一种低汞触媒生产用氯化物配制装置的制作方法

本实用新型涉及一种低汞触媒生产用氯化物配制装置，具体地说，涉及一种安全性高的氯化物配制装置,属于低汞触媒生产技术领域。

背景技术：

负压式浸泡式低汞触媒的制备方法，包括以下步骤：负压吸附、均匀吸附、催化剂的获得，在生产过程需要将活性炭浸渍在一定浓度的氯化物溶液中，并将活性炭吸附均匀的氯化物，活性炭在氯化物溶液中浸泡至氯化物溶液的浓度低于0.4%时，将氯化物溶液排出至废液槽，所得氯化物溶液为氯化物循环残液，所得活性炭为吸附有氯化物的活性炭，将吸附有氯化物的活性炭转移至温度低于20℃且避光干燥通风的地方静置8～15天，得到半干燥的催化剂，将半干燥的催化剂转移至干燥设备中，利用热空气对流加热的方式将半干燥的催化剂的含水量降至小于或者等于0.3%，所得即为成品低汞触媒。

目前，首次氯化物溶液（使用氯化物原料）的配制步骤如下所示：

盐酸溶液的获得：首先在溶解罐中加入去离子水，接着加入浓度为31%的盐酸，所得液体为盐酸溶液，其中去离子水与31%的盐酸的质量百分比为75:1，然后将盐酸溶液搅拌并升温至75～85℃；

氯化物溶液的获得：向升温至75～85℃的盐酸溶液中边搅拌边加入氯化物，氯化物充分溶解后，配制成浓度为8-11%的氯化物，所得为配制好的氯化物溶液；

如果是再次配制氯化物溶液（使用废液槽内氯化物）则步骤如下：

盐酸溶液的获得：将废液槽中的氯化物循环残液转移至溶解罐中，接着加入浓度为31% 的盐酸，所得液体为盐酸溶液，其中氯化物循环残液与31%的盐酸的质量百分比为75:1，然后将盐酸溶液搅拌并升温至75～85℃；

氯化物溶液的获得：向升温至75～85℃的盐酸溶液中边搅拌边加入氯化物，氯化物充分溶解后，配制成浓度为8-11%的氯化物，所得为配制好的氯化物溶液。

氯化物配制装置可得到上述氯化物溶液，氯化物是氯化汞或者氯化汞和氯化钾、氯化亚铜、氯化稀土或四氯化锌中的至少一种混合而成的混合物，由于氯化汞有剧毒，氯化物配制装置在添加氯化汞时，氯化汞粉尘易在进料口处溢出，存在安全隐患。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是针对以上不足，提供一种低汞触媒生产用氯化物配制装置,该氯化物配制装置添加氯化汞原料时不易发生粉尘溢出，降低了氯化汞粉对工作环境的污染，有效的避免氯化汞粉尘泄露所带来的安全隐患。

为解决以上技术问题，本实用新型采用以下技术方案：一种低汞触媒生产用氯化物配制装置，包括配制釜，配制釜的上部设置有氯化物入口，其特征在于：所述氯化物入口上连接有粉尘处理装置；

所述粉尘处理装置包括吸尘罩，吸尘罩与氯化物入口密封连接，吸尘罩上设置有氯化物投放口，氯化物投放口上设置有可开合的密封盖，吸尘罩的截面形状为长方形；

所述吸尘罩的内部设置有导尘构件，导尘构件具有一个进尘口和一个出尘口，进尘口和出尘口为圆形，进尘口的直径大于出尘口的直径；

所述吸尘罩连接有第一粉尘通道，第一粉尘通道连接有离心风机，离心风机连接有粉尘一级处理装置，粉尘一级处理装置包括外壳体，外壳体的内部设置有吸尘网，吸尘网为若干个，吸尘网垂直于粉尘前进方向设置，相邻两个吸尘网之间交错设置，吸尘网上设置有防尘滤棉。

