利用保护膜的产品加工方法与流程

本发明涉及精密元件加工技术领域，具体而言，涉及一种利用保护膜的产品加工方法。

背景技术：

目前，在制备具有特殊形状及尺寸要求的产品时，通常采用在基体材料上进行成膜加工并通过冲裁以得到所需产品。在此种方式下，由于基体上的成膜层与基体材料存在差异，因此在进行冲裁操作时，会产生龟裂、毛刺、碎屑等问题。

技术实现要素：

本发明提供一种利用保护膜的产品加工方法，以解决现有技术中的产品成型难度大的问题。

本发明提供了一种利用保护膜的产品加工方法，加工方法包括：将保护膜与基体贴合后形成具有成膜的形状的基体复合层，且基体复合层上对应于成膜的形状的区域为空穴，基体复合层上对应于非成膜的形状的区域覆盖有保护膜；对具有成膜的形状的基体复合层进行成膜加工；将成膜加工后的基体复合层上的保护膜除去；根据预设产品形状对除去保护膜的基体复合层进行裁切处理，以获取产品。

进一步地，具有成膜的形状的基体复合层的形成过程包括：将保护膜贴合在基体上以形成基体复合层；根据预设产品中成膜的形状对基体上的保护膜进行裁切，并除去基体上的保护膜的具有预设产品中成膜的形状的部分，以形成具有成膜的形状的基体复合层。

进一步地，具有成膜的形状的基体复合层的形成过程包括：根据预设产品中成膜的形状对保护膜进行裁切，以获取具有成膜的形状的保护膜；将具有成膜的形状的保护膜贴合在基体上以形成具有成膜的形状的基体复合层。

进一步地，基体的基材包括有机塑料。

进一步地，成膜加工为均匀成膜、不均匀成膜和精确成膜中的其中一种。

进一步地，根据预设产品中成膜的形状对基体上的保护膜进行裁切包括：根据预设产品中成膜的形状在保护膜上划分成膜形状区域以及应力释放区域；裁具根据成膜形状区域以及应力释放区域对保护膜进行裁切；其中，根据成膜形状区域以及应力释放区域对保护膜进行裁切时的裁切深度大于或等于保护膜的厚度。

进一步地，成膜加工后的基体复合层上的成膜厚度不大于保护膜的厚度。

进一步地，保护膜的厚度不大于200微米。

应用本发明的技术方案，在形成具有成膜形状的基体复合层后，对具有成膜的形状的基体复合层进行成膜加工，将成膜加工后的基体复合层上的保护膜除去，并根据预设产品形状对除去保护膜的基体复合层进行裁切处理以获取产品，此种方式在进行产品的制作时，只需对基材本身进行裁切，降低了成型难度，极大地提高了产品的生产效率。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明第一实施例提供的利用保护膜的第一类产品的加工方法流程图；

图2示出了根据本发明第一实施例提供的利用保护膜的第二类产品的加工方法流程图；

图3示出了根据本发明第二实施例提供的利用保护膜的第一类产品的加工方法流程图；

图4示出了根据本发明第二实施例提供的利用保护膜的第二类产品的加工方法流程图；

图5示出了根据本发明具体实施例提供的具有阴线的保护膜的主视图；

图6示出了图5中具有阴线的保护膜的俯视图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、保护膜；20、基体；30、离型膜；40、成膜；50、空穴；a、均匀成膜；b、不均匀成膜；c、精确成膜；l、阴线。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

如图1至图2所示，根据本发明的具体实施例提供了一种利用保护膜的产品加工方法，该加工方法包括将保护膜10与基体20贴合后形成具有成膜40的形状的基体复合层，且基体复合层上对应于成膜40的形状的区域为空穴，基体复合层上对应于非成膜的形状的区域覆盖有保护膜10，对具有成膜40的形状的基体复合层进行成膜加工，将成膜加工后的基体复合层上的保护膜10除去，根据预设产品形状对除去保护膜10的基体复合层进行裁切处理，以获取产品。

应用此种配置方式，在形成具有成膜形状的基体复合层后，对具有成膜40的形状的基体复合层进行成膜加工，将成膜加工后的基体复合层上的保护膜10除去，并根据预设产品形状对除去保护膜10的基体复合层进行裁切处理以获取产品，此种方式在进行产品的制作时，只需对基材本身进行裁切，降低了成型难度，极大地提高了产品的生产效率。本发明的此种配置方式相对于现有技术中通过在成膜上覆盖保护膜以缓冲冲裁应力的方式而言，由于不需要对成膜进行裁切，因此避免了由于成膜层与基体材料存在差异所产生龟裂、毛刺、碎屑等问题。

