所述介质通过在各自显示器中特别高的透射率和降低的响应时间来区别，这通过它们独特的物理性能组合，尤其是通过它们的介电性能和特别是分别通过它们的(ε⊥/εev.)高比值或者它们介电比(ε⊥/Δε)的高数值带来。这也导致它们在根据本发明的显示器中的优异表现。
使用介电正性液晶的IPS和FFS显示器是本领域熟知的并且已经广泛采用于多种类型的显示器，例如台式监视器和电视机，而且用于移动应用。
然而，目前，广泛采用使用介电负性液晶的IPS和特别是FFS显示器。后者有时也被称为UB-FFS(超亮FFS)。例如在US 2013/0207038 A1中公开了这种显示器。相比于先前使用的IPS和FFS显示器(其已经为介电正性液晶)，这些显示器的特征在于显著增加的透射率。然而，使用常规的介电负性液晶的这些显示器具有严重的缺点：相比于使用介电正性液晶的各个显示器，其需要更高的操作电压。用于UB-FFS的液晶介质具有-0.5或更小的介电各向异性并优选为-1.5或更小。
用于HB-FFS(高亮FFS)的液晶介质具有0.5或更大并优选1.5或更大的介电各向异性。用于HB-FFS的包含介电负性和介电正性液晶化合物或者介晶化合物二者的液晶介质，公开于例如US 2013/0207038 A1中。这些介质已经拥有相当大的ε⊥和εev值，然而，它们的(ε⊥/Δε)比相对较小。
然而，根据本申请，优选介电正性液晶介质沿面配向的IPS或FFS效应。
该效应在电光显示器元件中的工业应用需要液晶相，其必须满足多种要求。此处尤为重要的是对水分、空气的化学耐受性和例如热，红外线、可见光和紫外区域的辐射以及直流(DC)和交流(AC)电场的物理影响。
此外，要求工业可用的液晶相在适合的温度范围和低粘度下具有液晶中间相。
迄今已公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化合物。因此，通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以获得可用作液晶相的物质。
已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于单个像素单独切换的非线性元件为，例如有源元件(即晶体管)。于是使用术语“有源矩阵”，其中通常使用薄膜晶体管(TFT)，其通常安置在作为基板的玻璃板上。
区分为两种技术：包含化合物半导体，例如CdSe或金属氧化物如ZnO的TFT，或基于多晶和尤其是元定形硅的TFT。目前后一技术在全球范围内具有最大的商业重要性。
将TFT矩阵施用于显示器的一个玻璃板的内侧，而另一玻璃板在其内侧带有透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小且对图像几乎没有不利作用。该技术还可以推广到全色功能的显示器，其中将红色、绿色和蓝色滤光片的镶嵌物(mosaic)以使得滤光片元件与每个可切换的像素相对的方式排列。
迄今最常使用的TFT显示器通常使用透射中的交叉的偏振器操作并且是背光照明的。对于TV应用，使用ECB(或VAN)盒或FFS盒，而监视器通常使用IPS盒或TN(扭曲向列)盒，和笔记本、膝上型电脑和移动应用通常使用TN、VA或FFS盒。
术语MLC显示器在此处包括具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，所述无源元件例如为可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。
这种类型的MLC显示器特别适用于TV应用、监视器和笔记本或用于例如在汽车制造或飞机构造中具有高信息密度的显示器。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的问题之外，由于液晶混合物不够高的电阻率，MLC显示器中也还产生一些困难[TOGASHI，S.，SEKIGUCHI，K.，TANABE，H.，YAMAMOTO，E.， SORIMACHI，K.，TAJIMA，E.，WATANABE，H.，SHIMIZU，H.，Proc.Eurodisplay84，Sept.1984：A 210-288Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，pp.141ff.，Paris；STROMER，M.，Proc.Eurodisplay 84，Sept.1984：Design of Thin Film transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，pp.145ff.，Paris]。随着电阻降低，MLC显示器的对比度劣化。因为由于与显示器内表面的相互作用，液晶混合物的电阻率通常随MLC显示器的寿命下降，所以对于在长的操作时期必须具有可接受的电阻值的显示器来说，高的(初始)电阻非常重要。
除了IPS显示器(例如：Yeo，S.D.，Paper 15.3：“An LC Display for the TV Application“，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book II，pp.758和759)和长久已知的TN显示器之外，使用ECB效应的显示器已经作为所谓的VAN(垂直配向向列)显示器被确立为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一，特别是用于电视应用。
此处可以提及最重要的设计：MVA(多域垂直配向，例如：Yoshide，H.et al.，Paper 3.1：“MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...“，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book I，pp.6to 9，和Liu，C.T.et al.，Paper 15.1：“A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...“，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book II，pp.750到753)，PVA(图案化垂直配向，例如：Kim，Sang Soo，Paper 15.4：“Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV“，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book II，pp.760to 763)和ASV(先进超视角，例如：Shigeta，Mitzuhiro和Fukuoka，Hirofumi，Paper 15.2：“Development of High Quality LCDTV“，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book II，pp.754到757)。VA效应的最现代的版本是所谓的PAVA(光配向VA)和PSVA(聚合物稳定的VA)。
以一般的形式，例如在Souk，Jun，SID Seminar 2004，Seminar M-6：“Recent Advances in LCD Technology”，Seminar Lecture Notes，M-6/1toM-6/26和Miller，Ian，SID Seminar 2004，SeminarM-7：“LCD-Television”，Seminar Lecture Notes，M-7/1到M-7/32中比较了所述技术。虽然现代ECB 显示器的响应时间已经通过具有过载(overdrive)的寻址方法显著地得以改善，例如Kim，Hyeon Kyeong et al.，Paper 9.1：“A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application“，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book I，pp.106to 109，但是实现视频兼容的响应时间，特别是在灰阶的切换中，仍然是未满意解决的问题。
ECB显示器，如ASV显示器，使用具有负介电各向异性(Δε)的液晶介质，而TN和迄今所有常规的IPS显示器使用具有正介电各向异性的液晶介质。然而，目前对于利用介电负性液晶介质的IPS和FFS显示器存在增加的需求。
在这种类型的液晶显示器中，液晶被用作介电材料，当施加电压时其光学性能可逆地变化。
因为通常在显示器中，即也在根据这些提及效应的显示器中，操作电压应当尽可能低，所以使用通常主要由液晶化合物组成的液晶介质，所有这些化合物具有相同符号的介电各向异性并且具有最高可能的介电各向异性值。通常，最多采用相对小比例的中性化合物和如果可能不采用具有与介质相反符号的介电各向异性的化合物。在例如用于ECB或UB-FFS显示器的具有负介电各向异性的液晶介质的情况下，因此主要采用具有负介电各向异性的化合物。所采用的各液晶介质通常主要由具有负介电各向异性的液晶化合物组成并且通常甚至基本上由具有负介电各向异性的液晶化合物组成。
在根据本申请使用的介质中，通常采用显著量的介电正性液晶化合物和通常仅非常少量的介电化合物或甚至无介电化合物，因为通常液晶显示器旨在具有最低可能的寻址电压。同时，在某些情形下可以有利地使用少量介电中性化合物。
