1.半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其至少含有热塑性结晶性环状聚烯烃及聚烯烃系热塑性弹性体，
2.如权利要求1所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，在所述动态粘弹性谱测定中，所述e’2满足下述式(3)：
3.如权利要求1或2所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，含有15～75质量％的所述热塑性结晶性环状聚烯烃、及5～75质量％的所述聚烯烃系热塑性弹性体。
4.如权利要求3所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，还含有3～45质量％的高熔融张力聚丙烯。
5.如权利要求4所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，所述高熔融张力聚丙烯包含熔融张力(230℃)为3～30g、且熔体流动速率(基于jis k7210：1999，230℃，2.16kg负荷)为0.9g～15g/10分钟以下的具有长链分支结构的丙烯系聚合物。
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其在差示扫描量热测定中冷结晶热量为5.0j/g以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其具有10μm以上300μm以下的膜厚度。
8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，所述聚烯烃系热塑性弹性体包含选自由乙烯-α-烯烃共聚物、丙烯-α-烯烃共聚物及乙烯-丙烯-二烯共聚物组成的组中的1种以上。
9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体封装工艺用热塑性脱模膜，其中，所述热塑性结晶性环状聚烯烃具有250℃以上的熔点。
10.电子部件的制造方法，其至少具有下述工序：
11.如权利要求10所述的电子部件的制造方法，其中，所述基板是多层印刷布线板及/或柔性印刷布线板。