填充剂滴下装置的制作方法

本发明涉及显示产品制作技术领域，尤其涉及一种填充剂滴下装置。

背景技术

有机电致发光器件(organiclight-emittingdevice，oled)作为一种新型照明和显示技术具有其独特的优点，已被广泛应用，提高oled器件的性能是目前有待研究的课题。封装工艺的效果对oled器件的寿命有着重要的影响，其中封装胶的稳定性在很大程度上影响着封装工艺结果。

传统的填充剂滴下装置主要由电磁铁、盛液管、撞针组成，电磁铁提供磁场，撞针在电磁铁的磁场作用下产生向上或向下的力来撞击盛液管的出口，通过撞针上下运动来撞击盛液管的出口，控制其封塞状况进而控制填充剂的滴下。主要靠撞针下落高度、撞针上升下降的切换时间控制滴下量，控制填充剂滴下量的参数单一，不能精确的控制撞针的运动状态(运动速度、运动时间、运动位置等)、从而滴下量控制不精确。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本发明提供一种填充剂滴下装置，解决不能精确控制撞针的运动导致的滴下量控制不精确的问题。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种填充剂滴下装置，包括：

盛放管，用于盛放填充剂，所述盛放管的一端具有填充剂出口；

具有第一状态和第二状态的磁性件，所述磁性件容纳于所述盛放管的填充剂内；其中，在所述第一状态下，所述磁性件离开所述填充剂出口、并沿所述盛放管的长度方向进行运动直至移动至第一位置，在所述第二状态下，所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口；

能够在通电状态下对所述磁性件提供磁力的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈均缠绕于所述盛放管的外周面上，且所述第一线圈和所述第二线圈在所述盛放管的长度方向上间隔预设距离，所述第一线圈靠近所述填充剂出口设置；

控制结构，用于控制所述第一线圈和所述第二线圈产生磁场的参数，以使得所述磁性件在所述第一状态和所述第二状态之间切换，其中，所述参数包括：所述第一线圈和所述第二线圈之间的距离、和/或所述第一线圈和所述第二线圈通电与否、和/或所述第一线圈和所述第二线圈的通断电切换时间间隔、和/或所述第一线圈在通电状态下的电流大小、和/或所述第二线圈在通电状态下的电流大小。

进一步的，所述参数包括所述第一线圈和所述第二线圈通电与否，具体的，

所述第一线圈断电，所述第二线圈通电，在所述第二线圈产生的磁场的作用下，所述磁性件处于所述第一状态；

所述第一线圈通电，所述第二线圈断电，在所述第一线圈产生的磁场的作用下，所述磁性件处于所述第二状态。

撞针设计比较细，且下面设计尖形，为了避免撞针在重力作用下进行下降时与填充剂出口处的金属直接相撞，进而产生磨损或发热，填充剂出口处撞针通过穿插在里面进行封塞。撞针下降位置稍微有偏差，就会偏离出胶口中心位置，发生撞击出胶口金属的情况，这种滴胶方法不可避免的在工艺过程中会因撞击产生热量，影响胶材滴下稳定性而且容易造成撞针和喷嘴的磨损。此外，不能完全塞紧时，易发生漏胶导致出口积胶问题。

进一步的，所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口时，所述磁性件的速度为小于或等于预设值。

进一步的，所述磁性件为条形结构，所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端具有第一磁性，所述磁性件的另一端具有与所述第一磁性的磁性相反的第二磁性；

所述第一线圈通电时，所述第一线圈靠近所述填充剂出口的一端的磁性与所述第一磁性相同；

所述第二线圈通电时，所述第一线圈靠近所述填充剂出口的一端的磁性与所述第一磁性相同。

进一步的，所述第一线圈断电，所述第二线圈通电时，所述磁性件受到的与重力方向相反的磁力大于所述磁性件的重力。

进一步的，所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端的端面为平面，且所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端的端面的面积大于所述填充剂出口的面积，且所述磁性件的至少一端的端部与所述盛放管的内壁之间具有缝隙，且该缝隙小于预设值。

