专利名称：凸超微粒子的表面结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及能有效减弱光反射和/或提高采光效率的凸超微粒子的表面结构。本发明还涉及到眼镜用塑料镜片的结构及其制造方法、备有能提高采光效率的机构的太阳电池、在光磁记录载体的记录读出侧防止表面上光反射的技术、主要使照相用感光材料的胶片与印相纸等的受光面具有防止光反射的功能、在形成采用有光学装置的电子回路中于照射光的光路内防止光反射的方法及其装置与制品等。
迄今在各种工业领域中都需要有用来减弱光反射和/或提高采光效率的技术，并对此提出过种种方法。
例如眼镜除有矫正视力的功能外，还要求有防止异物与光线等伤及眼睛的功能以及款式，并不断地要求有轻量薄型的镜片，而有色镜片则制成为款式高度新颖的品种。于是，伴随着高折射的具有优越透明性、可着色性的高分子材料的发展，塑料镜片的需要量已发展到超过对玻璃镜片的需要。对塑料镜片要求的性能，作为镜片来说首先要求它的透明度高，除需要有优越的高折射、低色散、轻量、安全、易着色与成形性等之外，重要的是还需降低镜片表面的反射光而提高透过率。一般，镜片表面一个面上的反射光为3-4％，折射率高的材料的反射光有增大的倾向。当前作为降低这种反射光的方法是采用形成多层金属膜，让各层中的反射光相互干涉来消除反射光的方法，采用有3-7层的消反射层。这种消反射层是用真空蒸镀器成形，但为了大量地加工镜片则需用极大型的蒸镀层，除了大型蒸镀器价昂之外，运行费用也会成为加大镜片成本的主要原因。
为了减少具有透明平滑表面的材料在和空气交界面上的反射光，可以通过使空气和透明材料表面间的平均折射率作连续变化来实现此目的。这项课题是由在透明材料表面上形成不均匀膜来解决。现来考察这类不均匀膜的消反射原理。下面以具有图9所示凹凸形表面的情形为例，以x表示此表面层在厚度方向上的深度，则折射率nf(x)可以由式(1)表示
nf(x)＝ng·V(x)+n0(1-V(x))(1)式中ng为玻璃(透明材料)的折射率，V(x)为玻璃在x处所占的体积，n0为空气的折射率。此时，空气与膜层的界面和膜层与玻璃基片的界面如
图10所示，折射率的变化是不连续的，将适合的折射率分别记为n1、n2，则这一膜层的反射率R可以由2式表示为R=1-4n0n1ng(n1ng+n0n1)1-{(n12-n02)(ng2-n22)sin2δa}/2]]>…(2)δa＝2π(n1+n2)X/λ式中，当n0＝1.0，n1＝1.1，n2＝1.477，ng＝1.53，在表面的凹凸反为100nm时可获得最低的反射率。但是，形成这些微细的凹凸形是困难的。为了解决这个问题，在特许(公开)平2-175601号公报中说明了一种消反射体及其形成方法，而通过把超微粒子在透明基片的表面上直接固定成膜状，能同时满足低反射率和高透过率两方面的要求。当把粒度偏差小的SiO2超微粒子单层地铺配于玻璃基片上，就可提高透过率而取得优越的消反射效果。
为把SiO2的超微粒子单层地固定于玻璃板上，以硅酸乙酯、乙醇、IPA、MEK等与用来使硅酸乙酯加水分解的水和硝酸等混合成的溶液(S408，旭硝子(株)制造)，同在乙醇中分散有20％(重量)的粒度为120nm的SiO2的溶液构成混合液，使玻璃板浸渍于此混合液中按每秒0.98mm的速度上引，在蒸发掉挥发成分之后，在150℃下于空气中经30分钟烧结，分解出四乙氧基硅烷。由此分解生成的SiO2超微粒子便牢靠地粘合成连续而均匀的薄膜。
图11以剖面图示意地表明将SiO2超微粒子按上述方式固定于玻璃板上的情形。在图中A所示的位置，折射率是指空气的折射率n0，其值为1。在B所示的位置，超微粒子104的折射率则为1.48，而在为A-B所围定部分的折射率则可根据公式(1)求出，各个位置的折射率可以认为将根据SiO2部分体积在图中所示微小的的设想板件的总体积中所占的比例而连续变化。记从A稍向内(玻璃板侧)的C位置处的折射率为n1，记在上述微小设想板件中SiO2的超微粒子所占的体积约为100％位置为B，并记B处的折射率为ng，再记从B稍向外的D位置处的折射率为n2，则使玻璃表面反射率R为最小的条件可由下式表示R=(n1ng-n2n0)2(n1ng+n2n0)2=0]]>根据上式，当满足条件ng＝n2/n1时，可知能获得无反射性的性能。这里的n2/n1的值则由凹凸形状决定。n1与n2是根据设想板件内SiO2体积的比例确定的数值，从表面上看来与超微粒子的直径无关，但从实验结果考察，当直径小于约30nm，制造上有问题，而且凹凸面变为平滑的，丧失了抑制反射光的功能，而当直径大于约300nm时，则会出现乳浊现象，有时会降低透明度。因此，如前所述当取单层铺设的超微粒子的膜厚为100nm左右时，可以取得最佳的消反射功能。
在把SiO2单层地固定于玻璃板上时倒不会有特别的问题，但当把这种超微粒子固定于透明的树脂板如丙烯酸树脂板、聚碳酸酯板等泛用的透明板上时，却不存在具有强粘合力的粘合剂。此外，对于用作透镜(包括镜片)等的光学材料例如CR-39、聚氨酯树脂等，也未见有合适的粘合剂。为此，本发明的申请人曾尝试过将单层超微粒子面直接复制到树脂体上，作为将微小的凹凸面形成于透明树脂体上的方法，这项成果已公开于特许申请平5-330768号中。
上述方法由于能准确地复制原来的超微粒子表面而取得一定成效，但在反复复制时则会发生超微粒子脱落或是难以脱模以及复制面的均匀性出现问题等，而要求作进一步改进。但是，当为了防止脱落而增加粘合剂用量，则会将超微粒子埋没于粘合剂内，削弱了使折射率连续变化的作用。而且，为了尽可能准确地复制超微粒子的形状再现粒子的曲率半径，粘合剂的数量则又应以少为宜。对于脱模的困难性，由于存在因树脂流入粒子间而出现的有固定效应的部分，在脱模时则需要用很大的力，这样就有可能损坏母模，因而希望有不出现这类问题的新型母模。
本发明的目的在于把复制单层铺设加超微粒子面的新型母模，用来解决上述问题而提供能减弱表面反射光的透镜。
本发明也成为提高太阳电池采光效率的课题。
