专利名称：：热剥离性粘合片及粘附体回收方法
技术领域：
：本发明涉及热剥离性粘合片及使用该粘合片的粘附体回收方法，更详细地讲，涉及通过加热处理快速且容易地剥离回收粘附体的方法。还涉及利用该剥离回收方法高效率地剥离回收半导体零件及电子零件的方法。
背景技术：
：近年来，随着半导体零件、电子零件的小型化、薄型化，不仅这些零件的处理变得很难，而且提高生产率也成为很大的问题。特别是，高效率且无破坏地将临时固定于粘合片上的小型且易碎的零件剥离回收的方法是很大的问题。对于小型、薄型化了的零件的处理，利用能自然剥离的热剥离性粘合片是很有效的。以往，公知有一种在基板上设置含有热膨胀性微小球等的发泡剂或膨胀剂的粘合剂层而成的加热剥离型粘合片(参照专利文献1~6)。该加热剥离型粘合片是使粘接性和使用后的剥离性并存的粘合片，其特征在于，通过由加热使发泡剂等发泡或膨胀而降低粘接力，从而能自硅晶圓等粘附体容易地剥离。特别是使用了热膨胀性微小球的加热剥离型粘合片因加热而使热膨胀性微小球膨胀，从而粘合层与粘附体的接触面积大大降低，能无破坏地回收粘附体，因此，可广泛用作半导体或电子零件的制造工序时的临时固定部件等。但是，在近年来被称作超薄型芯片的、厚度为40pm以下的、柔软性较高的半导体芯片或者非常小的零件为粘附体的情况下，存在这样的问题，即，由于该粘附体易于追随加热剥离型粘合片在加热处理后的表面凹凸，因此，粘合层与粘附体的接触面积未充分降低，剥离花费时间或产生无法剥离的情况，生产率显著降低。专利文献l专利文献2专利文献3专利文献4专利文献5专利文献6曰本净争7>昭51-24534号7>才艮曰本对争开昭56-61468号7>才艮曰本特开日召56_61469号7>才艮曰本净争开昭60—252681号乂>才艮曰本冲争开2001—131507号/>才艮曰本净争开2002_146299号7^才艮
发明内容因而，本发明的目的在于提供即使是例如厚度为40iam以下的具有柔软性的粘附体或非常小的粘附体、也能无破坏且高效率地剥离回收的热剥离性粘合片及粘附体回收方法。本发明人基于为解决上述问题而深入研究的结果发现，对于由基体材料、中间层及热剥离性粘合层构成的热剥离性粘合片来说，在中间层的厚度、热剥离性粘合层的厚度和该热剥离性粘合层中所含有的热膨胀性微小球的最大粒径之间所存在的特定关系成立时，即使是具有柔软性那样的粘附体或者非常小的粘附体，也能高效率地剥离回收，从而完成了本发明。即，本发明提供一种热剥离性粘合片，该热剥离性粘合片是在基体材料的一面上依次层叠厚度为A的中间层、含有最大粒径C的热膨胀性微小球的厚度为B的热剥离性粘合层而成，其特征在于，满足CK(A+B)《60pm及0.25C《B《0.8C的关系，而且加热处理后热剥离性粘合层的粘附力小于0.1N/20mm。上述热剥离性粘合片优选为，加热处理后的热剥离性粘合层表面的轮廓算术平均偏差粗糙度Ra为5|am以下，最大高低差Rmax为25fxm以下。还优选为，使用玻化温度(Tg)为60°C以上、且厚度为50pm以下的基体材料。上述热剥离性粘合片也可以是这样的形态，即，由预先被切断加工为规定形状的基体材料、中间层及热剥离性粘合层构成的片以上述热剥离性粘合层接触隔离物表面的状态排列在纵长的隔离物上，而且缠绕为巻状。本发明还提供一种粘附体回收方法，其特征在于，从在热剥离性粘合层上载置有粘附体的上述热剥离性粘合片的基体材料侧或粘附体侧实施加热，使热剥离性粘合层中的热膨胀性微小球膨胀之后，剥离回收上述粘附体。作为上述粘附体，可以使用半导体零件或者电子零件。另外，本说明书中的粘合片也包括粘合带。釆用本发明，即使是例如厚度为40nm以下的具有柔软性的极薄型的粘附体、极小型的粘附体，也能高效率且无破坏地剥离回收粘附体。特别是，也能高效率地剥离回收用以往的针拾取方式无法回收的易碎的半导体芯片。图l是表示本发明的热剥离性粘合片的一个例子的概略剖视图。附图标记i兌明1、基体材料；2、中间层；3、热剥离性粘合层；4、隔离物。具体实施例方式下面，根据需要参照附图详细说明本发明。图l是表示本发明的热剥离性粘合片的一个例子的概略剖视图。