专利名称：一种非均匀介质基板的制备方法
一种非均匀介质基板的制备方法
技术领域：
本发明涉及复合材料技术领域，特别的，涉及一种非均匀介质基板的制备方法。背景技术：
近年来，随着雷达探测、卫星通信、航空航天等高新技术的快速发展，以及抗电磁干扰、隐形技术、微波暗室等研究领域的兴起，微波吸收材料的研究越来越受到人们的重视。
超材料可以现出非常奇妙的电磁效应，可用于吸波材料和隐形材料等领域，成为吸波材料领域研究的热点。超材料的性质和功能主要来自于其内部的结构，如何精确制备具有周期排列的三维精细结构成为超材料制备技术的关键。超材料的加工过程主要是将带有金属微结构阵列的PCB基板叠层在一起，各层基板之间填充其他介质。传统的PCB基板大多为均匀介质基板，介电常数难以调节。虽然陶瓷复合材料有更宽的介电常数范围，但是陶瓷复合材料存在加工困难，需要高温，价格昂贵等缺点。
发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种非均匀介质基板的制备方法，能够得到非均匀介质基板，从而根据需求得到不同的介电常数。为解决上述技术问题，本发明一实施例提供了一种非均匀介质基板的制备方法，该方法包括在第一模室内注入第一高分子材料，得到第一胚体，该第一胚体由第一高分子材料层、以及位于该第一高分子材料层下方的凸牙和凹槽组成；在第二模室内注入第二高分子材料，得到第二胚体，该第二胚体由第二高分子材料层、以及位于该第二高分子材料层上方的凸牙和凹槽组成；将第一胚体与第二胚体进行拼接，使第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚体；去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层，获得非均匀介质基板。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点通过在模具中注入高分子材料，形成具有凸牙和凹槽第一胚体、以及具有凸牙和凹槽的第二胚体，第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌，得到第一高分子材料和第二高分子材料相互交替的介质基板。由于不同的区域介电常数不同，因此可以根据需求进行调节，得到不同的介电常数，工艺流程简单，精确度高。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图I是本发明实施例提供的一种非均匀介质基板的制备状态图；图2是本发明实施例一提供的一种非均匀介质基板的制备方法流程图；图3是本发明实施例二提供的一种非均匀介质基板的制备方法流程图；图4是本发明实施例三提供的一种非均匀介质基板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。首先，为了本领域技术人员更容易理解本发明的技术方案，下面对本发明的制备状态进行描述。参见图1，为本发明实施例提供的一种非均匀介质基板的制备状态图。101为制备非均匀介质基板所需的模具状态图，该模具包括上层模具11、中层模具12、以及下层模具13。其中，上层模具11和下层模具13具有可注入高分子材料的开口及相应的控制阀(图I中未示出)。102为将上层模具11与中层模具12拼接，以及将中层模具12与下层模具13拼接所示的状态图。其中，上层模具11与中层模具12拼接得到第一模室14，中层模具12与下层模具13拼接得到第二模室15。103为在第一模室14中注入第一高分子材料得到第一胚体16、以及在第二模室15内注入第二高分子材料得到第二胚体17后所示的状态图。104为将中层模具12分别与上层模具11和下层模具13分离所示的状态图。105为将上层模具11与下层模具13进行拼接得到第三胚体18所示的状态图。106为将第三胚体18与上层模具11和下层模具13分离所示的状态图。107为去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层，得到非均匀介质基板所示的状态图。以上可知，本发明实施例获得非均匀复合材料基板的工艺流程简单，另外采用高分子材料制备，价格合理。实施例一、参见图2，为本发明实施例一提供的一种非均匀介质基板的制备方法流程图，该制备方法包括S201 :在第一模室内注入第一高分子材料，得到第一胚体，该第一胚体由第一高分子材料层、以及位于该第一高分子材料层下方的凸牙和凹槽组成。其中，第一高分子材料根据所需的具体电磁参数进行选择，例如可选择聚丙烯、丙烯腈树脂、或者环氧树脂中的任意一种。
S202 :在第二模室内注入第二高分子材料，得到第二胚体，该第二胚体由第二高分子材料层、以及位于该第二高分子材料层上方的凸牙和凹槽组成。其中，第二高分子材料为与第一高分子材料不同的材料，根据所需的具体电磁参数进行选择，例如可选择聚丙烯、丙烯腈树脂、或者环氧树脂中的任意一种。S203 :将第一胚体与第二胚体进行拼接，使第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚体。S204 :去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层，获得非均匀介质基板。本实施例中，通过在模具中注入高分子材料，形成具有凸牙和凹槽第一胚体、以及具有凸牙和凹槽的第二胚体，第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌，得到第一高分子材料和第二高分子材料相互交替的介质基板。由于不同的区域介电常数不同，因此可以根据需求进行调节，得到不同的介电常数，工艺流程简单，精确度高。 参见图3，为本发明实施例二提供的一种非均匀介质基板的制备方法流程图，该方法包括S301 :制备上层模具、中层模具、以及下层模具。具体的，制备如图I中所示的上层模具11、中层模具12、以及下层模具13。S302:将上层模具与中层模具进行拼接，得到第一模室，该第一模室由第一通道、以及位于第一通道下方且与第一通道相连的凹槽和凸牙组成。S303:将下层模具与中层模具进行拼接，得到第二模室，该第二模室由第二通道、以及位于第二通道上方且与第二通道相连的凹槽和凸牙组成。S304:在第一模室内注入第一高分子材料，得到第一胚体，该第一胚体由第一高分子材料层、以及位于该第一高分子材料层下方的凸牙和凹槽组成。其中，第一胚体的形状与第一模室的空腔形状相对应。S305 :在第二模室内注入第二高分子材料，得到第二胚体，该第二胚体由第二高分子材料层、以及位于该第二高分子材料层上方的凸牙和凹槽组成。其中，第二胚体的形状与第二模室的空腔形状相对应。S306 :将中层模具分别与上层模具和下层模具分离。S307 :在第一胚体边缘涂敷一层粘稠状的第一高分子材料或者第二高分子材料。在具体的实施过程中，S37也可以用如下步骤来替代在第二胚体边缘涂敷一层粘稠状的第一高分子材料或者第二高分子材料。S308:将上层模具与下层模具进行拼接，使得第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌。S309 :将第三胚体分别与上层模具和下层模具分离。S310 :去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层，获得非均匀介质基板。在具体的实施过程中，可采用剖光的方式去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层。本实施例相对于实施例一，首先制备上层模具、中层模具和下层模具，然后拼接得到第一模室和第二模室。