利用光激励而产生的电力的装置已有照度计和用作照相机取景器控制的传感器等，但近年来出现了硅半导体一类的高效的光变换元件。作为这类半导体材料，当前多用硅单晶和多晶体，但在其中，无定形硅在制造技术上与成本方面有利，需要性正快速地向广度发展。但在太阳电池之中，由于构成这种电池的半导体材料的物理性质不同，波长的吸收带各异，对晶体硅来说，一般在波长800nm～1000nm附近的外红区具有感光度峰值，而无定形硅则在可见光区具有感光度峰值。此外，半导体材料的受光面为金属研磨面，光的反射强，受光量中约35％会成为反射光，因而通常是通过真空蒸镀方法，将折射率不同的金属膜于表面上蒸镀2～3层，将反射光抑制到100％以下。
作为减弱光反射的方法，除利用上述真空蒸镀膜进行光的干涉方法之外，尚有涂布氟系的低折射率树脂液或MgF2等低折射率物质的分散液的方法等，减弱与空气交界面的反射光的几种方法。在这些方法中，是通过膜厚与叠层状态来改变反射特性，而其大致倾向则如图23所示。具体地说，以氟系的低折射率树脂液涂布的结果如图中曲线R5所示，在550nm附近的反射率为0.8～1.0％，而相对于400nm、800nm波长的光的反射率为2～3％。当单层膜的成分为MgF2(折射率1.38)时，由此图中的曲线R3表示；在SiO2(折射率1.46)的情形，由曲线R2表示；而当不存在薄膜时，由曲线R1表示。此外，在透镜等之中构成有多层膜时则如曲线R4所示，在450nm和650nm附近有0.2％的最低反射率，但在500nm处则有约1.5％的反射率。这样，传统的消反射层虽然可用作适应不同用途的目的，但是还需要有从400nm到800nm范围内平均具有低反射特性的透镜。此外，对于由真空蒸镀形成的多层膜，由于需用高价的设备和需要长的时间，加工费用肯定会高。
光在透过物质时光的一部分在物质表面上被反射，作为消除这种方式的其它方法有使相连的两种物质的折射率连续变化的方法。也就是把直径从30nm至600nm左右的超微粒子并排平铺成一层固定的方法，有关它的标准技术已于特许(公开)平2-175601号中描述到。此外，本发明的申请人在特许申请平5-330768号中提出了复制超微粒子构成的表面使透明部件具有消反射功能，作为它的应用例子之一即用于CD中的例子已示明在特许申请平7-29222号中。
本发明中在把上述技术用于提高太阳电池采光效率的同时，还以扩大受光面积为目的。
本发明还以消除光磁记录载体表面反射为其目的。
光磁记录载体一般为盘状，存储性良好。从而把光磁记录载体称为光盘，根据它的用途分为复制专用盘、可写入型盘、可改写型盘等。在基片的记录面上可进行数据的复制和写入，而由激光读出再现此记录。
用于光磁载体的写入与续出的激光不同于日光，是波长单一且不具有重量的光，直进性与聚光性极其优越。波长因光源而异，在进行光磁记录或再现时，多用633～830nm范围的微光，这种激光对应于可见光波段上限附近。
当激光透过透明体时将依此透明体的折射率折射而于镜面上反射。光记录载体由凹坑的长短来记录信号，而凹坑的深度设定约0.1μm，在读出信号时是用激光光点照射凹坑部分及其周边部分，利用光程差产生的反射光的干涉来减少凹坑部分的反射光，将此反射光的有无与凹坑的长度变换为数值信号。
激光透过透明体时并非激光的全部都能透过，它的一部分在表面上反射。反射率可根据物质固有的折射率算出。利用菲 耳公式R＝{(ng-n0)/(ng+n0)}2计算用作光盘的树脂的聚碳酸酯、丙烯酸酯的反射率，在各表面上为5.2％、3.9％。现在，于光盘中未对透明部件表面采取消反射措施。此外，式中的ng为基片材料的折射率而n0为空气的折射率。
作为减弱位于光盘读出侧透明部件表面上反射的方法，在利用光的干涉方法中，例如有由真空蒸镀金属类来形成薄膜的方法，但是使反射光进行干涉的方法并不理想，而通过使折射率连续变化来减少反射光的方法由于不会影响到光的相位则是有利的。
鉴于以上所述，本发明以在光盘的读出侧通过形成折射率的连续变化层来降低反射性为其目的。
本发明还以提供被赋予消反射功能的感光材料为其目的。
在有关信息记录方面，近年来利用磁性与激光等的数字式记录方法由于其即时性而能适应于时代的要求。但是能对图像作模拟的更确切记录的摄影，长时期内保持其不变的地位。用作摄影中的记录装置则是把感光物质卤化银加微晶粒子分散于明胶的水溶液中作为摄影的感光乳剂，于塑料胶片、玻璃板、纸等之上涂布约10～30μm的厚度，经干燥后制得的感光材料。在这种感光材料中所涂布的卤化银重量约为1mg/cm2。作为卤化银的成分则有溴化银、氯化银、碘化银等。
作为感光材料例子之一的以塑料胶片为支持体的，一般所谓的照相用负片的示意性剖面图如图44所示。标号430指保护层，用来防止划抓、摩擦等机械力损伤乳剂粒子，厚度约为1μm。标号431指照相乳剂层，是把卤化银的晶粒分散于明胶的水溶液中而成，其厚度在干燥时一般为15～25μm。标号432指支承体，采用聚对苯二甲酸乙酯与三醋酸纤维素等的塑料胶片，厚度因用途而异，从85μm至200μm。标号433指防卷层，是一种具有与照相乳剂层431相同伸缩性的硬膜助胶层，用来防止感光材料发生卷曲。
感光材料的其它例子有印相纸，图45是它的示意性剖面图。标号434是保护层，由明胶构成，厚度为1μm。标号435为乳剂层，是把卤化银的晶粒分散到明胶的水溶液中而成，构成5～12μm的厚度。标号436指低制的支承体。支承体436能耐碱性的显影液与酸性的定影液处理，也能经受长时间的水洗，厚度约为0.04至0.3mm，分成厚、中厚、薄等几种规格。支承体436的一个面上形成氧化钡层437。氧化钡层437用来增加纸面的反射率与光泽，为了防止乳剂渗入纸纤维层中，将硫酸钡结晶和明胶的混合物涂布于纸面上。
这样，感光材料的表层是由以明胶为主要成分的薄膜形成的保护层，当曝光时，光必然会透过此保护层而在与空气相接的界面上产生反射光，减少了透过的光量。作为减弱反射光的一般方法虽如上所述有把真空蒸镀的金属薄膜叠置多层的方法，但在感光材料的情形，由于需要通过明胶层而为试剂浸透，金属薄膜是不合适的。还在前面描述到，可在与空气相接的界面上使物质的折射率连续变化而减少反射光的方法。也就是把SiO2的超微粒子(粒度30～600nm)单层排列固定的方法，这种方法虽然从本质上说也可用在感光材料的表面上，但为了要固定这些超微粒子，需有适当的粘合强度，而以明胶为主要成分的粘合剂在强度问题时是不能满足要求的。至于其它的粘合剂则会降低明胶的试剂浸透效果。
本发明有鉴于以上所说，以提供这样一种能消除反射的照相用感光材料为目的，在此感光材料上形成有不损伤明胶物性的感光材料的保护层。
本发明还涉及到在形成电子回路的照射光的光路中消除光反射的方法与装置及其制品。
