专利名称：粘合带的制作方法
技术领域：
本发明涉及粘合带。
背景技术：
由硅、镓、砷等构成的半导体晶圆以大直径状态制造，在表面形成图案后磨削背面，晶圆的厚度通常被磨薄至100 600μπι左右，进而切割分离(dicing)为元件小片，进而转移至安装工序。在磨削半导体晶圆背面的工序(背面磨削工序)中，为了保护半导体晶圆的图案面而使用粘合带。该粘合带通常在背面磨削工序后被剥离。出于这样的目的而使用的粘合带必须有在背面磨削工序中不会剥离的程度的粘合力，另一方面也要求在背面磨削工序之后可以容易地剥离、且不损伤半导体晶圆程度的低粘合力。以往，作为这样的粘合带，使用在基材上涂布有粘合剂的粘合带，例如提出了在包含聚乙烯系树脂的基材上设置有涂布了丙烯酸系粘合剂的粘合剂层的粘合带(专利文献I)。但是，在这种粘合带的制造中，需要将基材成膜的工序、涂覆粘合剂溶液的工序等多数工序，制造成本高。另外，存在排出大量CO2这样的问题。而且，在上述制造方法中，由于需要在涂布粘合剂溶液后通过干燥去除有机溶剂，因此存在因有机溶剂挥发导致的环境负荷的问题。作为解决这种问题的方法，可列举出将基材形成材料和粘合剂形成材料共挤出的方法。但是，能够供于共挤出的材料是热塑性树脂，使用热塑性树脂的情况下，难以兼顾适度的粘合力和对半导体晶圆图案凹凸的追随性(高度差追随性)。即，对于将粘合力调整至可以容易地剥离的程度的粘合带而言，其粘合剂变得过硬而使高度差追随性不充分，不能充分地实现保护半导体晶圆这一目的。另一方面，为了发挥良好的高度差追随性而调整过的粘合带的粘合力过强，存 在剥离时损伤半导体晶圆、粘合剂残留于半导体晶圆的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开W02007/116856号小册子
发明内容
_9] 发明要解决的问题本发明是为了解决上述现有问题而做出的，其目的在于提供粘合力和剥离性之间的平衡及高度差追随性优异、且能够通过共挤出成形而制造的粘合带。用于解决问题的方案本发明的粘合带具备由包含无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的树脂组合物构成的粘合剂层，将该粘合带粘贴于具有30 μ m高度差的被粘物时，该粘合带在该高度差附近浮起，该粘合带不与该被粘物相接触部分的宽度为650 μπι以下，利用根据JIS Ζ0237 (2000)的方法(贴合条件:2kg辊往复I次、剥离速度:300mm/分钟、剥离角度:180° )测定的、该粘合带对娃制半导体镜面晶圆的粘合力为2.0N/20mm以下。优选的实施方式中，上述粘合剂层在20°C下的储能模量(G’)为2.0MPa以下。优选的实施方式中，上述粘合剂层的用纳米压痕仪压入IOOOnm时的压痕硬度为
0.8MPa 以上。优选的实施方式中，本发明的粘合带的上述树脂组合物包含无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物和结晶性树脂，该结晶性树脂为结晶性丙烯-(1- 丁烯)共聚物和/或结晶性乙烯-(1-丁烯)共聚物。优选的实施方式中，上述树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率相对于该树脂组合物中树脂的总重量，为5重量％以上。优选的实施方式中，本发明的粘合带厚度为5μπι 1000 μ m。优选的实施方式中，本发明的粘合带还具备基材层，该粘合带通过将粘合剂层形成材料和基材层形成材料共挤出成形而得到。优选的实施方式中，本发明的粘合带用于半导体晶圆加工。发明的效果根据本发明，通过具备包含特定共聚物的粘合剂层，可以提供粘合力和剥离性之间的平衡及高度差追随性优异的粘合带。这种粘合带特别适宜作为用于半导体晶圆加工的粘合带而使用。另外，根据本发明，通过共挤出成形而制造，从而可以提供不使用有机溶剂、能够以较少工序数生产的粘合带。
图1为本发明优选的实施方式的粘合带的截面示意图。图2为对作为本发明粘合带高度差追随性指标的“浮起宽度”进行说明的图。附图标记说明10 粘合剂层20 基材层100 粘合带
具体实施例方式A.粘合带的整体结构图1为本发明优选的实施方式的粘合带的截面示意图。粘合带100具备由包含无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的树脂组合物形成的粘合剂层10。粘合带100优选进一步具备基材层20。粘合带100的厚度优选为5 μ m 1000 μ m、进一步优选为100 μ m 300 μ m、特别优选为130 μ m 250 μ m。粘合剂层10的厚度优选为2 μ m 100 μ m、进一步优选为20 μ m 80 μ m、特别优选为30 μ m 60 μ m。基材层20的厚度优选为3 μ m 900 μ m、进一步优选为20 μ m 220 μ m、特别优选为 70 μ m 190 μ m。本发明的粘合带还可以任意具备其他适当的层。作为其它层，例如可列举出在基材层的与粘合剂层的相反侧所具备的、能够赋予粘合带耐热性的表面层。本说明书中，使用“浮起宽度”作为粘合带高度差追随性的指标。“浮起宽度”如图