US 2013/0207038 A1公开了用于HB-FFS显示器的液晶介质，提议使用具有正介电各向异性的液晶通过额外并入介电负性液晶改善FFS显示器的性能。然而，这导致需要对所得介质的整个介电各向异性补偿这些化合物的负面贡献。为此，必须增加介电正性材料的浓度，其反过来使在混合物中使用介电中性化合物作为稀释物的空间变小，或替代地，必须使用具有更强正介电各向异性的化合物。这些替代方案均具有增加显示器中液晶的响应时间的强烈缺陷。
已经公开了用于IPS和FFS显示器的具有正介电各向异性的液晶介质。以下将给出一些实例。
CN 104232105 A、WO 2014/192390和WO 2015/007131公开了具有正介电各向异性的液晶介质，其中的某些具有相当高的垂直于指向矢的介电常数。
明显地，液晶混合物的相范围必须足够宽以用于意欲的显示器应用。
在显示器中液晶介质的响应时间必须得以改善，即降低。这对于电视或多介质应用的显示器是特别重要的。为了改善响应时间，过去已经多次地提议优化液晶介质的旋转粘度(γ1)，即获得具有最低可能旋转粘度的介质。然而，此处所得到的结果对于许多应用是不足的，并且因此似乎值得期望找到进一步优化的方法。
介质对于极限载荷，特别对于UV曝光和加热的足够稳定性是非常特别重要的。特别是在应用于移动设备(例如移动电话)显示器中的情况下，这可能是关键的。
除了它们相对差的透射率和它们相对长的响应时间，迄今公开的MLC显示器，它们具有其它缺点。这些例如是它们相对低的对比度，它们相对高的视角依赖性和在这些显示器中灰度值再现的困难，尤其是当由倾斜视角观察时，以及它们不足的VHR和它们不足的寿命。需要理想地改善显示器透射率和它们响应时间以分别改善它们的能量效率和它们迅速呈现移动图像的能力。
因此对于具有非常高电阻率同时大的工作温度范围、短的响应时间和低的阈值电压的MLC显示器持续具有大的需求，在该显示器的帮助下，可以制备多种灰阶并且其特别具有良好稳定的VHR。
本发明的目的为提供MLC显示器，其不仅用于监视器和TV应用，而且还用于移动应用，例如电话和导航系统，其基于ECB、IPS或FFS效应，不具有以上指出的缺陷，或仅具有减少程度的以上所述缺点，并且同时具有非常高的电阻率值。特别地，对于移动电话和导航系统必须保证它们在非常高和非常低的温度下也能工作。
令人惊讶地，已经发现如果在这些显示元件中使用如下所述的向列液晶混合物可以获得液晶显示器，其特别是在IPS和FFS显示器中具有低的阈值电压，以及短的响应时间，足够宽的向列相，有利的双折射(Δn)，和同时高透射率，对于通过加热和UV曝露的分解的良好稳定性，和稳定、高的VHR，所述向列液晶混合物包含至少一种、优选两种或更多种式I化合物，所述式I化合物优选选自子式I-1和I-2化合物，特别优选子式I-1和/或I-2，更优选I-1和I-2 两者，和优选额外地至少一种、优选两种或更多种选自式II和式III化合物的化合物，前者优选式II-1和/或II-2，和/或至少一种、优选两种或更多种选自式IV和/或V化合物的化合物，和优选一种或多种选自式VII到IX的化合物(所有式在本文中如下定义)。
这种类型的介质可以特别用于具有用于IPS或FFS显示器的有源矩阵寻址的电光显示器。
因此，本发明涉及一种液晶介质，其基于包含一种或多种具有垂直于指向矢的介电常数与介电各向异性的介电比(ε⊥/Δε)为2.0或更小和垂直于指向矢的高介电常数(ε⊥)优选为3.8或更大、优选4.5或更大和最优选6.0或更大的化合物的极性化合物的混合物。
1.0或更大的垂直于指向矢的介电常数与介电各向异性之比(ε⊥/Δε)对应于2.0或更小的平行于指向矢的介电常数(ε||)与垂直于指向矢的介电常数(ε⊥)之比，即(ε||/ε⊥)之比。
根据本发明的介质优选额外包含一种或多种选自式II和III化合物的化合物，优选一种或多种式II化合物，更优选另外还有一种或多种式III化合物，和最优选额外的一种或多种选自式IV和V化合物的化合物，再次优选一种或多种选自式VI至IX化合物的化合物(所有式如下定义)。
根据本发明的混合物展示出非常宽的向列相范围、清亮点≥70℃、非常有利的电容阈值、相对高的保持比值和同时良好的-20℃和-30℃下的低温稳定性、以及非常低的旋转粘度。此外，根据本发明的混合物特征在于良好的清亮点和旋转粘度的比以及相对高的正介电各向异性。
现在，已经令人意外地发现使用具有正介电各向异性的液晶的FFS型液晶可以通过使用特定选择的液晶介质实现。这些介质的特征在于物理性能的特定组合。这些之中最具有决定性意义的是它们的介电性能并且此处是高平均介电常数(εev.)，垂直于液晶分子指向矢的高介电常数(ε⊥)，和特别地，相对高的这后两个值的比：(ε⊥/Δε)。
优选地，一方面，根据本发明的液晶介质具有1.5或更大的介电各向异性值，优选3.5或更大，更优选4.5或更大。另一方面，它们优选具有26或更小的介电各向异性。
优选地，一方面，根据本发明的液晶介质具有2或更大的垂直于指向矢的 介电常数值，更优选6或更大，且另一方面优选20或更小。
根据本发明的液晶介质优选具有正介电各向异性，优选在1.5或更大至20.0或更小的范围，更优选在3.0或更大至8.0或更小的范围，和最优选在4.0或更大至7.0或更小的范围。
根据本发明的液晶介质优选具有5.0或更大的垂直于液晶分子指向矢的介电常数(ε⊥)，更优选6.0或更大，更优选7.0或更大，更优选8.0或更大，更优选9或更大和最优选10.0或更大。
根据本发明的液晶介质优选具有2.0或更小的介电比(ε⊥/Δε)，更优选1.5或更小，和最优选1.0或更小。
本发明的液晶介质具有0.5或更大或更优选1.5或更大的介电各向异性，和2.0或更小的介电比(ε⊥/Δε)并包含
a)一种或多种式I化合物，优选选自式I-1和I-2化合物，优选浓度为1％-60％、更优选5％-40％、特别优选8％-35％，
其中
表示
表示
n表示0或1，
R11和R12彼此独立地表示烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，优选具有1-7个C原子的，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基和优选烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最优选烷基、烷氧基或烯氧基，和R11或者也表示R1和R12或者也表示X1，
R1表示烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，优选具有1-7个C原子的，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基和优选烷基或烯基，和
X1表示F，Cl，氟代烷基，氟代烯基，氟代烷氧基或氟代烯氧基，后四种基团优选具有1-4个C原子，更优选F，Cl，CF3或OCF3，和
b)一种或多种选自式II和III化合物的介电正性化合物，优选各自具有大于3的介电各向异性的化合物：
其中
R2表示具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基和优选烷基或烯基，
每次出现时彼此独立地表示
优选
L21和L22表示H或F，优选L21表示F，
X2表示卤素，具有1-3个C原子的卤代烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤代烯基或烯氧基，优选F，Cl，-OCF3，-O-CH2CF3，-O-CH＝CH2，-O-CH＝CF2或-CF3，非常优选F，Cl，-O-CH＝CF2或-OCF3，
m表示0，1，2或3，优选1或2和特别优选1，
R3表示具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基和优选烷基或烯基，
每次出现时彼此独立地为
优选
L31和L32，彼此独立地表示H或F，优选L31表示F，
X3表示卤素，具有1-3个C原子的卤代烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤代烯基或烯氧基，F，Cl，-OCF3，-OCHF2，-O-CH2CF3，-O-CH＝CF2，-O-CH＝CH2或-CF3，非常优选F，Cl，-O-CH＝CF2，-OCHF2或-OCF3，
Z3表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或单键，优选-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-或单键和非常优选-COO-、反式-CH＝CH-或单键，和
n表示0，1，2或3，优选1，2或3和特别优选1，和
c)任选的一种或多种选自式IV和V的介电中性化合物：
其中
R41和R42，彼此独立地具有以上式II中R2所述含义，优选R41表示烷基和R42表示烷基或烷氧基或R41表示烯基和R42表示烷基，
彼此独立地并且如果
出现两次，
其也彼此独立地表示
优选的一个或多个
表示
Z41和Z42，彼此独立地并且如果Z41出现两次，其也彼此独立地表示-CH2CH2-，-COO-，反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-，-CH2O-，-CF2O-，-C≡C-或单键，优选其中一个或多个表示单键，和