进一步地，如图1和图2所示，作为本发明的第一实施例，为了获得具有成膜的形状的基体复合层，可通过将保护膜10贴合在基体20上以形成基体复合层，根据预设产品中成膜40的形状对基体20上的保护膜10进行裁切，并除去基体20上的保护膜10的具有预设产品中成膜40的形状的部分，以形成具有成膜40的形状的基体复合层。

具体地，在本发明中，为了提高产品的生产量，将保护膜10贴合在基体20上以形成基体复合层，贴合完成之后，根据预设产品中成膜的形状对基体20上的保护膜10进行裁切，以在保护膜10上形成多个对应于成膜的形状结构的保护膜部分。裁切完成之后，将保护膜10上所形成的对应于多个成膜的形状结构的保护膜部分去除，以形成具有成膜的形状的基体复合层。

其中，在本发明中，基体20的基材包括pet、pp、pe等有机塑料，但不局限于此。保护膜10为包括亚克力、硅胶、聚氨酯系等具有黏着剂的保护膜，以及各种自黏着的保护膜。进一步地，在本发明中，保护膜10的厚度不大于200微米。其中，为了获取具有成膜40的形状的基体复合层，在本发明中可根据所需获得的成膜40的形状来进行裁切治具的设计。为了保证被裁切的对应于预设产品中成膜40的形状的保护膜部分能够顺利剥离保护膜10，可将裁切治具裁切的深度设置为大于或等于保护膜10的厚度。

在本发明中，对应于预设产品中成膜40的形状的保护膜部分的裁切可以选择在将保护膜10贴合在基体20上之后进行，也可选择在将保护膜10贴合在基体20之前即进行保护膜10的裁切。如图3和图4所示，根据本发明的第二实施例，具有成膜40的形状的基体复合层的形成过程包括：根据预设产品中成膜40的形状对保护膜10进行裁切，以获取具有成膜40的形状的保护膜10，将具有成膜40的形状的保护膜10贴合在基体20上以形成具有成膜40的形状的基体复合层。

采用此种配置方式，可将保护膜10置于其他部件上进行对应于预设产品中成膜40的形状的保护膜部分的裁切，裁切完成之后将具有预设产品中成膜40的形状的保护膜10放置在基体20上。其中，作为本发明的第二实施例，为了方便保护膜的剥离，其他部件具体可设置为离型膜30。

进一步地，在本发明中，为了减少成膜后撕去多余保护膜时所产生的产品形变，可采取首先将保护膜10贴合在基体20上以形成基体复合层，根据预设产品中成膜40的形状在保护膜10上划分成膜形状区域以及应力释放区域，裁具根据成膜形状区域以及应力释放区域对保护膜10进行裁切，以形成具有成膜的形状的基体复合层，然后对具有成膜40的形状的基体复合层进行成膜加工，最后根据预设产品形状对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理以获取产品。

应用此种产品加工方法，由于在保护膜上划分有成膜形状区域以及应力释放区域，因此，能够减少成膜时产生的应力对产品形状尺寸的影响，以及减少成膜后撕去多余保护膜时所产生产品形变。具体地，在本发明中，产品为基体20上覆盖有成膜40的组合体，预设产品形状包括各种尺寸的三角形、长方形、正方形、五边形、圆形以及其他不规则结构形状。此处所限定的预设产品形状是指产品的样品尺寸，实际所得到的产品的形状尺寸与预设的产品形状允许存在略微差别。

具体地，如图5和图6所示，成膜形状区域为空穴50对应的区域，应力释放区域为阴线l对应的区域。通过对裁切治具进行设计改良，在使用该裁切治具进行保护膜10的切割操作时，能够在对应预设产品中成膜的形状的边缘产生阴线l，作为本发明的第一实施例，成膜的结构形状为圆形结构，通过裁切治具作用，在保护膜10上根据预设产品形状切割形成四个圆形空穴50，沿圆形空穴50的圆周均匀分布有四条阴线l，通过阴线l作用，在进行成膜加工时，能够减少成膜时产生的应力，从而避免对预设产品中成膜的形状及尺寸造成影响。再者，阴线l的作用也能够减少成膜加工后的基体复合层在进行多余保护膜去除时所产生的产品形变，从而提高产品良率。