2所不，是指将粘合带100粘贴于具有闻度差X的被粘物200时，该粘合带在该闻度差浮起而不与被粘物200相接触的部分的宽度a。该浮起宽度小意味粘合带的高度差追随性优异、能够良好地填充被粘物的凹凸。将本发明的粘合带粘贴于硅制半导体镜面晶圆时，刚粘贴后的、本发明的粘合带相对于高度差30 μ m的被粘物的浮起宽度优选为650 μ m以下、进一步优选为500 μ m以下、特别优选为450 μ m以下。关于本发明的粘合带相对于高度差30 μ m的被粘物的浮起宽度的下限值，只要能够得到本发明的效果，则越小越为优选，优选为Iym以上、进一步优选为5μπι以上。本发明的粘合带的浮起宽度小，即，对被粘物的凹凸(例如半导体晶圆的图案)的追随性好，可以良好地填充该凹凸。将这样的粘合带用于半导体晶圆加工时保护图案面的情况下，在背面磨削工序时，可以对半导体晶圆均匀地施加压力，平滑地磨削，半导体晶圆背面不会出现对图案面的凹凸的影响。此外，可以防止半导体晶圆的破损。进而，可以防止磨削水浸入半导体晶圆和粘合带之间。将本发明的粘合带粘贴于硅制半导体镜面晶圆时，粘贴后经过I小时的、相对于高度差30 μ m的浮起宽度的增加量优选为10%以内、进一步优选为5%以内。只要为这样的范围，在将粘合带粘贴于半导体晶圆后经过规定时间、然后将半导体晶圆供于背面磨削工序的情况下，也能够维持良好地填充半导体晶圆图案面的凹凸的状态并如上所述地平滑地磨削背面，此外还可以防止半导体晶圆产生破损。特别优选的是，上述粘合带为在粘贴后经过I小时以后浮起宽度也不增加的粘合带。将本发明的粘合带粘贴于硅制半导体镜面晶圆时，优选粘贴并经过I小时后的、本发明的粘合带相对于高度差30 μπι的被粘物的浮起宽度不会经时而引起浮起宽度变大。本发明的粘合带的以半导体镜面晶圆(硅制)为试验板、利用根据JIS Ζ0237(2000)的方法(贴合条件:2kg辊往复I次、剥离速度:300mm/分钟、剥离角度:180° )测定的粘合力为2.0N/20mm以下，优选为0.lN/20mm 2.0N/20mm、进一步优选为0.15N/20mm
1.5N/20mm、更优选为 0.15N/20mm 1.0N/20mm、特别优选为 0.25N/20mm 1.0N/20mm。只要为这样的范围，就可以兼顾粘合力和剥离性，能够得到例如在半导体晶圆的背面磨削工序的磨削加工中不剥离、在磨削加工后可以容易地剥离的粘合带。对于本发明，例如可以在粘合剂层中含有无定形丙烯-(1- 丁烯)共聚物作为主成分而显现粘合力，通过进而添加结晶性树脂来调节粘合力。粘合剂层的构成成分的细节在后面叙述。本发明的粘合带的以聚酰亚胺涂层晶圆为试验板、利用根据JIS Z0237 (2000)的方法(贴合条件:2kg辊往复I次、剥离速度:300mm/分钟、剥离角度:180° )测定的、对聚酰亚胺涂层面的粘合力优选为0.lN/20mm 3.5N/20mm、进一步优选为0.3N/20mm
2.0N/20mm、更优选为 0.3N/20mm L 5N/20mm、特别优选为 0.5N/20mm L 2N/20mm。将本发明的粘合带粘贴于4英寸半导体晶圆的镜面表面，在23°C、相对湿度50%的环境下经过I小时后剥离，此时该镜面表面上粒径为0.28 μ m以上的微粒数优选为O个/cm2 500个/cm2、进一步优选为O个/cm2 100个/cm2、特别优选为O个/cm2 50个/cm2、最优选为O个/cm2 20个/cm2。微粒数的测定可以使用微粒计数器(particle counter)进行测定。另外，将本发明的粘合带粘贴于半导体晶圆的镜面表面，在40°C、相对湿度50%的环境下经过一天后剥离，此时晶圆表面碳原子的增加量(即转印至晶圆上的有机物的量)相对于粘贴粘合带之前，优选为latomic% 45atomic%、进一步优选为latomic% 30atomic%o晶圆表面的碳原子量可以用ESCA(化学分析电子能谱,Electron Spectroscopyfor Chemical Analysis)进行测定。关于晶圆表面碳原子的增加量(即转印至晶圆上的有机物的量)，具体而言，可以测定未粘贴粘合带的半导体晶圆镜面表面上的碳原子量和如上所述地进行粘贴、剥离后的半导体晶圆镜面表面上的碳原子量，并由它们的差值算出。作为ESCA装置，例如可以使用ULVAC-PHI，Incorporated.制造的商品名“model5400”。本发明的粘合带可以通过隔离膜进行保护而提供。本发明的粘合带可以以用隔离膜进行保护的状态卷取成卷筒状。隔离膜具有作为保护粘合带直至供于使用的保护材料的功能。作为隔离膜，例如可列举出使用硅系剥离剂、氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯)薄膜、无纺布或纸等。对于本发明的粘合带，例如在未用隔离膜进行保护的情况下，也可以在与粘合剂层处于相反侧的最外层进行背面处理。背面处理例如可以使用硅系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂来进行。本发明的粘合带通过进行背面处理可以卷取成卷筒状。