p表示0，1或2，优选0或1，和
R51和R52，彼此独立地具有对于R41和R42所给出的含义之一和优选表示具有1-7个C原子的烷基，优选n-烷基，特别优选具有1-5个C原子的n-烷基，具有1-7个C原子的烷氧基，优选n-烷氧基，特别优选具有2-5个C原子的n-烷氧基，具有2-7个C原子的烷氧基烷基、烯基或烯氧基，优选具有2-4个C原子的，优选烯氧基，
至
如果存在，各自彼此独立地表示
优选
优选
表示
和，如果存在，
优选表示
Z51至Z53各自彼此独立地表示-CH2-CH2-、-CH2-O-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-或单键，优选-CH2-CH2-、-CH2-O-或单键和特别优选单键，
i和j各自彼此独立地表示0或1，
(i+j)优选表示0，1或2，更优选0或1，和最优选1。
d)再次任选地，或者替代地或者额外地，一种或多种选自式VI至IX的介电负性化合物：
其中
R61表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选直链烷基，更优选n-烷基，最优选丙基或戊基，具有2-7个C原子的未取代烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的，具有1-6个C原子的未取代烷氧基或具有2-6个C原子的未取代烯氧基，
R62表示具有1-7个C原子的未取代烷基，具有1-6个C原子的未取代烷氧基或具有2-6个C原子的未取代烯氧基，和
l表示0或1，
R71表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选直链烷基，更优选n-烷基，最优选丙基或戊基，或具有2-7个C原子的未取代烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的，
R72表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选具有2-5个C原子的，具有1-6个C原子的未取代烷氧基，优选具有1、2、3或4个C原子的，或具有2-6个C原子的未取代烯氧基，优选具有2、3或4个C原子的，和
表示
R81表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选直链烷基，更优选n-烷基，最优选丙基或戊基，或具有2-7个C原子的未取代烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的，
R82表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选具有2-5个C原子的，具有1-6个C原子的未取代烷氧基，优选具有1、2、3或4个C原子的，或具有2-6个C原子的未取代烯氧基，优选具有2、3或4个C原子的，
表示
优选
更优选
Z8表示-(C＝O)-O-，-CH2-O-，-CF2-O-或-CH2-CH2-，优选-(C＝O)-O-或-CH2-O-，和
o表示0或1，
R91和R92彼此独立地具有以上对R72所给出的含义，
R91优选表示具有2-5个C原子的烷基，优选具有3-5个C原子的，
R92优选表示具有2-5个C原子的烷基或烷氧基，更优选具有2-4个C原子的烷氧基，或具有2-4个C原子的烯氧基。
表示
p和q彼此独立地表示0或1，和
(p+q)优选表示0或1，如果
表示
替代地，优选p＝q＝1。
根据本申请的液晶介质优选具有向列相。
优选式I化合物选自式I-1和I-2的化合物：
其中
R11和R12彼此独立地表示烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，优选具有1-7个C原子的，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基和优选烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最优选烷氧基或烯氧基，
R1表示烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，优选具有1-7个C原子的，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基和优选烷基或烯基，和
X1表示F，Cl，CN，NCS，氟代烷基，氟代烯基，氟代烷氧基或氟代烯氧基，后四种基团优选具有1-4个C原子，优选F，Cl，CF3或OCF3，更优选F，CF3，或OCF3，和最优选OCF3。
式I化合物根据WO 02/055463制备，和含有两个烷氧基的式I-1化合物(R11＝＞R1-O；R12＝＞R2-O)优选根据以下方案(方案1)由基础化合物二苯并呋喃起始制备。
-方案1续-
方案1.具有两个烷氧基端基的式I-1化合物的合成
含有一个烷氧基(R1-O)和一个烷基(R2)的式I-1化合物(R11＝＞R1-O；R12＝＞R2)优选根据以下方案(方案2)由基础化合物二苯并呋喃起始制备。
方案2.具有一个烷基和一个烷氧基端基的式I-1化合物的合成。基团R对应于例如相应地少一个碳原子的R2的基团。
含有两个烷基的式I-1化合物(R11＝＞R1；R12＝＞R2)优选根据以下方案(方案3)由基础化合物二苯并呋喃起始制备。
方案3.式I-1化合物的合成。所采用的醛的基团R对应于例如相应地少一 个碳原子的R2的基团。
式I-2化合物优选例如根据以下方案制备。
方案4.式I-2化合物的合成
此外本发明涉及根据本发明的液晶混合物和液晶介质在IPS和FFS显示器中的用途，特别是在含有液晶介质的SG-FFS显示器中的用途，用于改善响应时间和/或透射率。
此外本发明涉及含有根据本发明的液晶介质的液晶显示器，特别是IPS或FFS显示器，特别优选FFS或SG-FFS显示器。
此外本发明涉及包含液晶盒的IPS或FFS型液晶显示器，所述液晶盒由两个基板和位于所述基板之间的液晶介质层组成，其中至少一个基板对光是透明的并且至少一个基板具有电极层，液晶介质包含聚合的组分和低分子量组分，其中聚合的组分可通过在液晶盒的基板之间的液晶介质中一种或多种可聚合化合物的聚合获得，优选在施加电压情况下并且其中低分子量组分是上下文描述的根据本发明的液晶混合物。
根据本发明的显示器优选通过有源矩阵(有源矩阵LCD，简称AMD)寻址， 优选通过薄膜晶体管(TFT)的矩阵寻址。然而，根据本发明的液晶也可以有利的方式在具有其它已知寻址方式的显示器中使用。
此外本发明涉及制备根据本发明液晶介质的方法，通过将一种或多种式I化合物，优选选自式I-1和I-2化合物的化合物与一种或多种低分子量液晶化合物，或液晶混合物和任选与其它液晶化合物和/或添加剂混合进行。
上下文适用以下含义：
除非另有说明，术语″FFS″用于表示FFS和SG-FFS显示器。
术语″介晶基团″为本领域技术人员已知并且描述于文献中，并且表示由于其吸引和排斥相互作用的各向异性，实质上有助于在低分子量物质或聚合物质中引起液晶(LC)相的基团。含有介晶基团的化合物(介晶化合物)不必须本身具有液晶相。介晶化合物也可能仅在与其它化合物混合和/或在聚合之后展现出液晶相行为。典型的介晶基团例如为刚性棒状或圆盘状单元。与介晶或液晶化合物相关使用的术语和定义的综述在Pure Appl.Chem.73(5)，888(2001)和C.Tschierske，G.Pelzl，S.Diele，Angew.Chem.2004，116，6340-6368中给出。
术语“间隔基团”或简称“间隔基”(在上下文中也被称为“Sp”)为本领域技术人员所已知并描述于文献，参见例如Pure Appl.Chem.73(5)，888(2001)和C.Tschierske，G.Pelzl，S.Diele，Angew.Chem.2004，116，6340-6368。除非另有说明，上下文中术语“间隔基团”或“间隔基”表示在可聚合的介晶化合物中将介晶基团和可聚合基团彼此连接的柔性基团。
为了本发明的目的，术语″液晶介质″旨在表示包含液晶混合物和一种或多种可聚合化合物(例如反应性介晶)的介质。术语“液晶混合物”(或“主体混合物”)旨在表示仅由不可聚合的低分子量化合物，优选两种或更多种液晶化合物和任选的其它添加剂，例如手性掺杂剂或稳定剂组成的液晶混合物。
特别优选具有向列相(特别是在室温下)的液晶混合物和液晶介质。
在本发明的一个优选实施方案中，液晶介质包含一种或多种具有大于3的介电各向异性的介电正性化合物，其选自式II-1和II-2化合物：
其中参数具有以上式II中所述各自含义，和L23和L24彼此独立地表示H或F，优选L23表示F，和
具有所给出的含义之一
和在式II-1和II-2的情况下，X2优选表示F或OCF3，特别优选F，和在式II-2的情况下，
和
，彼此独立地，优选表示
和/或选自式III-1和III-2化合物：
其中参数具有式III中所给出的含义，
和根据本发明的介质可以代替式III-1和/或III-2化合物地或除了式III-1和/或III-2化合物之外，还包含一种或多种式III-3化合物
其中参数具有以上所述各自含义，和参数L31和L32彼此独立并独立于其它参数地表示H或F。
液晶介质优选包含选自式II-1和II-2化合物的化合物，其中L21和L22和/或L23和L24均表示F。
