合物式1作为电子传输材料，通过真空蒸镀方 式蒸镀，厚度为30nm，这层有机材料作为电子传输层6使用；
[0088] f)在电子传输层6之上，真空蒸镀电子注入层LiF，厚度为0.5nm，该层为电子注入 层7;
[0089] g)在电子注入层7之上，真空蒸镀阴极Mg:Ag/Ag层，Mg:Ag掺杂比例为9:1，厚度 15]111148厚度311111，该层为阴极层8 ;
[0090] 按照上述步骤完成电致发光器件的制作后，得到器件1，使用仪器Keithley2400 (恒压恒流源)和PR650光谱仪建立OLED光电测试平台进行测试，测试结果见表2所示。
[0091] 实施例6
[0092] 将本发明化合物2作为电子传输层材料，按照实施例5中的步骤完成电致发光器件 的制作，得到器件2,使用仪器Keithley2400(恒压恒流源)和PR650光谱仪建立OLED光电测 试平台进行测试，测试结果见表2所示。
[0093] 实施例7
[0094] 将本发明化合物3作为电子传输层材料，按照实施例5中的步骤完成电致发光器件 的制作，得到器件3,使用仪器Keithley2400(恒压恒流源)和PR650光谱仪建立0LED光电测 试平台进行测试，测试结果见表2所示。
[0095] 实施例8
[0096] 将本发明化合物4作为电子传输层材料，按照实施例5中的步骤完成电致发光器件 的制作，得到器件4,使用仪器Keith ley 2400 (恒压恒流源)和PR650光谱仪建立0LED光电测 试平台进行测试，测试结果见表2所示。
[0097] 比较例1
[0098]将电子传输材料变TPBI，厚度为30nm，这层有机材料作为电子传输层6使用，按照 实施例5中的步骤完成电致发光器件的制作，得到比较器件5,使用仪器Keithley2400(恒压 恒流源)和PR650光谱仪建立0LED光电测试平台进行测试，测试结果见表2所示;所述TPBI的 结构式为：
[0100] 表2器件1-4及比较器件5的测试结果
[0102] 由表2可以看出，本发明所述光电材料可应用于电致发光器件制作，并且可以获得 良好的表现。本发明所述材料作为电致发光器件的电子传输材料使用，其驱动电压远好于 使用现有常用的TPBI作为电子传输材料的比较器件1。
[0103] 另外，与比较器件5相比，器件1至4的量子效率、电流效率、功率效率和亮度均获得 明显改善。
[0104] 综上，以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精 神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种新型OLED材料，其特征在于，所述OLED材料以共平面的10，10-二甲基-10H-茚并 [l，2-b][l，2,5]噻二唑[3,4-g]喹喔啉为母体，通过引入不同的杂环芳基结构R1，得到结构 式为的OLED材料，其中办选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、直链或枝化的含氧烷基、苯 环取代的含氮杂环结构或C5~C6Q多环芳基共辄结构基团中的任一种。2. 根据权利要求1所述的一种新型OLED材料，其特征在于，所述C5~C6Q多环芳基共辄结 构基团为蒽基、联苯基、苯基或其衍生物中的一种。3. 根据权利要求1所述的一种新型OLED材料，其特征在于，所述苯环取代的含氮杂环结 构为三苯胺基、咔唑基、N-苯基咔唑基或其衍生物中的一种。4. 一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1)以5，6-二硝基-1，4-二溴苯并噻二唑为原料并以其摩尔数作为此步骤中的1.0 摩尔当量，与1.0摩尔当量的R1基硼酸偶联，采用0.005~0.01摩尔当量的醋酸钯、0.01~ 0.02摩尔当量的CXA为催化剂；1.5~3.0摩尔当量的碳酸钾为碱;THF为溶剂，回流反应，制 得中间体B粗品，经柱层析精制得中间体B精品； 步骤2)以中间体B精品为原料并以其质量作为此步骤中的1.0质量当量，5 %~10 %质 量当量的Pd/C为催化剂，THF/甲醇为溶剂，氢气加压至3.5~6. OMPa，加热反应，制得中间体 C粗品； 步骤3)以中间体C粗品为原料并以其摩尔数作为此步骤中的1.0摩尔当量，与0.9~1.2 摩尔当量的草酸进行反应，以水作为溶剂，回流反应，脱干溶剂得到中间体D粗品； 步骤4)以中间体D粗品为原料并以其摩尔数作为此步骤中的1.0摩尔当量，以5.0~ 15.0摩尔当量的三氯化磷为反应溶剂及氯代试剂，进行反应，制得中间体E粗品，经柱层析 得到中间体E精品； 步骤5)以中间体E精品为原料并以其摩尔数作为此步骤中的1.0摩尔当量，与1.0~1.1 摩尔当量邻溴苯硼酸偶联反应，采用〇. 