本发明属电解水催化剂技术领域,具体涉及一种二硫化钒纳米棒阵列电催化剂及其制备方法。
背景技术:
电催化分解水技术由于其工艺设备简单,是目前广泛应用于工业生产中的一种制备氢气的方法,它是一项开发可持续清洁能源的最有潜力的技术,也是科研领域研究的一个重要方向。pt、pd等铂系贵金属是目前发现的最好的电解水析氨的催化剂,但是由于其价格昂贵、地球储量低、易毒化等原因,使其很难被广泛地应用于大规模的工业化生产中,因而寻找替代性电解水催化剂成为了这一领域的一个重要课题。研究表明,钒的价态灵活(+3,+4,+5),具有良好的反应活性,另外,将催化剂与导电衬底结合,可以有效地促进电荷传输,并能明显地增强它的催化活性和稳定性。
本专利采用高效、简单和低成本的一步水热法,在碳布基底上制备了二硫化钒纳米棒阵列,有效地提高了导电性,从而提升了电解水析氢性能。
技术实现要素:
本发明针对上述现有技术的不足,目的在于提出一种二硫化钒纳米棒阵列催化剂的制备方法,该方法操作简单,反应条件温和,耗时短,制备的二硫化钒产品纯度高,形貌和尺寸均一,且电催化析氢性能较为优异。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案。
(1)将碳布裁剪成1×5cm的长方形,在80~120℃回流活化1~3小时,然后用乙醇和去离子水分别清洗3~5次,40~70℃下干燥6~8h得到处理后的碳布;
(2)分别称取(0.1g~0.5g)navo3、(0.2g~0.8g)ch3csnh2和(0.5g~1.5g)c6h12n4,溶于20~40ml去离子水中,在室温下磁力搅拌40~60min,得到澄清溶液;
(3)将(1)处理的碳布放入反应内衬中,将(2)得到的澄清溶液倒入,密封进行水热反应,设定反应温度为160~220℃,反应时间为18~30h;
(4)反应结束后,待反应釜自然冷却至室温,取出碳布,然后用乙醇和去离子水分别清洗3次,最后将碳布40~70℃下干燥5~8h,即得到均匀的纳米棒状vs2。
本发明的有益的效果为:
(1)该方法由于其采用的是一步水热反应直接合成最终产物,因而具有低的合成温度,工艺简单易操作,原料廉价易得,成本低,产率高,无需后期处理,对环境友好,可以适合大规模生产;
(3)该方法制备的产物化学组成均一,纯度高,形貌均匀,其作为电解水电极材料时能够表现出优异的电化学性能,在10ma/cm2的电流密度下,其过电势约为206mv。
附图说明
图1为本发明实施例3制备的生长在碳布上的vs2纳米棒阵列的x-射线衍射(xrd)图谱;
图2为本发明实施例3制备的生长在碳布上的vs2纳米棒阵列的扫描电镜(sem)照片;
图3为本发明实施例3制备的生长在碳布上的vs2纳米棒阵列的线性扫描伏安(lsv)性能测试图。
具体实施方式
下面结合附图及实施实例对本发明作进一步详细说明:
实施例1:
(1)将碳布裁剪成1×5cm的长方形,在80~120℃于浓硝酸中回流活化1~3小时,然后用乙醇和去离子水分别清洗3次,50℃下干燥8h得到处理后的碳布;
(2)分别称取0.1gnavo3、0.2gtaa(ch3csnh2)和0.5gc6h12n4,溶于20ml去离子水中,在室温下磁力搅拌40min,得到澄清溶液;
(3)将(1)处理的碳布放入反应内衬中,将(2)得到的澄清溶液倒入,密封进行水热反应,设定反应温度为160℃,反应时间为18h;
(4)反应结束后,待反应釜自然冷却至室温,取出碳布,然后用乙醇和去离子水分别清洗3次,最后将碳布50℃下干燥8h,即得到均匀的纳米棒状vs2。
实施例2:
(1)将碳布裁剪成1×5cm的长方形,在80℃于浓硝酸中回流活化2小时,然后用乙醇和去离子水分别清洗4次,50℃下干燥8h得到处理后的碳布;
(2)分别称取0.3gnavo3、0.9gtaa(ch3csnh2)和0.8gc6h12n4,溶于30ml去离子水中,在室温下磁力搅拌40min,得到澄清溶液;
(3)将(1)处理的碳布放入反应内衬中,将(2)得到的澄清溶液倒入,密封进行水热反应,设定反应温度为200℃,反应时间为22h;
(4)反应结束后,待反应釜自然冷却至室温,取出碳布,然后用乙醇和去离子水分别清洗3次,最后将碳布50℃下干燥8h,即得到均匀的纳米棒状vs2。
实施例3:
(1)将碳布裁剪成1×5cm的长方形,在80℃于浓硝酸中回流活化2小时,然后用乙醇和去离子水分别清洗5次,60℃下干燥7h得到处理后的碳布;
(2)分别称取0.4gnavo3、1.2gtaa(ch3csnh2)和1.2gc6h12n4,溶于35ml去离子水中,在室温下磁力搅拌60min,得到澄清溶液;
(3)将(1)处理的碳布放入反应内衬中,将(2)得到的澄清溶液倒入,密封进行水热反应,设定反应温度为180℃,反应时间为24h;
(4)反应结束后,待反应釜自然冷却至室温,取出碳布,然后用乙醇和去离子水分别清洗3次,最后将碳布60℃下干燥7h,即得到均匀的纳米棒状vs2。
图1为本实施例制备的生长在碳布上的vs2纳米棒阵列的x-射线衍射(xrd)图谱。图中,xrd测试结果中的特征峰与vs2的特征峰相一致,说明本发明在碳基上生长出了vs2。
图2为本发明实施例3制备的生长在碳布上的vs2纳米棒阵列的扫描电镜(sem)照片。sem照片显示,本发明在碳基上生长出的vs2具有不规则的纳米棒阵列的形貌。
图3为本发明实施例3制备的生长在碳布上的vs2纳米棒阵列的线性扫描伏安(lsv)性能测试图。lsv性能测试显示,在50ma/cm2的电流密度下,其过电势约为509mv;在100ma/cm2的电流密度下,其过电势约为583mv。
实施例4:
(1)将碳布裁剪成1×5cm的长方形,在100℃于浓硝酸中回流活化1小时,然后用乙醇和去离子水分别清洗4次,70℃下干燥6h得到处理后的碳布;
(2)分别称取0.5gnavo3、0.8gtaa(ch3csnh2)和1.5gc6h12n4,溶于40ml去离子水中,在室温下磁力搅拌60min,得到澄清溶液;
(3)将(1)处理的碳布放入反应内衬中,将(2)得到的澄清溶液倒入,密封进行水热反应,设定反应温度为220℃,反应时间为28h;
(4)反应结束后,待反应釜自然冷却至室温,取出碳布,然后用乙醇和去离子水分别清洗3次,最后将碳布70℃下干燥6h,即得到均匀的纳米棒状vs2。