专利名称：一种电子束烧蚀推进方法及系统的制作方法
技术领域：
本发明是关于等离子体推进技术，特别是关于一种电子束烧蚀推进方法及系统。
背景技术：
在航天领域，卫星微型化已成为一种发展趋势。近年来，随着机械微电子技术的发 展，微卫星、纳卫星和皮卫星技术得到了迅猛发展。为了构建微卫星星座，需要对微小卫星 进行精确的变轨和调姿控制，这不但要求推进器自身重量尽可能小，还要求推进器提供范 围应尽可能大的推进力，即产生μ N量级至mN量级的推进力。现有的MEMS推进技术包括化学推进与电推进，需要将普通推进器通过芯片绑定 和S0C(SyStem on a Chip)技术加工在厘米尺度的芯片中，化学微推进还需要将寻址驱动 电路、点火器、工质储箱、燃烧室、微型阀和微喷嘴集成在一片芯片中，通过数控点火装置引 燃燃料，燃料迅速气化并喷射出来，产生推力。这种MEMS推进阵列的储箱和燃烧室合为一 体，推进剂需要一次性加注，因此所携带能量有限，推进器总冲较小，工作寿命有限。并且目 前的MEMS加工大多数是以硅作材料，而硅与各种推进剂存在兼容性的问题，硅本身的烧蚀 推进性能也不好。此外，它的制作过程会受到“小尺度效应”的影响。再者，这种推进器还 存在泄漏和污染等问题。现有的推进器包括以激光器作为能量源的推进器，从激光器中发出来的光，经光 学元件聚焦到被烧蚀物质的靶面，通过激光与靶材的相互作用，喷出高温高压的气体或微 小固体颗粒，这种气体或固体颗粒的反冲使飞行器产生推力。由于这种推进技术以激光作 为能量源及激光本身的特性，使得激光推进技术具有如下缺点1、激光的能量转换效率较 低，常用的C02激光器能量转换效率不足20 %，最新的光纤激光器转换效率也不超过30 %， 从而导致推进器的能量利用率低；2、对于比冲性能高的单元素材料，激光烧蚀的冲量耦合 系数较低，产生的推力小；3、激光与材料的作用深度比较浅；4、激光很难烧蚀高反射率的 材料，使得推进器的靶材选择受到限制；5、毫秒级激光由于作用时间较长，靶材只能选择热 导率低的聚合物，纳秒级激光作用时间短，但是受到现有激光技术的限制，很难经过小型化 设计后应用到微卫星上。
发明内容
本发明提供一种电子束烧蚀推进方法及系统，以使电子束烧蚀靶材实现微推进。为了实现上述目的，在一实施例中，本发明提供了 一种电子束烧蚀推进方法，该方 法包括采用电子束产生装置产生电子束，并使电子束经过所述电子束产生装置的出口射 向靶材；电子束烧蚀所述靶材产生反冲推力推动所述靶材。为了实现上述目的，在一实施例中，本发明还提供了一种电子束烧蚀推进系统，该 系统包括电子束产生装置及靶材。其中所述电子束产生装置用于产生电子束，并使所述电 子束经过所述电子束产生装置出口射向所述靶材，以产生烧蚀反冲推力推动所述靶材；所 述靶材用于接收所述电子束，并在所述电子束的烧蚀作用下向外产生气体或者微小颗粒。
本发明实施例的有益效果在于，能量转换效率非常高，同样的条件下，靶材与短脉 冲强流电子束相互作用的冲量耦合系数更高，因而可以用比冲性能高的单元素金属作为靶 材，解决激光烧蚀推进技术中因为冲量耦合系数低而不能使用比冲性能高的单元素金属的 问题；脉宽为几十纳秒，作用时间极短，能够实现微小冲量的单次注入；与靶材相互作用的 响应时间快；烧蚀束斑小，作用区域精准，便于推进的精确定位；可控性能好，通过调节束 源的脉宽、频率、峰值功率密度等，可以完成对推进性能的控制；不受靶材物质反射性能的 影响，可以用来烧蚀如金、银、铜、铝等难于与被激光烧蚀的材料；每个脉冲的烧蚀质量很 小，所以推进器的总冲很大，使用寿命长。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。在附图中图IA为本发明实施例电子束烧蚀推进系统的结构示意图；图IB为本发明另一实施例电子束烧蚀推进系统的结构示意图；图2为本发明实施例赝火花放电装置的结构示意图；图3为本发明实施例赝火花放电室的结构示意图；图4为本发明实施例的电子束烧蚀推进方法流程图；图5为本发明另一实施例电子束烧蚀推进系统的结构示意图。
具体实施例方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本发 明实施例做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但并 不作为对本发明的限定。实施例一如图1所示，本实施例的电子束烧蚀推进系统包括电子束产生装置101及靶材 102。电子束产生装置101产生电子束，并使电子束经过电子束产生装置101出口射向 所述靶材102，以产生沿电子束传输方向的烧蚀反冲推力。靶材102接收电子束产生装置 101产生的电子束，并在电子束的烧蚀作用下向外(与电子束传输方向相反)产生气体或者 微小颗粒。靶材102的材料可以为金、银、铜、铝等，本发明不限于此。本实施例的电子束烧蚀推进系统也可以如图IB所示，图IB与图IA不同的地方在 于，靶材没有放置于真空室中。电子束入射到靶材表面，与靶材物质发生相互作用，其能量充分耦合进靶材，使其 发生一系列的热力学作用，产生熔化、气化，向外喷射出气体或者微小物质颗粒，形成反冲， 产生推力。调节束源的脉宽、频率、峰值功率密度等，可以实现对于微推进性能的调节。采用电子束产生装置101作为束源的优点在于，电子束与靶材相互作用的响应时 间快；烧蚀束斑小，作用区域精准，便于推进的精确定位；电子束的可控性能好，通过调节