B.粘合剂层上述粘合剂层由包含无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的树脂组合物形成。只要是这样的粘合剂层，就能够通过与基材层的共挤出成形而制造粘合带，可以以较少工序数且不使用有机溶剂而得到粘合带。需要说明的是，本说明书中的“无定形”是指不像晶体一样具有明确熔点的性质。上述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物中来自1-丁烯的结构单元的含有比率优选为I重量％ 40重量％、更优选为2重量％ 30重量％、进一步优选为2重量％ 10重量％、特别优选为2重量％ 5重量％。若为这样的范围，则1-丁烯阻碍丙烯的结晶化从而保持无定形且柔软性优异，因此可以得到上述高度差追随性优异的粘合带。上述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物中来自丙烯的结构单元的含有比率优选为60重量％ 99重量％、更优选为70重量％ 98重量％、进一步优选为90重量％ 98重量％、特别优选为95重量％ 98重量％。只要处于这样的范围，就不会由于1-丁烯变多、分子链扩大而使粘合剂层变得过于柔软，可以在剥离带时稳定地剥离。上述无定形丙烯-(1- 丁烯)共聚物可以是嵌段共聚物也可以是无规共聚物。上述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，优选为200000 500000、进一步优选为200000 300000。只要无定形丙烯-(1- 丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为这样的范围，就可以得到与通常的苯乙烯系热塑性树脂、丙烯酸系热塑性树脂(Mw为100000以下)相比低分子量成分少、能够防止污染被粘物的粘合带。另外，共挤出成形时，可以无加工不良地形成粘合剂层，且能够得到适当的粘合力。上述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物在不损害本发明效果的范围内，还可以包含来自其他单体的结构单元。作为其他单体，例如可列举出乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戍烯、3-甲基-1-戍烯等α -烯烃。上述无定形丙烯-(1- 丁烯)共聚物优选通过使用茂金属催化剂，使丙烯和1- 丁烯聚合而得到。例如，无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物可以如下获得:使用茂金属催化剂进行使丙烯和1-丁烯聚合的聚合工序，在该聚合工序后，进行残留催化剂去除工序、杂质去除工序等后处理工序，由此获得。无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物经过这样的工序，以粉末状、颗粒状等形状而得到。作为茂金属催化剂，例如可列举包含茂金属化合物和铝氧烷的茂金属均匀混合催化剂、微粒状的载体上担载有茂金属化合物的茂金属担载型催化剂等。如上所述地使用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1- 丁烯)共聚物显示出狭窄的分子量分布。上述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)优选为2以下、进一步优选为1.1 2、特别优选为1.2 1.9。分子量分布狭窄的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物低分子量成分少，因此若使用这样的无定形丙烯-(1- 丁烯)共聚物，可以得到能够防止由于低分子量成分的渗出而污染被粘物的粘合带。这样的粘合带适宜用于例如作为半导体晶圆加工用。上述树脂组合物优选还包含结晶性树脂。通过在树脂组合物中包含结晶性树脂，可以降低粘合剂层的粘合力(以上述粘合带的粘合力作为结果)。