反应烧结碳化硅陶瓷挡板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于精细陶瓷制品技术领域，尤其涉及一种反应烧结碳化硅陶瓷挡板。
【背景技术】
[0002]在陶瓷生产中，绝大多数企业都采用辊道窑进行烧成。辊道窑，又称辊底窑，主要用于瓷砖等陶瓷建材的生产。辊道窑是连续烧成的窑，陶瓷坯体放置在许多条间隔很密的水平辊子上，靠辊子的转动使陶瓷坯体从窑头传送到窑尾。
[0003]辊道窑按所用燃料的不同分为煤烧辊道窑、气烧辊道窑和油烧辊道窑三种，而煤烧辊道窑由于其燃料成本低、造价低等原因得以广泛应用，特别是一些中小企业的墙地砖生产。但因使用煤作燃料，燃烧时产生杂质，烧成中容易产生落脏问题，污染产品，严重影响产品质量。因此在设计窑炉时，一般在窑炉上部加上一层挡板，通常选用氧化物结合碳化硅材料，以避免落脏问题。但氧化物结合碳化硅挡板较厚、重量大，不便于安装。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种反应烧结碳化硅陶瓷挡板，以解决现有的氧化物结合碳化硅挡板较厚、重量大，不便于安装的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:反应烧结碳化硅陶瓷挡板，包括挡板本体，所述挡板本体上设有通孔，所述通孔贯穿整个所述挡板本体且所述通孔的延伸方向与所述挡板本体的延伸方向一致；所述挡板本体的一侧设有凸起，所述凸起的延伸方向与所述挡板本体的延伸方向相垂直，所述挡板本体的另一侧设有与所述凸起形状相适配的凹槽。
[0006]作为一种改进，所述凸起设置在所述挡板本体的上部，所述凹槽设置在所述挡板本体的上部。
[0007]作为一种改进，所述凸起设置在所述挡板本体的下部，所述凹槽设置在所述挡板本体的下部。
[0008]作为一种改进，所述凸起设置在所述挡板本体的上部，且所述凸起的高度为所述挡板本体高度的一半，所述凹槽设置在所述挡板本体的下部。
[0009]作为一种改进，所述凸起设置在所述挡板本体的下部，且所述凸起的高度为所述挡板本体高度的一半，所述凹槽设置在所述挡板本体的上部。
[0010]作为一种改进，所述凸起设置在所述挡板本体的中部，所述凹槽设置在所述挡板本体的中部。
[0011]采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是:由于反应烧结碳化硅陶瓷挡板的挡板本体上设计了通孔，因而降低了重量；又由于挡板本体的一侧设有凸起，另一侧设有与所述凸起形状相适配的凹槽，可以通过相邻的两个反应烧结碳化硅陶瓷挡板错缝结合在一起，方便了安装；同时凹凸错缝结合安装后使得结构更加牢固，还可以减少窑炉的热能损耗，达到了节能降耗的目的，降低了生产成本；并且，反应烧结碳化硅陶瓷具有热传导性能好、耐急冷急热、耐高温、抗氧化性好、不变形、寿命长等特点，用反应烧结碳化硅陶瓷替代传统的氧化物结面碳化硅材料，可大幅提高挡板的导热性能，有效调节窑炉温差，保证烧成产品的质量。本实用新型提供的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，降低了重量，方便了安装；可以减少窑炉的热能损耗，达到了节能降耗的目的，降低了生产成本，并保证烧成产品的质量。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型实施例一的结构示意图；
[0013]图2是本实用新型实施例一的使用状态示意图；
[0014]图3是本实用新型实施例二的结构示意图；
[0015]图4是本实用新型实施例二的使用状态示意图；
[0016]图5是本实用新型实施例三的结构示意图；
[0017]图6是本实用新型实施例三的使用状态示意图；
[0018]图中:1、挡板本体，11、通孔，2、凸起，3、凹槽。
【具体实施方式】
[0019]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0020]实施例一
[0021]如图1所示，一种反应烧结碳化硅陶瓷挡板，包括挡板本体1，挡板本体I上设有通孔11，通孔11贯穿整个挡板本体I且通孔11的延伸方向与挡板本体I的延伸方向一致；挡板本体I的一侧设有凸起2，凸起2的延伸方向与挡板本体I的延伸方向相垂直，挡板本体I的另一侧设有与凸起2形状相适配的凹槽3。
[0022]在本实施例中，凸起2设置在挡板本体I的上部，凹槽3设置在挡板本体I的上部。
[0023]当然，本实施例中，凸起2也可以设置在挡板本体I的下部，对应的，凹槽3设置在挡板本体I的下部。
