1.一种半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于，
所述背撑膜包括依次层叠的基膜层、胶水层和离型层，
所述涂布设备包括第一放卷辊、第二放卷辊、微凹辊、真空吸附辊、烘箱、复合压辊和收卷辊，所述基膜层的基材绕卷于所述第一放卷辊上，所述离型层的离型膜绕卷于所述第二放卷辊上，基材依次经过微凹辊、真空吸附辊、烘箱后，与离型膜于复合压辊处贴合，最终绕于收卷辊上，
所述微凹辊半浸于盛放胶水的储胶槽中，所述微凹辊的上方两侧对称设置有涂胶压辊，工作时，基材的走向与所述微凹辊的方向相反，两个所述涂胶压辊向下运动，使基材与所述微凹辊贴合而涂胶。
2.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述微凹辊的旋转出胶侧设置有刮刀盖板，通过所述刮刀盖板将微凹辊表面的胶水刮平而形成均匀的胶层。
3.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述微凹辊的表面设置有斜向45°的网穴。
4.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述烘箱由多节箱体并排组成，通过风频和加热温度控制干燥和固化的程度，各节箱体的风频依次排序呈下凸曲线，各节箱体的温度依次排序呈上凸曲线。
5.根据权利要求4所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述真空吸附辊位于第一节烘箱的入口前方，所述真空吸附辊的表面密布有吸附孔，且真空吸附辊的吸力大于烘箱的风力。
6.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述真空吸附辊的真空度为0.1～0.5mpa。
7.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述涂胶压辊下行至使基材与微凹辊形成的切线与水平方向的夹角为30～50°。
8.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述涂布设备还包括除尘机构、电晕机构、纠偏机构和冷却机构，第一放卷辊上的基材依次经过所述除尘机构表面除尘、经过所述电晕机构提高表面附着力后到达微凹辊，烘箱出来的基材经过所述纠偏机构定位而与离型膜于复合压辊处准确贴合，复合完成的成品膜经过所述冷却机构冷却最后绕于收卷辊上。
9.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述基膜层选用pi膜，所述胶水层选用有机硅压敏胶，所述离型层选用pet膜。
10.根据权利要求1所述的半导体封装用背撑膜的涂布设备，其特征在于：所述基膜层的厚度为12.5～75μm，所述胶水层的厚度为2～10μm，所述离型层的厚度为40～60μm。