在IC和LSI的制作工艺中，用来使电子回路于光刻胶上成像的方法有密切接触、邻近接触、等倍投影、缩小投影等曝光方法。这些方法从基本上说都是在具有以回路设计为基础的图案的光掩模上，用来自照射源的光照射，通过预定的光学系统而在光刻胶上形成预定的图案的图像。由于这种图案的存在，照射光生成透过部分与遮蔽部分，透过光最好是不包括干涉光与折射光的平行光。为此在光掩模中将胶片与石英玻璃板等用作基板，但照射光在与空气相接的界面上所反射的反射光至少占其40％，反射的部分便减少了透过的光量。此外，照射的光线在透过不同的物质之间时，反射光会向不定的方向散射而生成干涉光。因而至少要在透明的基板与形成有图案的挡光层的界面上设置消反射层。
本发明的目的即是在利用光学装置来形成电子回路时，通过简便的方法，在构成光掩模等光透过体与光刻胶等叠层面的物质的界面上，提供使其具有消反射功能的方法与装置。
发明的公开本发明中，对用于减弱光反射和/或提高采光效率的，由SiO2等形成的折射率连续变化的凸超微粒子面进行复制续而获得凹超微粒子面，用具有以此凹超微粒子面作为复制面(母模)的压模复制出凸超微粒子面。此外，也可把由此形成的凸超微粒子面作为复制面而未形成凹超微粒子面。
这里的凸超粒子面是相连地设置着大致为半球形凸部的面，也就是具有把大致成球形的超微粒子用粘合剂固定于基体的表面上所形成的形状的表面，而不同基体如何。基体的表面形状也无限制，可以是平面、曲面或是具有凹凸形与阶差的面。此外，这里的凹超微粒子面则是具有由复制上述凸超微粒子面所成形状的面。
根据本发明制造的眼镜镜片是用于实现减少光反射的目的，在树脂镜片表面、里面或界面的至少一面上形成有曲率半径为15～150nm的微细凹面和/或凸面。为了形成细微的凹面和/或凸面，采用了以上述压模进行复制成形的方法。
根据本发明制造的太阳电池是用于实现提高采光效率的目的，这是把SiO2等形成的折射率连续变化的超微粒子面作为第一母模所复制成的面，设置于采光机构的至少一部分中。
或者是把折射率连续变化的超微粒子面为母模的复制面用作第二个之后的母模的复制面，而设置到采光机构的至少一部分之中。
本发明还用来解决有关从光磁记录载体表面上消除反射的课题，为此对于由激光的入射光和/或其反射光读出的信息所写入的载体，至少在其一部分上设置折射率连续变化的超微粒子层，用来提高相当于上述激光的入射光和/或其反射光的波长的激光照射到记录面上的到达效率和从此记录面所反射的光的到达效率。
此外，把超微粒子面作为母模，复制其表面形状为形成膜层。将折射率低于构成所复制膜层中细微凹部物质的折射率的物质光填到这种凹部中，可以提高光线的到达效率。
也可把复制超微粒子面所获得的面作为母模，相继地设置半球形的细微凸部而使折射率连续变化。
为了解决有关消除感光材料光反射的课题，本发明还在光所透过的物质层的界面中的至少一个界面上，形成由SiO2等构成的折射率连续变化的超微粒子面为第一母模制得的复制面。
或者是在光所透过的物质层的界面中的至少一个界面上，形成以折射率连续变化的超微粒子面为母模所得的复制面用作第二个以后的母模而取得的复制面。
本发明还用来在由光学方法形成集成电路时，对于由构成衬底表面的薄膜和保护膜等组成的叠层面和/或由照射源到此叠层面的光路内所设置的光掩模、透镜等光透过体的至少一个面上，用复制方式形成能使折射率连续变化的具有15～150nm深度的微细凹凸面，以减少在上述叠层面和上述光透过体上的照射光与透射光的反射率。
此外，能用投影曝光法来形成可使折射率连续变化的具有15～150nm深度的微细凹凸面。
还能用上述方法提供制造IC或LSI等集成电路的曝光装置，以及据此曝光装置所制造的集成电路和用于该集成电路的芯片。
用上述曝光装置所进行的光刻胶层的图案化由于能描出渗润性小的图案，故可以制成集成度高的芯片。
附图的简单说明图1是本发明的镜片的剖面图。
图2是本发明所用玻璃压模的示意图。
图3为构成镀膜层的玻璃模具的剖面图。
图4为示明压模制造过程的剖面图。
图5为压模一部分的放大剖面图。
图6为示明本发明中有关反射率的曲线图。
图7为示明本发明工序的剖面图。
图8为在硬镀层上形成有微细凸面的镜片的剖面图。
图9说明本发明的消反射理论。
图10说明折射率的变化状况。
图11说明本发明的折射率连续变化的概念。
图12以剖面图示意地说明本发明一实施例的太阳电池制作过程。
图13为母模的放大剖面图。
图14为用于测定反射特性的母模的剖面图。
图15为超微粒子涂层侧的反射特性曲线图。
图16为叠层件脱模后的太阳电池示意性剖面图。
图17为示明将氟系树脂用于图16中实施例的太阳电池的示意性剖面图。
图18为示明将镍的蒸镀层与电镀层加到第一母模上的状态的母模示意性剖面图。
图19为示明剥离电镀层作为压模的状态的母模示意性剖面图。
图20为应用图19所示母模制成的太阳电池组件的剖面图。
图21为具有微细凹凸面的薄膜的剖面图。
图22为薄膜的剖面图，说明在图21所示薄膜上设有P-N结层的状态。
图23是说明波长与反射率关系的反射特性曲线图。
图24是剖面图，示意地说明在丙烯酸树脂基片上设有SiO2组成的超微粒子层的光记录载体。
图25是示意性剖面图，示明了放大了的图24中的超微粒子层。
图26是示意性剖面图，示明用于试验超微粒子层光透过率的试验体。
图27是示明各试验体(A、B、C、D)中光的波长与透过率关系的曲线图。
图28为剖面图，示意性地以例子透明通过复制而设有超微粒子层的光记录载体。
图29为用于试验通过复制获得的记录载体的透过率的试验体的示意性剖面图。
图30是示意性剖面图，用来说明以折射率不同的另一种物质来充填由复制所得到微细凹部的状态。
图31是示意性剖面图，用以表明在图26所示母模上设置蒸镀层，再在其上设置电镀层的情形。
图32是示意性剖面图，用以表明从图31所示情形中剥离下电镀层的压模接合到合金板上作为母模的状态。
图33是示意剖面图，示明用图32所示母模经注射模塑成形出的丙烯酸树脂的试验体。
图34是示明本发明的感光材料制造中工序的示意性剖面图。
图35是示明本发明感光材料例子的示意性剖面图。
图36为用于说明消反射功能的复制面的一部分的放大剖面图。
图37为示明母模制造工序另一例子的示意性剖面图。
图38为第二母模的示意性剖面图。
图39为示明本发明的感光材料另一例的示意性剖面图。
