专利名称：防止晶圆表面不平及曝光中失焦的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种防止晶圆表面不平及曝光中失焦 的方法。
背景技术：
半导体制造工艺中，光刻和刻蚀工艺得到广泛的应用，光刻的过程主要包括形成 光刻胶层；使用光刻机对光刻胶层进行图案化；以所述图案化之后的光刻胶层为掩膜进行 刻蚀；刻蚀之后将剩余的光刻胶去除。随着工艺水平的不断提高，器件的特征尺寸(CD， critical dimension)在不断减小，特别是进入90nm工艺以后，光刻胶层图案化过程中的 聚焦问题越来越重要，聚焦不准或者失焦(defocus)现象将会严重降低制造过程的良率 (yield)。在专利号为5780204的美国专利中公开了一种改善光刻工艺的方法，用来避免光 刻工艺中的失焦问题，该方法在光刻前对晶圆背面进行清洗抛光，提高晶圆背面的平整性， 消除先前工艺在晶圆背面形成的缺陷，诸如划伤(scratch)或是残留的微粒(particle) 等，防止了光刻过程中的失焦问题。现有技术还公开了一种防止曝光中失焦的方法，具体为在光刻工艺前，使用酸性 清洗液对晶圆背面进行清洗，所述清洗液为氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)的混合溶液，比例为 50 1，以此来消除光刻之前的工艺步骤对晶圆背面造成的污染和缺陷，恢复晶圆背面的 平整性，这些污染和缺陷包括划伤或是残留的微粒等。现有技术对晶圆背面清洗过程中，清洗液会对晶圆背面的硅材料形成侵蚀，使得 晶圆的厚度略微减小。发明人发现，晶圆周边区域受侵蚀的程度要高于晶圆中心区域。由 于半导体制造过程中涉及到多次光刻工艺，在经过多次清洗抛光之后，会造成晶圆中心区 域的厚度大于周边区域的厚度，如图1所示，晶圆100中心区域的厚度明显大于周边区域的 厚度。晶圆厚度不一致会导致光刻过程中晶圆发生轻微的晃动，造成光刻工艺中的聚焦不 准和失焦问题。特别是在65nm或者更高工艺水平下，由于通孔的直径非常小，进行光刻工 艺中的曝光时，失焦现象尤其严重，严重影响了产品的良率。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种防止晶圆表面不平及曝光中失焦的方法，避免清洗 过程造成的晶圆厚度不均勻现象，防止由晶圆厚度不均勻造成的曝光过程中的失焦问题。本发明提供了一种防止晶圆表面不平的方法，包括如下步骤提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面 上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层。可选的，所述保护层的材料为抗酸性溶液侵蚀的材料。可选的，所述保护层的材料为NDC(siliCOn carbon nitride，掺氮碳化硅)。
可选的，所述保护层的厚度为500埃至1500埃。可选的，所述保护层的形成方法为等离子增强化学气相沉积(PECVD)。本发明还提供了一种防止曝光中失焦的方法，包括如下步骤提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面 上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层；在所述半导体器件层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光。可选的，所述保护层的材料为抗酸性溶液侵蚀的材料。可选的，所述保护层材料为NDC(siliCOn carbon nitride，掺氮碳化硅)。可选的，所述保护层的厚度为500埃至1500埃。可选的，所述保护层的形成方法为等离子增强化学气相沉积(PECVD)。与现有技术相比，上述公开的技术方案有如下优点上述公开的防止晶圆表面不平的方法中，在晶圆背面形成一层抗酸性溶液侵蚀的 保护层，避免了清洗过程造成的晶圆厚度不均勻现象。上述公开的防止曝光中失焦的方法，在晶圆的背面形成一层抗酸性溶液侵蚀的保 护层，防止了由于晶圆被酸性溶液侵蚀导致表面不平以及由此造成的曝光过程中的失焦问 题。
图1是现有技术下经过多次清洗后的晶圆剖面结构示意图；图2是本发明的第一实施例的流程示意图；图3至图7是本发明的第一实施例的剖面结构示意图；图8至图11是本发明的第二实施例的剖面结构示意图。
具体实施例方式本发明提供了一种防止晶圆表面不平及曝光中失焦的方法，在晶圆背面形成一层 保护层，避免了清洗抛光过程造成的晶圆厚度不均勻现象，防止了光刻曝光过程中的失焦 问题。为使本发明的方法、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具 体实施方式做详细的说明。本发明提供了一种防止晶圆表面不平的方法，包括提供基底，所述基底具有第一 面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的 第二面形成保护层。下面以刻蚀晶圆表面的介质层为例，对上述方案的具体实施方式