上述结晶性树脂优选结晶性α-烯烃系树脂，更优选具有来自1-丁烯的结构单元的结晶性均聚物或共聚物，特别优选结晶性丙烯-(1-丁烯)共聚物或结晶性乙烯-(1-丁烯)共聚物。这些结晶性树脂可以单独使用或者将2种以上组合使用。若使用具有来自1-丁烯的结构单元的结晶性树脂，则可以抑制由于添加结晶性树脂引起的粘合剂层弹性模量的上升(即抑制高度差追随性的降低)，并且可以降低粘合剂层的粘合力。上述结晶性树脂的结晶度优选为10%以上，进一步优选为20%以上。结晶度代表性地可以通过差示扫描量热计(DSC)或X射线衍射而求出。上述结晶性树脂优选与上述无定形丙烯-(1- 丁烯)共聚物同样地使用茂金属催化剂进行聚合而得到。若使用这样操作得到的结晶性树脂，则可以防止由于低分子量成分的渗出而污染被粘物。上述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物与上述结晶性树脂的重量比(无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物:结晶性树 脂)，优选为90:10 50:50、进一步优选为90:10 60:40、特别优选为90:10 70:30。只要为这样的范围，就可以调节粘合剂层的硬度(储能模量)为适当的范围，可以得到具有适合于保护半导体晶圆的粘合力和高度差追随性、且剥离性优异的粘合带。上述树脂组合物中来自1- 丁烯的结构单元的总含有比率相对于树脂组合物中树脂的总重量，优选为5重量％以上、进一步优选为5重量％ 40重量％、更优选为5重量％ 30重量％、特别优选为5重量％ 10重量％、最优选为8重量％ 10重量％。只要为这样的范围，就可以调节粘合剂层的硬度(储能模量)为适当的范围、可以得到具有适合于保护半导体晶圆的粘合力和高度差追随性且剥离性优异的粘合带。这种效果通过使树脂组合物中包含具有来自1-丁烯的结构单元的结晶性树脂、将树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率调节至上述范围内，而变得更加显著。需要说明的是，本说明书中，“树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率”是指树脂组合物中全部树脂具有的来自1-丁烯的结构单元的总含有比率。具体而言，是指上述树脂组合物中除了无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物以外，还包含具有来自1-丁烯的结构单元的结晶性树脂(例如结晶性丙烯-(1-丁烯)共聚物、结晶性乙烯-(1-丁烯)共聚物)的情况下，无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物中来自1-丁烯的结构单元和结晶性树脂中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率。
上述树脂组合物在230°C、2.16kgf下的熔体流动速率优选为lg/ΙΟ分钟 50g/10分钟、进一步优选为5g/10分钟 30g/10分钟、特别优选为5g/10分钟 20g/10分钟。只要上述树脂组合物的熔体流动速率为这样的范围，就可以通过共挤出成形无加工不良地形成厚度均匀的粘合剂层。熔体流动速率可以利用依据JISK7210的方法进行测定。上述粘合剂层在20°C下的储能模量(G’)优选为2.0MPa以下、进一步优选为0.5MPa 2.0MPa、更优选为0.5MPa 1.8MPa、特别优选为0.5MPa 1.6MPa。只要上述粘合剂层的储能模量(G’)为这样的范围，就可以得到适合于保护半导体晶圆的高度差追随性。将这种本发明的粘合带用于保护半导体晶圆时，能够良好地填充半导体晶圆图案的凹凸，从而有助于达到半导体晶圆的背面磨削中优异的磨削精度，并且可以防止磨削加工中的水渗入导致半导体晶圆受到污染或破损。进而，只要储能模量(G’)为上述范围，就可以得到粘合力和剥离性的平衡优异的粘合带。更详细而言，粘合剂层的储能模量(G’)即使如上所述那样较小，本发明的粘合带的粘合力也不会变得过高，粘合力和剥离性的平衡优异。这样的粘合带在背面磨削中可以充分地保护半导体晶圆表面，并且可以得到上述效果(优异的磨削精度、防止水渗入)，并且在磨削加工后可以容易地剥离、可以防止半导体晶圆的破损。这样的储能模量(G’)和粘合力都低的粘合剂层可以如下获得:例如使上述树脂组合物中包含具有来自1-丁烯的结构单元的结晶性树脂而调节粘合剂层的粘合力，由此抑制储能模量(G’)的上升并且降低粘合力。需要说明的是，本发明的储能模量(G’)可以利用动态粘弹性光谱测定来进行测定。上述粘合剂层的用纳米压痕仪压入IOOOnm时的压痕硬度优选为0.8MPa以上、进一步优选为0.8MPa 3.5MPa、特别优选为0.8MPa 3.0MPa、最优选为0.8MPa 1.5MPa。