一种用于混凝土抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途与流程

技术特征：

1.一种用于混凝土抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料，其特征在于，其化学组成式为KMn₂Sb₃S₇，属于四方晶系，I-4 2m空间群，晶胞参数α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝1，能隙为1.44eV。

2.一种如权利要求1所述的用于混凝土抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料的制备方法，其特征在于以摩尔比为1.0-2.0：1.0-2.0：0.5：2.0-3.0的碳酸钾、金属锰、二元固溶体三硫化二锑和单质硫为原料；以体积比为0.3-0.8：1.0-2.0：2.0-3.0的氨水、水合肼和聚乙二醇400为溶剂；将每0.427-0.652克原料加入3.3-5.8mL所述的溶剂中，在120-180℃环境中反应4-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到四元硫化物半导体材料KMn₂Sb₃S₇。

3.一种用于混凝土抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料，其特征在于，其化学组成式为RbMn₂Sb₃S₇，属于四方晶系，I-4 2m空间群，晶胞参数α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝1，暗红色棒状，能隙为1.43eV。

4.一种如权利要求3所述的用于混凝土抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料的制备方法，其特征在于以摩尔比为1.0-2.0：1.0-2.0：0.5：2.0-3.0的碳酸铷、金属锰、二元固溶体三硫化二锑和单质硫为原料；以体积比为0.3-0.8：1.0-2.0：2.0-3.0的氨水、水合肼和聚乙二醇400为溶剂；将每0.52-0.838克原料加入3.3-5.8mL所述的溶剂中，在120-180℃环境中反应4-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到四元硫化物半导体材料RbMn₂Sb₃S₇。

5.一种如权利要求1或3所述的用于混凝土抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料的用途，其特征在于，作为混凝土防腐光催化材料。

6.一种如权利要求1或3所述的四元硫化物半导体材料的用途，其特征在于，用于制备光电化学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。