进一步的，所述磁性件为工字形结构，所述磁性件一端的端面面积大于所述磁性件另一端的端面面积。

进一步的，所述磁性件的两端的端部的横截面的形状与所述盛放管的横截面的形状相同。

进一步的，还包括：

设置于所述盛放管上的液面高度测量结构，用于测量所述盛放管内的填充剂的液面高度；

充液结构，与所述液面测量结构连接，用于在所述液面高度测量结构的测量结果为所述盛放管内的填充剂的液面低于预设高度时、对所述盛放管进行充液。

进一步的，所述充液结构包括储液结构，以及连接于所述储液结构与所述盛放管上的充液口之间的连接管。

进一步的，所述液面高度测量结构包括设置于所述盛放管内侧壁上的液位传感器。

本发明的有益效果是：采用磁性件代替撞针，并通过控制第一线圈和第二线圈的各项参数，使得位于所述填充剂内的所述磁性件的状态切换，进而控制滴下量，可调参数多，可以精确的控制填充剂的滴下量。

附图说明

图1表示本发明实施例中填充剂滴下装置结构示意图一；

图2表示本发明实施例中填充剂滴下装置结构示意图二；

图3表示本发明实施例中磁性件受力状态示意图；

图4表示本发明实施例中填充剂滴下装置结构示意图三；

图5表示本发明实施例中填充剂滴下装置结构示意图四；

图6表示本发明实施例中填充剂滴下装置结构示意图五。

具体实施方式

为使本实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实施例的附图，对本实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本保护的范围。

如图1和图2所示，本实施例提供一种填充剂滴下装置，包括：

盛放管1，用于盛放填充剂12，所述盛放管1的一端具有填充剂出口11；

具有第一状态和第二状态的磁性件2，所述磁性件2容纳于所述盛放管1的填充剂12内；其中，在所述第一状态下，所述磁性件2离开所述填充剂出口11、并沿所述盛放管1的长度方向进行运动直至移动至第一位置，在所述第二状态下，所述磁性件2由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口11；

能够在通电状态下对所述磁性件2提供磁力的第一线圈3和第二线圈4，所述第一线圈3和所述第二线圈4均缠绕于所述盛放管1的外周面上，且所述第一线圈3和所述第二线圈4在所述盛放管1的长度方向上间隔预设距离，所述第一线圈3靠近所述填充剂出口11设置；

控制结构，用于控制所述第一线圈3和所述第二线圈4产生磁场的参数，以使得所述磁性件2在所述第一状态和所述第二状态之间切换，其中，所述参数包括：所述第一线圈3和所述第二线圈4通电与否、和/或所述第一线圈3和所述第二线圈4的通断电切换时间间隔、和/或所述第一线圈3在通电状态下的电流大小、和/或所述第二线圈4在通电状态下的电流大小。

通过控制第一线圈3和第二线圈4的各项参数，使得位于所述填充剂12内的所述磁性件2的状态切换，进而控制滴下量，相对于传统的填充剂12滴下装置可调参数多，且可以同时调节2项或2项以上的参数，可以更精确的控制所述磁性件的运动状态(包括运动速度、运动时间、运动位置等)、进而可以更精确的控制填充剂的滴下量。

所述参数包括：所述第一线圈3和所述第二线圈4之间的距离、和/或所述第一线圈3和所述第二线圈4通电与否，此时，所述第一线圈3和所述第二线圈4可以同时通电，或者所述第一线圈3和所述第二线圈4的一个线圈通电，在本实施例的一具体实施方式中，

所述第一线圈3断电，所述第二线圈4通电，在所述第二线圈4产生的磁场的作用下，所述磁性件2处于所述第一状态；

所述第一线圈3通电，所述第二线圈4断电，在所述第一线圈3产生的磁场的作用下，所述磁性件2处于所述第二状态。

进一步的，所述磁性件2由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口11时，所述磁性件2的速度为小于预设值。

传统的填充剂滴下装置中的撞针是在重力的作用下下降以封堵填充剂出口，这样的方式不可避免的会与填充剂出口处产生撞击，进而因撞击产生热量，影响胶材滴下稳定性而且容易造成撞针和填充剂出口的磨损。本实施例中通过所述第一线圈3和所述第二线圈4的各项通电参数的调整，可以控制所述磁性件2在所述填充剂12内的运动时间、运动速度等，控制所述磁性件2运动至封堵所述填充剂出口11的位置时，所述磁性件2的速度小于或等于预设值(该预设值可根据实际需要设定)，相比传统的撞针通过自身重力下降，下降同等距离，本实施例中的磁性件2所达到的速度要小，可以避免所述磁性件2在所述填充剂出口11处的撞击，可减小摩擦，避免发热，降低部件损耗。