图40为示明本发明的感光材料又一例的示意性剖面图。
图41为示明本发明的感光材料再一例的示意性剖面图。
图42为示意性剖面图，示明在胶片表面上形成有消反射层的感光材料。
图43为示明复制面的反射率的特性曲线图。
图44为现有的负片的示意性剖面图。
图45为现有的印相纸的示意性剖面图。
图46为作为本发明曝光装置一部分所用的光掩模坯料的示意性剖面图。
图47为示明压模制作工序的示意性剖面图。
图48是压模的示意性剖面图。
图49是示意性剖面图，示明消反射层复制于玻璃基片上的状态。
图50是示意性剖面图，示明在图46所示的制品上再蒸镀上挡光层的状态。
图51是示意性剖面图，示明在图50所示的制品上再形成保护层。
图52是示明在图51所示制品上进行腐蚀，显露出消反射层一部分的状态的示意性剖面图。
图53是表明用另一种方法制成压模的工序的示意性剖面图。
图54是用另一种方法制成的压模的示意性剖面图。
图55是概示缩小投影曝光装置一例的侧视图。
本发明的最佳实施例图1是复制了超微粒子面的眼镜用透镜(镜片)的示意性剖面图，标号101，为镜片主体，标号102为单层超微粒子面的复制面。图2示明在铸塑性重合用玻璃模具103中，通过前述的方法对粒度为120nm的SiO2超微粒子作牢靠固定的情形。
为了形成图1所示的镜片101，在把图2所示凸面侧的超微粒子面105充分洗净后进行镍的真空蒸镀，再进行镍的电镀，为使镍的电镀层的厚度均匀，在电镀液中使模具旋转。当电镀层106达到预定的膜厚时，即将其从电镀层中取出，进行洗净与干燥，而粘合剂具有与电镀层106曲面相同曲面的模具107上(图4)。施加使模具107与模具103相脱开的力，分离开真空蒸镀层与超微粒子面。分离开模具107的一部分的放大图如图5所示。将这样制得的模具107与镍电镀层的部分作为压模108，进行通常的铸塑重合作业， 即可得到图1所示的具有微细凹凸102的镜片101。可以把镍电镀层构成的复制面再行复制成第二压模，此时的压模面的形状显然呈与先前的凹凸形正相反的形状。
作为镜片成形用的树脂，是用折射率为1.66的高折射率的聚氨酯树脂形成图1所示的负镜片，它的一个面上的反射率的测定结果如图6所示。此时，在眼镜感光最强的500～550nm附近的波长区的反射率约为0.3％，与真空蒸镀的金属薄膜所表现出的反射率在这一波长区增加的情形相反，此反射率曲线在可见光区基本上是平坦的。本实施例所制得到的镜片在面对物体侧面上的反射光色为紫色。此外，在实施例中所用到的超微粒子的粒度虽然是120nm，但可以在30～300nm间任意选定粒度来改变反射率特性。
为了提高上述微细凹凸面的耐擦伤性，虽然可以涂布上硅树脂系的硬涂层，但那样有可能将凹凸面变为平滑的面，不能使折射率作连续变化。为了解决这一问题，首先用通常的模具形成图1所示的镜片101，当于其表面上形成图7所示的可提高密接性的粘结层109后，再涂布上1～1.5μm厚的硅树脂硬涂层，用压模108加压。上述情形会有空气裹入压模的微细凹凸面内而不能获得均匀的复制面，故应在真空室内进行。由于这一方法增加了工序，故对于将硬涂层液涂布于压模中、加压上述粘结层109、将多余的硬涂层液挤压出去等作业，希望能将其简化。在加压状态下加热干燥压模，除去压模即可形成具有耐擦伤性的微细凸面111(图8)。
根据上述各式形成的硬涂层能使粘结层与镜片的界面上产生的反射光散射，若再在此硬涂层的表面上再真空蒸镀上一层折射率为1.38的MgF2，就能进一步减降反射光。
下面说明本发明的太阳电池的实施例。
图12为用于说明本发明一实施例的太阳电池制作过程的示意性剖面图。标号201指太阳电池，标号202与203指透明树脂，标号204指基板。在说明实施例之前，先说明母模的制作工序和超微粒子面使折射率连续变化的理由。
在图13中，标号206指作为透明部件的玻璃板，标号207指SiO2的超微粒子，标号208指粘合剂。从空气侧朝玻璃板方向相对于任意位置的微小深度dx的平均折射率Ndx，可依下式计算Ndx＝Ng×Vdx+No(1-Vdx)式中No为空气折射率，Ng为石英粒子的折射率，Vdx为粒子的体积。
于是，用来固定SiO2的超微粒子207的粘合剂208的折射率最好是等于或近似于玻璃板206的折射率。这样，折射率就可在由空气到玻璃板的行程中，从空气的折射率为1顺次地变化到玻璃板206的折射率。
考察图13，从理论上说，超微粒子的直径就是大一些也是可以的，但根据试验结果，粒度大于约600nm的SiO2超微粒子就会引起显著的漫反射，相反，当粒子的粒度小于10nm，表面的形状就会变平滑，加大反射光。用直径在10nm至600nm之间的每隔50nm间隔的各种规格的微粒，根据试验考察反射率的结果，得知从50nm至200nm之间的粒度最为合适。下面举例说明制造方法。
以制作第一母模为例，如图14所示，准备好直径为10cm，厚5cm的光学用玻璃圆板209，由纯水洗净，使其干燥。浸渍液是把硅酸乙酯、乙醇、IPA、MEK等与用来使硅酸乙酯加水分解的水和硝酸等混合成的溶液(S408，旭硝子(株)制造)，同在乙醇中分散有20％(重量)的粒度为80nm的SiO2的溶液相混合而成。首先以掩模并蔽玻璃板209的一个表面的浸入浸渍液中，按每秒0.98mm的速度垂直上引，待挥发成分蒸发后，除去掩模，于300℃下加热1小时。然后冷却至室温，取出玻璃板209，用超声波清洗，制得第一母模210。至此以黑色涂膜211覆盖一个表面作为光吸收面来测定反射特性。覆盖超微粒子侧的反射特性如图15中曲线A所示。
下面说明在上述第一母模210中，用粒度为100nm的SiO2超微粒子于太阳电池中形成消反射层的部分。如图12所示，由太阳电池主体201、密封用透明树脂材料202、203、基本204组成的本实施例的太阳电池，是取板式太阳电池组件形式，透明树脂用EVA(乙烯乙酸乙烯酯)。如图12所示，作为采光机构是以FRP构制基板204，顺次叠置上EVA的透明树脂材料(以后略作EVA)203、太阳电池、EVA的透明树脂材料(以后略作EVA)202，再在它们的上层设置母模210而在它们的下层设置玻璃板212，并以夹子夹合它们的整体。在这种状态下置入进行减压加热的层压装置中，于80℃下加热。在各部分到达均一的温度时，从层压装置中取出叠层件，静置至室温，松释开夹具，使母模210脱出。脱模后的叠层件的剖面示意地表明于图16中。EVA202的最上面由复制母模210形状的面所形成的EVA202-1构成。成形面205上形成有半径为50nm的半球形凹部，这样的面也具有消反射功能，其反射率如图15中的曲线B所示。此外，如图17所示，这种太阳电池组件可以用按重量计30％的住友3M(株)制的溶剂フロテ一ド来稀释氟系涂层剂(フロテ一ド FC-722，住友3M(株)制)进行浸渍，形成涂层213。此涂层213的折射率低至1.36，反射特性如图15中曲线C所示。