在图l的例子中，在基体材料l的一面上隔着中间层2设有热剥离性粘合层3，在热剥离性粘合层3上进一步层叠有隔离物4。基体材料l成为热剥离性粘合层3等的支承基体，通常采用塑料的膜或片，但也可采用纸、布、无纺布、金属箔等或者它们与塑料的层叠体、塑料膜(或者片)相互间的层叠体等适当的薄层体。基体材料l的厚度通常为500pm以下，优选为1~300|am，更优选为5~250jim左右，^旦并不限定于此。为了生产率高地剥离回收粘附体，需要从热源向热剥离性粘合层3有效地传递热并使热剥离性粘合层3的温度为热膨胀性微小球的热膨胀起始温度以上的温度。因此，作为基体材料1,优选能将热快速地传递到热剥离性粘合层3并且具有较高的耐热性的基体材料。作为这样的基体材料，适合使用玻化温度(Tg)为60。C以上、且厚度为50iim以下(侈'J^口550pm左右)的基体材料。作为优选的基体材料的例子，可列举出聚对苯二曱酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二曱酸丁二酯等聚酯薄膜、以及聚酰亚胺、聚酰胺等塑料薄膜、铜、镍、sus(不锈钢)等金属箔、在塑料中分散有金属粉末的薄膜、各向异性导电性薄膜等。另外，还可以使用由这些材料制成的单层薄膜以及使用这些材料的多层薄膜。中间层2具有通过吸收热剥离性粘合层3中的热膨胀性微小球的凹凸而将加热前的热剥离性粘合层3表面保持平滑的功能，并且具有在加热后緩和热膨胀性微小球对基体材料l的发泡应力从而防止破坏热剥离性粘合层3与基体材料1的之间的投锚的功能。因此，优选中间层2具有弹性。作为中间层2的材料，例如可以使用天然或合成橡胶系树脂、热塑性或热固化性弹性体等天然或合成树脂、以及橡胶系、丙烯酸系、乙烯基烷基醚系、有机硅系、尿烷系等的压敏粘接剂、用紫外线等能量射线固化的能量射线固化型树脂或粘合剂。另外，还可以在这些材料中添加树脂、交联剂、增塑剂、表面活性剂、填充剂等合适的改性剂。另外，为了提高导热性，还可以添加金属粉末等。通常，中间层2使用与热剥离性粘合层3所使用的粘合物质相同或类似的材料的情况居多。中间层2既可以是单层，也可以是多层。中间层2的厚度通常为l50jim，优选为340拜，更优选为5~30,(特另'H尤选为10~25|im)左右。将其烘干的方法形成、用将含有构成中间层的材料的溶液或分散液涂敷在适当的隔离物上并将其烘干之后再将其复制在基体材料l上的方法形成之外，还可以利用干式复合法、挤压法、共挤出(coextrusion)法等惯用的方法形成。热剥离性粘合层3含有用于付与粘合性的粘合剂(粘合物质)，以及用于付与热剥离性的热膨胀性微小球。因此，在粘贴粘附体之后，通过在任意时刻进行加热处理而使热膨胀性微小球膨胀，能够降低热剥离性粘合层3与粘附体的接触面积，剥离该粘附体。热膨胀性微小球优选被微胶嚢化。作为上述粘合剂，优选在加热时不妨碍热膨胀性微小球膨胀的粘合剂。作为这样的粘合剂，例如可列举橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、硅系粘合剂、氨基甲酸乙酯系粘合剂、能量线硬化性粘合剂等。粘合剂既可以单独使用，也可以2种以上组合使用。粘合剂除了粘合性成分(原料聚合物)之外，也可以含有交联剂(例如，多异氰酸酯、烷基醚化蜜胺化合物等)、增粘剂(例如，松香衍生物树脂、聚萜7树脂、石油树脂、油溶性酚醛树脂等)、增塑剂、填充剂、防老化剂等适当的添加剂。特别是，配合有增塑剂等低分子量成分的热剥离性粘合层在加热后粘附力降低，呈现良好的剥离性。通常，作为前述粘合剂，使用下述粘合剂以天然橡胶、各种合成橡胶为原料聚合物的橡胶系粘合剂；以使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如、甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、2-乙基己酯、异辛酯、异壬酯、异癸酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十五烷基酯、十六烷基酯、十七烷基酯、十八烷基酯、十九烷基酯、二十烷基酯等d-2。