〇〇5~0.01摩尔当量的醋酸钯、0.01~0.02摩尔当量 的CXA为催化剂；1.5~3.0摩尔当量的碳酸钾为碱;THF为溶剂，回流反应，制得中间体F粗 品，经柱层析精制得中间体F精品； 步骤6)以中间体F精品为原料并以其摩尔数作为此步骤中的1.0摩尔当量，THF为溶剂， 降温后与2.0~3.0摩尔当量的正丁基锂进行反应，保温后于相同温度下与0.9~1.2摩尔当 量的二甲胺基甲酰氯反应，盐酸淬灭反应后制得中间体G粗品，经柱层析后得到中间体G精 品； 步骤7)以中间体G精品为原料并以其摩尔数作为此步骤中的1.0摩尔当量，二甘醇为溶 剂，以10.0~50.0摩尔当量的水合肼为还原剂，进行反应，氢氧化剂淬灭反应后得到中间体 Η粗品，经柱层析纯化后得到中间体Η精品； 步骤8)以中间体Η精品为原料并以其摩尔数作为此步骤中的1.0摩尔当量，THF为溶剂， 降温并与2.0~4.0摩尔当量的叔丁醇钾进行反应，保温后在相同温度下与4.0~6.0摩尔当 量的碘甲烷进行反应，保温后采用氢氧化剂淬灭反应，得到产品粗品，柱层析得到产品精 品。5. 根据权利要求4中所述的一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于， 所述步骤1)中的回流反应时间为3.0~10.0小时； 所述步骤2)中的反应时间为10.0~15.0小时； 所述步骤3)中的回流反应时间为10.0~15.0小时； 所述步骤4)中的反应时间为3.0~10.0小时； 所述步骤5)中的回流反应时间为3.0~10.0小时； 所述步骤6)中的保温时间为1.0~5.0小时，与二甲胺基甲酰氯反应的时间为1.0~5.0 小时； 所述步骤7)中的反应时间为2.0~5.0小时； 所述步骤8)中与叔丁醇钾进行反应后的保温时间为1.0~5.0小时，与碘甲烷进行反应 后的保温时间为1.0~5.0小时。6. 根据权利要求4中所述的一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于， 所述步骤2)中的反应温度为50.0~160.0°C ; 所述步骤4)中的反应温度为120.0~200.0°C ; 所述步骤6)中的反应温度为-80.0~-50.0°C ; 所述步骤7)中的反应温度为50.0~150.0 °C ; 所述步骤8)中的反应温度为5.0~20.0°C。7. 根据权利要求4-6中所述的一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于，所述心选自 甲基、乙基、异丙基、叔丁基、直链或枝化的含氧烷基、苯环取代的含氮杂环结构或(： 5 ~C6Q多环芳基共辄结构基团。8. 根据权利要求7中所述的一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于，所述C5~C60多 环芳基共辄结构基团为蒽基、联苯基、苯基或其衍生物中的一种;所述苯环取代的含氮杂环 结构为三苯胺基、咔唑基、N-苯基咔唑基或其衍生物中的一种。9. 一种电致发光器件，其各层按照透明基板层、IT0、空穴注入层、空穴传输层、发光层、 电子传输层、电子注入层、阴极反射电极层的顺序排列，相邻层之间以镀的方式连接，形成 叠层结构，其特征在于，所述电子传输层由权利要求1-3中的任意一种新型OLED材料制成。10. 根据权利要求9中所述的一种电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件 中镀的方式为真空蒸镀。
【专利摘要】本发明公开了一种10?羰基?10H?茚并[1,2?b][1,2,5]噻二唑[3,4?g]喹喔啉的衍生物及其在有机电致发光技术领域中的应用。本发明的新型化合物性质稳定，非平面的杂环结构使其具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，容易形成良好的无定形薄膜可以被应用在有机电致发光领域，作为电子传输材料使用。该化合物的结构通式如下：
【IPC分类】C09K11/06, H01L51/50, C07D513/04, H01L51/54, C07D519/00
【公开号】CN105713016
【申请号】CN201610151097
【发明人】付文岗, 孙虎, 王子宁, 张善国, 孙晟源, 胡葆华
【申请人】中节能万润股份有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2016年3月16日