶剂，得到粗产物。粗产物通过硅胶色谱柱纯化，最后纯化得到固体h004(1.56mmol，78％)。
[0276]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c56h36n8o2:852.3；测量值：852.5
[0277]
元素分析计算值：c,78.86；h,4.25；n,13.14；o,3.75；测量值：c,78.91；h,4.26；n,13.10；o,3.73。
[0278]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.32
‑
8.34(m,8h),8.19
‑
8.20(m,4h),8.07
‑
8.09(m,4h),7.61
‑
7.63(m,6h),7.48
‑
7.51(m,12h),7.20
‑
7.22(m,2h)。
[0279]
实施例6：化合物h019的合成
[0280][0281]
在氮气保护下，称取化合物s1(1.0mmol)、s9(2.5mmol)、[pd2(dba)3]
·
chcl3(0.1mmol)和hp(tbu)3·
bf4(0.2mmol)，加入到100ml的两口烧瓶中。向两口烧瓶内注入40ml甲苯(提前通n
2 15min除氧气)，然后再逐滴加入0.6ml浓度为1mol/l的k2co3水溶液(提前通n
2 15min除氧气)，室温搅拌过夜。反应结束后，加入20ml去离子水，再滴入几滴2mol/l hcl溶液。用二氯甲烷萃取，收集有机相，并用无水na2so4干燥处理。过滤干燥后的溶液，用旋转蒸发仪除去溶剂，得到粗产物。粗产物通过硅胶色谱柱纯化，最后纯化得到固体h019(0.81mmol，81％)。
[0282]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c48h28n4o4:724.2；测量值：724.3
[0283]
元素分析计算值：c,79.55；h,3.89；n,7.73；o,8.83；测量值：c,79.60；h,3.90；n,7.71；o,8.79。
[0284]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.46(d,2h),8.34
‑
8.35(m,2h),8.07
‑
8.08(m,2h),8.02
‑
8.03(m,2h),7.76
‑
7.78(m,2h),7.67
‑
7.69(m,4h),7.59
‑
7.64(m,8h),7.49
‑
7.52(m,4h),7.21
‑
7.22(m,2h)。
[0285]
实施例7：化合物h045的合成
[0286][0287]
在氮气保护下，称取化合物s2(1.5mmol)、s10(3.75mmol)、[pd2(dba)3]
·
chcl3(0.15mmol)和hp(tbu)3·
bf4(0.3mmol)，加入到250ml的两口烧瓶中。向两口烧瓶内注入80ml甲苯(提前通n
2 15min除氧气)，然后再逐滴加入1.5ml浓度为1mol/l的k2co3水溶液(提前通n
2 15min除氧气)，室温搅拌过夜。反应结束后，加入45ml去离子水，再滴入几滴2mol/l hcl溶液。用二氯甲烷萃取，收集有机相，并用无水na2so4干燥处理。过滤干燥后的溶液，用旋转蒸发仪除去溶剂，得到粗产物。粗产物通过硅胶色谱柱纯化，最后纯化得到固体h045(1.28mmol，85％)。
[0288]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c40h24n4o2:592.2；测量值：592.3
[0289]
元素分析计算值：c,81.07；h,4.08；n,9.45；o,5.40；测量值：c,81.11；h,4.10；n,9.43；o,5.36。
[0290]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.08(d,2h),8.05(s,2h),7.81
‑
8.82(m,4h),7.74
‑
7.75(m,4h),7.62
‑
7.63(m,2h),7.48
‑
7.52(m,8h),7.21
‑
7.23(m,2h)。
[0291]
实施例8：化合物m110的合成
[0292][0293]
将s1(1.35mmol)、联硼酸频那醇酯s11(3.30mmol)、(1,1