烷基酯等)的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)为原料聚合物的丙烯酸系粘合剂等。另外，前述丙烯酸系聚合物以内聚力、耐热性、交联性等的改性为目的，根据需要，还可以含有与能和前述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，例如列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等含羧基单体；马来酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸等含磺酸基单体；N-羟甲基(曱基)丙烯酰胺等含酰胺基单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸曱氧基乙酯等(曱基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；N-环己基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧亚曱基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、乙烯基吡啶、苯乙烯等乙烯基系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(曱基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸系单体；(曱基)丙烯酸聚乙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟代(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卣原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇二(曱基)丙烯酸酯、三羟曱基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯等多官能单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。可以使用这些单体成分的1种或2种以上。作为热膨胀性微小球，优选在具有弹性的壳(shell)内包含例如异丁烷、丙烷、戊烷等低沸点物质。前述壳由热熔融性物质、因热膨胀而破坏的物质来形成的情况居多。作为形成前述壳的物质，列举出例如偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚曱基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚砜等。热膨胀性微小球可以通过常用的方法、例如凝聚法、界面聚合法等来制造。另外，热膨胀性微小球也有例如microsphere[商品名、松本油脂制药(抹)制造]等市售卩cro热膨胀性微小球的配合量也取决于热膨胀性微d、球的粒径、热膨胀率，但通常相对于粘合剂100重量份为1~IOO重量份，优选为5~75重量份，更优选为15~50重量份的范围。热剥离性粘合层3的厚度通常为5~59pm,优选为10~45jim，更优选为15~40,(特另'H尤选为2035jim)左右。在厚度过大时，在加热处理后的剥离时产生凝聚破坏，粘合剂残存于粘附体上，粘附体易于被污染。另一方面，在粘合剂的厚度过小时，热剥离性粘合层3因加热处理而产生的变形度较小，粘接力难以顺畅地降低，需要过度地减小添加的热膨胀性微小球的粒径。作为热剥离性粘合层3的形成方法，例如，也可以根据需要采用下述方法中的任一方法使用溶剂调制含有粘合剂、热膨胀性微小球的涂覆液而将其直接涂敷在中间层2上的方法；在适当的隔离物(剥离纸等)上涂敷上述涂覆液而形成热剥离性粘合层，并将其复制在中间层2上的方法。