一种优化的方案，所述粉尘一级处理装置连接有第二粉尘通道，第二粉尘通道连接有粉尘二级处理装置；

所述第二粉尘通道延伸至粉尘二级处理装置的内部，粉尘二级处理装置包括处理本体，处理本体的内部设置有粉尘搅拌装置，粉尘搅拌装置转动设置在处理本体的内部，处理本体的上部设置有中和溶液入口，处理本体的底部设置有中和液体出口。

进一步地，所述粉尘搅拌装置包括粉尘搅拌轴，粉尘搅拌轴的两端设置有旋转轴承，粉尘搅拌轴在旋转电机的作用下进行旋转，粉尘搅拌轴上设置有粉尘搅拌构件，粉尘搅拌构件为三个。

进一步地，所述配制釜的内部设置有混合搅拌轴，混合搅拌轴由搅拌电机驱动旋转，混合搅拌轴上设置有第一混合搅拌构件和第二混合搅拌构件，第一混合搅拌构件为三个，三个第一混合搅拌构件在混合搅拌轴上从上到下依次设置，中间第一混合搅拌构件的长度为两边第一混合搅拌构件的长度的两倍；

所述第二混合搅拌构件设置在配制釜的底部，第二混合搅拌构件的弧度与配制釜的底部弧度相吻合。

进一步地，所述配制釜上还设置有盐酸进入管，盐酸进入管延伸至配制釜的内部，盐酸进入管为若干个；

所述盐酸进入管上设置有盐酸出孔，若干个盐酸进入管绕配制釜 的内壁均匀设置，若干个盐酸进入管连接在盐酸进入主管上，盐酸进入主管上设置有电磁阀和抽送泵。

进一步地，所述配制釜的上部还设置有去离子水入口和废氯化物溶液入口，配制釜的下部设置有氯化物溶液出口。

进一步地，所述配制釜为双层结构，配制釜的夹层内设置有加热管。

本实用新型采用以上技术方案后，与现有技术相比，具有以下优点：一种低汞触媒生产用氯化物配制装置，包括配制釜，配制釜的上部设置有氯化物入口，氯化物入口上连接有粉尘处理装置，该氯化物配制装置添加氯化汞原料时不易发生粉尘溢出，降低了氯化汞粉对工作环境的污染，有效的避免氯化汞粉尘泄露所带来的安全隐患。

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细说明。

附图说明

附图1是本实用新型实施例中氯化物配制装置的结构示意图；

附图2是本实用新型实施例中粉尘处理装置的结构示意图；

附图3是本实用新型实施例中吸尘罩的结构示意图；

附图4是本实用新型实施例中粉尘一级处理装置的结构示意图；

图中，

1-配制釜，2-氯化物入口，3-粉尘处理装置，4-吸尘罩，5-氯化物投放口，6-导尘构件，7-进尘口，8-出尘口，9-第一粉尘通道，10-离心风机，11-粉尘一级处理装置，12-外壳体，13-吸尘网，14-第二粉尘通道，15-粉尘二级处理装置，151-中和溶液入口，152-中和液体出口，16-处理本体，17-粉尘搅拌装置，18-粉尘搅拌轴，19-粉尘搅拌构件，20-搅拌轴，21-第一混合搅拌构件，22-第二混合搅拌构件，23-盐酸进入管，24-盐酸进入主管，25-电磁阀，26-抽送泵，27-去离子水入口，28-废氯化物溶液入口，29-氯化物溶液出口，30-加热管。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本实用新型的具体实施方式。

实施例，如图1、图2、图3、图4所示，一种低汞触媒生产用氯化物配制装置包括配制釜1，配制釜1的上部设置有氯化物入口2，氯化物入口2上连接有粉尘处理装置3，粉尘处理装置3包括吸尘罩4，吸尘罩4与氯化物入口2密封连接，吸尘罩4上设置有氯化物投放口5，氯化物投放口5上设置有可开合的密封盖，吸尘罩4的截面形状为长方形，吸尘罩4的内部设置有导尘构件6，导尘构件6具有一个进尘口7和一个出尘口8，进尘口7和出尘口8为圆形，进尘口7的直径大于出尘口8的直径；