只要为这样的范围，就可以得到具有适合于保护半导体晶圆的粘合力、剥离性和高度差追随性的粘合带。更具体而言，只要用纳米压痕仪压入IOOOnm时的压痕硬度为0.SMPa以上，就可以防止粘合带追随至晶圆表面极微小的凹凸(例如基于PI保护膜、电路图案等的纳米级凹凸)并牢固地粘贴 ，可以得到剥离性优异的粘合带。上述粘合剂层特别优选储能模量(G’)处于上述范围，并且用纳米压痕仪压入IOOOnm时的压痕硬度处于上述范围。通过本发明可以得到粘合剂层整体柔软，但粘合剂层表面较硬的粘合带。具备这样的粘合剂层的粘合带具有适合于保护半导体晶圆的高度差追随性和粘合力。需要说明的是，基于纳米压痕仪的硬度可以使用纳米压痕仪(例如HYSITR0N公司制造)进行测定。优选的是，上述粘合剂层实质上不包含F_、Cl' Br\ N02_、N03_、SO42' Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、NH4+。这是因为可以防止该离子污染被粘物。具备这样的粘合剂层的粘合带用于例如半导体晶圆加工用时，不会产生电路的断线或短路等。不包含上述离子的粘合剂层，例如可以通过如上所述地使用茂金属催化剂将该粘合剂层所包含的无定形丙烯_(1- 丁烯)共聚物进行溶液聚合而得到。对于使用该茂金属催化剂的溶液聚合，因为无定形丙烯_(1-丁烯)共聚物可以使用与聚合溶剂不同的不良溶剂反复进行析出分离(再沉淀法)从而进行提纯，因此可以得到不包含上述离子的粘合剂层。需要说明的是，本说明书中的“实质上不包含 F_、Cl' Br\ N02_、N03_、SO42' Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、NH4+” 是指在标准的离子色谱分析(例如，使用Dionex公司制造、商品名“DX-320”、“DX_500”的离子色谱分析)中低于检测限。具体而言是指，相对于Ig粘合剂层，F—、Cl' Br' NO2' NO3' S0,和K.分别为0.49 μ g以下、Li+和Na+分别为0.20 μ g以下、Mg2+和Ca2+分别为0.97 μ g以下、NH4+为0.5 μ g以下的情况。上述粘合剂层在不损害本发明效果的范围内，还可以包含其他成分。作为该其他成分，例如可列举出抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、耐热稳定剂、抗静电剂等。其他成分的种类和用量可以根据目的而适当地选择。C.某材层上述基材层可以使用任意适当的树脂而形成。优选能够共挤出成形的热塑性树月旨，例如可列举出聚乙烯系树脂。作为聚乙烯系树脂的具体例，可列举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMA)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段聚合物(SEBS)、高分子量聚乙烯(HDPE)、低分子量聚乙烯(LDPE)、直链状低分子量聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯等。上述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的重均分子量(Mw)优选为10000 200000、进一步优选为30000 190000。只要乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的重均分子量(Mw)处于这样的范围，就可以在共挤出成形时，无加工不良地形成基材层。形成上述基材层的树脂在190°C、2.16kgf下的熔体流动速率优选为2g/10分钟 20g/10分钟、进一步优选为5g/10分钟 15g/10分钟、特别优选为7g/10分钟 12g/10分钟。只要乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的熔体流动速率处于这样的范围，就可以通过共挤出成形无加工不良地形成基材层 。上述基材层在不损害本发明效果的范围内，还可以包含其他成分。作为该其他成分，例如可以使用与上述B项中所说明的粘合剂层可以包含的其他成分相同的成分。P.粘合带的制造方法本发明的粘合带优选将上述粘合剂层和上述基材层的形成材料共挤出成形而制造。通过共挤出成形，可以以较少工序数且不使用有机溶剂地制造层间粘接性良好的粘合带。需要说明的是，本说明书中的“粘合剂层的形成材料(粘合剂层形成材料)”是指上述树脂组合物和上述其他成分的混合物。对于上述共挤出成形，上述粘合剂层和上述基材层的形成材料可以使用以任意适当的方法将上述各层的成分混合而成的材料。