下面说明太阳电池的第二实施例。
本实施例说明应用第二母模的例子。在图18中，用超声波清洗第一母模210后，由真空蒸镀形成镍蒸镀层214。以此蒸镀层为电极进行镍的电镀，形成镍的电镀层215。这样工序与光盘原盘的制作工序相同。在图19中，剥离下前述电镀层215，而得到压模216。为使线膨胀系数近似，将镍合金板217作镜面研磨面把压模216粘结于其上即得第二母模218。用此母模218制成的与第一实施例相同的太阳电池组件的剖面图示明于图20中。EVA202的最上层部是形成有半径50nm的半球状的凸部209的EVA202-2。EVA的折射率为1.52，比SiO2的折射率1.46为大，看来会使反射率增大，但由于形成了折射率连续变化的层，故反射特性表现为图15中曲线D所示的性能。与把SiO2的超微粒子固定到玻璃板上的上述方法相比，以同一物质构成的折射连续变化的会发生反射的界面要小，这一点是有利的。
下面说明太阳电池的第三实施例。
在此实施例中是说明在基板侧形成微细凹凸面的实施例。将含氟聚合物(例如四氟乙烯)膜加热至约接近300℃，压制母模218。冷却后得到具有图21所示剖面形状的膜227。它的表面成为具有半径为50nm的半球状凸面228的形式。将膜227用在无定形硅太阳电池的基板上，可以取得下述效果。在图22中，于上述含氟的聚合物膜227上设置真空蒸镀的第一层P型层231和第二层N型层232所成的P-N结层。此时的P-N结层由于形成有微细的球面，受光面积扩大到从1.6至1.7倍，能制成电流值大的太阳电池组件。作为耐热性膜，除上述的以外还可以使用三醋酸纤维素、聚酰亚胺等膜料。此外，在制作第二母模时，不限于SiO2的超微粒子，也可使用ZrO2、TcO2等。但是粒子的形状以球形为最好。另外，可不限于上述的耐热性膜，也能通过母模201或202在其它透明膜上加工出微细的凹凸面，而把这些膜贴附到需要消反射的面上，得以简便地赋予其消反射功能。
用来制作母模的原型而把超微粒子单层地粘接于基板上的技术利用了粒子的凝聚性，由于并不专门限于50～600nm粒度的微粒而可以用有1μm粒度左右的微粒，因为作为无定形硅太阳电池的基板，也不限于使用前述100nm粒度的微粒。此外，考虑到母模201反复被使用，在脱模性和超微粒子粘合强度上存在着困难，为此可以通过复制图21所示的凸面228来制成压模，而得以制作第三母模，成为更安全的母模。
在本发明中，虽然描述了通过对树脂面的复制来形成微细凹凸面的方法，但复制的对象并不限于树脂，也可用于陶瓷质的材料以及釉料等，在把光变换元件固定到微细凹凸面的问题上，可以使用把超微粒子单层地固定到玻璃板与膜层上所得到的微细凹凸面也应属于本发明的技术中。
下面说明本发明的光磁记录载体的实施例。
用纯水洗净以丙烯酸树脂为基板的CD光盘，干燥后以硅酸乙酯、乙醇、IPA、MEK等与用来使硅酸乙酯加水分解的水和硝酸等混合成的溶液(S408，旭硝子(株)制造)，同在乙醇中分散有20％(重量)的粒度为80nm的SiO2的溶液组成的混合溶液加以浸渍，依垂直方向按每秒0.98mm的速度上引，待挥发成分蒸发后，于60℃下加热30分钟干燥。它的表面呈紫色的色调。这种状态示意地表面于图24中。标号301指SiO2的超微粒子、标号302指丙烯酸树脂基板，标号303指记录面，标号304指铝反射膜，标号305指保护涂层材料。
为了降低透明部件表面的反射光，现以图25来说明使折射率连续变化的结构。从空气侧朝基板方向相对于任意位置的微小深度dx的平均折射率Ndx可以下式表示Ndx＝Ng·Vdx+No(1-Vdx)式中的No为空气的折射率、Ng为粒子的折射率、Vdx为粒子的体积。
于是，用来固定SiO2的微粒301的粘合剂306的折射率最好是等于或近似于基板302的折射率。这样，折射率就可从空气的折射率为1顺次地变化到基板的折射率。
从图25判断，表面上看来，微粒子的直径以大为好，但根据试验，粒度约600nm以上的微粒会产生显著的漫散射。相反，当粒子的粒度小于10nm，表面的形状会变平滑而加大反射光。用直径在10nm至600nm之间的每隔50nm间隔的各种规格的微粒，根据实验考察反射率的结果，得知50nm至200nm之间的粒度最合适。特别是在本发明中，由于用在光盘上的激光的波长是在600nm至800nm内，故希望在此附近的反射光小。在测定反射率时，没有在图24所示状态下测定，而是依其它方式用同样的材料，如图26所示，使与固定有超微粒子面相对侧的表面制成平面形式，把此平面看成黑色作为光的吸收面307，而构成试验体308。标号302-1是丙烯酸树脂板。这里所用微粒的直径为80nm时的反射率如图27中曲线A所示。从600nm至800nm范围的反射率在0.5％以下。
作为光磁记录载体的第二实施例，下面说明在光记录载体上形成在复制时消反射的涂层。准备直径为12cm、厚5mm的光学用玻璃圆板，给纯水洗净后干燥。在用于第一实施例的溶液之中，用分散有20％(重量)的100nm粒度的SiO2超微粒子的液体来取代分散有20％(重量)的80nm的SiO2超微粒子的液体，来浸渍上述玻璃圆板，使此板以0.7mm/秒的速度垂直上引。待挥发成分蒸发后于300℃下加热1小时。然后冷却至室温，从加热炉内取出玻璃板，经超声波清洗，用作母模。在复制VD或CD的记录面时，将此母模用作注射模塑成形一方的母模。它的模制成型面的示意性剖面如图28所示。此成型面309表明的是复制有SiO2的球面的大致一半的状况。标号302-2是丙烯酸树脂板。在测定这个面上的反射率时不是在图28所示的状态下进行测定的，而是用其它方式，如图29所示，将丙烯酸树脂板302-2的一面形成为凹凸的成型面309，而以另一面形成平坦的表面，且使此另一面着成黑色作为光的吸收面307而组成试验体310，由此来测定成型面309的反射率，得到图27中曲线B所示结果。此时，在波长550nm附近显示出最低的反射率。在本实施例中，在有关用于复制目的的超微粒子及其形状的问题上，超微粒子不限于SiO2，也可使用ZrO2、TiO2等，而形状则以球形为最好。
