其 固化，从而形成剥离剂层。
[0191] 另外，也可以通过湿法层压或干法层压、热熔层压、熔融挤出层压、共挤出加工等 来进行膜的叠层来调整剥离片的表面张力。即，可以将至少一个面的表面张力处于作为上 述的剥离片的与保护膜形成用膜相接的面的表面张力的优选范围内的膜与其它膜叠层来 制造叠层体，并使得该面为与保护膜形成用膜相接的面，从而制成支撑片。
[0192] 在保护膜形成用复合片上对被粘附物实施切割等所需要的加工的情况下，优选将 在基材上形成了粘合剂层的粘合片作为支撑片使用。在该方式中，保护膜形成用膜被叠层 在设置于支撑片上的粘合剂层上。作为粘合片的基材，可以举出作为剥离片所列举的上述 膜。粘合剂层可以使用弱粘合性粘合剂，所述弱粘合性粘合剂是具有能够剥离保护膜形成 层的程度的粘合力的粘合剂，也可以使用通过能量线照射使粘合力降低的能量线固化性粘 合剂。
[0193] 粘合剂层可以由目前公知的各种粘合剂（例如，橡胶类、丙烯酸类、聚硅氧烷类、 聚氨酯类、乙烯基醚类等通用粘合剂、具有表面凹凸的粘合剂、能量线固化型粘合剂、含有 热膨胀成分的粘合剂等）形成。
[0194] 保护膜形成用复合片的结构为上述结构时，保护膜形成用复合片可获得如下的效 果：在切割工序中作为用于支撑被粘附物的切割片发挥功能的情况下，可保持支撑片与保 护膜形成用膜之间的密合性，从而抑制在切割工序中保护膜形成用膜付芯片从支撑片上剥 离。保护膜形成用复合片在切割工序中作为用于支撑被粘附物的切割片发挥功能的情况 下，不需要在切割工序中令外将切割片贴合在保护膜形成用膜付晶片上进行切割，可以简 化半导体装置的制造工序。
[0195] 在保护膜形成用复合片采取预先成形结构的情况下，可以将保护膜形成用复合片 制成下面的第一结构、第二结构或第三结构。以下，使用图2~4对保护膜形成用复合片 100的各结构进行说明。
[0196] 如图2所示，第一结构是在保护膜形成用膜10的第二表面侧可剥离地形成了粘合 片3的结构，所述粘合片3是在基材1上形成粘合剂层2而得到的，在该结构中，该粘合剂 层为能量线固化性，预先对待叠层保护膜形成用膜的区域进行能量线照射，使粘合性降低， 而在其它区域不进行能量线照射，保持粘合力较高的状态。要仅对其它区域不进行能量线 照射时，例如只要在与支撑片的其它区域对应的区域通过印刷等设置能量线遮蔽层，并从 支撑片侧进行能量线照射即可。
[0197] 如图3所示，第二结构是在保护膜形成用复合片100的粘合剂层2上的不与保护 膜形成用膜10重叠的区域另外设置了夹具粘接层4的结构。作为夹具粘接层，可以采用具 有芯材的双面粘合片、或者由单层的粘合剂构成的层。
[0198] 如图4所示，第三结构是在保护膜形成用膜10与粘合剂层2之间进一步设置了形 状为能够完全包含保护膜形成用膜的形状的界面粘接调整层5的结构。界面粘接调整层可 以是给定的膜，也可以是界面粘接调整粘合剂层。界面粘接调整粘合剂层优选为预先对能 量线固化性的粘合剂进行能量线照射而使其固化而得到的层。
[0199] 通过使保护膜形成用复合片为上述第一结构~第三结构，在包围保护膜形成用膜 的区域，在粘合剂层或夹具粘接层的足够的粘接性的作用下，可以将保护膜形成用复合片 与夹具粘接。与此同时，可以控制保护膜形成用膜与粘合剂层或界面粘接调整层的界面的 粘接性，从而使粘固有保护膜形成用膜或保护膜的芯片的拾取变容易。
[0200] 在保护膜形成用复合片不采取预先成形结构的情况下，即，如图5所示，在保护膜 形成用膜10与支撑片（在图5中，为在基材1上形成有粘合剂层2的粘合片3)为相同形 状的情况下，可以在保护膜形成用膜10的表面（第一表面）的外周部设置夹具粘接层4。 作为夹具粘接层，可以使用与上述同样的夹具粘接层。
[0201] 支撑片的厚度通常为10~500ym，优选为15~300ym，特别优选为20~250ym。 在设置粘合剂层的情况下，支撑片中3~50ym为粘合剂层的厚度。
[0202] 可以在保护膜形成用膜的第一表面预先粘合保护膜。保护膜可以覆盖支撑片为粘 合片时的粘合剂层、夹具粘接层。保护膜可以使用与上述的剥离片同样的膜。
[0203] 保护膜的膜厚通常为5~300ym，优选为10~200ym，特别优选为20~150ym 左右。