’‑
双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(ⅱ)(0.10mmol)以及乙酸钾(18mmol)分别加入100ml三口烧瓶中，一边搅拌，一边迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入12ml四氢呋喃。搅拌下，将混合溶液在80℃下加热回流5h；待反应结束后，冷却至室温并加入12ml水，用乙醚萃取，所得有机相用无水硫酸钠干燥，蒸馏去除溶剂，并使用柱层析法进行精制，得到中间体s12(1.1mmol，81％)。
[0294]
maldi
‑
tof ms：c38h40b2n2o6，m/z计算值：642.3；测量值：642.5。
[0295][0296]
在氮气保护下，称取化合物s12(1.0mmol)、s13(2.5mmol)、[pd2(dba)3]
·
chcl3(0.1mmol)和hp(tbu)3·
bf4(0.2mmol)，加入250ml的两口烧瓶中。向两口烧瓶内注入80ml甲苯(提前通n
2 15min除氧气)，然后再逐滴加入1.2ml浓度为1mol/l的k2co3水溶液(提前通n
2 15min除氧气)，室温搅拌过夜。反应结束后，加入35ml去离子水，再滴入几滴2mol/l hcl溶液。用二氯甲烷萃取，收集有机相，并用无水na2so4干燥处理。过滤干燥后的溶液，用旋转蒸
发仪除去溶剂，得到粗产物。粗产物通过硅胶色谱柱纯化，最后纯化得到固体m110(0.6mmol，60％)。
[0297]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c86h56b2n6o2:1226.5；测量值：1226.7
[0298]
元素分析计算值：c,84.18；h,4.60；b,1.76；n,6.85；o,2.61；测量值：c,84.23；h,4.61；b,1.76；n,6.82；o,2.58。
[0299]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.08
‑
8.10(m,2h),7.67
‑
7.69(m,4h),7.59
‑
7.62(m,6h),7.52
‑
7.53(m,2h),7.42
‑
7.43(m,4h),7.31
‑
7.34(m,12h),7.27
‑
7.28(m,4h),7.18
‑
7.23(m,6h),7.10
‑
7.14(m,12h)，7.04
‑
7.06(m,4h)。
[0300]
实施例9：化合物h072的合成
[0301][0302]
参照s12的合成方法，合成s15。
[0303]
maldi
‑
tof ms：c38h40b2n2o6，m/z计算值：642.3；测量值：642.4。
[0304][0305]
在氮气保护下，称取化合物s15(1.0mmol)、s16(2.5mmol)、[pd2(dba)3]
·
chcl3(0.1mmol)和hp(tbu)3·
bf4(0.2mmol)，加入250ml的两口烧瓶中。向两口烧瓶内注入80ml甲苯(提前通n
2 15min除氧气)，然后再逐滴加入1.2ml浓度为1mol/l的k2co3水溶液(提前通n
2 15min除氧气)，室温搅拌过夜。反应结束后，加入35ml去离子水，再滴入几滴2mol/l hcl。用二氯甲烷萃取，收集有机相，并用无水na2so4干燥处理。过滤干燥后的溶液，用旋转蒸发仪除去溶剂，得到粗产物。粗产物通过硅胶色谱柱纯化，最后纯化得到固体h072(0.72mmol，72％)。
[0306]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c50h30n2o6s2:818.2；测量值：818.5
[0307]
元素分析计算值：c,73.33；h,3.69；n,3.42；o,11.72；s,7.83；测量值：c,73.37；h,3.72；n,3.41；o,11.69；s,7.80。
[0308]
1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.61(s,2h),8.33
‑
8.34(m,2h),8.25
‑
8.26(m,2h),8.15
‑
8.17(m,2h),8.06
‑