下面说明光磁记录载体的第三实施例。
对于在第二实施例中所说明的，用于在图29中所示的一个面上形成凹凸状成型面309的丙烯酸树脂板，在此成型面309的凹面中充填以折射率较丙烯酸树脂折射率低的树脂。固然，对丙烯酸树脂作二次结合后是不易形成结实牢靠的结合，但对于100nm这样微小的凹面本身是可以期望有固着效果的，此外也可通过紫外线进行表面改性。作为涂布液，使用的是折射率为1.36的氟系涂层剂(フロテ一ド FC-72，住友3M(株)制)。为易于调整膜厚和易于流入凹部，用按重量计30％的溶剂フロリナ一ト(上述同一公司所制)去稀释，以浸渍法进行涂布。图30是上述结果的示意性剖面图。标号311是氟系涂层膜。此试验体10a的表面反射率在图27中以曲线C示明。这时的变化趋势虽与第二实施例中的情形相同，但除了曲线的形状所表示出的连续变化的折射率外，由于在和空气相接的界面上存在有折射率低至1.36的物质，试验体10a的反射率在600nm附近可改进到0.1％的程度。此外，表面形成为一种不易为指纹等污染附着的实用面。
下面描述光磁记录载体的第四实施例。
现说明用前述实施例所示的于玻璃基板上粘合有100nm直径的SiO2超微粒子的母模，来制作和复制压模的方法。如图31所示，用超声波清洗第二实施例所用的母模312后，经真空蒸镀形成镍蒸镀层313。以此蒸镀层为电极，进行镍的电镀而形成镍电镀层314。这种工序与光盘原盘的制造工序相同。剥离此电镀层，得到压模315。为使线膨胀系数接近，对镍合金板316作镜面研磨后用耐热粘合剂将压模315粘合于其上而制得母模317(图32)。利用母模317对丙烯酸树脂作注射模塑成形加工，制得试验体318(图33)。在试验体318上涂布出黑色的光吸收面317来测定成型面319的反射率，得到图27中所示曲线D。此曲线的变化趋势同把粒度为120nm的SiO2超微粒子单层地铺排于玻璃基板上时所得反射率曲线的变化趋势近似。原因之一可能是用来构成微细凸部的材料与SiO2不同而是丙烯酸树脂。
如上所述，由于可把压模固定到作为基板的平板或辊上加以利用，故不限于在光磁记录载体而是可以在透明的膜、板的表面上形成微细的凹凸面，从而也可用于商品陈列柜、电子设备的数字显示板等，使其应用范围进一步扩大。
下面说明本发明的感光材料的实施例。
图34以剖面图示意地说明本发明的感光材料制作工序的实施例。标号401指感光材料，标号402指母模，标号403指用作基板的玻璃板。在构成感光材料401的各个部分中，标号404指胶片，标号405指照相乳剂层，标号406指保护层，标号407指防卷层。
下面概要地说明母模402的制作工序。准备好5mm厚的光学用玻璃板408，以纯水洗净后干燥。所用的浸渍液为硅酸乙酯、乙醇、IPA、MEK等与用来使硅酸乙酯加水分解的水和硝酸等混合成的溶液(S408，旭硝子(株)制造)，同在乙醇中分散有20％(重量)的粒度为80nm的SiO2的溶液相混合而成。将玻璃板408浸渍于上述浸渍液中，使此板保持垂直并以每秒0.98mm的速度上引，待挥发成分蒸发后，以300℃加热1小时。冷却至室温，取出玻璃板，以超声波洗净即得到第一母模402。标号409指SiO2超微粒子。
将照相乳剂405及防卷层(硬膜明胶)407涂布于三醋酸纤维素的胶片404上，干燥后由明胶固定于基板403上。随后用辊涂机把明胶的水溶液涂布于照相乳剂层405上。在半干燥时刻，对母模402按图34箭头A的示向加压。加入夹定在基板403与玻璃板408之中进行减压加热的层压装置中，在30℃下干燥5分钟。保护层406的明胶在半干燥时处于膨润状态，在以平板加压时需花费时间抽出裹入的空气和除去水，为了提高效率，以辊状的母模加压为好。从层压装置中取出的感光材料的示意性剖面图如图35所示。保护层406-1形成了超微粒子409的复制面410。
图35所示复制图410的一部分放大后如图36所示。保护层406-1的成分明胶的折射率为Nz，空气的折射率为No时，在光行进方向上相对于微小尺寸dx的平均折射率以下式表示Ndx＝Nz·Vdx+No(1-Vdx)式中Vdx的意义与以前所述相同。
于是，透射过的光的折射率从空气的折射率渐次递变为明胶的折射率，而折射率的渐变则能在减弱光反射的同时提高光的透过率。但当SiO2的超微粒子的直径在30nm以下时，复制面会变平滑就不能达到消反射效果，而当此种直径在600nm以上时，表面将成为无光泽面，使透过率显著降低。超微粒子直径的恰当值应在50nm至200nm的范围内。
下面说明作为第二实施例的第二母模制作的主要过程。采用图34所示母模402，如图37所示，于母模402的超微粒子面上经真空蒸镀形成镍蒸镀层411，以此镍蒸镀层411为电极进行镍的电镀，形成镍的电镀层412。这种工序与光盘原盘的制作工序相同。剥离下镍电镀层411，贴合到镍合金板413的镜面加工面上而获得第二母模411(图38)。
采用同于第一实施例中的方法，通过第二母模制得的感光材料的示意性剖面成为图39所示的形式。复制面415与第一实施例的凹面相反，形成为凸面，具有消反射功能。这一方法也可用于印相纸中。图40是它的相应的示意性剖面图。标号416指保护明胶层，在它和空气相接的界面上形成有复制面415。标号417指照相乳剂层，标号418指氧化钡层，标号419指纸。印相纸实际上是可以拿在手里来确认所记录图像的一种装置，因而易于确认出表面上没有反射光的情形。本实施例的印相纸则是同所谓的闪光情形不同，而是能看清明晰图像的。
当母模反复使用，图34所示的第一母模402中的超微粒子409就有可能脱落，为此利用图38所示第二母模414来制作第三母模，而可以得到和第一母模相同的装置。在这种情形，由于成了镍金属的整体结构，可以延长母模的寿命。
下面说明感光材料的第三实施例。
图41表明在其它物质界面即照相乳剂405-1与保护层406-3的界面上增设有消反射功能的情形。在照相乳剂405-1半干时，用第一母模在照相乳剂一侧形成微细凹坑相连的复制面410，再涂布上的明胶为主要成分的保护层，然后于此之上在和空气相接的界面上形成由第二母模形成的复制面415。由于光透过不同物质的界面时必然会产生约4％的反射光，故最好使此种界面尽可能具有消反射功能。