参见图4，为本发明实施例三提供的一种非均匀介质基板的制备方法流程图，该方法包括S401 :制备上层模具、中层模具、以及下层模具。具体的，制备如图I中所示的上层模具11、中层模具12、以及下层模具13。S402:将上层模具与中层模具进行拼接，得到第一模室，该第一模室由第一通道、以及位于第一通道下方且与第一通道相连的凹槽和凸牙组成。S403:将下层模具与中层模具进行拼接，得到第二模室，该第二模室由第二通道、以及位于第二通道上方且与第二通道相连的凹槽和凸牙组成。S404:在第一模室内注入第一高分子材料，得到第一胚体，该第一胚体由第一高分子材料层、以及位于该第一高分子材料层下方的凸牙和凹槽组成。其中，第一胚体的形状与第一模室的空腔形状相对应。 S405 :在第二模室内注入第二高分子材料，得到第二胚体，该第二胚体由第二高分子材料层、以及位于该第二高分子材料层上方的凸牙和凹槽组成。其中，第二胚体的形状与第二模室的空腔形状相对应。S406 :将中层模具分别与上层模具和下层模具分离。S407:将上层模具与下层模具进行拼接，使得第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌。S408 :对第一胚体和第二胚体进行加热，使第一胚体和第二胚体形成一体。S409 :将第三胚体分别与上层模具和下层模具分离。S410 :去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层，获得非均匀介质基板。在具体的实施过程中，可采用剖光的方式去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层。本实施例相对于实施例二，采用加热的方式将第一胚体与第二胚体粘结在一起，在具体的实施过程中，选择适合的实施例。以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
权利要求
1.一种非均匀介质基板的制备方法，其特征在于，包括 在第一模室内注入第一高分子材料，得到第一胚体，该第一胚体由第一高分子材料层、以及位于该第一高分子材料层下方的凸牙和凹槽组成； 在第二模室内注入第二高分子材料，得到第二胚体，该第二胚体由第二高分子材料层、以及位于该第二高分子材料层上方的凸牙和凹槽组成； 将第一胚体与第二胚体进行拼接，使第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚体； 去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层，获得非均匀介质基板。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法之前还包括 将上层模具与中层模具进行拼接，得到第一模室，该第一模室由第一通道、以及位于第一通道下方且与第一通道相连的凹槽和凸牙组成； 将下层模具与中层模具进行拼接，得到第二模室，该第二模室由第二通道、以及位于第二通道上方且与第二通道相连的凹槽和凸牙组成。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法之前还包括 制备上层模具、中层模具、以及下层模具。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将第一胚体与第二胚体进行拼接，使第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌，包括 将中层模具分别与上层模具和下层模具分离； 将上层模具与下层模具进行拼接，使得第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将上层模具与下层模具进行拼接之前，还包括 在第一胚体边缘涂敷一层粘稠状的第一高分子材料或者第二高分子材料。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将上层模具与下层模具进行拼接之前，还包括 在第二胚体边缘涂敷一层粘稠状的第一高分子材料或者第二高分子材料。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将第一胚体与第二胚体进行拼接，使第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌之后还包括 对第一胚体和第二胚体进行加热，使第一胚体和第二胚体形成一体。
8.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层之前，还包括 将第三胚体分别与上层模具和下层模具分离。
9.根据权利要其I所述的方法，其特征在于，所述第一高分子材料层为聚丙烯、丙烯腈树脂、或者环氧树脂。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二高分子材料层为聚丙烯、丙烯腈树脂、以及环氧树脂中与第一高分子材料不同的任意一种。
全文摘要
本发明提供了一种非均匀介质基板的制备方法，该方法包括在第一模室内注入第一高分子材料，得到第一胚体，该第一胚体由第一高分子材料层、以及位于该第一高分子材料层下方的凸牙和凹槽组成；在第二模室内注入第二高分子材料，得到第二胚体，该第二胚体由第二高分子材料层、以及位于该第二高分子材料层上方的凸牙和凹槽组成；将第一胚体与第二胚体进行拼接，使第一胚体的凸牙和凹槽与第二胚体的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚体；去除第三胚体上的第一高分子材料层和第二高分子材料层，获得非均匀介质基板。以得到非均匀介质基板，工艺流程简单，精确度高。
文档编号B29D7/00GK102909872SQ20111021940
公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月2日 优先权日2011年8月2日
发明者刘若鹏, 赵治亚, 法布里齐亚, 刘宗彬, 王文剑 申请人:深圳光启高等理工研究院, 深圳光启创新技术有限公司