8.08(m,4h),7.78
‑
7.81(m,4h),7.69
‑
7.71(m,2h),7.62
‑
7.63(m,2h),7.56
‑
7.58(m,2h)，7.48
‑
7.52(m,6h),7.21
‑
7.22(m,2h)。
[0309]
实施例10：化合物v001的合成
[0310][0311]
在氮气保护下，称取化合物s1(1.0mmol)、s17(1.0mmol)、[pd2(dba)3]
·
chcl3(0.05mmol)和hp(tbu)3·
bf4(0.1mmol)，加入250ml的两口烧瓶中。向两口烧瓶内注入50ml甲苯(提前通n
2 15min除氧气)，然后再逐滴加入0.8ml浓度为1mol/l的k2co3水溶液(提前通n
2 15min除氧气)，室温搅拌过夜。反应结束后，加入30ml去离子水，再滴入几滴2mol/l hcl溶液。用二氯甲烷萃取，收集有机相，并用无水na2so4干燥处理。过滤干燥后的溶液，用旋转蒸发仪除去溶剂，得到粗产物。粗产物通过硅胶色谱柱纯化，最后纯化得到s18(0.45mmol，45％)。
[0312]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c38h23brn2o3:634.1；测量值：634.5；
[0313]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.07
‑
8.10(m,3h),8.04
‑
8.05(m,1h),7.95
‑
7.97(d,1h),7.74
‑
7.75(d,1h),7.58
‑
7.63(m,8h),7.49
‑
7.52(m,3h),7.43
‑
7.44(m,3h),7.38
‑
7.39(m,1h)，7.21
‑
7.23(m,2h)。
[0314][0315]
在氮气保护下，称取化合物s18(1.0mmol)、s19(1.25mmol)、[pd2(dba)3]
·
chcl3(0.08mmol)和hp(tbu)3·
bf4(0.16mmol)，加入250ml的两口烧瓶中。向两口烧瓶内注入80ml甲苯(提前通n
2 15min除氧气)，然后再逐滴加入1.5ml浓度为1mol/l的k2co3水溶液(提前通n
2 15min除氧气)，室温搅拌过夜。反应结束后，加入50ml去离子水，再滴入几滴2mol/l hcl溶液。用二氯甲烷萃取，收集有机相，并用无水na2so4干燥处理。过滤干燥后的溶液，用旋转蒸发仪除去溶剂，得到粗产物。粗产物通过硅胶色谱柱纯化，最后纯化得到固体v001(0.81mmol，81％)。
[0316]
maldi
‑
tof ms:m/z计算值：c53h33n5o3:787.3；测量值：787.5
[0317]
元素分析计算值：c,80.80；h,4.22；n,8.89；o,6.09；测量值：c,80.84；h,4.24；n,8.86；o,6.06。
[0318]1h nmr(400mhz,cdcl3,ppm):8.32
‑
8.35(m,4h),8.19
‑
8.22(m,2h),8.04
‑
8.10(m,4h),7.95
‑
7.96(m,1h),7.74(d,1h),7.58
‑
7.63(m,8h),7.48
‑
7.52(m,9h),7.43
‑
7.44(m,1h),7.38
‑
7.39(m,1h)，7.21
‑
7.22(m,2h)。
[0319]
(二)化合物性能测试
[0320]
(1)化合物模拟计算
[0321]
运用密度泛函理论(dft)，利用gaussian 09程序包在b3lyp/6
‑
31g(d)计算水平下，优化并计算得到表1所列本发明的化合物的分子前线轨道homo和lumo的分布情况；同时基于含时密度泛函理论(td
‑
dft)，模拟计算了各化合物分子的单线态能级s1和三线态能级
t1，结果如表2所示，其中
△
e
st
＝s1‑
t1，e
g
＝homo
‑
lumo，e
g
的数值取绝对值。
[0322]
表1化合物
[0323]
[0324][0325]
表2化合物的参数表征
[0326]
化合物homo(ev)lumo(ev)s1(ev)t1(ev)e
g
(ev)
m001
‑
5.29
‑
1.333.513.133.96m004
‑
5.28
‑
1.283.553.184.00m045
‑
4.84
‑