作为上述共挤出成形的具体方法，例如可列举出连接于模具(dies)的至少2台挤出机中，分别向I台供给粘合剂层形成材料，向另一台供给基材层形成材料，熔融后挤出，通过接触辊成形法牵引，从而成形层叠体的方法。挤出时，各形成材料进行合流的部分越靠近模具出口(模唇)越为优选。这是因为在模具内各形成材料难以发生合流不良。因此，作为上述模具，优选使用多歧管形式的模具。需要说明的是，发生合流不良时，产生合流不均匀等外观不良，具体而言在被挤出的粘合剂层和基材层之间产生波状外观不均匀，不优选。另外，合流不良是由于例如不同种形成材料在模具内的流动性(熔融粘度)之差大、以及各层形成材料的剪切速度之差大而产生的，因此若使用多歧管形式的模具，对于具有流动性差的不同种形成材料，与其他形式(例如夹钳式送料机构(feed block)形式)相比，材料的选择范围更广。用于各形成材料熔融的挤出机的螺杆类型可以为单螺杆或双螺杆。挤出机也可以为3台以上。挤出机为3台以上时，还可以供给其它层的形成材料。另外，使用3台以上的挤出机制造双层结构(基材层+粘合剂层)的粘合带时，只要向相邻的2台以上的挤出机供给同一种形成材料即可，例如使用3台挤出机时，可以向相邻的2台挤出机供给同一种形成材料。上述共挤出成形的成形温度优选为160°C 220°C、进一步优选为170°C 200°C。只要为这样的范围，则成形稳定性优异。上述粘合剂层形成材料与上述基材层形成材料在温度180°C、剪切速度^^秒―1下的剪切粘度之差(粘合剂层形成材料-基材层形成材料)优选为_150Pa.s 600Pa.s以下、进一步优选为-1OOPa.s 550Pa.S、特别优选为_50Pa.s 500Pa.S。只要处于这样的范围，就可以使上述粘合剂层形成材料和基材层形成材料在模具内的流动性相接近、防止发生合流不良。需要说明的是，剪切粘度可以利用双毛细管(twin capillary)型的拉伸粘度计进行测定。实施例以下，通过实施例对本发明进行具体的说明，但本发明不受这些实施例的限制。需要说明的是，实施例等中的试验和评价方法如下所述。另外，份是指重量份。实施例1作为粘合剂层形成材料，使用包含90份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和10份结晶性丙烯-(1-丁烯)共聚物(三井化学公司制造、商品名“TAFMERXM7070”、来自1- 丁烯的结·构单元:34重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1_ 丁烯的结构单元的总含有比率:5.2重量％)。作为基材层形成材料,使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(DuPont-Mitsui C0.，Ltd.制造、商品名 “EVAFLEX P1007”)。将上述粘合剂层形成材料和基材层形成材料投入各自的挤出机，进行T型模具熔融共挤出(挤出机:GM Engineering公司制造、商品名“GM30_28”/T型模具:夹钳式送料机构方式；挤出温度180°C)，层叠熔融状态的树脂和向接触辊成形部通纸的Si涂布PET隔离膜(三菱化学公司制造、商品名“Diafoil MRF”:38 μ m)，然后冷却，得到粘合剂层厚度为30 μ m、基材层厚度为100 μ m的粘合带。其中，各层的厚度通过T型模具出口的形状进行控制。实施例2作为粘合剂层形成材料，使用包含80份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和20份结晶性丙烯-(1- 丁烯)共聚物(三井化学公司制造、商品名“TAFMERXM7070”、来自1- 丁烯的结构单元:34重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1_ 丁烯的结构单元的总含有比率:8.4重量％)，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘合带。实施例3作为粘合剂层形成材料，使用包含70份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1-丁烯的结构单元:2重量％)，和30份结晶性丙烯-(1-丁烯)共聚物(三井化学公司制造、商品名“TAFMER XM7070”、来自1_ 丁烯的结构单元:34重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率:11.6重量％)，使粘合剂层的厚度为45 μ m、基材层的厚度为160 μ m，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘合带。