下面说明感光材料的第四实施例。
图42表明在支承体胶片404的一个侧面上形成有消反射层的情形。由于乳剂相对于胶片的密接性差，故相对于明胶和胶片坯料通过涂布溶剂和表面强度减弱剂组成的溶液而形成底涂层，采用第一母模和第二之后的母模形成复制面421而作为消反射层420。这一消反射层420对于防止胶片表面反射光产生的晕光和光照现象是有效的手段。此外，消反射层420最好形成于胶片404和防卷层407的界面上。
上述复制面的反射光的反射率具有图43所示的特性，在可见光区约在1％之下，而在人眼感光最强的550nm附近的波长区，可抑制到小于约0.5％。在此图中，由第一母模制得的复制面的反射率如曲线C所示，而由第二母模制得的复制面的反射率则如曲线D所示。
下面说明有关电子电路制造的实施例。
图46为可用本发明方法构成的光透过体的一种掩模坯料的示意性剖面图。标号501指玻璃基板、标号502、502-1指具有微细凹凸面的消反射层，标号503指挡光层。微细的凹凸面虽然构成了使折射率连续变化的不均质层，但这种凹凸形状对于其高低差自然有个界限，以15～150nm范围的深度为有效，而最好是尽可能取针状形式。作为能实现这种形式的一种方法，即如本例中将SiO2的超微粒子密实地单层地固定于基板上，再复制这一层的表面形状而形成微细的凹凸面。
在图47中，于平滑研磨的玻璃基板501-1上调节用来使SiO2超微粒子作单层固定的浸渍液。作为这种浸渍液的混合方法，是把硅酸乙酯溶解于乙醇中，添加用于加水分解的H2O和作为触媒的HNO3制作溶液，于此溶液中添加100％(重量)的粒度为80nm的SiO2超微粒子，调整pH使其分数。浸渍上述玻璃板，使其按每秒1mm的速度垂直上引，待挥发成分蒸发后，于200℃下加热30分钟进行干燥后即得母模505。这样形成的SiO2的单层面，对于波长为400nm的光的反射率为0.8％，而对于波长为550nm的光的反射率为0.3％在仅仅是用到玻璃本身的情形，则表现出4～5％的单面的反射率，这虽然也可把它用作掩模用的基板，但在需要准备众多玻璃板的情形，则存在着费工费时的缺点。
下面说明对单层固定于玻璃基板上的SiO2超微粒子面进行复制的方法。在图48中，对依前述方式制得的以SiO2超微粒子单层地固定于玻璃基板上所形成的母模505，用纯水洗净并干燥后，于真空蒸镀机中蒸镀上镍，以此蒸镀上的面506为电极，由电铸法制作镍基板507。脱降下镍基板307后，接合到另一玻璃508上而制成压模509。以此压模为第二母模作进一步复制，也可制备出第三母模。
在复制时，准备好用纯水洗净的玻璃基板501，于压模509的凹凸侧面薄涂以硅烷耦合材料(KBM403，信越化学(株)制)，除气后贴合于玻璃基板50上，对整个表面作强制加压而除去剩余的硅烷耦合材料。这种工序用到了可能减压的层压件，需注意不要卷入空气。通过预先使压模的镍面惰性化，硅烷耦合材料与压模之间便容易脱开，密接于玻璃面上的硅烷耦合材料形成了微细凹凸面，成为消反射层502(图49)，这样制得的玻璃基板上的表面反射率显示出在400nm处为1.2～1.5％的低反射率。
如图50所示，在消反射层502之上真空蒸镀50～100mm厚的铬(Cr)作为挡光层503。此挡光层与消反射层502的界面有微细的凹凸面构成双方共有的不均匀层，因而可使此界面上的反射光显著降少，反射率达到20％以下。在本例中，于玻璃基板的入射光侧也以同样的方法设有消反射层502-1。
下面说明有关电子电路制造的第二实施例。
于第一实施例制得的光掩模坯料上形成保护层510，在减压下按压压模509，在表面上构成曲率半径40nm的微细的凹凸结构511(图51)。这种微细的凹凸面能减少反射光，具有良好的光吸收性。为了制成光掩模，在上述保护层上密接上硬掩模，以波长为400～450nm的单色光照射。照射后用显影液显影，除去被照射部的保护层而露出挡光层503的一部分，继而在盐酸中进行Cr的侵蚀，露出消反射层503的一部分。这一状态的示意性剖面图如图52所示。再以丙酮溶解掉残留的保护层，进行充分地洗净即得到Cr的细微的压模。
按上述方式制得的光掩模的线宽由于反射光与干涉至少而能具有很好的精度，但由于密接着硬掩模，考虑到需要进行压模的烧结，这种线宽取定为5～10μm。于是对于需要不到1μm线宽的当前的集成电路布线图案，以采用缩小投影曝光法合适，为此，提高照射光的透过率，消除无用光的反射与干涉至关重要。此外，上述微细的凹凸面由于能降低保护层表面的反射，也可用于在晶片上构成的保护层表面中，烧结出渗润少的线路图案，于晶片上再现精度良好的线宽。
下面说明有关电子电路制造的第三实施例。
现说明用于制造上述压模509的其它方法。在平滑研磨的玻璃基板上，通过旋转涂层法涂布上最大0.5μm膜厚的光刻胶进行保护。通过缩小到1/10的曝光机。按1μm线宽，用具有1μm角度间隙的光掩模在上述光刻胶上成像。当把紫外光用作光源时，会在图像中产生渗润现象，于是在光刻胶中会产生间隔为1μm的强曝光部分和弱曝光部分、不曝光部分。然后用显影液使光刻胶显影，除去曝光部分。这一状态的剖面由图53示意地表明。标号512指玻璃基板，标号513指光刻胶层。光刻胶的膜厚不可能那样正确的控制。可在0.3～0.5μm程度间调整，通过曝光除去部分的深度最大限于0.3μm左右。显像后洗净，再于90°下进行约10分钟烘烤，使已有除去部分的表面成为稳定面，通过前述方法制成压模。这样制得的压模514具有图54所示的剖面，其凹凸尺寸从微观上看是有偏差的。这种压模近似于对单层地固定有粒度为100nm的SiO2超微粒子的表面进行复制的表面的性质与状态，成为不均匀的层。因此，由本实施例制得的压模除用于本发明中外，还可用在其它的透明树脂体上消除去表面的反射光。若以电子射线曝光法来取代当外线曝光，则可形成更微细的凹凸面。
下面说明有关电子电路制造的第四实施例。
图55为缩小投影曝光装置的示意图，标号515指用作照射源的高压水银灯，标号516指聚光透镜，标号517指光掩模，标号518指掩模架，标号519指缩小透镜系列，标号520指晶片，标号521指上端晶片夹具，标号522指定位用x-y台，标号523指光刻胶层。在光掩模的图案形成的一侧和另一侧形成有前述的微细的凹凸面，减弱照射光的反射与干涉，使透过率提高。至于缩小透镜系列，通常是由约8～11块透镜组成，用来消除各种像差，但透镜表面的反散光以及散射光会给图像的对比度带来不利影响，光透过量也会减少。作为照射源的水银灯光的波长是在300～450nm的范围内且具有某种程度的宽度，但尽可能采短的波长。于是，对于透镜的性能来说，与高的分辨率相比，更要求有好的对比度。