1.263.202.673.58m072
‑
4.99
‑
1.333.243.223.66m101
‑
4.82
‑
1.043.282.883.78m110
‑
4.79
‑
1.313.022.533.48m111
‑
5.26
‑
1.143.693.184.12m112
‑
5.19
‑
1.013.773.024.18h003
‑
5.82
‑
1.733.612.844.09h004
‑
5.86
‑
1.863.542.824h045
‑
6.12
‑
1.723.903.004.4h072
‑
6.24
‑
1.853.862.864.39h086
‑
6.04
‑
1.803.802.914.24v001
‑
5.60
‑
1.783.452.813.82
[0327]
从表2可以看出，本发明的化合物通过在核心单元上进行合适的取代基取代，可以得到具有适当homo和lumo能级的化合物。
[0328]
由于核心单元为受电子单元，其本身具有较好的电子传输能力。进一步通过在核心单元上进行给电子基团取代，可以得到具有良好的电子和空穴双极性传输能力的化合物(例如m001、m004、m045、m072、m101、m110、m111、m112等)。这些化合物可具有适当的homo能级(例如
‑
4.79ev～
‑
5.29ev)和lumo能级(例如
‑
1.01ev～
‑
1.33ev)，同时还具有适当的三线态能级(例如2.53ev～3.22ev，尤其例如2.67ev～3.22ev)，因此可适于作为绿光磷光发光层中的空穴型发光主体材料。合适的homo和lumo能级有利于化合物与相邻层化合物的能级匹配，因此可以降低空穴和电子注入势垒，从而能降低器件的驱动电压。合适的三线态能级可以防止从发光客体材料到发光主体材料之间的三线态能量倒流，从而将三线态激子最大限度地限制在发光层内，因此能提高激子利用率，改善oled器件发光效率。此外，化合物还可具有较大的homo和lumo能级差(例如e
g
≥3.48ev，尤其例如e
g
≥3.58ev)。发光主体材料的能级差大于发光客体材料的能级差，有利于发光主体材料到发光客体材料的能量转移，以及载流子在发光客体材料上的直接俘获，从而有助于进一步提高发光效率。
[0329]
通过在核心单元上进行受电子基团取代，或者进行受电子基团和给电子基团取代，可以得到具有良好电子传输能力的化合物(例如h003、h004、h045、h072、h086、v001)。这些化合物具有适当lumo能级(例如
‑
1.72ev～
‑
1.86ev)，适合作为oled器件中的电子传输材料或空穴阻挡材料。
[0330]
本发明的化合物在空间构型上平面性较差，分子间作用力弱，因此成膜性能良好，有助于在热真空蒸镀过程中形成稳定、均一的无定型的非晶薄膜，从而能提升器件寿命。此外，当化合物应用于oled器件发光层中时，还能有效地抑制发光层中的聚集发光猝灭的现象，因此能提升发光效率，还能提升oled器件工作寿命。
[0331]
下面的应用例提供了示例性的实施例，用于说明本发明的化合物在有机发光显示面板中的实际应用。
[0332]
应用例11
[0333]
本应用例提供一种oled器件，其结构如图1所示，包括依次层叠的基板1、阳极2、空穴注入层3、第一空穴传输层4、第二空穴传输层5、发光层6、第一电子传输层7、第二电子传输层8和阴极9，图1中的箭头代表器件的出光方向。
[0334]
oled器件的制备方法如下：
[0335]
1)将玻璃基板1切成50mm
×
50mm
×
0.7mm的大小，分别在丙酮、异丙醇和去离子水中超声清洁30分钟，然后将其在uv臭氧下清洁30分钟来进行清洁。将所得的具有氧化铟锡(ito)阳极的玻璃基板安装到真空沉积设备上；
[0336]
2)在ito阳极2上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料(化合物a)作为空穴注入层3，厚度为10nm；
[0337]
3)在空穴注入层3上真空蒸镀空穴传输层材料(化合物b)作为第一空穴传输层4，厚度为100nm；
[0338]
4)在第一空穴传输层4上真空蒸镀空穴传输型材料(化合物c)作为第二空穴传输层5，厚度为10nm；
[0339]
5)在第二空穴传输层5上真空蒸镀一层发光层6，其中，本发明化合物m001作为第一发光主体材料，化合物d作为第二发光主体材料，化合物e作为发光客体材料，比例为m001:d:e＝55:35:10(质量比)，厚度为30nm；
