一种用于硫酸铵大颗粒结晶系统及工艺的制作方法

文档序号:12894470阅读:3003来源:国知局
一种用于硫酸铵大颗粒结晶系统及工艺的制作方法与工艺

本发明涉及氨法脱硫技术领域,具体为一种用于硫酸铵大颗粒结晶系统及工艺。



背景技术:

传统的氨法脱硫工艺中,硫酸铵提取颗粒结晶相对较小,颗粒没有足够成长时间,形成粉末状或细小颗粒的结晶体,产品二次价值较低。

大颗粒硫酸铵的优点:纯度高,储存运输便利,肥效长久,便于制成控释肥料。国内生产的硫酸铵基本为粒度小于1mm的粉状或微粉状,小颗粒的缺点:晶粒比表面积大,在管道中会吸附较多的酸水,造成管道的腐蚀,另外含有较多的杂质;会使晶浆表观粘度增大,导致放料困难,设备磨损严重;易吸湿结块,影响施撒效果;溶解快,肥效时间短。

结晶阶段过程:过饱和溶液或过冷熔体形成;晶核出现(晶核出现的越少结晶越大);晶体成长;再结晶。

中国专利cn200820145025.0的实用新型,主要涉及大颗粒硫铵的结晶装置,包括结晶器、导流筒、筒形挡板和搅拌器,其特征是搅拌器从结晶器底部垂直伸入到导流筒中,生产的大颗粒粒径达500~2000μm,cn200810154636.6中涉及大颗粒硫铵生产工艺及结晶装置,其特征是从酸洗单元过来的30%~50%的不饱和硫酸铵溶液进入结晶器后,进行真空蒸发,操作温度为40℃~70℃,将水分蒸发得到硫硫铵晶体;结晶过程中硫铵母液在外循环通道中进行换热并消除过量细晶,利用部分结晶器中蒸发出来的低压蒸汽来对进入外循环通道的循环母液进行加热。这种方式对温度的掌握不好,整个结晶过程对温度的要求十分精准,不然结晶无法形成预定的颗粒大小,而且无法进行二次利用,循环率低。



技术实现要素:

针对以上问题,本发明提供了一种用于硫酸铵大颗粒结晶系统及工艺,能够进行智能化的温度控制,对温度的控制精准,而且能够进行二次循环操作,利用率大大提升;可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于硫酸铵大颗粒结晶系统,包括结晶槽、回收槽和盛放槽,还包括回流管道、主控板和第一温度传感器和第二温度传感器,所述回流管道一端与所述回收槽上端相连通,回流管道另一端通过泵体与结晶槽上端相连,所述第一温度传感器安装在泵体与结晶槽的连接端处,所述泵体上安装有第一显示屏,所述第一显示屏、第一温度传感器和主控板之间信号连接;

所述主控板安装在结晶槽上,所述主控板上安装有主控芯片、加热器和继电器,且继电器和加热器均与主控芯片引脚端相焊接;所述主控芯片与第一显示屏和第一温度传感器之间均信号相连;

所述盛放槽安装在结晶槽的下端,结晶槽内横向安装有滚动轴。

作为本发明一种优选的技术方案,所述回收槽底部安装有缓冲罐,所述缓冲罐上安装有一压力阀。

作为本发明一种优选的技术方案,所述结晶槽远离泵体的一端上部安装有进料泵,所述进料泵输入端安装有一导管,该导管与所述压力阀匹配。

作为本发明一种优选的技术方案,所述主控板上安装有多个控制按钮,所述结晶槽一端固定有供电器,所述供电器与主控板电性连接,所述主控板下端安装有第二显示屏,且在结晶槽内安装有第二温度传感器,所述第二温度传感器与第二显示屏通过主控板信号相连。

作为本发明一种优选的技术方案,所述结晶槽一端安装有操作杆,所述操作杆通过安装有结晶槽内侧壁的轴承与转动轴相配合。

作为本发明一种优选的技术方案,所述盛放槽上安装有一恒温槽,所述恒温槽外部呈矩形。

本发明还提供了一种用于硫酸铵大颗粒结晶工艺,包括以下步骤:

步骤1,加入硫酸铵水至结晶槽当中;

步骤2,进行智能化温控,通过设定主控芯片的工作温度阈值,来进行结晶槽内的温度控制,首先通过加热器对结晶槽内加热到41摄氏度到44摄氏度,然后稳定在51摄氏度到54摄氏度温度范围2.5小时到2.8小时进行蒸发处理,待蒸发处理后可进行降温至41-44摄氏度进行晶体析出;利用设定往返次数,实现多次的晶体析出,形成大块的硫酸铵结晶;

步骤3,对步骤2中蒸发处理过程进行温度接收和显示,一旦蒸发后温度达到41-44摄氏度时启动泵体,对结晶槽内的清液进行抽取到回收槽当中,进行液体与固体的分离;

步骤4,转动操作杆,利用轴承带动转轴进行转动,实现晶体的拨动,带动大块的硫酸铵大颗粒落入到盛放槽当中。

作为本发明一种优选的技术方案,所述主控芯片的型号采用arm处理器。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

加入硫酸铵水至结晶槽当中,进行智能化温控,通过设定主控芯片的工作温度阈值,来进行结晶槽内的温度控制,首先通过加热器对结晶槽内加热到41摄氏度到44摄氏度,然后稳定在51摄氏度到54摄氏度温度范围2.5小时到2.8小时进行蒸发处理,待蒸发处理后可进行降温至41-44摄氏度进行晶体析出;利用设定往返次数,实现多次的晶体析出,形成大块的硫酸铵结晶;