在本发明的第一实施例中，为了防止对基体20造成损坏且能够保证被裁切的保护膜的顺利剥离，可将治具裁切的深度设置为与保护膜10一致。可选地，作为本发明的其他实施例，也可将治具裁切的深度设置为大于保护膜10的厚度。

进一步地，在本发明中，根据预设产品形状对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理包括：将成膜加工后的基体复合层上的保护膜10除去，对除去保护膜10的基体复合层进行裁切处理。

具体地，成膜加工后的基体复合层上的成膜40的厚度不大于保护膜10的厚度。具体地，如图1和图2所示，成膜加工包括三种，分别为均匀成膜a、不均匀成膜b和精确成膜c。其中，均匀成膜a为气相沉积成膜，不均匀成膜b为液相成膜，精确成膜c为3d打印类。在本发明的具体实施例中，对于基体复合层进行成膜加工具体包括使用cvd、pvd、pecvd等的气体沉积成膜方法和悬涂、微凹、狭缝等液体成膜方法以及精确成膜方法。

进一步地，为了保证产品的良率，对除去保护膜10的基体复合层进行裁切处理包括沿着所需要的产品的形状边缘进行裁切以使得最后得到的产品的形状尺寸等于或大于顾客指定的预设产品形状尺寸，但是所超出的部分不应超出顾客所规定的最大范围。具体地，在本发明中，如图1所示，裁切所得到的第一类产品的形状尺寸等于预设产品的形状尺寸，如图2所示，裁切所得到的第二类预设产品形状尺寸大于预设产品的形状尺寸。为了保证产品的良率及便于模组安装，在对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理的裁切尺寸应设置为大于预设产品的形状尺寸。

为了对本发明有进一步理解，下面结合附图1、5和6对本发明的第一实施例所制备产品的过程进行详细说明。

第一，将保护膜10贴合在基体20上以形成基体复合层，根据预设产品中成膜40的形状在保护膜10上划分成膜形状区域以及应力释放区域，裁具根据成膜形状区域以及应力释放区域对保护膜10进行裁切，以在基体20的保护膜上冲裁出顾客规定预设产品中成膜40的形状及大小，其中，根据成膜40的形状对保护膜10进行裁切时的裁切深度等于保护膜10的厚度。

具体地，如图5和图6所示，成膜形状区域为空穴50对应的区域，应力释放区域为阴线l对应的区域。通过对裁切治具进行设计改良，在使用该裁切治具进行保护膜10的切割操作时，能够在对应预设产品中成膜40的形状的边缘产生阴线l，作为本发明的第一实施例，成膜40的结构形状为圆形结构，通过裁切治具作用，在保护膜10上根据成膜40的形状切割形成四个圆形空穴50，沿圆形空穴50的圆周均匀分布有四条阴线l，通过阴线l作用，在进行成膜加工时，能够减少成膜时产生的应力，从而避免对成膜40的形状及尺寸造成影响。再者，阴线l的作用也能够减少成膜加工后的基体复合层在进行多余保护膜去除时所产生的产品形变，从而提高产品良率。

第二，将与预设产品中成膜40的形状相对应的保护膜部分从保护膜10上去除，以形成具有预设产品中成膜40的形状的基体复合层。其中，如图5所示，成膜40的形状为圆形。

第三，对具有成膜40的形状的基体复合层进行成膜加工，并将多余的保护膜10去除。沿着所需要的预设产品形状的边缘进行裁切或冲切，以得到所需要的产品，其中，如图1所示，所获得的第一类产品的形状尺寸等于预设产品的形状尺寸。

为了保证产品的良率及便于模组安装，也可如图2所示，在对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理时，使所获得的第二类产品的形状尺寸大于预设产品的形状尺寸。

作为本发明的第二实施例，如图3和图4所示，在获取具有预设产品中成膜40的形状的基体复合层时，可在将保护膜10贴覆在基体20之前，先根据预设产品中成膜40的形状对保护膜10进行裁切，以获取具有预设产品中成膜40的形状的保护膜10，然后将具有预设产品中成膜40的形状的保护膜10贴合在基体20上以形成基体复合层。具体地，将保护膜10贴合在离型膜30上，根据预设产品中成膜40的形状在保护膜10上划分成膜形状区域以及应力释放区域，裁具根据成膜形状区域以及应力释放区域对离型膜30上的保护膜10进行裁切，以获取具有预设产品中成膜40的形状的保护膜10。

