一种用于表面具有凹凸不平结构器件加工的表面保护膜的制作方法

本实用新型涉及一种用于表面具有凹凸不平结构器件加工的表面保护膜，尤其是针对凹凸不平微结构表面的保护膜。

背景技术：

在表面具有凹凸不平结构的器件的背面进行机械性、化学性加工时，其凹凸不平或微结构表面容易在加工过程中受到破坏和污染，需要在凹凸不平或微结构表面贴保护膜，要求该保护膜良好地贴附于凹凸不平面，且加工完成后，保护膜可无残胶地进行剥离。

现有技术中，保护膜对器件加工过程中，保护膜的强度不够，器件在进行高强度的研磨等机械性操作时，容易造成器件凹凸面的损坏。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本实用新型提供一种用于表面具有凹凸不平结构器件加工的表面保护膜，在待加工器件的背面进行机械性、化学性加工时，用于保护其凹凸不平或微结构表面，避免其在加工过程中受到破坏和污染，且加工完成后，保护膜可无残胶地进行剥离。

为实现以上目的，本实用新型提供的技术方案为：

一种用于表面具有凹凸不平结构器件加工的表面保护膜，包括基材层，基材层的上表面涂布一层防静电层，防静电层的上表面贴合一层含有光引发剂的uv半固化胶层a，胶层a的上表面贴合一层含有光引发剂的uv半固化胶层b，胶层b的上表面贴合一层离型膜；所述uv半固化胶层a包括上表面、下表面，在上表面和下表面之间分布有小颗粒。

进一步的，uv半固化胶层a上表面和下表面之间均匀地分布有小颗粒，分布密度为每立方厘米1×10³～10⁵个。

进一步的，uv半固化胶层a上表面和下表面之间无序地分布有小颗粒。

进一步的，所述小颗粒层由气相二氧化硅、氧化铝、玻璃微珠、pmma、ps或硅氧烷树脂小颗粒组成，小颗粒体积为1nm³～1×10⁶nm³，形状为球状、纤维状、柱状或块状。

进一步的，所述防静电层为含有导电高分子材料的涂料层，厚度为1～200μm。

进一步的，uv半固化胶层a的厚度为20～5000μm，uv半固化胶层b的厚度为1～5000μm。

进一步的，所述基材层厚度为12～250μm，所述离型膜的厚度为10～500μm。

本实用新型的有益效果：

利用两层不同厚度、不同组合物、和光引发剂的uv半固化胶层、可以实现uv半固化胶层a和uv半固化胶层b的不同功能。uv半固化胶层a中分布有小颗粒，小颗粒的功能为有利于提高保护膜的机械强度，故在待加工器件加工前先完全固化，胶层可以填满待加工器件的凹凸不平面，以达到对表面凹凸不平结构保护的效果。uv半固化胶层b在器件加工时处于半固化状态，有很强的贴合性和缓冲性，器件加工完成后，再完全固化，有利于降低粘性，易于剥离。同时防静电涂层能消除加工过程产生的静电危害。

附图说明

图1是本实用新型uv半固化胶层a中分布有小颗粒层的结构示意图。

其中101为基材，102为防静电涂层，103为uv半固化胶层a，104为uv半固化胶层b，105为离型膜，106为小颗粒。

具体实施方式

以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构作进一步说明，以充分地了解本实用新型的目的、特征。

实施例1

在厚度125μm的pet基材层101一侧涂布厚度200μmuv胶层a，胶层a中均匀地分布有小颗粒，所述小颗粒层由体积1×10⁶nm³，形状为球状的二氧化硅小颗粒组成，分布密度为每平方厘米1×10⁴个。通过uv照射形成uv半固化胶层a，邵氏硬度10ha。然后在uv半固化胶层a上涂布有厚度100μmuv胶层b，通过加热及后续熟化形成uv半固化胶层b，粘性870gf/inch。将该保护膜贴在待加工器件的凹凸不平面，让胶层填满待加工器件的凹凸不平面，使用日光对保护膜表面照射2小时，使得胶层a完全固化、胶质变硬，邵氏硬度105ha，然后对非凹凸不平面加工。加工完成后，使用150nm、4mw/cm²的照射强度、300mj/cm²的剂量的uv光对保护膜表面照射1000秒，使胶层b完全固化，胶质变硬、粘性降至1.5gf/inch，洁净移除保护膜。