优选的，合理调整所述第一线圈3和所述第二线圈4的一项或几项通电参数，可以使得所述磁性件2运动至封堵所述填充剂出口11的位置时，所述磁性件2的速度刚好为零(即，所述预设值为零)，有效的避免所述磁性件2与所述填充剂出口11的摩擦、撞击。

所述磁性件2的具体结构形式可以有多种，本实施例中，所述磁性件2为条形结构，所述磁性件2用于封堵所述填充剂出口11的一端具有第一磁性，所述磁性件2的另一端具有与所述第一磁性的磁性相反的第二磁性；

所述第一线圈3通电时，所述第一线圈3靠近所述填充剂出口11的一端的磁性与所述第一磁性相同；

所述第二线圈4通电时，所述第一线圈3靠近所述填充剂出口11的一端的磁性与所述第一磁性相同。

所述磁性件2的两端的磁性的设置、以及所述第一线圈3和所述第二线圈4在通电时产生的磁性的设置，可以使得所述磁性件2在所述第一状态下，离开所述填充剂出口11、并沿所述盛放管1的长度方向进行运动直至移动至第一位置，在所述第二状态下，所述磁性件2由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口11。

可以通过调整所述第一线圈3和所述第二线圈4通电与否的参数、和/或所述第一线圈3和所述第二线圈4在通电时的电流的大小来调整所述磁性件2的每一端所受的磁力的大小，从而控制所述磁性件2的运动状态。

在一个实施方式中，在所述第一状态下，所述磁性件2的加速度方向为向上-向下-向上-向下，到达一定高度(所述第一位置)时速度变为0，在所述第一位置时，所述磁性件2受力状态如图3所示，所述磁性件2上端s级所在位置的磁场强度小于所述磁性件2下端n级所在位置的磁场强度，即所述磁性件2上端受到的第一磁场力10小于所述磁性件2下端受到的第二磁场力40，所述磁性件2在磁力、重力30、浮力20作用下的合力向下；在所述第二状态下，所述磁性件2的加速度方向为向下-向上-向下-向上，通过调整所述第一线圈3和所述第二线圈4的一项或几项通电参数，可以使得降到一定位置(所述磁性件2与所述填充剂出口11接触以封堵所述填充剂出口11的位置)速度变为0，在所述第二状态下，所述磁性件2受到的磁力由所述第一线圈3产生，图1中的虚线即表示所述第一线圈3产生的磁场，且在磁力和重力的双重作用下，所述磁性件2可以稳定的停留在所述填充剂出口11处以封堵所述填充剂出口11，防止填充剂12漏出。

本实施例中，所述第一线圈3断电，所述第二线圈4通电时，所述磁性件2受到的与重力方向相反的磁力大于所述磁性件2的重力，保证在磁力和重力的双重作用下，所述磁性件2可以在所述填充剂12内往返运动。

本实施例中，所述第一线圈3和所述第二线圈4均为多圈紧密缠绕盛放管1的外周面(并不以此为限)，且有高的导电率，确保通电后有足够的磁性，但是所述第一线圈3和所述第二线圈4的圈数可根据实际需要设定，所述第一线圈3的圈数和所述第二线圈4的圈数可以相同也可以不同。

所述第一线圈3和所述第二线圈4的间隔的预设距离可根据实际需要预先设定，或通过控制结构根据实际需要进行调整。

本实施例中，所述磁性件2用于封堵所述填充剂出口11的一端的端面为平面，且所述磁性件2用于封堵所述填充剂出口11的一端的端面的面积大于所述填充剂出口11的面积，且所述磁性件2的至少一端的端部与所述盛放管1的内壁之间具有缝隙，且该缝隙小于预设值。