在一个优选实施方案中，液晶介质包含选自式II-1和II-2化合物的化合物，其中L21、L22、L23和L24均表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式II-1化合物。式II-1化合物优选选自式II-1a至II-1e化合物，优选一种或多种式II-1a和/或II-1b和/或II-1d化合物，优选式II-1a和/或II-1d或II-1b和/或II-1d，最优选式II-1d：
其中参数具有以上所述各自含义，和L25和L26彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F，和优选
在式II-1a和II-1b中，
L21和L22均表示F，
在式II-1c和II-1d中，
L21和L22均表示F和/或L23和L24均表示F，和
在式II-1e中，
L21、L22和L23表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式II-2化合物，其优选选自式II-2a至II-2k化合物，优选一种或多种式II-2a和/或II-2h和/或II-2j化合物：
其中参数具有以上所述各自含义，和L25至L28彼此独立地表示H或F，优选L27和L28均表示H，物别优选L26表示H。
液晶介质优选包含选自式II-2a至II-2k化合物的化合物，其中L21和L22均表示F和/或L23和L24均表示F。
在一个优选实施方案中，液晶介质包含选自式II-2a至II-2k化合物的化合物，其中L21、L22、L23和L24均表示F。
尤其优选的式II-2化合物是下式化合物，特别优选式II-2a-1和/或II-2h-1和/或II-2k-2：
其中R2和X2具有以上所述含义，和X2优选表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1化合物。式III-1化合物优选选自式III-1a至III-1j化合物，优选选自式III-1c、III-1f、III-1g和III-1j：
其中参数具有以上所给出的含义并且优选其中参数具有以上所述各自含义，和参数L33和L34彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F和参数L35和L36彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1c化合物，其优选选自式III-1c-1至III-1c-5化合物，优选式III-1c-1和/或III-1c-2，最优选式III-1c-1：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1f化合物，其优选选自式III-1f-1至III-1f-6化合物，优选式III-1f-1和/或III-1f-2和/或III-1f-3和/或III-1f-6，更优选式III-1f-3和/或III-1f-6，更优选式III-If-6：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1g化合物，其优选选自式III-1g-1至III-1g-5化合物，优选式III-1g-3：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1h化合物，其优选选自式III-1h-1至III-1h-3化合物，优选式III-1h-3：
其中参数具有以上所给出的含义，并且X3优选表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1i化合物，其优选选自式III-1i-1和III-1i-2化合物，优选式III-1i-2：
其中参数具有以上所给出的含义，和X3优选表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1j化合物，其优选选自式III-1j-1和III-1j-2化合物，优选式III-1j-1：
其中参数具有以上所给出的含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-2化合物。式III-2化合物优选选自式III-2a和III-2b化合物，优选式III-2b：
其中参数具有以上所述各自含义，和参数L33和L34彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-2a化合物，其优选选自式III-2a-1至III-2a-6化合物：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-2b化合物，其优选选自式III-2b-1 至III-2b-4化合物，优选III-2b-4：
其中R3具有以上所述含义。
替代式III-1和/或III-2化合物地或除了式III-1和/或III-2化合物外，根据本发明的介质还可包含一种或多种式III-3化合物。
其中参数具有以上式III中所述各自含义。
这些化合物优选选自式III-3a和III-3b：
其中R3具有以上所述含义。
根据本发明的液晶介质优选包含一种或多种具有-1.5至3范围的介电各向异性的介电中性化合物，优选选自式VI、VII、VIII和IX的化合物。
在本申请中，元素均包括它们各自的同位素。特别地，在化合物中一个或多个H可以被D代替，并且这在一些实施方案中也是特别优选的。相应化合物相应高程度的氘化例如使得能够探测和识别该化合物。这在一些情况下是非常有助的，特别是在式I化合物的情况下。
在本申请中，
alkyl特别优选表示直链烷基，特别是CH3-、C2H5-、n-C3H7-、n-C4H9-或n-C5H11-，和
alkenyl特别优选表示CH2＝CH-、E-CH3-CH＝CH-、CH2＝CH-CH2-CH2-、E-CH3-CH＝CH-CH2-CH2-或E-(n-C3H7)-CH＝CH-。
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VI化合物，其选自式VI-1和VI-2化合物，优选一种或多种式VI-1化合物和一种或多种式VI-2化合物，
其中参数具有以上式VI中所给出的各自含义，并且优选
在式VI-1中
R61和R62彼此独立地表示甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基(还或者戊氧基，优选乙氧基、丁氧基或戊氧基，更优选乙氧基或丁氧基，和最优选丁氧基。
在式VI-2中
R61优选表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基和n-丙基或n-戊基和
R62表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选具有2-5个C原子的，或优 选具有1-6个C原子的未取代烷氧基，特别优选具有2或4个C原子的，和最优选乙氧基，和
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VII化合物，其选自式VII-1至VII-3化合物，优选一种或多种式VII-1化合物和一种或多种式VII-2化合物，
其中参数具有以上式VII中所给出的各自含义，并且优选
R71表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1基、n-丙基或n-戊基和
R72表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选具有2-5个C原子的，或优选具有1-6个C原子的未取代烷氧基，特别优选具有2或4个C原子的，和最优选乙氧基。
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VI-1化合物，其选自以下化合物：
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VI-2化合物，其选自以下化合物：
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VII-1化合物，其选自以下化合物：
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VII-2化合物，其选自以下化合物：
除了式I或其优选的子式化合物之外，根据本发明的介质优选包含一种或多种选自式VI和VII化合物的介电负性化合物，优选其总浓度为5％或更大至90％或更小、优选10％或更大至80％或更小、特别优选20％或更大至70％或更小。
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种选自式VIII-1至VIII-3化合物的式VIII化合物，优选一种或多种式VIII-1化合物和/或一种或多种式VIII-3化合物，
其中参数具有以上式VIII中所给出的各自含义，并且优选
R81表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基、乙基、正丙基或正戊基、烷基，优选乙基、正丙基或正戊基和
R82表示具有1-7个C原子的未取代烷基，优选具有1-5个C原子的或具有1-6个C原子的未取代烷氧基。
在式VIII-1和VIII-2中，R82优选表示具有2或4个C原子的烷氧基，和最优选乙氧基和在式VIII-3中其优选表示烷基，优选甲基、乙基或正丙基，最 优选甲基。