从加热前的热剥离性粘合层3的平滑性方面考虑，更优选后一种复制法。作为隔离物4，可以使用惯用的剥离纸等。隔离物4用作热剥离性粘合层3的保护材料，可在将粘合片粘贴于粘附体上时剥下。也未必一定要设置隔离物4。本发明的热剥离性粘合片也可以是这样的形态，即，由预先被切断加工为规定形状的基体材料、中间层及热剥离性粘合层构成的片以上述热剥离性粘合层与隔离物表面相接触的状态排列在纵长的(通常宽度较宽的)隔离物上，而且缠绕为巻状。另外，热剥离性粘合层3不仅可以形成在基体材料1的单面上，也可以形成在其两面上。在热剥离性粘合层3形成在基体材料l的两面上的情况下，可以使中间层2介入在基体材料1的单面或两面上。并且，也可以在基体材料l的一面上设置热剥离性粘合层3，在其另一面上设置不含有热膨胀性微小球的通常的粘接层。另外，也可以在基体材料与中间层2之间、中间层2与热剥离性粘合层3之间等设置底涂层、粘接剂层等薄层。本发明的热剥离性粘合片，是在基体材料的一面上依次层叠厚度为A(pm)的中间层，和含有最大粒径C(pm)的热膨胀性微小球的厚度为B(iam)的热剥离性粘合层而成，其重要特征在于，满足下式(1)及(2)的关系，而且加热处理后的热剥离性粘合层的粘附力小于0.1N/20mm。C<(A+B)<60,(1)0.25CKB《0.8C(2)采用这样的热剥离性粘合片，能使加热前相对于粘附体的优良的粘接性，和加热后相对于具有柔软性的粘附体(例如，10厚度为30pm左右的半导体硅芯片等)或极小的粘附体的良好的剥离性并存。通过如式(1)所示地使中间层2与热剥离性粘合层3的总厚度(A+B)与热膨胀性微小球的最大粒径C相同或比其更大，能维持加热前的热剥离性粘合层表面的平滑性，从而能确保相对于粘附体的良好的粘接性。在A十B小于C的情况下，由于加热前的热剥离性粘合层表面的平滑性受损，因此，会引起在粘贴易碎的粘附体时粘附体产生裂紋等不良。另外，通过使中间层2与热剥离性粘合层3的总厚度(A+B)为60(am以下，能使热膨胀性微小球的热膨胀迅速化，并且由于热膨胀后热剥离性粘合层变形较大，因此，能在回收粘附体时将其正确地定^立。另外，通过如式(2)所示地将热剥离性粘合层3的厚度B调整为热膨胀性微小球的最大粒径C的0.25倍~0.8倍的范围，相对于具有柔软性的极薄的粘附体或极小的粘附体呈现良好的热剥离性。在B大于0.8C时，加热后热剥离性粘合层的表面粗糙度变大，在为具有柔软性的粘附体的情况下，会追随粘合层表面的凹凸，无法获得良好的剥离性。另一方面，在B小于0.25C时，加热后热剥离性粘合层与粘附体之间的接触面积不会降低，产生剥离不良。在加热处理后的热剥离性粘合层的粘附力为0.1N/20mm以上时，粘附体的剥离性较差，无法高效率地剥离回收粘附体。加热处理后的热剥离性粘合层的粘附力例如能根据热剥离性粘合层的厚度、构成热剥离性粘合层的粘合剂、添加剂(交联剂、增粘剂等)的种类、量、热膨胀性微小球的种类、量等来调整。并且，在加热处理后的热剥离性粘合层表面的轮廓算术平均偏差粗糙度Ra为5nm以下、特别是4.5pm以下，加热处理后的热剥离性粘合层表面的最大高低差Rmax为25nm以下、特别是23pm以下时，对于具有柔软性的粘附体，也能大幅度地抑制追随热处理后的热剥离性粘合层的凹凸。能通过适当地选择热剥离性粘合层的厚度和添加在该粘合层中的热膨胀性微小球的粒径等，来调整上述加热处理后的热剥离性粘合层表面的轮廓算术平均偏差粗4造度Ra及最大高低差Rmax。在本发明的粘附体回收方法中，从在热剥离性粘合层上载置有粘附体的上述热剥离性粘合片的基体材料侧(未形成粘合层的一侧)或粘附体侧实施加热，使热剥离性粘合层中的热膨胀性微小球膨胀之后，剥离回收上述粘附体。作为粘附体，例如可使用半导体零件(半导体晶圆、芯片等)、电子零件(陶瓷电容器、振子等)等。加热处理通常通过使热源接触基体材料的未形成粘合层的面或者粘附体来进行。热量自基体材料或粘附体被传导至热剥离性粘合层，热剥离性粘合层中的热膨胀性微小球膨胀，该粘合层随之膨胀变形，粘接力降低甚至丧失。作为热源，可列举加热板、干燥机、红外线等，但并不限定于此。