专利名称：一种金属抛光液及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种抛光液及其制备方法，特别涉及一种金属抛光液及其制备方法。
背景技术：
金属抛光是金属表面精加工的一道重要工艺，金属抛光的效果将直接影响金属表面精加工的质量。目前广泛使用的金属抛光液，由于磨料的颗粒较大、表面活性剂多采用离子型表面活性剂，因此在抛光金属表面时，往往残存较多的红锈、绿锈、色斑、黑色变色层等污迹，最终产品表面不容易清洗；特别是在中、低温条件下，使用效果更差。
发明内容本发明的目的是克服了现有金属抛光液的缺点，提供一种高效的、抛光效率高、清洗性能好且耐温性强的金属抛光液及其制备方法。
本发明的技术方案一种金属抛光液，其特征在于由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为磨料10～50％；表面活性剂0.1～1％；PH值调节剂1～5％；螯合剂0.1～1％；去离子水为余量。
一种上述金属抛光液，PH值范围为8～12。
本发明所述磨料是指粒径范围为15～100nm的水溶硅溶胶或金属氧化物Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。
本发明所述表面活性剂系采用非离子型表面活性剂，为脂肪醇聚氧乙稀醚或烷基醇酰胺。
本发明所述PH调节剂为醇胺、胺碱、四甲基氢氧化胺或季胺碱。中的一种或其组合。
本发明所述螯合剂具有水溶性和不含金属离子，可为EDTA、EDTA二钠、羟胺、胺盐和胺中的一种或其组合。
一种上述金属抛光液的制备方法，其特征在于首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。
本发明所制备的抛光液的优点是浓缩度高、抛光速率快，平坦度好；粒径小，金属表面损伤小；采用有机碱，无钠离子沾污；采用不含金属离子的螯合剂，对金属离子有极强的螯合作用；采用非离子型表面活性剂，使磨料和反应产物容易从金属表面去除；金属表面抛光后杂质颗粒粘污少，容易清洗；耐温性强，在中、低温条件下使用效果良好；且本品无毒，无臭味，无结晶，无沉淀，对人体皮肤无腐蚀作用；抛光液制备简单，容易操作。
具体实施方式
实施例1一种金属抛光液，由水溶硅溶胶、烷基醇酰胺、醇胺、六羟基丙基丙二胺和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为水溶硅溶胶20％，粒径20～30nm；烷基醇酰胺0.3％；醇胺2％；六羟基丙基丙二胺0.6％；去离子水为余量。所述抛光液的制备方法是首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。将上述抛光液与去离子水按1∶10稀释，在兰新X62 815-1单面抛光机上实验在300g/cm2，40±5℃，3L±0.3L/min的条件下，对镀膜的铜金属进行抛光，速率为0.05μ/min。
实施例2一种用于金属的抛光液，由CeO2水溶胶、脂肪醇聚氧乙稀醚、氢氧化钠、四羟基乙基乙二胺和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为CeO2水溶胶30％，粒径30nm～40nm；脂肪醇聚氧乙稀醚0.4％；四甲基氢氧化胺1％；四羟基乙基乙二胺0.9％；去离子水为余量。所述抛光液的制备方法与实施例1相同。将上述抛光液与去离子水按1∶10稀释，在兰新X62 815-1单面抛光机上实验在300g/cm2，40±5℃，3L±0.3L/min的条件下，对镀膜的铜金属进行抛光，速率为0.1μ/min。
权利要求
1.一种金属抛光液，其特征在于由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为磨料10～50％；表面活性剂0.1～1％；PH值调节剂1～5％；螯合剂0.1～1％；去离子水为余量。
2.根据权利要求1所述的金属抛光液，其特征在于PH值范围为8～12。
3.根据权利要求1所述的金属抛光液，其特征在于磨料是指粒径范围为15～100nm的水溶硅溶胶或金属氧化物Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。
4.根据权利要求1所述的金属抛光液，其特征在于表面活性剂为脂肪醇聚氧乙稀醚或烷基醇酰胺。
5.根据权利要求1所述的金属抛光液，其特征在于PH调节剂为醇胺、胺碱、四甲基氢氧化胺或季胺碱中的一种或其组合。
6.根据权利要求1所述的金属抛光液，其特征在于螯合剂为EDTA、EDTA二钠、羟胺、胺盐和胺中的一种或其组合。
7.一种上述金属抛光液的制备方法，其特征在于首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。
全文摘要
一种金属抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为磨料10～50％；表面活性剂0.1～1％；pH值调节剂1～5％；螯合剂0.1～1％；去离子水为余量；其pH值范围为8～12；磨料的粒径范围为15～100nm。该抛光液的制备方法是首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。本发明的优点是抛光速率快，平坦度好；粒径小，晶片表面损伤小；容易清洗；无毒、无臭、无腐蚀；且抛光液制备简单，容易操作。
文档编号C09G1/14GK101092540SQ20061001441
公开日2007年12月26日 申请日期2006年6月23日 优先权日2006年6月23日
发明者仲跻和, 李家荣, 周云昌, 班冬青 申请人:天津晶岭电子材料科技有限公司