[0204] 这样的保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜可以为被粘附物的保护膜。保护膜 形成用膜被粘贴在倒装方式的芯片用半导体晶片或半导体芯片的背面，并通过适当的方法 固化来代替密封树脂而具有保护半导体晶片或半导体芯片的功能。粘贴于半导体晶片上的 情况下，保护膜具有增加晶片强度的功能，因此可以防止晶片的破损等。
[0205] [半导体装置的制造方法]
[0206] 接着，以上述的将保护膜形成用复合片应用于制造半导体装置的情况为例对本发 明的保护膜形成用膜的利用方法进行说明。
[0207] 本发明的半导体装置的制造方法优选包括将上述保护膜形成用复合片的保护膜 形成用膜粘贴在半导体晶片上而得到具有保护膜的半导体芯片的工序。具体来说，在表面 形成有电路的半导体晶片的背面粘贴保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜，然后得到在 背面具有保护膜的半导体芯片。该保护膜优选为半导体晶片或半导体芯片的保护膜。另外， 本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，优选进一步包括以下的工序（1)~（5)，且工 序（1)~（4)按照该顺序进行，而工序（5)按照任意的顺序进行。需要说明的是，如上所述 使用粘合片作为支撑片的情况下，从简化半导体装置的制造工序的观点考虑，优选在进行 工序（1)之前来进行工序（5)。
[0208] 工序⑴：将保护膜形成用膜与支撑片剥离、
[0209] 工序（2):将保护膜形成用膜放置于支撑体上、
[0210] 工序⑶：将保护膜形成用膜固化而得到保护膜、
[0211] 工序（4):将保护膜与支撑体剥离、
[0212] 工序（5):对半导体晶片与保护膜形成用膜或保护膜进行切割。
[0213] 另外，对于本发明的半导体装置的制造方法而言，除了上述工序⑴~（5)以外， 也可以包含下述的工序（6)，可以在上述工序（4)之后进行工序（6)。
[0214] 工序（6):对保护膜进行激光打印。
[0215] 半导体晶片可以为硅晶片，另外，也可以为镓-砷等化合物半导体晶片。对晶片表 面形成电路可通过包含蚀刻法、剥离法等目前被广泛使用的方法在内的各种方法来进行。 接着，对半导体晶片的电路面的相反面（背面）进行磨削。磨削方法没有特别限定，可以利 用采用研磨机等的公知方法来进行磨削。背面磨削时，为了保护表面的电路，在电路面粘贴 被称为表面保护片的粘合片。背面磨削是利用卡盘等将晶片的电路面侧（即，表面保护片 侦D固定，通过研磨机对未形成电路的背面侧进行磨削。晶片磨削后的厚度没有特别限定， 通常为50~500ym左右。
[0216] 然后，根据需要去除背面磨削时产生的破碎层。破碎层的去除通过化学蚀刻或等 离子体蚀刻法等进行。
[0217] 接着，在半导体晶片的背面粘贴上述保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜。然 后，按顺序进行工序（1)~（4)，并以任意的顺序进行工序（5)。作为一个例子，对于按照工 序（5)、（1)、（2)、（3)、（4)的顺序进行的情况进行说明。
[0218] 首先，在表面形成有电路的半导体晶片的背面粘贴上述保护膜形成用复合片的保 护膜形成用膜（第一表面）。
[0219] 接着，按每个晶片表面上所形成的电路将半导体晶片和保护膜形成用膜进行切 害J。切割以将晶片和保护膜形成用膜一起切断的方式进行。在保护膜形成用复合片上切割 半导体晶片的情况（在工序（1)之前进行工序（5)的情况）下，优选使用粘合片作为保护膜 形成用复合片的支撑片，该粘合片隔着保护膜形成用膜可以起到支撑半导体晶片的切割片 的作用。该情况下，在保护膜形成用复合片的内周部隔着保护膜形成用膜粘贴半导体晶片， 并在保护膜形成用复合片的外周部与环状框架等其它夹具接合，粘贴在半导体晶片上的保 护膜形成用复合片被固定于装置中，进行切割。在保护膜形成用复合片上的半导体晶片的 切割可以与公知的使用了切割片的通常的方法同样地进行。