[0024]如图2所示，在使用时，一反应烧结碳化硅陶瓷挡板的凸起2与相邻另一反应烧结碳化硅陶瓷挡板的凹槽3错缝搭接在一起。
[0025]实施例二
[0026]本实施例与实施一基本相同，其不同之处在于，如图3所示，凸起2设置在挡板本体I的上部，且凸起2的高度为挡板本体I高度的一半，凹槽3设置在挡板本体I的下部。
[0027]当然，本实施例中，凸起2也可以设置在挡板本体I的下部，且凸起2的高度为挡板本体I高度的一半，凹槽3设置在挡板本体I的上部。
[0028]如图4所不，在使用时，一反应烧结碳化娃陶瓷挡板与另一翻转180°后的反应烧结碳化硅陶瓷挡板错缝搭接在一起。
[0029]实施例三
[0030]本实施例与实施一基本相同，其不同之处在于，如图5所示，凸起2设置在挡板本体I的中部，凹槽3设置在挡板本体I的中部。
[0031]如图6所示，使用时，一反应烧结碳化硅陶瓷挡板的凸起2与相邻另一反应烧结碳化硅陶瓷挡板的凹槽3错缝插接在一起。
[0032]由于反应烧结碳化硅陶瓷挡板的挡板本体I上设计了通孔11，因而降低了重量；又由于挡板本体I的一侧设有凸起2，另一侧设有与凸起2形状相适配的凹槽3，可以通过相邻的两个反应烧结碳化硅陶瓷挡板错缝结合在一起，方便了安装；同时错缝结合安装后使得结构更加牢固，还可以减少窑炉的热能损耗，达到了节能降耗的目的，降低了生产成本；并且，反应烧结碳化硅陶瓷具有热传导性能好、耐急冷急热、耐高温、抗氧化性好、不变形、寿命长等特点，用反应烧结碳化硅陶瓷替代传统的氧化物结面碳化硅材料，可大幅提高挡板的导热性能，有效调节窑炉温差，保证烧成产品的质量。
[0033]本实用新型提供的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，降低了重量，方便了安装；可以减少窑炉的热能损耗，达到了节能降耗的目的，降低了生产成本，并保证烧成产品的质量。
[0034]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.反应烧结碳化硅陶瓷挡板，包括挡板本体，其特征在于，所述挡板本体上设有通孔，所述通孔贯穿整个所述挡板本体且所述通孔的延伸方向与所述挡板本体的延伸方向一致；所述挡板本体的一侧设有凸起，所述凸起的延伸方向与所述挡板本体的延伸方向相垂直，所述挡板本体的另一侧设有与所述凸起形状相适配的凹槽。2.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，其特征在于，所述凸起设置在所述挡板本体的上部，所述凹槽设置在所述挡板本体的上部。3.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，其特征在于，所述凸起设置在所述挡板本体的下部，所述凹槽设置在所述挡板本体的下部。4.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，其特征在于，所述凸起设置在所述挡板本体的上部，且所述凸起的高度为所述挡板本体高度的一半，所述凹槽设置在所述挡板本体的下部。5.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，其特征在于，所述凸起设置在所述挡板本体的下部，且所述凸起的高度为所述挡板本体高度的一半，所述凹槽设置在所述挡板本体的上部。6.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，其特征在于，所述凸起设置在所述挡板本体的中部，所述凹槽设置在所述挡板本体的中部。
【专利摘要】本实用新型公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷挡板，属于精细陶瓷制品技术领域，包括挡板本体，所述挡板本体上设有通孔，所述通孔贯穿整个所述挡板本体且所述通孔的延伸方向与所述挡板本体的延伸方向一致；所述挡板本体的一侧设有凸起，所述凸起的延伸方向与所述挡板本体的延伸方向相垂直，所述挡板本体的另一侧设有与所述凸起形状相适配的凹槽。本实用新型提供的反应烧结碳化硅陶瓷挡板，降低了重量，方便了安装；可以减少窑炉的热能损耗，达到了节能降耗的目的，降低了生产成本，并保证烧成产品的质量。
【IPC分类】F27B9/30
【公开号】CN204648931
【申请号】CN201520315803
【发明人】亓锡云, 姜刚, 石威, 李华山, 王明祥
【申请人】潍坊华美精细技术陶瓷股份有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月15日