加热条件可以根据粘附体的种类、面积适当选择，但优选以比热膨胀性微小球的膨胀开始温度高出50°C以上的高温加热。这样，例如在厚度为30jim的8英寸硅晶圆的情况下，能在3秒以内将其顺畅地剥离。另外，粘附体可以一起剥离，也可以逐个地加热剥离排列在热剥离性粘合层上的各个零件。对于剥离回收的方法并没有特别的限定，可以采用使用吸附筒的方法等惯用的方法。实施例下面，才艮据实施例更详细地说明本发明，4旦是这些实施例并未对本发明有任何限定。实施例1在厚度为25pm的聚酰亚胺膜基体材料(商品名称"力7°卜乂H100"，杜邦化学制(x工求y'，$力/k,DuPont-Toray),Tg300。C以上)上涂敷含有100重量份丙烯酸聚合物A(丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸-2-羟乙酯(重量比50/50/4)共聚物)、3重量份异氰酸酯系交联剂(商品名称"〕口氺一卜L(colonateL)",日本求y々P夕^(株)(NipponPolyurethaneIndustryCo.，Ltd.制))的甲苯溶液并将其烘干，从而形成厚度为25pm的中间层。另外，在硅起模处理后的聚酯膜上涂敷含有100重量份上述丙烯酸聚合物A、40重量份热膨胀性微小球A(商品名称"7、乂乇卜7^f夕口77工7F—301D(;^本孩丈球F—301D)，，，松本油脂制药(4朱)(MatsumotoYushi-SeiyakuCo.，Ltd)制；膨胀开始温度90。C，中值粒径(mediansize)为11.5[im,最大粒径42pm)、4重量份异氰酸酯系交联剂(商品名称"^口氺一卜l",日本求y々1/夕乂(株)制)、10重量份增塑剂(商品名称"千/寸Yif—W—700(MonosizerW-700)",大日本,乂年(株)制)的甲苯溶液并将其烘干，制作带有隔离物的热剥离性粘合层，将其粘贴于上述带有中间层的基体材料的中间层侧，获得热剥离性粘合片A。热剥离性粘合层的厚度为30pm，粘合片的总厚度为80(im。实施例2除了替代厚度为25pm的聚酰压胺基体材料而使用厚度为38^im的聚对苯二甲酸乙二酯基体材料(Tg68。C)之外，与实施例l同样地进行操作，获得总厚度为93jim的热剥离性粘合片B。比專交例1在厚度为38(im的聚对苯二曱酸乙二酯基体材料上涂敷含有100重量份与实施例l相同的丙烯酸聚合物A、3重量份与实施例l相同的异氰酸酯系交联剂的曱苯溶液并将其烘干，从而形成厚度为13pm的中间层。另外，在硅起模处理后的聚酯膜上涂敷含有100重量份上述丙烯酸聚合物A、30重量份与实施例l相同的热膨胀性微小球A、3.5重量份与实施例l相同的异氰酸酯系交联剂、4重量份松香酯系增粘剂的甲苯溶液并将其烘干，制作带有隔离物的热剥离性粘合层，将其粘贴于上述带有中间层的基体材料的中间层侧，获得热剥离性粘合片C。热剥离性粘合层的厚度为37pm,粘合片的总厚度为88pm。比车支例2在厚度为38(im的聚对苯二曱酸乙二酯基体材料上涂敷含有IOO重量份与实施例l相同的丙烯酸聚合物A、l重量份与实施例l相同的异氰酸酯系交联剂的甲苯溶液并将其烘干，从而形成厚度为131im的中间层。另外，在硅起模处理后的聚酯膜上涂敷含有100重量份上述丙烯酸聚合物A、30重量份与实施例1相同的热膨胀性微小球A、2重量份与实施例l相同的异氰酸酯系交联剂、20重量份萜烯酚醛系增粘剂的甲苯溶液并将其烘干，制作带有隔离物的热剥离性粘合层，将其粘贴于上述带有中间层的基体材料的中间层侧，获得热剥离性粘合片D。热剥离性粘合层的厚度为37^im，粘合片的总厚度为88jam。评价试验利用以下方法测定并评价以实施例及比较例获得的热剥离性粘合片在加热前及加热后的粘附力、该粘合片在加热后的粘合层表面粗糙度(轮廓算术平均偏差粗糙度及最大高低差)以及加热剥离性。结果示于表l中。粘附力在宽度为20mm的热剥离性粘合片的热剥离性粘合层上粘贴宽度为30mm、厚度为25nm的聚对苯二曱酸乙二酯膜，测定以180的剥离角度、300mm/min的剥离速度剥离该聚对苯二曱酸乙二酯膜时的负荷(加热前的粘附力)。