本实施例中则于透镜的表面上形成细微的凹凸面使折射率连续变化以减轻反射光，由此得以在良好的对比度下成像。这种细微的凹凸面乃是从80nm的SiO2超微粒子单层地密实排列固定成的面复制而成。因此凹凸部分的高低差不超过40nm，不均匀层的厚度也不会超过40nm。复制中，首先于透镜表面上固定上述超微粒子，可以用这个面复制到金属模具上作为模型。为了在透镜表面上形成复制面需要有薄的树脂层，在此所用的是硅烷耦合材料，但也可使用聚酯系、聚氨脂系、环氧系以及氟系树脂等。不论是哪一种，总是要求这种树脂对侵蚀液有稳定性。由于照射源是紫外光，树脂就有一个老化问题，但由于每次照射的时间只是数秒，在实际应用中不会有障碍。此外，应用复制方法也容易进行修复工作。虽然可以把取直接由单层形式密实排列固定有SiO2超微粒子的母模用于缩小透镜系列中，此时应采用的粒度为40～50nm。
本发明的使反射光减弱的超微粒子面，由于是在透镜(镜片)成形时形成，就不需用传统的由多层金属模形成的消反射层，可以使操作工序简化和降低制造成本。此外，由于能够采用注射模塑成形方法，也就能够连续地制造具有减弱反射光功能的透镜。在改进由手造成的污染以及疏水性等方面以氟系涂层材料フロテ一ド(住友3M(株)制造)为有效，折射率也比1.36和MgF2的折射率的纸，有利于减弱反射光。
再有，本发明的太阳电池可具有使折射率连续变化的消反射功能，但由于能在制作母模时通过选择超微粒子的粒径来选择防止反射的光的波长区域，就能够制备出具有与光能分布相一致的消反射功能的太阳电池。此外，通过将光电变换元件固定到微细凹凸面上可以扩大受光面积，就能在相同的基面面积下制得电流容量大的电池。
再有，具备本发明的消反射层的光学元器件一类的光磁记录载体，能在减弱激光在基板表面上的反射光的同时，提高从记录面上反射的光的到达效率，而得以更清晰地读出记录。这是由于空气和这种元器件表面的干涉光少所致。
再有，本发明的感光材料能在通向照相乳剂的光路上所存在物质的界面上最大限度地抑制光反射来增加光的透过量的同时，减轻晕光和光照现象。此外，在印相纸中，能防止表面上的眩光而得以看清明晰的图像。
再有，利用本发明的方法制得的光掩模毛坯，在经过保护层涂布、图案烧结、腐蚀等处理工序而用作为光掩模时，能从挡光层的表面上减少不需要的反射光而最大限度地排除干涉光的发生，确保给出清晰的图案的曝光。
权利要求
1.一种凸超微粒子面结构，由压模复制而成，该压模具有凹超微粒子面作为复制面，可复制出为减弱光反射和/或提高采光效率，由SiO2等形成的折射率连续变化的凸超微粒子面。
2.以权利要求1所述面结构为采光面的太阳电池。
3.具有权利要求1所述面结构的记录载体。
4.具有权利要求1所述面结构的胶片、板件等一类片状材料。
5.具有权利要求1所述面结构在表面、背面或界面上的透镜。
6.具有权利要求1所述面结构的感光胶片、印相纸等感光体。
7.利用权利要求1所述面结构设于从光源到保护层的光路中多个受光面的至少一个面上或是前述保护层的表面上的装置所制造出的集成电路。
8.在树脂透镜的表面、背面或界面的至少一种面上形成有曲率半径为15～150nm的微细凹面和/或凸面的眼镜片。
9.用权利要求1所述的由压模复制形成有微细凹面和/或凸面的眼镜片的制造方法。
10.将用于减弱光反射和/或提高采光效率的由SiO2等形成的折射率连续变化的超微粒子面作为第一母模的复制面，设置于采光机构的至少一部分之中的太阳电池。
11.将折射率连续变化的超微粒子面为母模的复制面用作第二个之后的母模的复制面，设置于采光机构的至少一部分之中的太阳电池。
12.将光电变换元器件固定到采用前述第一母模或第二个以后的母模的复制面上的太阳电池。
13.在具有能由激光的入射光和/或其反射光读出的记录的载体上，将可用来提高相当于上述激光的入射光和/或其反射光的波长的激光照射到记录面上的到达效率和从此记录面上所反射的光的到达效率的使折射率连续变化的超微粒子层，至少设置于其一部分中所成的记录载体。
14.如权利要求13所术的记录载体，特征在于所述超微粒子是SiO2。
15.具有由复制权利要求13的记录载体的超微粒子层所成的层的记录载体。
16.在复制权利要求15中所述记录载体的超微粒子层而得到的微细凹部中，充填的折射率较构成此凹部的物质的折射率为低的物质所构成的记录载体。
17.以复制权利要求13所述超微粒子层所得的复制面为母模，由设有半球形的纤细的凸部组成的记录载体。
18.以复制权利要求13所述超微粒子层所得的复制面为母模，由设有半球形的纤细的凸部组成的透明树脂膜或板。
19.把用于减弱反射，提高采光效率的由SiO2组成的折射率连续变化的超微粒子面作为第一母模的复制面。形成于光所透过的各物质层的界面中至少一个界面上的感光材料。
20.把折射率连续变化的超微粒子面为母模的复制面用作第二个以后的母模的复制面，形成于光所透过的各物质层的界面中至少一个界面上的感光材料。
21.在由光学方法形成集成电路时，对于由构成衬底表面的薄膜和保护膜等组成的叠层面和/或由照射源到此叠层面的光路内所设置的光掩模、透镜等光透过体的至少一个面上，用复制方式形成能使折射率连续变化的具有15～150nm深度的微细凹凸面，以减少在上述叠层和和上述光透过体上的照射光与透射光的反射率的方法。
22.以投影曝光法为手段形成使折射率连续变化的15～150nm深度的微细凹凸面的方法。
23.应用权利要求21或22所述的方法来制作IC或LSI等集成电路的曝光装置。
24.根据权利要求21或22所述的方法制作的IC或LSI等集成电路。
25.应用权利要求24所述集成电路的芯片。
全文摘要
本发明的目的是在透镜、太阳电池的采光面、光盘等记录载体、感光胶片等感光体以及集成电路的制造装置中，减弱光反射和提高采光效果。为此在透镜等的表面和/或界面上形成凸超微粒子面。所用到的方法，特别是用具有以SiO
文档编号G11B11/10GK1146810SQ96190116
公开日1997年4月2日 申请日期1996年2月16日 优先权日1995年2月17日
发明者小野光太郎, 角田宪治 申请人:鹫兴产株式会社