实施例4作为粘合剂层形成材料，使用包含60份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1-丁烯的结构单元:2重量％)，和40份结晶性丙烯-(1-丁烯)共聚物(三井化学公司制造、商品名"TAFMER XM7070”、来自1- 丁烯的结构单元:34重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率:14.8重量％)，使粘合剂层的厚度为45 μπι、基材层的厚度为160 μ m，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘合带。实施例5作为粘合剂层形成材料，使用包含80份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和20份结晶性乙烯-(1- 丁烯)共聚物(三井化学公司制造、商品名“TAFMERBL3450”、来自1-丁烯的结构单元:87重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1_ 丁烯的结构单元的总含有比率:19重量％)，使粘合剂层的厚度为45 μ m、基材层的厚度为160 μ m,除此以外，与实施例1同样操作，得到粘合带。实施例6作为粘合剂层形成材料，使用包含70份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和30份结晶性乙烯-(1- 丁烯)共聚物(三井化学公司制造、商品名“TAFMERBL3450”、来自1- 丁烯的结构单元:87重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1_ 丁烯的结构单元的总含有比率:27.5重量％)，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘合带。实施例7作为粘合剂层 形成材料，使用包含60份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和40份结晶性乙烯-(1- 丁烯)共聚物(三井化学公司制造、商品名“TAFMERBL3450”、来自1-丁烯的结构单元:87重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1_ 丁烯的结构单元的总含有比率:36重量％)，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘合带。比较例I作为粘合剂层形成材料，使用包含100份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)的树脂组合物(树脂组合物中来自1- 丁烯的结构单元的总含有比率:2重量％)，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘合带。比较例2作为粘合剂层形成材料，使用包含90份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和10份利用茂金属催化剂聚合而成的结晶性聚丙烯系树脂(JapanPolypropylene Corporation制造、商品名“WINTECWFX4”)的树脂组合物(树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率:1.8重量％)，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘口巾。比较例3
作为粘合剂层形成材料，使用包含80份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和20份利用茂金属催化剂聚合而成的结晶性聚丙烯系树脂(JapanPolypropylene Corporation制造、商品名“WINTEC WFX4”)的树脂组合物(树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率:1.6重量％)，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘口巾。比较例4作为粘合剂层形成材料，使用包含70份利用茂金属催化剂聚合而成的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学公司制造、商品名“Tafthren H5002”、来自1_ 丁烯的结构单元:2重量％)，和30份利用茂金属催化剂聚合而成的结晶性聚丙烯系树脂(JapanPolypropylene Corporation制造、商品名“WINTEC WFX4”)的树脂组合物(树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率:1.4重量％)，除此以外，与实施例1同样操作，得到粘口巾。评价将实施例及比较例得到的粘合带供于以下评价。结果示于表I。(I)压痕硬度粘合剂层的压痕硬度使用纳米压痕仪(HYSITR0N公司制造)，由在室温25°C的环境下将三角锥型压头(Berkovich indenters)在粘合剂表面以IOOnm/秒的速度压入IOOOnm时的荷重μ N (Pmax)根据下式算出。