进行 详细说明。图2给出了本发明的第一实施例的流程示意图。如图2所示，执行步骤Si，提供基 底，具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层； 执行步骤S2，在所述基底的第二面形成保护层；执行步骤S3，在所述基底的第一面形成介 质层；执行步骤S4，在所述介质层上旋涂光刻胶，形成光刻胶层；执行步骤S5，对所述基底的第二面进行清洗；执行步骤S6，对所述光刻胶层进行图案化，以所述光刻胶层为掩膜进 行刻蚀，对所述介质层进行图案化。图3至图7给出了本发明的第一实施例的剖面结构示意图。如图3所示，提供基底200，所述基底200具有第一面200a和第二面200b，所述第 一面200a与第二面200b相对，在所述基底200的第一面200a上形成有半导体器件。所述基底200的材质可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅中的一种，所述基底200的材 质也可以是锗硅化合物，所述基底200还可以是绝缘体上硅(S0I，Silicon On Insulator) 结构或者硅上外延层结构。在所述基底200中形成有半导体器件(未示出)，例如具有栅 极、源极和漏极的金属氧化物半导体场效应晶体管等。如图4所示，在所述基底200的第二面200b上形成保护层201。所述保护层201的材料为抗酸性溶液侵蚀的材料，本实施例中优选为 NDC(silicon carbon nitride，掺氮碳化硅)。选用NDC作保护层有两方面作用，一方面是 NDC和所述基底200背面的硅材料相比，对所用的清洗液(HF HNO3 = 50 1)有较高的 选择比，在清洗过程中受到的侵蚀较小，从而避免了侵蚀造成的所述基底200厚度不均勻 的问题；另一方面，NDC与硅材料之间有着良好的粘附性，较容易在所述基底200的第二面 表面覆盖形成保护层。所述保护层201的厚度是500埃至1500埃，本实施例中优选的厚度为1000埃。所述保护层203的形成方法是等离子增强化学气相沉积(PECVD)，将所述晶圆放 入等离子增强化学气相沉积反应腔中，通入反应物气体，主要是四甲基硅烷和氨气，反应后 形成掺氮碳化硅，沉积在所述基底200背面，形成保护层201。所述等离子增强化学气相沉积的反应气氛为氦气(He)；所述等离子增强化学气 相沉积的压强为3mtorr至^itorr，本实施例中优选的压强为3. 5mtorr ；所述等离子增强 化学气相沉积的功率为600瓦至900瓦，本实施例中优选的功率为800瓦；所述等离子增强 化学气相沉积的反应时间为20秒至M秒，本实施例中优选的反应时间为22秒；所述等离 子增强化学气相沉积中四甲基硅烷(TMS)的流量为300sCCm至400sCCm，本实施例中优选 的四甲基硅烷的流量为350sCCm ；所述等离子增强化学气相沉积中所述反应物氨气的流量 为llOOsccm至1300sCCm，本实施例中优选的氨气的流量为1200sCCm ；所述等离子增强化 学气相沉积中所述氦气的流量为llOOsccm至1300sCCm，本实施例中优选的氦气的流量为 1200sccmo如图5所示，在所述基底200的第一面200a上形成介质层202。所述介质层201可以是氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等中的一种，介 质层的形成方法可以是化学气相沉积(CVD)。本实施例中优选的介质层材料为氧化硅。如图6所示，在所述介质层202上旋涂光刻胶，形成光刻胶层203。在形成光刻胶层203之前，为了保证所述基底200的第二面的清洁和平整，对所述 基底200的第二面200b进行清洗，本实施例中选用的清洗液为氢氟酸与硝酸的混合溶液， 比例为50 1。如图7所示，对所述光刻胶层203进行图案化，以所述光刻胶层203为掩膜进行刻 蚀，对所述介质层202进行图案化。由于之前已经形成了保护层201，避免了清洗过程对所述基底200造成侵蚀导致所述第二面200b平整度降低，在对所述光刻胶203曝光图案化的过程中不会出现失焦现象。本发明还提供了一种防止曝光中失焦的方法，包括提供基底，所述基底具有第一 面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的 第二面形成保护层；在所述半导体器件层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光。下 面以刻蚀晶圆表面的金属层为例，对上述方案的具体实施方式
进行详细说明。图8至图11给出了本发明的第二实施例的剖面结构示意图。如图8所示，提供基底300，所述基底300具有第一面300a和第二面300b，所述第 一面300a和第二面300b相对，所述基底300的第一面300a形成有介质层301和金属层 302。所述基底300的材料及其形成方法参照第一实施例。所述介质层301的材料参照第一实施例中介质层201的材料。所述介质层301中 具有接触孔和栓塞(plug)(未示出)，栓塞的材料为金属钨。所述金属层302可以是铝或者铜，本实施例中为铜。铜的形成方法为化学电镀，首 先在所述介质层301上沉积形成阻挡层和铜籽晶层(seed layer)(未示出)，然后使用化学 电镀，形成金属层302，本实施例中所述金属层302为第一层金属互连层。