该第二实施例在进行预设产品中成膜40的形状的裁切时，是通过将保护膜10放置在离型膜30上进行的，使用裁具在保护膜10上冲裁出所需的预设产品中成膜40的形状及大小，并去除对应于预设产品中成膜40的形状的保护膜部分，以预先形成具有成膜40的形状的保护膜10。然后利用卷对卷贴合装置，将预先形成的具有成膜40的形状的保护膜10贴合在基体20表面，以形成具有成膜40的形状的基体复合层。最后，对该基体复合层进行成膜加工，并对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理以获取产品。

在本实施例中，根据预设产品形状对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理包括：将成膜加工后的基体复合层上的保护膜10除去；对除去保护膜10的基体复合层进行裁切处理。具体地，成膜加工后的基体复合层上的成膜40的厚度不大于保护膜10的厚度。在本发明中，如图3和图4所示，成膜加工包括三种，分别为均匀成膜a、不均匀成膜b和精确成膜c。其中，均匀成膜a为气相沉积成膜，不均匀成膜b为液相成膜，精确成膜c为3d打印类。在本发明的具体实施例中，对于基体复合层进行成膜加工具体包括使用cvd、pvd、pecvd等的气体沉积成膜方法和悬涂、微凹、狭缝等液体成膜方法以及精确成膜方法。

进一步地，为了保证产品的良率，对除去保护膜10的基体复合层进行裁切处理包括沿着所需要的产品的形状边缘进行裁切或冲切以使得最后得到的产品的形状尺寸等于或大于顾客指定的预设产品形状尺寸，但是所超出的部分不应超出顾客所规定的最大范围。具体地，如图3所示，根据本发明的第二实施例经裁具裁切所得到的第一类产品的形状尺寸等于预设产品的形状尺寸，如图4所示，裁切所得到的第二类产品的形状尺寸大于预设产品的形状尺寸。为了保证产品的良率及便于模组安装，在对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理的裁切尺寸应设置为大于预设产品的形状尺寸。

为了对本发明有进一步理解，下面结合附图3、5和6对本发明的第二实施例所制备产品的过程进行详细说明。

第一，将保护膜10贴合在离型膜30上，根据预设产品中成膜40的形状在保护膜10上划分成膜形状区域以及应力释放区域，裁具根据成膜形状区域以及应力释放区域对离型膜30上的保护膜10进行裁切，以获取具有预设产品中成膜40的形状的保护膜10。利用卷对卷贴合装置将具有预设产品中成膜40的形状的保护膜贴合在基体20上以形成基体复合层，其中，根据预设产品中成膜40的形状对保护膜10进行裁切时的裁切深度等于保护膜10的厚度。

具体地，如图5和图6所示，成膜形状区域为空穴50对应的区域，应力释放区域为阴线l对应的区域。通过对裁切治具进行设计改良，在使用该裁切治具进行保护膜10的切割操作时，能够在对应预设产品中成膜40的形状的边缘产生阴线l，通过裁切治具作用，在保护膜10上根据预设产品中成膜40的形状切割形成四个圆形空穴50，沿圆形空穴50的圆周均匀分布有四条阴线l，通过阴线l作用，在进行成膜加工时，能够减少成膜时产生的应力，从而避免对预设产品中成膜40的形状及尺寸造成影响。再者，阴线l的作用也能够减少成膜加工后的基体复合层在进行多余保护膜去除时所产生的产品形变，从而提高产品良率。

第二，将与预设产品中成膜40的形状相对应的保护膜部分从保护膜10上去除，以形成具有预设产品中成膜40的形状的基体复合层。其中，如图5所示，预设产品形状为圆形。

第三，对具有预设产品中成膜40的形状的基体复合层进行成膜加工，并将多余的保护膜10去除。沿着所需要的预设产品形状的边缘进行裁切或冲切，以得到所需要的产品。为了保证产品的良率及便于模组安装，在对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理的裁切尺寸设置为大于预设产品形状尺寸。其中，如图3所示，根据本发明的第二实施例所获得的第一类产品的形状尺寸等于预设产品的形状尺寸。

为了保证产品的良率及便于模组安装，也可如图4所示，在对成膜加工后的基体复合层进行裁切处理时，使所获得的第二类产品的形状尺寸大于预设产品的形状尺寸。

如上所述，本发明的利用保护膜的产品加工方法生产效率高、生产成本低且产品良率高，因此，可以利用本发明的产品加工方法来制备包括光学器件、传感器件等在内的各种对形状加工有着精密要求的产品。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。