在一个进一步优选实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV化合物
其中
R41表示具有1-7个C原子的未取代烷基或具有2-7个C原子的未取代烯基，优选正烷基，特别优选具有2、3、4或5个C原子的，和
R42表示具有1-7个C原子的未取代烷基，具有2-7个C原子的未取代烯基，或具有1-6个C原子的未取代烷氧基，均优选具有2-5个C原子的，优选具有2、3或4个C原子的未取代烯基，更优选乙烯基或1-丙烯基和特别是乙烯基。
在一个特别优选实施方案中，介质包含一种或多种选自式IV-1至IV-4化合物的式IV化合物，优选式IV-1，
其中
alkyl和alkyl′，彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5个C原子的，
alkenyl和alkenyl′，彼此独立地表示具有2-5个C原子的烯基，优选具有2-4个C原子的，特别优选2个C原子的，
alkenyl′优选表示具有2-5个C原子的烯基，优选具有2-4个C原子的，特别优选具有2-3个C原子的，和
alkoxy 表示具有1-5个C原子的烷氧基，优选具有2-4个C原子的。
在一个特别优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IV-1化合物和/或一种或多种式IV-2化合物。
在一个进一步优选实施方案中，介质包含一种或多种式V化合物。
根据本发明的介质优选以所述总浓度包含以下化合物：
1-60wt％的一种或多种选自式I化合物的化合物，和
5-60wt％的一种或多种式II化合物，优选选自式II-1和II-2化合物，和/或
5-25wt％的一种或多种式III化合物，和/或
5-45wt％的一种或多种式IV化合物，和/或
5-25wt％的一种或多种式V化合物，和/或
5-25wt％的一种或多种式VI化合物，和/或
5-20wt％的一种或多种式VII化合物，和/或
5-30wt％的一种或多种式VIII化合物，优选选自式VIII-1和VIII-2的化合物和/或
0-60wt％的一种或多种式IX化合物
其中介质中存在的所有式I至IX化合物的总含量优选为95％或更大，更优选97％或更大，和最优选100％。
后一条件对于根据本申请所有的介质都成立。
在一个进一步优选实施方案中，除了式I或其优选的子式化合物和式VI和/或VII和/或VIII和/或IX化合物之外，根据本发明的介质优选包含一种或多种选自式IV和V化合物的介电中性化合物，优选总浓度为5％或更大至90％或更小，优选10％或更大至80％或更小，特别优选20％或更大至70％或更小。
在一个特别优选实施方案中根据本发明的介质包含
一种或多种式II化合物，总浓度为5％或更大至50％或更小，优选10％或更大至40％或更小，和/或
一种或多种式VII-1化合物，总浓度为5％或更大至30％或更小，和/或
一种或多种式VII-2化合物，总浓度为3％或更大至30％或更小。
优选地，在根据本发明的介质中式I化合物的浓度为1％或更大至60％或更小，更优选5％或更大至40％或更小，最优选8％或更大至35％或更小。
在本发明的一个优选实施方案中，在介质中式II化合物的浓度为3％或更大 至60％或更小，更优选5％或更大至55％或更小，更优选10％或更大至50％或更小，和最优选15％或更大至45％或更小。
在本发明的一个优选实施方案中，在介质中式VII化合物的浓度为2％或更大至50％或更小，更优选5％或更大至40％或更小，更优选10％或更大至35％或更小，和最优选15％或更大至30％或更小。
在本发明的一个优选实施方案中，在介质中式VII-1化合物的浓度为1％或更大至40％或更小，更优选2％或更大至35％或更小，或替代地15％或更大至25％或更小。
在本发明的一个优选实施方案中，如果存在，在介质中式VII-2化合物的浓度为1％或更大至40％或更小，更优选5％或更大至35％或更小，和最优选10％或更大至30％或更小。
本发明还涉及含有根据本发明的液晶介质的电光显示器或电光组件。优选基于VA、ECB、IPS或FFS效应，优选基于VA、IPS或FFS效应的电光显示器，和特别是通过有源矩阵寻址器件寻址的那些。
因此，本发明同样涉及根据本发明的液晶介质在电光显示器或在电光组件中的用途，和制备根据本发明的液晶介质的方法，特征在于将一种或多种式I化合物与一种或多种式II化合物，优选与一种或多种子式II-1和/或II-2化合物和/或与一种或多种式VII化合物，优选与一种或多种子式VII-1和/或VII-2化合物，特别优选一种或多种来自两种或更多种、优选三种或更多种其不同的式和非常特别优选来自这些式II-1、II-2、VII-1和VII-2的所有四种的化合物，和一种或多种其它化合物，优选选自式IV和V化合物，更优选与一种或多种式IV和式V二者的化合物混合。
在一个进一步优选实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV化合物，其选自式IV-2和IV-3化合物，
其中
alkyl和alkyl′，彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5 个C原子的，
alkoxy 表示具有1-5个C原子的烷氧基，优选具有2-4个C原子的。
在一个进一步优选实施方案中，介质包含一种或多种式V化合物，其选自式V-1和V-2化合物，优选式V-1化合物，
其中参数具有以上式V中所给出的含义，并且优选
R51表示具有1-7个C原子的烷基或具有2-7个C原子的烯基，和
R52表示具有1-7个C原子的烷基，具有2-7个C原子的烯基或具有1-6个C原子的烷氧基，优选烷基或烯基，特别优选烷基。
在一个进一步优选实施方案中，介质包含一种或多种选自式V-1a和V-1b化合物的式V-1化合物，
其中
alkyl和alkyl′彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5个C原子的，和
alkenyl 表示具有2-7个C原子的烯基，优选具有2-5个C原子的。
此外，本发明涉及一种降低液晶介质双折射波长分散的方法，该液晶介质包含一种或多种式II化合物，任选的一种或多种选自式VII-1和VII-2化合物的化合物和/或一种或多种式IV化合物和/或一种或多种式V化合物，特征在于在介质中使用一种或多种式I化合物。
除了式I至V化合物之外，也可以存在其它成分，例如量为作为整体的混合物的最高至45％，但优选最高至35％，特别是最高至10％。
根据本发明的介质也可任选地包含介电正性组分，其总浓度优选为20％或更小，更优选10％或更小，基于整个介质。
在一个优选实施方案中，根据本发明的液晶介质基于作为整体的混合物总计包含：
1％或更大至20％或更小、优选2％或更大至15％或更小、特别优选3％或更大至12％或更小的式I化合物，
20％或更大至50％或更小、优选25％或更大至45％或更小、特别优选30％或更大至40％或更小的式II和/或III化合物，和
0％或更大至35％或更小、优选2％或更大至30％或更小、特别优选3％或更大至25％或更小的式IV和/或V化合物，和
5％或更大至50％或更小、10％或更大至45％或更小、优选15％或更大至40％或更小的式VI和/或VII和/或VIII和/或IX化合物。
根据本发明的液晶介质可包含一种或多种手性化合物。
本发明特别优选的实施方案满足以下条件的一个或多个，
其中在表A至C中解释了首字母缩写(缩写)并且在表D中通过实例阐明。
优选地，根据本发明的介质满足以下条件的一个或多个。
i.液晶介质具有0.060或更大的双折射率，特别优选0.070或更大。
ii.液晶介质具有0.200或更小的双折射率，特别优选0.180或更小。
iii.液晶介质具有0.090或更大至0.120或更小的双折射率。
iv.液晶介质包含一种或多种特别优选的式I化合物，其优选选自(子)式I-1和I-2，最优选(子)式I-2。
v.在作为整体的混合物中式II化合物的总浓度为25％或更大，优选30％或更大，和优选25％或更大至49％或更小，特别优选29％或更大至47％或更小，和非常特别优选37％或更大至44％或更小。
vi.液晶介质包含一种或多种选自下式化合物的式IV化合物：CC-n-V和/或CC-n-Vm和/或CC-V-V和/或CC-V-Vn和/或CC-nV-Vn，特别优选CC-3-V，优选浓度最高至60％或以下，特别优选最高至50％或以下，和任选额外的CC-3-V1，优选浓度最高至15％或以下，和/或CC-4-V，优选浓度最高至40％或以下，特别优选最高至30％或以下。
vii.介质包含式CC-n-V化合物，优选CC-3-V，优选浓度为1％或更大至60％或更小，更优选浓度为3％或更大至35％或更小。
viii.在作为整体的混合物中式CC-3-V化合物的总浓度优选为15％或更 小，优选10％或更小或20％或更大，优选25％或更大。
ix.在作为整体的混合物中式Y-nO-Om化合物的总浓度为2％或更大至30％或更小，优选5％或更大至15％或更小。
x.在作为整体的混合物中式CY-n-Om化合物的总浓度为5％或更大至60％或更小，优选15％或更大至45％或更小。
xi.在作为整体的混合物中式CCY-n-Om和/或CCY-n-m，优选CCY-n-Om化合物的总浓度为5％或更大至40％或更小，优选1％或更大至25％或更小。