吸尘罩4连接有第一粉尘通道9，第一粉尘通道9连接有离心风机10，离心风机10连接有粉尘一级处理装置11，粉尘一级处理装置11包括外壳体12，外壳体12的内部设置有吸尘网13，吸尘网13为若干个，吸尘网13垂直于粉尘前进方向设置，相邻两个吸尘网13之间交错设置，吸尘网13上设置有防尘滤棉，粉尘一级处理装置11连接有第二粉尘通道14，第二粉尘通道14连接有粉尘二级处理装置15，第二粉尘通道14延伸至粉尘二级处理装置15的内部，粉尘二级处理装置15包括处理本体16，处理本体16的内部设置有粉尘搅拌装置17，粉尘搅拌装置17转动设置在处理本体16的内部，处理本体16的上部设置有中和溶液入口151，处理本体16的底部设置有中和液体出口152。

说明书附图中的箭头表示氯化汞粉尘流动方向。

从吸尘罩4上的氯化物投放口5向配制釜1上的氯化物入口2投放氯化物，投放过程中产生的氯化物粉尘沿吸尘罩4的导尘构件6进入第一粉尘通道9，在离心风机10的作用下，氯化物粉尘进入粉尘一级处理装置11，大部分的氯化物粉尘在吸尘网13上活性炭吸附剂的作用下进行吸附处理，为了避免氯化物粉尘中未被吸尘网13吸附的氯化汞排入大气中，经过粉尘一级处理装置11的氯化物粉尘通过第二粉尘通道14进入粉尘二级处理装置15，粉尘二级处理装置15内的中和溶液经氯化物粉尘中的氯化汞进行中和。

粉尘搅拌装置17包括粉尘搅拌轴18，粉尘搅拌轴18的两端设置有旋转轴承，粉尘搅拌轴18在旋转电机的作用下进行旋转，粉尘搅拌轴18上设置有粉尘搅拌构件19，粉尘搅拌构件19为三个。

配制釜1的内部设置有混合搅拌轴20，混合搅拌轴20由搅拌电机驱动旋转，混合搅拌轴20上设置有第一混合搅拌构件21和第二混合搅拌构件22，第一混合搅拌构件21为三个，，三个第一混合搅拌构件21在混合搅拌轴20上从上到下依次设置，中间第一混合搅拌构件21的长度为两边第一混合搅拌构件21的长度的两倍，第二混合搅拌构件22设置在配制釜1的底部，第二混合搅拌构件22的弧度与配制釜1的底部弧度相吻合。

配制釜1上还设置有盐酸进入管23，盐酸进入管23延伸至配制釜1的内部，盐酸进入管23为若干个，盐酸进入管23上设置有盐酸出孔，若干个盐酸进入管23绕配制釜1 的内壁均匀设置，若干个盐酸进入管23连接在盐酸进入主管24上，盐酸进入主管24上设置有电磁阀25和抽送泵26。

配制釜1的上部还设置有去离子水入口27和废氯化物溶液入口28，配制釜1的下部设置有氯化物溶液出口29，配制釜1为双层结构，配制釜1的夹层内设置有加热管30。

配制氯化物溶液时：将去离子水从去离子水入口27加入至配制釜1的内部，再将盐酸从盐酸进入管23加入至配制釜1的内部，启动混合搅拌轴20，将盐酸和去离子水混合均匀，再将氯化物从吸尘罩4上的氯化物投放口5向配制釜1上的氯化物入口2投放氯化物，混合搅拌轴20经稀释后的盐酸与氯化物混合均匀。

本实用新型实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。

此外，若有“第一”、“第二”等术语仅用于描述目的，主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分（具体的种类和构造可能相同也可能不同），并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量，而不能理解为指示或者暗示相对重要性。

上述的具体实施方式只是示例性的，是为了使本领域技术人员能够更好的理解本实用新型内容，不应理解为是对本实用新型保护范围的限制，只要是根据本实用新型技术方案所作的改进，均落入本实用新型的保护范围。