一种化学机械设备抛光液的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种化学机械设备抛光液，包括下列重量份数的物质：硫氰酸盐15-35份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7-16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛1-2份，硅藻土1份，硼酸钠2-4份，片层结构的云母粉1份，空心玻璃微珠1-2份。本发明的化学机械抛光液可抑制低介电材料的抛光速率，而对铜和二氧化硅的去除速率影响不大，同时可减少被抛光材料的表面污染物。
【专利说明】一种化学机械设备抛光液【技术领域】
[0001]本发明涉及一种化学机械设备抛光液。
【背景技术】
[0002]传统介电层材料由于具有较高的介电常数，会导致传导层之间电容增大，从而影响集成电路的速度，使效率降低，随着集成电路的复杂化和精细化，这种基底材料越发不能满足更先进制程的技术要求，在衬底中引入低介电材料是集成电路技术发展的必然趋势，随之产生了许多用于低介电材料的抛光衆液。但目前现有技术中的低介电材料抛光液都没有达到制造成本和技术表现的完美结合。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种化学机械设备抛光液。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:
一种化学机械设备抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质:硫氰酸盐15-35份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7-16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3_5份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛1-2份，硅藻土 I份，硼酸钠2-4份，片层结构的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2份。
[0005]本发明的化学机械抛光液可抑制低介电材料的抛光速率，而对铜和二氧化娃的去除速率影响不大，同时可减少被抛光材料的表面污染物。
【具体实施方式】
[0006]实施例1
一种化学机械设备抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质:硫氰酸盐15-35份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7-16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3_5份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛1-2份，硅藻土 I份，硼酸钠2-4份，片层结构的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2份。
【权利要求】
1.一种化学机械设备抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质:硫氰酸盐15-35份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7-16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3_5份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛1-2份，硅藻土 I份，硼酸钠2-4份，片层结构的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2份。.
【文档编号】C09G1/02GK103468147SQ201310387790
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年8月31日 优先权日:2013年8月31日
【发明者】张竹香 申请人:青岛承天伟业机械制造有限公司