等离子抛光机的废液处理装置、设备及方法与流程

文档序号:17080272发布日期:2019-03-09 00:10阅读:1049来源:国知局
等离子抛光机的废液处理装置、设备及方法与流程

本发明涉及废液处理技术领域,尤其是涉及一种等离子抛光机的废液处理装置、设备及方法。



背景技术:

表面处理生产过程中会产生大量废水,主要有前处理废水,槽液废水以及后处理废水和清洗水,如不经过处理直接排放会对环境及人体造成很大的危害。目前常用的废水处理方法有沉底法和离子交换法。沉淀法是往废液里加入一些化学试剂(如片碱等)使金属离子沉淀,而离子交换是借助于离子交换剂中的交换离子同废水中的离子进行交换而出去废水中的有害离子。

离子交换法虽然好但对与一般企业而言成本较高,而使用常规沉淀法虽然成本较低,但仍然需要添加各种化学成分,如处理不当容易造成二次废水。

而针对于纳米抛光虽然也是表面处理的一部分,但其溶液配方使用的都是一些环保型配方,所以需要一种成本低,且高效环保的方法来处理纳米抛光废液。



技术实现要素:

本申请的一个目的是提供一种等离子抛光机的废液处理装置、设备及方法。

根据本申请的第一个方面,提供了一种等离子抛光机的废液处理装置,包括:抛光槽、废液沉淀槽、过滤池、过滤装置,

废液沉淀槽上设有第一进液口和第一出液口,所述第一进液口用于将抛光废液流入所述废液沉淀槽内,

过滤池上设有第二进液口、第二出液口和过滤装置,所述第二进液口与所述第一出液口通过管道连通,所述第二进液口用于将经所述废液沉淀槽沉淀后的上清液流入所述过滤池内,使用时,通过过滤装置对过滤池中的上清液进行过滤,所述第二出液口用于将过滤后的上清液排出过滤池进入抛光槽。

在一个实施方式中,废液处理装置的过滤池上还设有第三进液口,用于将抛光液原液和/或水流入过滤池,以调节过滤后的上清液的ph以及浓度,其中抛光液原液为高浓度抛光液溶液。

在一个实施方式中,废液处理装置还包括蒸馏烘干装置、处理塔、风机,用于处理废液沉淀槽中的沉淀部分,其中蒸馏烘干装置、风机均与处理塔连接。

根据本申请的第二个方面,提供了一种等离子抛光机的废液处理设备,包括至少两个如第一方面提供的等离子抛光机的废液处理装置,所述废液处理装置之间呈并联连接,且共用一个抛光槽。

根据本申请的第三个方面,提供了一种等离子抛光机的废液处理方法,包括:

提供如第一方面提供的等离子抛光机的废液处理装置或如第二方面提供的等离子抛光机的废液处理设备;

将抛光槽中的抛光废液抽至废液沉淀槽,保持废液温度在20℃左右;

对废液进行沉降过滤;

将废液沉淀槽中的上清液抽至过滤池;

通过过滤装置对过滤池中的上清液进行过滤;

对过滤后的上清液进行ph以及浓度调节;

将ph以及浓度调节后的上清液抽至抛光槽。

在一个实施方式中,废液处理方法还包括:

将废液沉淀槽中的沉淀部分转移至蒸馏烘干装置;

用加热的方法使沉淀部分中的药剂及水分蒸发掉,剩余固体部分无污染,直接处理。

在一个实施方式中,废液处理方法中采用离心过滤法或原液静置法对废液进行沉降过滤,当为原液静置法时,静置时间为8小时。

在一个实施方式中,废液处理方法中通过过滤装置对过滤池中的上清液进行过滤具体为:

通过与过滤池连接的循环过滤泵来循环过滤,流速控制在0.1m3/min。

在一个实施方式中,废液处理方法中循环过滤泵中设有活性炭滤芯,当达到以下条件之一时,更换所述活性炭滤芯:

单次滤芯过滤时间达到8小时;

循环过滤泵出水量变小。

在一个实施方式中,废液处理方法中对过滤后的上清液进行ph以及浓度调节具体为:

通过加入抛光液原液和/或水的方式将过滤后的上清液的ph调节至6-8,浓度调整为2%-3%。

与现有技术相比,本申请相对于离子交换法减少了前期大量的设备投入以及后期的树脂等耗材的更换,而且使用离子交换法会使用的强酸强碱等化学物品,容易造成人员伤害。相对于常规的沉淀法减少其他化学药剂的添加,避免了二次废液的产生,有利于环境的保护,在一定程度又节省成本。本次使用的沉淀蒸馏加热法处理纳米抛光的废液不用使用任何其他的化学药剂,减少对人体的伤害,方法操作简单,不会造成环境的污染,能够有效的节约成本并提高原液的利用率。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:

图1示出根据本申请一个实施例的等离子抛光机的废液处理装置的结构示意图;

图2示出根据本申请一个实施例的等离子抛光机的废液处理设备的结构示意图;