实施例2

在厚度25μm的pmma基材层101一侧涂布厚度200μmuv胶层a，胶层a中随机分布有小颗粒，所述小颗粒层由体积为1×10³nm³，形状为柱状的硅氧烷树脂小颗粒组成。通过uv照射形成uv半固化胶层a，邵氏硬度33ha。然后在uv半固化胶层a上涂布有厚度200μmuv胶层b，通过uv照射形成uv半固化胶层b，粘性2100gf/inch。将该保护膜贴在表面具有凹凸不平结构器件的凹凸不平面，让胶层填满待加工器件的凹凸不平面，使用日光对保护膜表面照射1小时，使得胶层a完全固化、胶质变硬，邵氏硬度85ha，然后对非凹凸不平表面加工。加工完成后，使用335nm、0.33mw/cm²的照射强度、1000mj/cm²的剂量的uv光对保护膜照射520秒，使胶层b完全固化，胶质变硬、粘性降至11gf/inch，洁净移除保护膜。

实施例3

在厚度250μm的透明pc基材层101一侧涂布厚度1300μmuv胶层a，胶层a中均匀地分布有小颗粒，所述小颗粒层由体积为1×10⁴nm³，形状为块状的pmma小颗粒组成，分布密度为每平方厘米1×10⁵个。通过uv照射形成uv半固化胶层a，邵氏硬度26ha。然后在uv半固化胶层a上涂布有厚度150μmuv胶层b，通过uv照射形成uv半固化胶层b，粘性1600gf/inch。将该保护膜贴在表面具有凹凸不平结构器件的凹凸不平面，让胶层填满待加工器件的凹凸不平面，使用日光对保护膜表面照射1.5小时，使得胶层1完全固化、胶质变硬，邵氏硬度70ha，然后对非凹凸不平表面加工。加工完成后，使用335nm、1mw/cm²的照射强度、1600mj/cm²的剂量的uv光对保护膜表面照射120秒，使胶层2完全固化，胶质变硬、粘性降至20gf/inch，洁净移除保护膜。

实施例4

在厚度175μm的透明tac基材层101一侧涂布厚度500μmuv胶层a，胶层a中随机分布有小颗粒，所述小颗粒层由体积为1×10²nm³，形状为纤维状的ps小颗粒组成。通过uv照射形成uv半固化胶层a，邵氏硬度16ha。然后在uv半固化胶层a上涂布有厚度400μmuv胶层b，通过uv照射形成uv半固化胶层b，粘性1450gf/inch。将该保护膜贴在表面具有凹凸不平结构器件的凹凸不平面，让胶层填满待加工器件的凹凸不平面，使用日光对保护膜表面照射2小时，使得胶层1完全固化、胶质变硬，邵氏硬度56ha，然后对非凹凸不平表面加工。加工完成后，使用235nm、2.2mw/cm²的照射强度、300mj/cm²的剂量的uv光对保护膜表面照射2000秒，使胶层2完全固化，胶质变硬、粘性降至21.5gf/inch，洁净移除保护膜。

实施例5

在厚度200μm透明pvb基材层101一侧涂布厚度3800μm的uv胶层a，胶层a中均匀地分布有小颗粒，所述小颗粒层由体积为1×10³nm³，形状为球状的氧化铝小颗粒组成，分布密度为每平方厘米1×10³个。通过uv照射形成uv半固化胶层a，邵氏硬度30ha。然后在uv半固化胶层a上涂布有厚度275μmuv胶层b，通过uv照射形成uv半固化胶层b，粘性850gf/inch。将该保护膜贴在表面具有凹凸不平结构器件的凹凸不平面，让胶层填满待加工器件的凹凸不平面，使用日光照射保护膜表面0.5小时，使得胶层1完全固化、胶质变硬，邵氏硬度77ha，然后对非凹凸不平表面加工。加工完成后，使用150nm、6mw/cm²的照射强度、620mj/cm²的剂量的uv光对保护膜表面照射600秒，使胶层2完全固化，胶质变硬、粘性降至5gf/inch，洁净移除保护膜。

本实用新型已特别参考某些优选实施方案详细地描述，以使读者实践本实用新型而不具有不适当的实验。本领域技术人员容易地认识到可改变或改进许多前述组分、组合物和/或参数至不偏离本实用新型的范围和精神的合理程度。此外，提供题目、标题、实例材料等以增强读者对该文件的理解，且应不视为限制本实用新型的范围。因此，本实用新型由以下权利要求书及其合理的延伸和等效物限定。