半导体封装工艺用热塑性脱模膜、及使用其的电子部件的制造方法与流程

本发明涉及半导体封装工艺用热塑性脱模膜、及使用其的电子部件的制造方法等。

背景技术：

1、以往，在多层印刷布线板、柔性印刷布线板等各种封装基板上的半导体元件的树脂模制工序时，为了得到树脂固化后的封装树脂与模具的脱模性，一般使用脱模膜(参见专利文献1及2)。

2、作为这种脱模膜，广泛使用比较而言耐热性、脱模性及模具追随性优异的乙烯-四氟乙烯共聚物(etfe)、聚四氟乙烯(ptfe)等氟树脂膜。例如专利文献3中公开了一种树脂模制成型用脱模膜，其特征在于，其为由热塑性的四氟乙烯系共聚物形成的树脂模制成型用脱模膜，其中，膜的长度方向及宽度方向的长度的伸缩率均在0～-10％的范围内。

3、但是，使用了氟树脂膜的脱模膜大量含有作为卤素原子的氟原子，氟树脂膜的热分解产物附着于模具内表面而污染模具，由此容易在树脂模制部引起外观不良，不仅脱模性存在改善的余地，而且存在价格比较高的问题。进而，在废弃氟树脂膜时的焚烧时，担心生成氟化氢、全氟异丁烯等有害物质，因此需要特殊的回收处理，还存在通用性差的问题。

4、因此，作为这种脱模膜，正在研究作为非氟树脂的特殊聚苯乙烯(ps)、聚甲基戊烯(pmp)等的使用，但这些树脂的耐热性差，在高温时的封装工艺中膜搬运性差，安装于模具内表面时容易产生褶皱，该褶皱转印于成型品的表面而容易产生外观不良，存在模具追随性差等问题。

5、另一方面，作为非氟树脂，也研究了交联环状聚烯烃类的使用。例如，专利文献4中公开了使含有易位聚合催化剂和可易位聚合的环烯烃类而成的液状物在载体上聚合而得到的交联树脂膜，研究了将其作为脱模膜使用。另外，专利文献5中公开了由包含交联环状烯烃聚合物和与该聚合物不相容的弹性体的树脂组合物形成的脱模膜，研究了将其在半导体封装工序中作为脱模膜使用。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本特开2000-167841号公报

9、专利文献2：日本特开2001-250838号公报

10、专利文献3：日本特开2001-310336号公报

11、专利文献4：日本特开2001-253934号公报

12、专利文献5：日本特开2011-178953号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、然而，专利文献4中记载的交联树脂膜缺乏柔软性(模具追随性)，另外，脱模性也差，因此作为树脂模制工序时使用的模具保护用的脱模膜的适性差。

3、另一方面，专利文献5中记载的脱模膜虽然柔软性和脱模性得到改善，但由于将包含交联环状烯烃聚合物、与该聚合物不相容的弹性体的树脂组合物，以及包含聚合催化剂的聚合性组合物进行本体聚合而得到，因此高粘性液体的均匀搅拌的困难性、未反应单体的残留、用于抑制热失控的精密的反应温度控制成为问题，生产率差。另外，专利文献5中记载的脱模膜的拉伸强度比较低，因此在比较高的温度(例如175℃)下用作模具保护用的脱模膜的情况下，引起容易产生褶皱等外观不良。

4、本发明是鉴于上述课题而完成的。即，本发明的目的在于提供一种半导体封装工艺用热塑性脱模膜及使用其的电子部件的制造方法等，该半导体封装工艺用热塑性脱模膜的成本较低，能够实现不含卤素，厚度精度及脱模性优异，而且高温时的压缩模制成型时的膜搬运性及模具追随性良好且褶皱的产生少，能够实现减少树脂模制部的外观不良的发生。

5、用于解决课题的手段

6、本技术的发明人为了解决上述课题而对各种脱模膜进行了深入研究，结果新发现了一种至少含有热塑性结晶性环状聚烯烃及聚烯烃系热塑性弹性体、且在动态粘弹性谱测定中具有规定的储能模量的新型热塑性树脂膜，并且发现通过将其用作半导体封装工艺用的脱模膜，可解决上述课题，从而完成了本发明。

7、即，本发明提供以下所示的各种具体方式。

8、(1)半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其至少含有热塑性结晶性环状聚烯烃及聚烯烃系热塑性弹性体，

9、在动态粘弹性谱测定中，80～150℃范围内的储能模量的最低值e’1与175℃时的储能模量e’2满足下述式(1)及(2)：

10、10mpa≤e’1≤100mpa   (1)

11、e’1≥e’2   (2)。

12、(2)如(1)中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，在上述动态粘弹性谱测定中，上述e’2满足下述式(3)：

13、10mpa≤e’2≤100mpa   (3)。

14、(3)如(1)或(2)中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，含有15～75质量％的上述热塑性结晶性环状聚烯烃、及5～75质量％的上述聚烯烃系热塑性弹性体。

15、(4)如(3)中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，还含有3～45质量％的高熔融张力聚丙烯。

16、(5)如(4)中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，上述高熔融张力聚丙烯包含熔融张力(230℃)为3～30g、且熔体流动速率(基于jis k7210：1999，230℃，2.16kg负荷)为0.9g～15g/10分钟以下的具有长链分支结构的丙烯系聚合物。

17、(6)如(1)～(5)中任一项中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其在差示扫描量热测定中冷结晶热量为5.0j/g以下。

18、(7)如(1)～(6)中任一项中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其具有10μm以上300μm以下的膜厚度。

19、(8)如(1)～(7)中任一项中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，上述聚烯烃系热塑性弹性体包含选自由乙烯-α-烯烃共聚物、丙烯-α-烯烃共聚物及乙烯-丙烯-二烯共聚物组成的组中的1种以上。

20、(9)如(1)～(8)中任一项中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，上述热塑性结晶性环状聚烯烃具有250℃以上的熔点。

21、(10)电子部件的制造方法，其至少具有下述工序：

22、准备工序，将(1)～(9)中任一项中记载的半导体封装工艺用热塑性脱模膜配置于封装装置的模具的内表面，其中，上述封装装置是对排列在基板上的半导体元件的一部分或全部在上述模具内进行树脂封装的封装装置；

23、向配置有上述半导体封装工艺用热塑性脱模膜的上述模具内投入树脂的工序；

24、封装工序，将上述模具合模而使上述半导体元件与上述树脂密合，从而对上述半导体元件的一部分或全部进行树脂封装；以及

25、脱模工序，使上述半导体封装工艺用热塑性脱模膜从上述模具剥离。

26、(11)如(10)中记载的电子部件的制造方法，其中，上述基板是多层印刷布线板及/或柔性印刷布线板。

27、发明效果

28、根据本发明的一个实施方式，能够实现下述半导体封装工艺用热塑性脱模膜以及使用其的电子部件的制造方法等，该半导体封装工艺用热塑性脱模膜的成本较低，能够实现不含卤素，不仅厚度精度及脱模性优异，而且高温时的压缩模制成型时的膜搬运性及模具追随性良好且褶皱的产生少，能够减少树脂模制部的外观不良的发生。