技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用。本发明提供的K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结，以K6NiW5Mo4O31为前驱体基底材料，K6NiW5Mo4O31与WO3的摩尔比为100:(5～50)。本发明提供的半导体异质结光催化材料可采用高温固相法或化学溶液法合成，制备方法简单易行，材料的化学稳定性好，能有效吸收紫外‑可见光，并能在可见光下实现高效光催化活性。与单相前驱体基底材料K6NiW5Mo4O31相比，异质结复合而成的催化剂能更好地吸收可见光，有效地实现电子‑空穴的分离，提高催化效率，可用于对有机污染物的光催化降解，尤其是对有机染料工业废水的可见光催化降解处理。
技术研发人员：黄彦林;刘宣宣;米龙庆;魏东磊
受保护的技术使用者：南通纺织丝绸产业技术研究院;苏州大学
技术研发日：2018.11.21
技术公布日：2019.02.12