xii.在作为整体的混合物中式CLY-n-Om化合物的总浓度为5％或更大至40％或更小，优选10％或更大至30％或更小。
xiii.液晶介质包含一种或多种式IV化合物，优选式IV-1和/或IV-2，优选总浓度为1％或更大，特别是2％或更大，和非常特别优选3％或更大至50％或更小，优选35％或更小。
xiv.液晶介质包含一种或多种式V化合物，优选式V-1和/或V-2，优选总浓度为1％或更大，特别是2％或更大，和非常特别优选15％或更大至35％或更小，优选30％或更小。
xv.在作为整体的混合物中式CCP-V-n，优选CCP-V-1化合物的总浓度优选为5％或更大至30％或更小，优选15％或更大至25％或更小。
xvi.在作为整体的混合物中式CCP-V2-n，优选CCP-V2-1化合物的总浓度优选为1％或更大至15％或更小，优选2％或更大至10％或更小。
此外本发明涉及具有基于VA、ECB、IPS、FFS或UB-FFS效应的有源矩阵寻址的电光显示器，特征在于其含有根据本发明的液晶介质作为电介质。
液晶混合物优选具有宽度为至少70度的向列相。
旋转粘度γ1优选为350mPa·s或更小，优选250mPa·s或更小并且特别地150mPa·s或更小。
根据本发明的混合物适用于所有使用介电正性液晶介质的IPS和FFS-TFT应用，例如SG-FFS。
根据本发明的液晶介质优选实质上完全由4至15，特别是5至12和特别优选10或更少种化合物组成。这些优选选自式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII和IX的化合物。
根据本发明的液晶介质也可任选地包含超过18种化合物。在这种情况下， 它们优选包含18至25种化合物。
在一个优选实施方案中，根据本发明的液晶介质主要包含，优选基本上由和最优选实质上完全由不含氰基的化合物组成。
在一个优选实施方案中，根据本发明的液晶介质包含选自式I、II和II、IV和V和VI至IX化合物的化合物，优选选自式I-1、I-2、II-1、II-2、III-1、III-2、IV、V、VII-1、VII-2、VIII和IX化合物；它们优选主要由，特别优选基本上由和非常特别优选实质上完全由所述式的化合物组成。
根据本发明的液晶介质在每种情况下优选具有至少-10℃或更小至70℃或更大，特别优选-20℃或更小至80℃或更大，非常特别优选-30℃或更小至85℃或更大和最优选-40℃或更小至90℃或更大的向列相。
此处表述″具有向列相″在一方面是指在低温在相应的温度下未观察到近晶相和结晶，和在另一方面在从向列相加热时未发生清亮。在低温下的研究在相应的温度下在流动粘度计中进行并且通过储存在具有对应于至少100小时的电光应用的盒厚度的测试盒中检查。如果在相应的测试盒中在-20℃的温度下的储存稳定性为1000h或更大，则介质被视为在该温度下稳定。在-30℃和-40℃的温度下，相应的时间分别为500h和250h。在高温下，通过常规方法在毛细管中测量清亮点。
在一个优选实施方案中，根据本发明的液晶介质的特征在于在适中至低范围的光学各向异性值。双折射率值优选为0.075或更大至0.130或更小，特别优选0.085或更大至0.120或更小，和非常特别优选0.090或更大至0.115或更小。
在该实施方案中，根据本发明的液晶介质具有正介电各向异性和相对高的介电各向异性绝对值Δε，其优选为2.0或更大至20或更小，更优选至15或更小，更优选3.0或更大至10或更小，特别优选4.0或更大至9.0或更小，和非常特别优选4.5或更大至8.0或更小。
根据本发明的液晶介质优选具有相对低的阈值电压值(V0)，其范围为1.0V或更大至5.0V或更小，优选2.5V或更小，优选1.2V或更大至2.2V或更小，特别优选1.3V或更大至2.0V或更小。
在一个进一步优选实施方案中，根据本发明的液晶介质优选具有相对高的平均介电常数值(εav.≡(ε||+2ε⊥/3)，其优选为8.0或更大至25.0或更小， 优选8.5或更大至20.0或更小，仍然更优选9.0或更大至19.0或更小，特别优选10.0或更大至18.0或更小，和非常特别优选11.0或更大至16.5或更小。
此外，根据本发明的液晶介质在液晶盒中具有高的VHR值。
在20℃下新鲜填充的盒中，在盒中，这些介质的VHR值大于或等于95％，优选大于或等于97％，特别优选大于或等于98％和非常特别优选大于或等于99％，和在100℃下炉中5分钟之后，在盒中，其为大于或等于90％，优选大于或等于93％，特别优选大于或等于96％和非常特别优选大于或等于98％。
通常，此处具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质相比具有更高寻址电压或阈值电压的那些具有较低的VHR，并且反之亦然。
各物理性能的这些优选值在每种情况下也优选通过根据本发明的介质而彼此组合地得以保持。
在本申请中，除非另有明确指出，术语“化合物”也写作“一种或多种化合物”既指一种又指多种化合物。
在一个优选实施方案中，根据本发明的液晶介质包含
一种或多种式I化合物，和
一种或多种式II化合物，优选式PUQU-n-F、CDUQU-n-F、APUQU-n-F和PGUQU-n-F，和/或
一种或多种式III化合物，优选式CCP-n-OT、CGG-n-F和CGG-n-OD，和/或
一种或多种式IV和/或V化合物，优选式CC-n-V、CCP-n-m、CCP-V-n、CCP-V2-n和CGP-n-n和/或
一种或多种式VI化合物，优选式Y-n-Om、Y-nO-Om和/或CY-n-Om，选自式Y-3-O1、Y-4O-O4、CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和CY-5-O4化合物，和/或
任选地，优选必须地，一种或多种式VII-1化合物，优选选自式CCY-n-m和CCY-n-Om化合物，优选式CCY-n-Om，优选选自式CCY-3-O2、CCY-2-O2、CCY-3-O1、CCY-3-O3、CCY-4-O2、CCY-3-O2和CCY-5-O2化合物，和/或
任选地，优选必须地，一种或多种式VII-2化合物，优选式CLY-n-Om，优选选自式CLY-2-O4、CLY-3-O2、CLY-3-O3化合物，和/或
一种或多种式VIII化合物，优选式CZY-n-On和CCOY-n-m和/或
一种或多种式IX化合物，优选式PYP-n-m和/或
任选地，必须优选地，一种或多种式IV化合物，优选选自式CC-n-V、CC-n-Vm和CC-nV-Vm化合物，优选CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V、CC-5-V和CC-V-V，特别优选选自化合物CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V和CC-V-V化合物，非常特别优选化合物CC-3-V，和任选额外的化合物CC-4-V和/或CC-3-V1和/或CC-V-V，和/或
任选地，优选必须地，一种或多种式V化合物，优选式CCP-V-1和/或CCP-V2-1。
在本发明具体优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IX化合物。
式IX化合物也高度适用作液晶混合物中的稳定剂，尤其是在p＝q＝1和环A9＝1，4-亚苯基的情况下。特别地，它们针对UV曝露稳定了混合物的VHR。
在一个优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IX化合物，其选自一种或多种式IX-1至IX-4化合物，非常特别优选式IX-1至IX-3，
其中参数具有式IX中所给出的含义。
在一个进一步优选实施方案中，介质包含一种或多种式IX-3化合物，优选式IX-3-a化合物，
其中
alkyl和alkyl′，彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5个C原子的。
在式IX化合物用于根据本申请的液晶介质的情况下，它们优选以20％或更小，更优选10％或更小和最优选5％或更小的浓度存在，并且对于各个，即(同系的(homologous))化合物，优选浓度为10％或更小和更优选5％或更小。
对于本发明，在各个情况下，除非另有说明，以下定义适用于组合物成分的说明：
-″包含″：组合物中所讨论的成分的浓度优选5％或更大，特别优选10％或更大，非常特别优选20％或更大，
-″主要由...组成″：组合物中所讨论的成分的浓度优选50％或更大，特别优选55％或更大和非常特别优选60％或更大，
-″基本上由...组成″：组合物中所讨论的成分的浓度优选80％或更大，特别优选90％或更大和非常特别优选95％或更大，和
-″实质上完全由...组成″：组合物中所讨论的成分的浓度优选98％或更大，特别优选99％或更大和非常特别优选100.0％。
这适用于作为具有其成分(其可以是组分和化合物)的组合物的介质，并且也适用于具有其成分(化合物)的组分。仅与相对于作为整体的介质的个体化合物浓度相关，术语“包含”是指所讨论的化合物的浓度优选1％或更大，特别优选2％或更大，非常特别优选4％或更大。
对于本发明，″≤″是指小于或等于，优选小于，和″≥″是指大于或等于，优选大于。
对于本发明，
表示反式-1，4-环亚己基，和
表示1，4-亚苯基。