[0220] 然后，将切割后的芯片（带有保护膜形成用膜的芯片）利用开口夹等通用装置拾 取，从保护膜形成用膜的第二表面将支撑片剥离。
[0221] 接着，在保护膜形成用膜（第二表面）上临时固定支撑体，得到按照芯片、保护膜 形成用膜及支撑体的顺序叠层而成的叠层体。
[0222] 支撑体只要是其表面具有平滑性的材质即可，没有特别限定，可以举出例如硅晶 片、玻璃板、由聚甲基丙烯酸甲酯板等有机树脂制成的板等。这些支撑体的表面粗糙度（Ra) 优选为200nm以下，更优选为0. 01~100nm。本发明中的表面粗糙度（算术平均粗糙度Ra) 是基于JISB0601 ;2001标准，在测定长度10mm、扫描速度0.Imm/秒、数据采样间距80ym 的条件下，使用表面粗糙度测量仪（三丰（Mitutoyo)株式会社制造，SV-3000S4)测定的值。 另外，保护膜形成用膜具有热固化性的情况下，优选支撑体具有耐热性。作为具有耐热性的 支撑体，可以举出例如硅晶片、玻璃板。
[0223] 然后，对保护膜形成用膜进行热固化或能量线固化，在芯片背面形成保护膜。在保 护膜形成用膜中添加热固化性成分（BI)或热固化性的固化性聚合性成分（AB)，同时添加 了能量线固化性成分（B2)或能量线固化性的固化性聚合物成分（AB)的情况下，可以同时 进行加热固化及能量线照射固化，也可以依次进行加热固化及能量线照射固化。作为所照 射的能量线，可以举出紫外线（UV)或电子束（EB)等，优选使用紫外线。其结果是在晶片背 面形成由固化树脂形成的树脂膜，与单独的晶片的情况相比，提高了强度，因此能够减少对 变薄的晶片进行处理时的破损。另外，与在芯片的背面直接涂布树脂膜用涂布液来成膜的 涂敷法相比，保护膜厚度的均匀性优异。
[0224] 接着，将支撑体从保护膜上剥离，得到带有保护膜的芯片。按照这样的本发明，可 以简便地在芯片背面形成厚度均匀性高的保护膜，且在切割工序、包装之后不易产生裂纹。 另外，由于是将支撑体临时固定在保护膜形成用膜（第二表面），然后进行固化，因此，可以 抑制在第二表面因固化反应而引起的变形，从而可以将支撑体表面的平滑性复制到第二表 面上。其结果，固化后的第二表面的平滑性提高，在后面叙述的激光打印工序中，激光打印 在保护膜的第二表面的文字的视觉辨认度得到提高。
[0225] 接着，优选对保护膜（第二表面）进行激光打印。激光打印采用激光标识法进行， 通过照射激光而削去保护膜的表面，由此在保护膜上标记产品型号等。按照本发明的半导 体装置的制造方法，保护膜的第二表面复制了支撑体的平滑性，因此具有与支撑体同等程 度的平滑性。因此，打印在保护膜的第二表面上的产品型号等的视觉辨认度优异。
[0226] 最后，通过利用倒装方式将带有保护膜的芯片安装在给定的基板上来制造半导体 装置。另外，还可以通过将在背面具有保护膜的半导体芯片粘接在晶垫部或其它半导体芯 片等其它构件上（芯片搭载部上）来制造半导体装置。
[0227] 本发明的保护膜形成用膜及使用了该膜的保护膜形成用复合片除了上述的使用 方法以外，还可以用于半导体化合物、玻璃、陶瓷、金属等的保护。
[0228] 实施例
[0229] 以下，通过实施例来说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。需要说明的 是，在以下的实施例或比较例中，按照以下方法对<第二表面的再剥离性 >、<第一表面及 第二表面的粘接力 >、<探针粘性值 >及<激光标识适应性>进行了测定、评价。
[0230] <第二表面的再剥离性>
[0231] 使用粘合片粘贴装置（琳得科株式会社制造，AdwillRAD3600F12)、在工作台温度 60°C下将保护膜形成用膜的第一表面粘贴在研磨成厚度350ym的硅晶片的研磨面（#2000 加工）上，得到了硅晶片和保护膜形成用膜的叠层体。
[0232] 接着，在上述叠层体的保护膜形成用膜侧（第二表面）上粘贴切割胶带（琳得科 株式会社制造，D-676H)，将上述叠层体切割成2mmX2mm并进行拾取，由此得到了带有保护 膜形成用膜的芯片。
[0233] 如图6所示，在100°C、300g、10秒钟的条件下将上述芯片的保护膜形成用膜的第 二表面粘贴