一种废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统的制作方法

文档序号:11209989阅读:862来源:国知局
一种废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统的制造方法与工艺

本发明属于污水处理技术领域,具体涉及一种废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统。



背景技术:

高分子材料:macromolecularmaterial,以高分子化合物为基础的材料。高分子材料是由相对分子质量较高的化合物构成的材料,包括橡胶、塑料、纤维、涂料、胶粘剂和高分子基复合材料,高分子是生命存在的形式。

随着高分子材料应用越来越广泛,高分子材料的废旧物也越来越多,由于该材料特有的结构特性,可将废旧物进行回收后继续利用,重新加工成有用的东西再次利用。但是在重新加工之前需要对回收的高分子材料进行清洗步骤,即是用大量的水冲洗高分子材料,来除去其夹带的杂质。处理后的高分子材料纯度高,这样能够保证重新加工出来的产品的质量。

由于高分子材料清洗量大,清洗后形成大量的废水被直接排放掉,造成了大量的水资源浪费,而且清洗废水中含有很多有毒有害物质,对环境造成了很大的污染。现有针对高分子材料清洗废水的处理系统结构简单,处理不够干净,且处理效率低,不能满足处理大量高分子材料清洗废水的需求。



技术实现要素:

为了克服上述现有技术存在的不足,本发明提供了一种废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统。

为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统,包括底座、废水池、过滤池、絮凝池、混合池、沉淀池和清水池,所述底座内设置有控制器和电机;

所述底座上依次设置有所述絮凝池、过滤池和废水池,所述废水池顶部设置有漏斗形进水口,所述进水口处设置有单向阀,所述废水池底部与所述过滤池顶部连通,所述过滤池底部与所述絮凝池顶部连通;

所述过滤池底部设置有过滤网,所述过滤网倾斜设置,所述过滤网底端对应的所述过滤池外壁上开设有第一排污口,所述过滤池外部设置有排污泵,所述排污泵的入口端通过排污管与所述第一排污口连通,所述絮凝池内设置有第一絮凝剂和搅拌装置,所述搅拌装置的转轴穿过所述絮凝池的底板与所述电机的输出轴连接;

所述清水池位于所述沉淀池的上方,所述清水池的底部与所述沉淀池的顶部连通,所述混合池位于所述沉淀池和所述清水池的侧面,所述混合池内设置有至少两个第一水平板和至少两个第二水平板,所述第一水平板和所述第二水平板间隔设置,所述第一水平板一侧与所述混合池一侧壁固定连接,所述第一水平板另一侧与所述混合池另一侧壁之间具有间隙,所述第一水平板一侧与所述混合池另一侧壁固定连接,所述第一水平板另一侧与所述混合池一侧壁之间具有间隙,所述混合池上端通过第一管道与所述絮凝池连通,所述第一管道上设置有第一电磁阀,所述沉淀池顶部靠近所述清水池设置有混合层,所述混合层内设置有混凝剂,所述沉淀池底部设置有至少一个第二排污口,所述清水池侧壁设置有出水口,所述出水口设置有控制阀;

所述电机、排污泵和第一电磁阀均与所述控制器电连接。

优选地,还包括强化池,所述强化池内放置有第二絮凝剂,所述强化池通过第二管道与所述第一管道连通,所述第二管道上设置有第二电磁阀,所述第二电磁阀与所述控制器电连接。

优选地,所述沉淀池底部开设有回流出口,所述絮凝池侧壁开设有回流进口,所述回流出口和所述回流进口通过第三管道连通,所述第三管道上靠近所述沉淀池设置有第三电磁阀,所述第三管道上靠近所述絮凝池设置有回流泵,所述回流泵和所述第三电磁阀均与所述控制器电连接。

优选地,所述出水口处设置有浊度检测仪,所述浊度检测仪的出口与所述出水口连通。

优选地,所述控制器为89c82单片机。

优选地,所述底座上设置有控制开关,所述控制开关与所述控制器电连接。

优选地,所述混凝剂为硫酸铝和聚丙烯酰胺的混合物。

本发明提供的废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统结构合理,通过过滤池、絮凝池、混合池和沉淀池多级处理,可将该清洗废水的浊度降低到日常清水的浊度要求,且全程自动化操作,处理量大效率高,大大减少了废旧高分子材料清洗废水的排放量和废水对环境的污染,有效地节约了水资源,符合可持续发展的要求,可推广使用。

附图说明

图1为本发明实施例1的废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。

在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明的技术方案和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。

此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定或限定,术语“相连”、“连接”应作广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体式连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以是通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上,在此不再详述。