如图9所示，在所述基底300的第二面300b上形成保护层303。所述保护层303的材料参照第一实施例。如图10所示，在所述金属层302上形成光刻胶层304。在所述金属层302上形成光刻胶层304之前，还包括对所述金属层302进行化学 机械抛光以保证其平整度。由于形成了保护层303，使得所述基底300的厚度比较均勻，在 化学机械抛光的过程中不会发生轻微的晃动，提高了化学机械抛光的抛光质量。在化学机 械抛光之后形成光刻胶层304之前，还包括对所述基底300的第二面300b进行清洗，以保 证其清洁和平整。如图11所示，经过光刻和刻蚀工艺，对所述金属层302进行图案化。由于形成了保护层303，清洗过程不会对所述基底300的第二面300b造成侵蚀，防 止了基底300厚度不一致造成的曝光失焦问题。实际上，所述保护层的形成次序可以调整，比如在对第一层金属层进行刻蚀之前 或之后，甚至可以在所述基底300的第二面300b仍然平整的情况下，即清洗过程尚未造成 基底表面不平之前形成保护层303，以防止之后的清洗过程对基底300造成侵蚀，避免由此 造成的光刻曝光过程中的失焦问题，本技术领域人员可以根据实际情况进行调整，在此不 应过分限制本发明的保护范围。另外，本发明的保护层一般不用多次形成，在半导体基底的 第二面形成保护层后，由于保护层不受清洗液的侵蚀，在清洗过程中消耗不大，因此无需在 每次曝光之前进行形成保护层的步骤。同时，由于形成保护层的步骤一般仅需一次，对于半 导体工艺的复杂度影响不大。作为对比，发明人进行了相关实验，取晶圆A和晶圆B，晶圆A背面没有形成保护 层，而晶圆B的背面则形成保护层，对晶圆A和晶圆B的背面各进行30次清洗过程，清洗液 为氢氟酸和硝酸的混合液，比例为50 1。所述晶圆A在30次清洗过程中共损失的厚度 约为1500埃，这里厚度的定义是指晶圆外围边缘区域的厚度。而增加了 NDC保护层的晶圆B，在经过30次清洗之后，NDC保护层受侵蚀损失的厚度总计为5埃。因此，保护层有效的 保护了晶圆，可以防止由清洗过程造成的厚度不均勻现象，从而避免由此造成的光刻曝光 过程中的失焦问题。综上，本发明提供了一种防止晶圆表面不平及曝光中失焦的方法。与现有技术相 比，本发明在晶圆的背面形成了一层保护层，避免了在清洗过程造成的晶圆厚度不均勻现 象，防止了光刻曝光过程中的失焦问题。虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术 人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应 当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种防止晶圆表面不平的方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形 成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层。
2.根据权利要求1所述的防止晶圆表面不平的方法，其特征在于 为抗酸性溶液侵蚀的材料。
3.根据权利要求2所述的防止晶圆表面不平的方法，其特征在于 为掺氮碳化硅。
4.根据权利要求1所述的防止晶圆表面不平的方法，其特征在于 为500埃至1500埃。
5.根据权利要求1所述的防止晶圆表面不平的方法，其特征在于 方法是等离子增强化学气相沉积。
6.根据权利要求1所述的防止晶圆表面不平的方法，其特征在于 步骤在第一层金属互连层形成之后。
7.一种防止曝光中失焦的方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层；在所述半导体器件层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光。
8.根据权利要求7所述的防止曝光中失焦的方法，其特征在于所述保护层的材料为 掺氮碳化硅。
9.根据权利要求7所述的防止曝光中失焦的方法，其特征在于所述保护层的厚度为 500埃至1500埃。
10.根据权利要求7所述的防止曝光中失焦的方法，其特征在于所述保护层的形成步 骤在所述基底的第一面上形成第一层金属互连层形成之后。所述保护层的材料 所述保护层的材料 所述保护层的厚度 所述保护层的形成 所述保护层的形成
全文摘要
一种防止晶圆表面不平的方法，包括提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层。一种防止曝光中失焦的方法，包括提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层；在所述半导体器件层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光。本发明避免了清洗过程造成的晶圆厚度不均匀现象，防止了光刻曝光中的失焦问题。
文档编号H01L21/314GK102044432SQ20091019708
公开日2011年5月4日 申请日期2009年10月13日 优先权日2009年10月13日
发明者刘焕新, 周鸣 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司