另外，4吏用2kg的橡胶辊，以300mm/min的粘贴速度往返l次地粘贴聚对苯二甲酸乙二酯膜。另外，在100。C的加热板上对粘合片进行了l分钟加热处理之后，与上述同样地测定加热后的粘附力。表面粗糙度向在10(TC的加热板上被加热处理l分钟后的热剥离性粘合片的热剥离性粘合层表面滴下硅树脂(商品名称"#6810",东丽道康宁(DowCorningTorayCo.，Ltd)制)，在真空脱泡后，在85。C的热风烘千机中预处理30分钟，剥离热剥离性粘合片之后，在150。C的热风烘干机中对硅树脂进行30分钟预处理，从而获得加热处理后的热剥离性粘合层表面的复制品。使用表面粗糙度测定器(商品名称"P-11",Tencor制)测定该复制品的表面粗糙度(轮廓算术平均偏差粗糙度Ra,最大高低差Rmax)。加热剥离性在热剥离性粘合片的热剥离性粘合层表面上粘贴lmmxlmm见方、厚度为30iim的硅芯片，利用相同规格的微型加热器(温度为180。C及30(TC)从基体材料侧进行加热而使热剥离性粘合层发泡，利用吸附筒拾取硅芯片，求出拾取成功率。表l15<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>评价结果如表1所示，相当于本发明的实施例1及2的热剥离性粘合片显示出良好的加热剥离性，与此相对，热剥离性粘合层的厚度B大于0.8x热膨胀性微小球的最大粒径C的比较例1及2的热剥离性粘合片大多是无法拾取的芯片。另外，将聚酰压胺用作基体材料的实施例1的热剥离性粘合片能够以30(TC加热，从而能够非常高速地拾取芯片。工业实用性可以高效率且无破坏地剥离回收小型、薄型化的半导体零件、特别是临时固定于粘合片上的小型且易碎的零件，从而可用于生产难处理的小型、薄型化的半导体零件、电子零件。权利要求1.一种热剥离性粘合片，该热剥离性粘合片是在基体材料的一面上依次层叠厚度为A的中间层、含有最大粒径C的热膨胀性微小球的厚度为B的热剥离性粘合层而成，其特征在于，满足C≤(A+B)≤60μm及0.25C≤B≤0.8C的关系，而且加热处理后的热剥离性粘合层的粘附力小于0.1N/20mm。2.根据权利要求l所述的热剥离性粘合片，其特征在于，加热处理后的热剥离性粘合层表面的轮廓算术平均偏差粗糙度Ra为5jim以下。3.根据权利要求l所述的热剥离性粘合片，其特征在于，加热处理后的热剥离性粘合层表面的最大高低差Rmax为25,以下。4.根据权利要求l所述的热剥离性粘合片，其特征在于，使用玻化温度(Tg)为60。C以上、且厚度为50iam以下的基体材料。5.根据权利要求l~4中任一项所述的热剥离性粘合片，其特征在于，由预先被切断加工为规定形状的基体材料、中间层及热剥离性粘合层构成的片以上述热剥离性粘合层接触隔离物表面的状态排列在纵长的隔离物上，而且缠绕为巻状。6.—种粘附体回收方法，其特征在于，从在热剥离性粘合层上载置有粘附体的权利要求l~4中任一项所述的热剥离性粘合片的基体材料侧或粘附体侧实施加热，使热剥离性粘合层中的热膨胀性微小球膨胀之后，剥离回收上述粘附体。7.根据权利要求6所述的粘附体回收方法，其特征在于，粘附体是半导体零件或者电子零件。全文摘要本发明提供热剥离性粘合片及粘附体回收方法。即使是具有柔软性的粘附体或非常小的粘附体，也能无破坏且高效率地剥离回收。热剥离性粘合片是在基体材料的一面上依次层叠厚度为A的中间层、含有最大粒径C的热膨胀性微小球的厚度为B的热剥离性粘合层而成，其特征在于，满足C≤(A+B)≤60μm及0.25C≤B≤0.8C的关系，而且加热处理后的热剥离性粘合层的粘附力小于0.1N/20mm。加热处理后的热剥离性粘合层表面的轮廓算术平均偏差粗糙度Ra优选为5μm以下，最大高低差Rmax优选为25μm以下。还优选使用玻化温度(Tg)为60℃以上、且厚度为50μm以下的基体材料。文档编号C09J7/02GK101522846SQ200780038290公开日2009年9月2日申请日期2007年10月18日优先权日2006年11月4日发明者木内一之申请人:日东电工株式会社