第一,能够进行智能化的温度控制,对温度的控制精准;

第二,而且能够进行二次循环操作,利用率大大提升;

第三,设计集成一体化,产率高,而且运输方便;

第四,温度显示智能化,能够及时进行智能化的调整。

附图说明

图1为本发明系统结构示意图;

图2为本发明结晶槽内部示意图;

图3为本发明中主控板内部电路结构示意图;

图4为本发明工艺流程示意图;

图5为本发明中主控芯片线路图。

图中:1-结晶槽;2-泵体;3-回流管道;4-回收槽;5-缓冲罐;6-压力阀;7-第一显示屏;71-第一温度传感器;8-供电器;9-主控板;10-第二显示屏;101-第二温度传感器;11-操作杆;12-盛放槽;13-恒温槽;14-滚动轴;15-轴承;16-主控芯片;17-加热器;18-继电器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例:

请参阅图1至图5,本发明提供一种技术方案:

一种用于硫酸铵大颗粒结晶系统,包括结晶槽、回收槽和盛放槽,还包括回流管道、主控板和第一温度传感器和第二温度传感器,所述回流管道一端与所述回收槽上端相连通,回流管道另一端通过泵体与结晶槽上端相连,所述第一温度传感器安装在泵体与结晶槽的连接端处,所述泵体上安装有第一显示屏,所述第一显示屏、第一温度传感器和主控板之间信号连接;

能够对结晶槽内的温度利用加热器进行加热,采用第一温度传感器和第二温度传感器进行温度的接收,能够判断出结晶槽内的温度大小,从而可以启动泵体进行上层清液的抽取,收集到清液的回收槽进行液体的回收后再次利用到硫酸铵的再次加入中。

所述主控板安装在结晶槽上,所述主控板上安装有主控芯片、加热器和继电器,且继电器和加热器均与主控芯片引脚端相焊接;所述主控芯片与第一显示屏和第一温度传感器之间均信号相连;

能够进行主控板的信号控制,从而使得第一温度传感器、第二温度传感器与第一显示屏和第二显示屏之间进行实时的温度传输,能够清楚在第一显示屏和第二显示屏上进行温度的观察,对结晶槽内的晶体析出实时了解工作流程。

所述盛放槽安装在结晶槽的下端,结晶槽内横向安装有滚动轴,能够搅动大块的结晶,进行收集。

作为本发明一种优选的技术方案,所述回收槽底部安装有缓冲罐,所述缓冲罐上安装有一压力阀。

作为本发明一种优选的技术方案,所述结晶槽远离泵体的一端上部安装有进料泵,所述进料泵输入端安装有一导管,该导管与所述压力阀匹配。

作为本发明一种优选的技术方案,所述主控板上安装有多个控制按钮,所述结晶槽一端固定有供电器,所述供电器与主控板电性连接,所述主控板下端安装有第二显示屏,且在结晶槽内安装有第二温度传感器,所述第二温度传感器与第二显示屏通过主控板信号相连。

作为本发明一种优选的技术方案,所述结晶槽一端安装有操作杆,所述操作杆通过安装有结晶槽内侧壁的轴承与转动轴相配合。

作为本发明一种优选的技术方案,所述盛放槽上安装有一恒温槽,所述恒温槽外部呈矩形。

本发明还提供了一种用于硫酸铵大颗粒结晶工艺的工作流程,包括以下步骤:

步骤1,加入硫酸铵水至结晶槽当中;

步骤2,进行智能化温控,通过设定主控芯片的工作温度阈值,来进行结晶槽内的温度控制,首先通过加热器对结晶槽内加热到41摄氏度到44摄氏度,然后稳定在51摄氏度到54摄氏度温度范围2.5小时到2.8小时进行蒸发处理,待蒸发处理后可进行降温至41-44摄氏度进行晶体析出;利用设定往返次数,实现多次的晶体析出,形成大块的硫酸铵结晶;

步骤3,对步骤2中蒸发处理过程进行温度接收和显示,一旦蒸发后温度达到41-44摄氏度时启动泵体,对结晶槽内的清液进行抽取到回收槽当中,进行液体与固体的分离;

步骤4,转动操作杆,利用轴承带动转轴进行转动,实现晶体的拨动,带动大块的硫酸铵大颗粒落入到盛放槽当中。

本发明的工作原理:加入硫酸铵水至结晶槽当中,进行智能化温控,通过设定主控芯片的工作温度阈值,来进行结晶槽内的温度控制,首先通过加热器对结晶槽内加热到41摄氏度到44摄氏度,然后稳定在51摄氏度到54摄氏度温度范围2.5小时到2.8小时进行蒸发处理,待蒸发处理后可进行降温至41-44摄氏度进行晶体析出;利用设定往返次数,实现多次的晶体析出,形成大块的硫酸铵结晶;对蒸发处理过程进行温度接收和显示,一旦蒸发后温度达到41-44摄氏度时启动泵体,对结晶槽内的清液进行抽取到回收槽当中,进行液体与固体的分离;转动操作杆,利用轴承带动转轴进行转动,实现晶体的拨动,带动大块的硫酸铵大颗粒落入到盛放槽当中。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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