对于本发明，表述″介电正性化合物″是指具有Δε＞1.5的化合物，表述″介电中性化合物″是指其中-1.5≤Δε≤1.5的那些和表述“介电负性化合物”是指其中Δε＜-1.5的那些。此处化合物的介电各向异性通过将10％的化合物溶解在液晶主体中并且在1kHz下以垂面配向和以沿面配向测量所得混合物在每种情况下在至少一个具有20μm盒厚度的测试盒中的电容而测定。测量电压通常是0.5V至1.0V，但总是低于研究的各自液晶混合物的电容阈值。
用于介电正性和介电中性化合物的主体混合物是ZLI-4792并且用于介电负性化合物的主体混合物为ZLI-2857，二者均来自Merck KGaA，德国。各待研究的化合物的值由在添加待研究的化合物之后主体混合物的介电常数的变化并且外推至100％所采用的化合物而获得。以10％的量将待研究的化合物溶解在主体混合物中。如果物质的溶解度对于该目的太低，逐步将浓度减半直到研究可以在所需的温度下进行。
如果需要，根据本发明的液晶介质也可以通常的量包含其它添加剂，例如稳定剂和/或多色性染料，例如二色性染料和/或手性掺杂剂。所采用的这些添加剂的量优选总计0％或更大至10％或更小，基于整个混合物的量，特别优选0.1％或更大至6％或更小。所采用的各化合物的浓度优选0.1％或更大至3％或更小。当详细说明在液晶介质中液晶化合物的浓度和浓度范围时，通常不考虑这些和相似添加剂的浓度。
在一个优选实施方案中，根据本发明的液晶介质包含聚合物前体，所述聚合物前体包含一种或多种反应性化合物，优选反应性介晶，和如果需要，以通常量的其它添加剂，例如聚合引发剂和/或聚合缓和剂。基于整个混合物的量，所采用的这些添加剂的量总计为0％或更大至10％或更小，优选0.1％或更大至2％或更小。当详细说明液晶介质中液晶化合物的浓度和浓度范围时，不考虑这些和类似添加剂的浓度。
所述组合物由多种化合物组成，优选3种以上至30种以下，特别优选6种以上至20种以下和非常特别优选10种以上至16种以下的化合物，其以常规的方式混合。通常，将所使用的所需量组分以较少量溶解在组成混合物主要成分的组分中。这有利地在高温下进行。如果所选择的温度高于主要成分的清亮点，特别容易观察到溶解操作的完成。然而，也可以其它常规的方式制备液晶混合 物，例如使用预混合或由所谓的“多瓶体系”制备。
根据本发明的混合物展现出非常宽的向列相范围，清亮点在65℃或更大，非常有利的电容阈值，相对高的保持比值以及同时在-30℃和-40℃下非常良好的低温稳定性。此外，根据本发明的混合物特征在于低的旋转粘度γ1。
对本领域技术人员不言而喻，用于VA、IPS、FFS或PALC显示器的根据本发明的介质还可以包含其中例如H、N、O、Cl、F已经被相应的同位素代替的化合物。
根据本发明的液晶显示器的结构对应于一般的几何学，例如描述于EP-A 0240 379中。
根据本发明的液晶相可以通过合适的添加剂以它们可以在任何类型的例如迄今已经公开的IPS和FFS LCD显示器中采用的方式来改性。
以下表E表明了可以添加到根据本发明的混合物中的可能的掺杂剂。如果混合物包含一种或多种掺杂剂，其以0.01％至4％，优选0.1％至1.0％的量采用。
例如可以优选以0.01％至6％，特别是0.1％至3％的量添加至根据本发明的混合物中的稳定剂示于下表F。
为了本发明的目的，除非另外明确指出，所有浓度是以重量百分比指出的，且与相应的作为整体的混合物或作为整体的混合物组分相关，除非另有明确指出。本文中，术语“混合物”指液晶介质。
除非另有明确说明，在本申请中指明的所有温度的值，如熔点T(C，N)，从近晶(S)相到向列(N)相的转变T(S，N)以及清亮点T(N，I)，都以摄氏温度(℃)表示，并且所有的温度差异相应地以差异度(°或度)表示。
对于本发明，术语“阈值电压”指的是电容性阈值(V0)，也称为Freedericks-阈值，除非另外明确指出。
所有物理性能是依据“Merck Liquid Crystals，Physical Properties of Liquid Crystals”，Status 1997年11月，Merck KGaA(德国)测定的并且适用温度20℃，且Δn在436nm、589nm和633nm下和Δε在1kHz下测定，除非每种情形下另外明确指出。
因为是切换行为，电光性能，例如阈值电压(V0)(电容测量(capacitive measurement))在Merck(日本)制备的测试盒中测量。所述测量盒具有钠钙玻璃基板并且构造成具有聚酰亚胺配向层的ECB或VA构型(使用稀释剂**26的 SE-1211(混合比1∶1)，均来自Nissan Chemicals，日本)，其已经彼此垂直摩擦并且影响液晶的垂面配向。透明且几乎正方形的ITO电极的表面积为1cm2。
除非另有说明，不将手性掺杂剂添加至所使用的液晶混合物中，但后者也特别适用于其中必需这种类型掺杂的应用中。
旋转粘度使用旋转永磁方法测量并且流动粘度在改进的乌氏粘度计中测量。对于液晶混合物ZLI-2293、ZLI-4792和MLC-6608，所有来自Merck KGaA，Darmstadt(德国)的产品，在20℃下测定的旋转粘度值分别为161mPa·s、133mPa·s和186mPa·s，和流动粘度值(ν)分别为21mm2·s-1、14mm2·s-1和27mm2·s-1。
材料的分散对于实际目的可以方便地以以下方式表征，除非另有说明，其在整个申请中使用。所述双折射率值在20℃的温度下在几个固定波长下使用改进的阿贝折射计测定，所述阿贝折射计在与该材料接触的棱镜侧面上具有垂面配向的表面。双折射率值在436nm(低压汞灯的各所选光谱线)、589nm(钠“D”线)和633nm(HE-Ne激光的波长)的特定波长值下测定(与衰减器/扩散器组合使用以防止对观察者的眼睛造成伤害)。在下表中，Δn在589nm下给出和Δ(Δn)作为Δ(Δn)＝Δn(436nm)-Δn(633nm)给出。
除非另有明确说明，使用了以下符号：
V0 阈值电压，电容性[V]，20℃下，
ne 20℃和589nm下测量的非寻常折射率，
no 20℃和589nm下测量的寻常折射率，
Δn 20℃和589nm下测量的光学各向异性，
λ 波长λ[nm]，
Δn(λ) 20℃和波长λ下测量的光学各向异性，
Δ(Δn) 光学各向异性的变化，定义为：
Δn(20℃，436nm)-Δn(20℃，633nm)，
Δ(Δn*) “光学各向异性的相对变化”定义为：
Δ(Δn)/Δn(20℃，589nm)，
ε⊥ 在20℃和1kHz下垂直于指向矢的电介质磁化率
ε|| 在20℃和1kHz下平行于指向矢的电介质磁化率
Δε 在20℃和1kHz下的介电各向异性
T(N，I)或clp.清亮点[℃]，
ν 20℃下测量的流动粘度[mm2·s-1]，
γ1 20℃下测量的旋转粘度[mPa·s]，
k11 弹性常数，20℃下的“斜展”变形[pN]，
k22 弹性常数，20℃下的“扭曲”变形[pN]，
k33 弹性常数，20℃下的“弯曲”变形[pN]，
LTS 在测试盒中测量的，相的低温稳定性，
VHR 电压保持比，
ΔVHR 电压保持比的降低，和
Srel VHR的相对稳定性，
以下实施例解释了本发明，而不是限制它。然而，它们向本领域技术人员显示了使用优选待采用的化合物和其各自浓度以及其彼此组合的优选混合物构思。此外，实施例阐明了可达到的性能和性能组合。
对于本发明和在以下实施例中，通过首字母缩写词表示了液晶化合物的结构，根据以下表A至C转成化学式。所有基团CnH2n+1、CmH2m+1和C1H21+1或CnH2n、CmH2m和C1H21为直链烷基或烯基，在每种情况下各自具有n、m和1个C原子。优选地，n、m和1彼此独立地为1、2、3、4、5、6或7。表A显示了化合物核的环单元的代码，表B列举了桥接单元，和表C列举了分子左手和右手端基的符号含义。首字母缩写词由具有任选连接基团的环单元的代码，之后是第一连接号以及左手端基代码，和第二连接号以及右手端基代码组成。表D显示了化合物的示例性结构和它们各自的缩写。
表A：环单元
表B：桥接单元
表C：端基
其中n和m各自为整数，三个点“...”为该表其它缩写的占位符。
除了式I化合物，根据本发明的混合物优选包含一种或多种以下提及化合物的化合物。
使用以下缩写：
(n，m和1各自彼此独立地为整数，优选1-6，1也可能是0并且优选0或2)
表D
具有高ε⊥的示例性的优选式I化合物：
示例性的优选介电正性化合物
示例性的优选的介电中性化合物
示例性的优选的介电负性化合物
表E显示了优选在根据本发明的混合物中采用的手性掺杂剂。
表E
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自表E化合物的化合物。
表F显示了除了式I化合物之外可以优选在根据本发明的混合物中采用的稳定剂。此处参数n表示1-12的整数。特别地，所显示的酚衍生物可以作为额外的稳定剂采用，因为它们充当抗氧剂。
表F
在本发明的一个优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自表F化合物的化合物，特别是一种或多种选自以下两个式化合物的化合物。
实施例
以下实施例解释了本发明而不以任何方式对其限制。然而，所述物理性能使得对于本领域技术人员清楚可实现何种性能以及它们可在哪些范围内改性。特别地，因此对于本领域技术人员而言可以优选实现的多种性能的组合被很好地限定。
化合物实施例
具有垂直于指向矢的高介电常数(ε⊥)和高平均介电常数(εav.)的示例性化合物在以下化合物实施例中例示。
化合物实施例1.1和1.2
式I-1化合物例如为
该化合物(B-2O-O5)具有57℃的熔点，-13.7的Δε和甚至17.9的εav.。