图3示出根据本申请一个实施例的等离子抛光机的废液处理方法的流程图。

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

下面结合附图对本申请作进一步详细描述。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

请参阅图1,一实施方式的等离子抛光机的废液处理装置,包括:抛光槽11、废液沉淀槽12、过滤池13、过滤装置14。

具体的,废液沉淀槽上12设有第一进液口和第一出液口,所述第一进液口用于将抛光废液流入所述废液沉淀槽12内,

过滤池13上设有第二进液口、第二出液口和过滤装置14,所述第二进液口与所述第一出液口通过管道连通,所述第二进液口用于将经所述废液沉淀槽12沉淀后的上清液流入所述过滤池13内,使用时,通过过滤装置14对过滤池13中的上清液进行过滤,所述第二出液口用于将过滤后的上清液排出过滤池进入抛光槽11。

在一个实施方式中,废液处理装置的过滤池13上还设有第三进液口,用于将抛光液原液和/或水流入过滤池,以调节过滤后的上清液的ph以及浓度,其中抛光液原液为高浓度抛光液溶液。

在一个实施方式中,废液处理装置还包括蒸馏烘干装置15、处理塔16、风机17,用于处理废液沉淀槽中的沉淀部分,其中蒸馏烘干装置15、风机17均与处理塔16连接,处理塔用于处理蒸发后的气体,沉淀部分里面主要是铵盐,加热产生水蒸气排掉即可,剩下的是一些固体,无污染可以直接处理。

在一个实施方式中,等离子抛光机的废液处理设备,包括至少两个等离子抛光机的废液处理装置,所述废液处理装置之间呈并联连接,且共用一个抛光槽。

请参阅图2,等离子抛光机的废液处理设备,包括至少两个等离子抛光机的废液处理装置包括:抛光槽21、废液沉淀槽22、过滤池23、过滤装置24、蒸馏烘干装置25、处理塔26、风机27、废液沉淀槽32、过滤池33、过滤装置34、蒸馏烘干装置35、处理塔36、风机37,抛光槽21中的抛光废液分别进入废液沉淀槽22和废液沉淀槽32,后经两套独立系统处理后再回到抛光槽21。

通过并联连接的多个废液处理装置,能够实现大量处理废液,处理量大,实现废液的连续性处理。

请参阅图3,一实施方式的等离子抛光机的废液处理方法,包括:

ss1、提供如等离子抛光机的废液处理装置或如等离子抛光机的废液处理设备;

具体的,放射性废液处理装置的结构如图1所示,放射性废液处理设备的结构如图2所示。

ss2、将抛光槽中的抛光废液抽至废液沉淀槽,保持废液温度在20℃左右;

具体的,抛光槽中的抛光废液经过第一进液口流入废液沉淀槽12内,通过降温或升温的方式保持废液温度约为20℃,优选的19℃~21℃。

ss3、对废液进行沉降过滤;

具体的,废液处理方法中可以采用离心过滤法或原液静置法对废液进行沉降过滤。

当采用原液静置法时,要求静置时间为8小时以上,考虑废液处理效率,优选8-9小时。

ss4、将废液沉淀槽中的上清液抽至过滤池;

ss5、通过过滤装置对过滤池中的上清液进行过滤;

过滤是过滤里面可能存在的杂质,在一个实施方式中,废液处理方法中通过过滤装置对过滤池中的上清液进行过滤具体为:

通过与过滤池连接的循环过滤泵来循环过滤,而流速的大小与杂质去除率成一定关系,经试验,如下表

根据数据,当流速≤0.1m3/min时,杂质去除率不再明显增加,如果同时考虑废液处理效率,优选流速控制在0.1m3/min。

ss6、对过滤后的上清液进行ph以及浓度调节;

在一个实施方式中,废液处理方法中对过滤后的上清液进行ph以及浓度调节具体为:

通过加入抛光液原液和/或水的方式将过滤后的上清液的ph调节至6-8,优选为7,浓度调整为2%-3%,优选为2.5%。

ss7、将ph以及浓度调节后的上清液抽至抛光槽。

在一个实施方式中,废液处理方法还包括:

将废液沉淀槽中的沉淀部分转移至蒸馏烘干装置;

用加热的方法使沉淀部分中的药剂及水分蒸发掉,剩余固体部分无污染,直接处理。

在一个实施方式中,废液处理方法中循环过滤泵中设有活性炭滤芯,但滤芯会有饱和期,当达到以下条件之一时,更换所述活性炭滤芯:

单次滤芯过滤时间达到8小时;

循环过滤泵出水量变小。

相对于离子交换法减少了前期大量的设备投入以及后期的树脂等耗材的更换,而且使用离子交换法会使用的强酸强碱等化学物品,容易造成人员伤害。相对于常规的沉淀法减少其他化学药剂的添加,避免了二次废液的产生,有利于环境的保护,在一定程度又节省成本。本次使用的沉淀蒸馏加热法处理纳米抛光的废液不用使用任何其他的化学药剂,减少对人体的伤害,方法操作简单,不会造成环境的污染,能够有效的节约成本并提高原液的利用率

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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