实施例1

本发明提供了一种废旧高分子材料回收利用清洗废水的处理系统,具体如图1所示,包括底座1、废水池2、过滤池3、絮凝池4、混合池5、沉淀池6和清水池7,底座1内设置有控制器8和电机9,本实施例中控制器8为89c82单片机。

底座1上依次设置有絮凝池4、过滤池3和废水池2,废水池2顶部设置有漏斗形进水口10,进水口10处设置有单向阀31,废水池2底部与过滤池3顶部连通,过滤池3底部与絮凝池4顶部连通;

过滤池3底部设置有过滤网11,过滤网11倾斜设置,过滤网11底端对应的过滤池3外壁上开设有第一排污口,过滤池3外部设置有排污泵12,排污泵12的入口端通过排污管与第一排污口连通,絮凝池4内设置有第一絮凝剂13和搅拌装置14,搅拌装置14的转轴穿过絮凝池4的底板与电机9的输出轴连接;废水首先通过废水池2依次经过过滤池3和絮凝池4进行初步过滤絮凝处理,废水在经过废水池2的过滤网11时将废水中较大的杂质过滤掉,过滤网11的目数根据实际需要选择,本实施例对过滤网11的目数不做任何限定。当过滤网11上积累一定的杂质时,排污泵12开启可将过滤网11上的杂质抽出去,放置过滤网11堵塞。通过过滤网11后进入絮凝池4的废水在絮凝池4中通过搅拌装置14的搅拌,废水和第一絮凝剂13充分混合后进入下一个处理阶段,其中电机9可带动搅拌装置14旋转,节省人力提高效率。

清水池7位于沉淀池6的上方,清水池7的底部与沉淀池6的顶部连通,混合池5位于沉淀池6和清水池7的侧面,混合池5内设置有至少两个第一水平板15和至少两个第二水平板16,第一水平板15和第二水平板16间隔设置,第一水平板15一侧与混合池5一侧壁固定连接,第一水平板15另一侧与混合池5另一侧壁之间具有间隙,第二水平板16一侧与混合池5另一侧壁固定连接,第二水平板16另一侧与混合池5一侧壁之间具有间隙,混合池5上端通过第一管道17与絮凝池4连通,第一管道17上设置有第一电磁阀18,沉淀池6顶部靠近清水池7设置有混合层,混合层内设置有混凝剂19,本实施例中,混凝剂19为硫酸铝和聚丙烯酰胺的混合物,两者的比例根据具体高分子材料而定。沉淀池6底部设置有至少一个第二排污口20,沉淀池6底部的结构类似为v型,第二排污口20设置在池底的最低点。清水池7侧壁设置有出水口32,出水口32设置有控制阀21。从絮凝池4过来的废水通过第一管道17进入混合池5,第一电磁阀18可控制第一管道17的的通断,并在混合池5中通过间隔设置的第一水平板15和第二水平板16的来回折挡后进入沉淀池6,吸附杂质的絮凝物及污染物在沉淀池6中慢慢落入池底,清水则往上走,通过第二排污口20可将池底的污染物排出,清水通过出水口32排出,通过控制阀21控制出水口32的关闭和打开。

本实施例中,电机9、排污泵12和第一电磁阀18均与控制器8电连接,通过控制器8自动控制电机9、排污泵12和第一电磁阀18的开启和关闭,实现自动化操作,节省人力。

为了增强絮凝效果,该系统还包括强化池22,强化池22内放置有第二絮凝剂23,强化池22通过第二管道24与第一管道17连通,第二管道24上设置有第二电磁阀25,第二电磁阀25与控制器8电连接。从絮凝池4过来的废水再通过强化池22加入第二絮凝剂23,提高处理的精度。

进一步地,本实施例中沉淀池6底部开设有回流出口,絮凝池4侧壁开设有回流进口,回流出口和回流进口通过第三管道27连通,第三管道27上靠近沉淀池6设置有第三电磁阀28,第三管道27上靠近絮凝池4设置有回流泵29,回流泵29和第三电磁阀28均与控制器8电连接,当处理废水没有达到要求时,可根据需要将沉淀池6中的处理水回流至絮凝池4进行再次处理。

为提高处理精度,出水口32处设置有浊度检测仪26,浊度检测仪26的出口与出水口32连通,当浊度检测仪26检测到的水不达标时,控制器8将回流泵29和第三电磁阀28打开,进行二次处理。

同时,底座1上设置有控制开关30,控制开关30与控制器8电连接,方便对整个系统进行控制。

以上所述实施例仅为本发明较佳的具体实施方式,本发明的保护范围不限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本发明披露的技术范围内,可显而易见地得到的技术方案的简单变化或等效替换,均属于本发明的保护范围。

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