该化合物(B-4O-O5)具有相似的优选性质。
化合物实施例2.1和2.2
两个式I-2化合物例如为
该化合物(B-5O-OT)具有68℃的熔点，仅-3.7的Δε，和甚至18.6的εav.。
该化合物(B-6O-OT)具有72℃的熔点。
化合物实施例3.1-3.6
其它式I-1化合物例如为
该化合物(B-4-4)具有38℃的熔点。
该化合物(B-5-2V)具有35℃的熔点。
该化合物(B-V2-2V)具有60℃的熔点。
该化合物(B-2-O2)具有60℃的熔点。
该化合物(B-3-O3)具有54℃的熔点。
该化合物(B-3-O2V)具有50℃的熔点。
化合物实施例4.1-4.11
其它式I-2化合物例如为
该化合物(B-3-F)具有76℃的熔点。
该化合物(B-5-F)具有42℃的熔点。
该化合物(B-5-T)具有46℃的熔点。
该化合物(B-5-OT)具有46℃的熔点。
该化合物(B-2O-F)具有114℃的熔点。
该化合物(B-5O-F)具有65℃的熔点。
该化合物(B-5O-Cl)具有51℃的熔点。
该化合物(B-4O-T)具有81℃的熔点。
该化合物(B-5O-T)具有74℃的熔点。
该化合物(B-6O-F)具有76℃的熔点。
该化合物(B-V2O-OT)具有87℃的熔点。
化合物实施例5.1-5.3
其它式I化合物(其中n为1)例如为
该化合物(CB-3-O4)具有向列相K 76℃ N 145.6℃ I。
该化合物(PB-3-O4)具有向列相K 122℃ N(121.6℃)I。
该化合物(GB-4-O2)具有向列相K 69℃ N(34.5℃)I。
混合物实施例
以下公开了示例性混合物。
实施例1
制备并研究以下混合物(M-1)。
注释：t.b.d.：待测量
该混合物具有0.75的介电比(ε⊥/Δε)，导致高透射率并且特别地特征在于非常低的旋转粘度。
实施例2
制备并研究以下混合物(M-2)。
该混合物具有0.81的介电比(ε⊥/Δε)，这导致高透射率并且特征也在于非常低的旋转粘度。
实施例3
制备并研究以下混合物(M-3)。
注释：t.b.d.：待测量
该混合物具有0.94的介电比(ε⊥/Δε)，这导致高透射率并且特征在于相对 低的旋转粘度。
实施例4
制备并研究以下混合物(M-4)。
注意：t.b.d.：待测量
该混合物具有0.98的介电比(ε⊥/Δε)，这导致高透射率并且特征在于低旋转粘度。
实施例5
制备并研究以下混合物(M-5)。
注释：t.b.d.：待测量
该混合物具有0.94的介电比(ε⊥/Δε)，这导致高透射率并且特征在于低旋转粘度。
实施例6
制备并研究以下混合物(M-6)。
注释：t.b.d.：待测量
该混合物具有0.93的介电比(ε⊥/Δε)，这导致高透射率并且特征在于相对低的旋转粘度。
实施例7
制备并研究以下混合物(M-7)。
注释：t.b.d.：待测量
该混合物具有0.98的介电比(ε⊥/Δε)，这导致高透射率并且特征在于非常低的旋转粘度。
实施例8
制备并研究以下混合物(M-8)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例9
制备并研究以下混合物(M-9)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例10
制备并研究以下混合物(M-10)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例11
制备并研究以下混合物(M-11)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例12
制备并研究以下混合物(M-12)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例13
制备并研究以下混合物(M-13)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例14
制备并研究以下混合物(M-14)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例15
制备并研究以下混合物(M-15)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例16
制备并研究以下混合物(M-16)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例17
制备并研究以下混合物(M-17)。
注意：t.b.d.：待测量
实施例18
制备并研究以下混合物(M-18)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例19
制备并研究以下混合物(M-19)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例20
制备并研究以下混合物(M-20)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例21
制备并研究以下混合物(M-21)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例22
制备并研究以下混合物(M-22)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例23
制备并研究以下混合物(M-23)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例24
制备并研究以下混合物(M-24)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例25
制备并研究以下混合物(M-25)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例26
制备并研究以下混合物(M-26)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例27
制备并研究以下混合物(M-27)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例28
制备并研究以下混合物(M-28)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例29
制备并研究以下混合物(M-29)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例30
制备并研究以下混合物(M-30)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例31
制备并研究以下混合物(M-31)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例32
制备并研究以下混合物(M-32)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例33
制备并研究以下混合物(M-33)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例34
制备并研究以下混合物(M-34)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例35
制备并研究以下混合物(M-35)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例36
制备并研究以下混合物(M-36)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例37
制备并研究以下混合物(M-37)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例38
制备并研究以下混合物(M-38)。
注释：t.b.d.：待测量
实施例39
制备并研究以下混合物(M-39)。
注释：t.b.d.：待测量
对比实施例A
制备并研究以下混合物(A)。
注释：t.b.d.：待测量
表1
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
表1(续)
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
表1(续)
注释：20℃全部外推值和t.b.d.：待测量
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
表1(续)
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
对比实施例B
制备并研究以下混合物(B)。
注释：t.b.d.：待测量
表2
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
表2(续)
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
表2(续)
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量
表2(续)
注释：20℃下全部外推值和t.b.d.：待测量。