传统的填充剂滴下装置的撞针比较细，且下端为尖形，撞针通过穿插在填充剂出口11里面进行封塞，当撞针下降位置有稍微偏差时，会偏离填充剂出口11中心位置，从而造成填充剂12漏出，也会在填充剂出口11处产生撞击，进而生热，造成填充剂滴下装置的磨损。本实施例中，所述磁性件2用于封堵所述填充剂出口11的一端的端面为平面，且所述磁性件2用于封堵所述填充剂出口11的一端的端面的面积大于所述填充剂出口11的面积，降低了封堵难度，且可以很好的封堵填充剂出口11，防止填充剂12漏出，且所述磁性件2的至少一端的端部与所述盛放管1的内壁之间具有缝隙，且该缝隙小于预设值，防止所述磁性件2在所述盛放管1内发生晃动，缝隙的存在又避免了所述磁性件2与所述盛放管1内壁之间的摩擦，有效的封堵填充剂出口11的同时，降低了填充剂滴下装置的部件的损耗。

所述磁性件2的具体结构形式可以有多种，例如，所述磁性件2的两端的端面面积可以相同，也可以不同，所述磁性件2也可以为柱体结构，本实施例中，为了减重，所述磁性件2为工字形结构，且所述磁性件2一端的端面面积大于所述磁性件2另一端的端面面积，如图1和图2所示，所述磁性件2的上端(参考图示方式)的面积大于所述磁性件2的下端(参考图示方向)的面积，但并不限于此。

本实施例中，所述磁性件2的两端的端部的横截面的形状与所述盛放管1的横截面的形状相同。

本实施例中，所述磁性件2为永磁铁，但并不以此为限。

应当指出的是，所述磁性件2受到的浮力相对较小，可以忽略不计，但是为了更精确的控制所述磁性件2在所述第一状态和所述第二状态之间切换的时间间隔，所述磁性件2在所述第一状态下和所述第二状态下所受到的浮力要一致。为了满足该条件，本实施例中，填充剂滴下装置还包括：

设置于所述盛放管1上的液面高度测量结构，用于测量所述盛放管1内的填充剂12的液面高度；

充液结构，与所述液面测量结构连接，用于在所述液面高度测量结构的测量结果为所述盛放管1内的填充剂12的液面低于预设高度时、对所述盛放管1进行充液。

所述预设高度的设置可以根据实际需要设定，本实施例中，所述预设高度需要满足所述磁性件2位于所述第一位置时(所述盛放管1内的最高位置)仍然完全位于所述填充剂12内。

本实施例中，所述充液结构包括储液结构，以及连接于所述储液结构与所述盛放管1上的充液口之间的连接管。

本实施例中，所述液面高度测量结构包括设置于所述盛放管1内侧壁上的液位传感器。

本实施例中，为保证滴下量的稳定性，填充剂滴下一定量后(打点完1-2片盖板，但并不以此为限)会进行滴下量确认和校正，通过改变所述第一线圈3和所述第二线圈4的位置、和/或所述第一线圈3和所述第二线圈4的通电电流大小、和/或所述第一线圈3和所述第二线圈4的通电切换的时间间隔调整滴下量。

此交底书中线圈设计成多圈紧密缠绕盛液管，且有高的导电率，确保通电后有足够的磁性，使其对磁铁的磁力大于磁铁的重力。

以下具体介绍本实施例的一实施方式中，填充剂滴下装置滴下一次填充剂的过程。

所述第一线圈3断电，所述第二线圈4通电，所述磁性件2离开所述填充剂出口11、沿着所述盛放管1的长度方向移动，此时，填充剂滴下，可以控制所述第二线圈4的电流大小来控制所述磁性件2的运动速度(所述磁性件2上升至第一位置所需时间)；所述磁性件2上升至所述第一位置时，所述第二线圈4断电，所述第一线圈3通电，所述磁性件2反向运动，直至封堵所述填充剂出口11，在此过程中，可以通过控制所述第一线圈3的电流大小来控制所述磁性件2的运动速度(所述磁性件2下降所需的时间)，在所述磁性件2再次封堵所述填充剂出口11时，填充剂滴下停止，所述磁性件2离开所述填充剂出口11的时间越长，一次滴下的填充剂12的量越大，可以通过调整所述第一线圈3和所述第二项圈的各项通电参数来精确的控制填充剂滴下装置的滴下量，有助于改善填充剂滴下量的稳定性。