压痕硬度=(Pmax)/A ;接触投影面积(2)储能模量(G，)粘合剂层在20 °C下的储能模量可以使用动态光谱测定器(RheometricScientific公司制造、商品名“ARES”)，在频率10Hz、升温速度5°C /分钟下、在_50°C 100°C的范围内进行测定。(3)粘合力(对硅)所得粘合带对4英寸半导体晶圆的镜面表面(硅制)的粘合力利用依据JIS Z0237(2000)的方法(贴合条件:2kg辊往复I次、剥离速度:300mm/分钟、剥离角度:180° )进行测定。(4)粘合力(对聚酰亚胺)所得粘合带对聚酰亚胺涂层晶圆的聚酰亚胺涂层面的粘合力利用依据JIS Z0237(2000)的方法(贴合条件:2kg辊往复I次、剥离速度:300mm/分钟、剥离角度:180° )进行测定。(5)高度差追随性(浮起宽度)在8英寸半导体晶圆(硅制)上放置厚度30 μ m宽度2cm的铝板。以横过该铝板的方式用带粘贴装置DR-3000II (日东精机株式会社制造)粘贴粘合带，用显微镜观察相对于高度差30 μ m的浮起宽度，并进行测定。(6)剥离性将粘合带粘贴于8英寸半导体晶圆(硅制)，使用背面研磨装置DFG8560 (DISC0Corporation制造)磨削至100 μ m后,用带剥离装置MA3000III (日东精机株式会社)进行带剥离。将可以I次剥离的作为〇、无法剥离的作为X，进行评价。表I
权利要求
1.一种粘合带，其具备由包含无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的树脂组合物构成的粘合剂层， 将该粘合带粘贴于具有30 μ m高度差的被粘物时，该粘合带在该高度差附近浮起，该粘合带不与该被粘物相接触部分的宽度为650 μ m以下， 利用根据JIS Z0237 (2000)的方法(贴合条件:2kg辊往复1次、剥离速度:300mm/分钟、剥离角度:180° )测定的、该粘合带对硅制半导体镜面晶圆的粘合力为2.0N/20mm以下。
2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层在20°C下的储能模量(G’)为.2.0MPa 以下。
3.根据权利要求1或2所述的粘合带，其中，所述粘合剂层的用纳米压痕仪压入1000nm时的压痕硬度为0.8MPa以上。
4.根据权利要求1或2所述的粘合带，其中，所述树脂组合物包含无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物和结晶性树脂， 该结晶性树脂为结晶性丙烯-(1-丁烯)共聚物和/或结晶性乙烯-(1-丁烯)共聚物。
5.根据权利要求1或2所述的粘合带，其中，所述树脂组合物中来自1-丁烯的结构单元的总含有比率相对于该树脂组合物中树脂的总重量，为5重量％以上。
6.根据权利要求1或2所述的粘合带,其中，粘合带厚度为5μ m 1000 μ m。
7.根据权利要求1或2所述的粘合带，其还具备基材层，该粘合带通过将粘合剂层形成材料和基材层形成材料共挤出成形而得到。
8.根据权利要求1所述的粘合带，其用于半导体晶圆加工。
全文摘要
本发明提供粘合带，其粘合力和剥离性之间的平衡及高度差追随性优异、且能够通过共挤出成形而制造。本发明的粘合带具备由包含无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的树脂组合物构成的粘合剂层，将该粘合带粘贴于具有30μm高度差的被粘物时，该粘合带在该高度差下部附近浮起，该粘合带不与该被粘物相接触部分的宽度为650μm以下，利用根据JIS Z0237(2000)的方法(贴合条件2kg辊往复1次、剥离速度300mm/分钟、剥离角度180°)测定的、该粘合带对硅制半导体镜面晶圆的粘合力为2.0N/20mm以下。
文档编号C09J123/14GK103242751SQ20131004850
公开日2013年8月14日 申请日期2013年2月6日 优先权日2012年2月13日
发明者土生刚志, 龟井胜利, 生岛伸祐, 浅井文辉 申请人:日东电工株式会社