[0340]
6)在发光层6上真空蒸镀电子传输型材料(化合物f)作为第一电子传输层7，厚度为10nm；
[0341]
7)在第一电子传输层7上真空蒸镀电子传输材料(化合物g和化合物h，质量比为1:1)作为第二电子传输层8，厚度为30nm；
[0342]
8)在第二电子传输层8上真空蒸镀银电极作为阴极9，厚度为15nm。
[0343]
应用例12～18和对比例1中oled器件的制备方法与应用例1类似，不同之处在于，在步骤5)中分别用化合物m004、m045、m072、m101、m110、m111、m112及对比化合物1替换化合物m001，详见表3。
[0344][0345]
oled器件的性能评价：
[0346]
用keithley 2365a数字纳伏表测试oled器件在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到oled器件在不同电压下的电流密度。用konicaminolta cs
‑
2000分光辐射亮度计测试oled器件在不同电压下的亮度和辐射能流密度。根据oled器件在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度(10ma/cm2)下的工作电压von和电流效率ce
(10ma/cm2)
(单位为cd/a)。通过测量有机发光器件的亮度达到初始亮度的95％时的时间，而获得寿命t95(在50ma/cm2测试条件下)。
[0347]
对所制作的有机发光器件施加直流电压，将器件的发光性能测定结果总结于表3。
[0348]
表3
[0349][0350]
从表3的数据可得，基于本发明提供的有机化合物作为p型发光主体材料制备的绿光oled器件相对于对比化合物1，具有更低的工作电压(例如降低3％，甚至降低8％)，更高的电流效率(例如提升14％，甚至提升37％)和更长的工作寿命(例如t95寿命提升5％以上)。这是因为本发明提供的化合物通过核心单元与取代基团进行合理匹配，实现了高的三线态能级和适当的homo能级，可以与n型发光主体材料相搭配，作为绿色磷光器件的混合主体，实现发光层中高效的能量传递转移过程。并且，本发明化合物具有良好的空穴和电子双极性传输能力，可以有效的调节oled器件中的发光复合区，改善oled器件的发光效率和长时工作寿命，并且降低工作电压。本发明的化合物在空间构型上平面性较差，分子间作用力弱，因此能保证其具有优异的薄膜稳定性，从而有利于提升器件的长时间工作的稳定性。
[0351]
应用例21
[0352]
oled器件的制备方法与应用例1类似，不同之处在于，
[0353]
5)在第二空穴传输层5上真空蒸镀一层发光层6，其中，化合物k作为发光主体材料，化合物j作为发光客体材料，掺杂比例为2％(质量比)，厚度为30nm；
[0354]
6)在发光层6上真空蒸镀电子传输型化合物h003作为第一电子传输层7(即空穴阻挡层)，厚度为10nm。
[0355]
应用例22～26和对比例2中oled器件的制备方法与应用例21类似，不同之处在于，在步骤6)中分别用化合物h004、h045、h072、h086、v001及对比化合物2替换化合物h1，详见表4。
[0356][0357]
按照上述的oled器件性能评价方法对所制作的有机发光器件进行发光性能评价，结果总结于表4。
[0358]
表4
[0359][0360]
从表4的数据可得，基于本发明提供的有机化合物作为空穴阻挡材料制备的oled器件相对于对比化合物2，具有更低的工作电压(例如降低4％以上)，更高的电流效率(例如提升4％以上，甚至提升10％)和更长的工作寿命(例如t95寿命提升4％以上，甚至10％以上)。这是因为本发明提供的化合物通过核心单元与取代基团进行合理匹配，实现了高的三线态能级和适当的homo能级，能实现空穴的有效阻挡；同时本发明化合物具有良好的电子传输能力，能有效地调节oled器件发光层的复合区域，改善oled器件的发光效率和长时工作寿命，并且降低启亮电压。本发明的化合物在空间构型上平面性较差，分子间作用力弱，因此能保证其具有优异的薄膜稳定性，从而有利于提升器件的长时间工作的稳定性。
[0361]
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。