所述第一线圈3和所述第二线圈4的参数的控制方式可以有多种，以下具体介绍本实施例的另一实施方式中，填充剂滴下装置滴下一次填充剂的过程，如图4-图6所示。

初始状态下，所述第一线圈3和所述第二线圈4均处于断电状态，所述磁性件2封堵于所述填充剂出口11，所述磁性件2远离所述填充剂出口11的一端部分位于所述第二线圈4内，此时，将所述第二线圈2通电，所述磁性件2在所述第二线圈4提供的磁力的作用下向上(参考图示方向)运动，图4表示的是所述第二线圈4通电初始、所述磁性件2还未运动的状态示意图；在所述磁性件2远离所述填充剂出口11的一端运动至所述第二线圈4的外部时(所述磁性件2远离所述填充剂出口11的一端外露于所述第二线圈)，将所述第二线圈4断电(图5表示的是所述第二线圈断电后的状态示意图)，此时所述磁性件2受到的合力的方向向下，但是在惯性作用下，所述磁性件2仍然会向上运动一端距离，然后再向下运动，所述磁性件2靠近所述填充剂出口11的一端运动至所述第一线圈3内时，将所述第一线圈3通电(图6表示所述第一线圈3通电后的状态示意图)，在所述第一线圈3的磁力作用下，所述磁性件2减速运动，直至封堵所述填充剂出口11，然后可以将所述第一线圈3断电，所述磁性件2通过自身重力即可对所述填充剂出口11进行封堵，在合力调整所述第一线圈3和所述第二线圈4的参数的情况下，可以使得所述磁性件2在运动至所述填充剂出口11处时，所述磁性件2的速度刚好为零。

为了精确的控制所述第一线圈3和第二线圈4的通电、断电的时间，在所述盛放管1的内壁上设置了用于感应所述磁性件2的位置的第一传感器和第二传感器，所述第一传感器与所述填充剂出口11之间的距离不大于所述第二线圈4远离所述填充剂出口11的一端与所述填充剂出口11之间的距离(需要说明的是，所述第一传感器与所述填充剂出口11之间的距离小于所述第二线圈4远离所述填充剂出口11的一端与所述填充剂出口11之间的距离时，所述第一传感器与所述填充剂出口11之间的距离和所述第二线圈4远离所述填充剂出口11的一端与所述填充剂出口11之间的距离之间的差值小于第一预设值，该第一预设值可以根据实际需要设定，为保证较佳效果，需要满足所述第一传感器的位置与所述第二线圈远离所述填充剂出口11的一端在所述盛放管长度方向上的高度差较小，优选的，该高度差为零)，在所述第一传感器感应到所述磁性件2时，所述控制结构根据所述第一传感器传输的信号控制所述第二线圈4断电；所述第二传感器与所述填充剂出口11之间的距离不大于所述第一线圈3远离所述填充剂出口11的一端与所述填充剂出口11之间的距离(需要说明的是，所述第二传感器与所述填充剂出口11之间的距离小于所述第一线圈3远离所述填充剂出口11的一端与所述填充剂出口11之间的距离时，所述第二传感器与所述填充剂出口11之间的距离和所述第一线圈3远离所述填充剂出口11的一端与所述填充剂出口11之间的距离的差值小于第二预设值，该第二预设值可根据实际需要设定，为保证较佳效果，需要满足所述第一传感器的位置与所述第二线圈远离所述填充剂出口11的一端在所述盛放管长度方向上的高度差较小，优选的，该高度差为零)，当所述第二传感器感应到所述磁性件2时，所述控制结构根据所述第二传感器传输的信号控制所述第一线圈通电。

可以在填充剂停止滴下时，将所述第一线圈3断电，为了更精确的调控填充剂的滴下量，所述填充剂出口11处设置第三传感器，在所述第三传感器感应到所述磁性件2时，所述控制结构根据所述第三传感器传输的信号控制所述第一线圈3断电。

控制所述第一线圈3和所述第二线圈4的通电、断电的方式可以有多种，并不限于上述所述，例如，还可以通过模拟、或计算所述磁性件2在所述盛放管1内的运动时间，获得控制所述第一线圈3和所述第二线圈4的通电、断电的具体时刻。

以上所述为本发明较佳实施例，应当指出的是，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围。