4电子束产生装置101的脉宽、频率、峰值功率密度等，可以完成对推进性能的控制；不受靶 材物质反射性能的影响，可以用来烧蚀如金、银、铜、铝等难于与被激光烧蚀的材料。电子束产生装置101可以为短脉冲强流电子束产生装置，包括=Marx发生器-脉 冲形成线-多级放电室，触发器-单级放电室，赝火花放电装置等，本发明仅以赝火花放电 装置为例进行详细说明。如图2所示，赝火花放电装置包括高压电源(包括调压器201、升压变压器202、 倍压线路20 、放电电容204及赝火花放电室205，高压电源、放电电容204及赝火花放电 室205依次顺序电连接，所述的放电电容204与赝火花放电室205并联连接。赝火花放电装置还包括充电电阻R、进气阀206，真空泵连接口 207，靶材208及 真空室209。充电电阻R连接在放点电容204与倍压线路203之间。较佳地，充电电阻R的 大小为150MΩ，本发明不限于此。真空泵连接口 207与真空泵连接，用于对真空室209抽真 空。赝火花放电室205用来产生脉冲电子束，如图3所示，赝火花放电室205包括金属 电极环301及绝缘片圆环302，多个金属电极环301与绝缘片圆环302交替间隔粘合而成。 赝火花放电室205中间形成一个中心通孔303，作为脉冲电子束的传输通道。放电室保持高 度的轴对称性和密闭性以便产生准直的电子束和保证放电室的低气压。较佳地，本实施例中金属电极环301及绝缘片圆环302的个数可以分别为10及 11，靶材与赝火花放电室出束口的距离可以设定为1cm，本发明不以此为限。较佳地，金属电极环301可以选用45号碳钢，绝缘片圆环302可以选用有机玻璃 或陶瓷。金属电极环301的几何尺寸分别为金属电极圆环的外径为22mm，内径为1mm，厚 度为Imm ；绝缘片圆环302的几何尺寸分别为绝缘片圆环的外径为37mm，内径为11mm，厚 度为2mm，本发明不以此为限。在图2所示的赝火花放电装置中，放电电容204的大小决定了放电频率的大小，放 电电容204可以取2245pF，此时放电频率约为1Hz，本发明不限于此。赝火花放电发生在巴申曲线的左半支，击穿电压随着气压和放电间隙乘积的增大 而迅速减小，最显著的特点是随着气压的下降，击穿电压迅速上升，它的工作环境为低真空 (1 IOOPa)。当赝火花放电产生的强流脉冲电子束辐照到固体靶材时，会在微秒甚至纳秒 量级的时间内将能量呈指数律下降地沉积在靶材物质的前表层内，瞬间产生高温高压，使 材料产生很大的温度梯度和压力梯度。如果电子束的辐照强度足够高，可使受辐照部分靶 材物质的前表层出现物质喷射现象，从而给靶物质施加一个反冲的喷射冲量，形成微推进。 下面详细说明电子束烧蚀推进系统的工作流程首先，利用机械泵将赝火花放电室205抽低真空至真空度为2 3Pa。然后把市电 加到调压器201上，调节调压器201的旋钮调整初始输入电压的大小，进而改变加到赝火花 放电室205上的输出电压。通过升压变压器202，将市电电压提升到几十千伏高压，此时输 出的交流高压经过倍压电路203调整为直流高压，经过充电电阻R将直流负高压加到赝火 花放电室205上端。然后通过进气阀206进气，缓慢提升赝火花放电室205的气压，当气压达到7 IOPa时，赝火花放电室205开始稳定放电。产生的强流脉冲电子束与靶材208相互作用，使 得靶材208的表面物质向外喷射，进而产生反冲推力，推动靶材208向前运动，达到推进的目的。反冲推力的大小通过调节调压器201及赝火花放电室205的真空度进行调节。本实施例中，赝火花放电室205的出束口正对靶材102，靶材可以通过细丝吊挂在 真空室105中，在电子束烧蚀靶材102产生的反冲推力的作用下，靶材102将被推动，做单 摆运动。由上述可知，赝火花放电装置结构简单，便于小型化设计，且束流密度大，可以产 生冲量在10_8 10_8N .S量级的微推力，符合微型卫星相对位置控制的精度要求；烧蚀束斑 小，可实现微推力器的精确定位；以脉冲的方式进行工作，可实现微小冲量的单次注入；调 节放电室真空度和所加的高压，便可完成推进参数的调节；不存在羽流污染、泄漏和散热等 问题。本发明的有益技术效果在于1、能量转换效率非常高(80% 90% )，同样的条件下，靶材与短脉冲强流电子 束相互作用的冲量耦合系数更高，因而可以用比冲性能高的单元素金属作为靶材，解决激 光烧蚀推进技术中因为冲量耦合系数低而不能使用比冲性能高的单元素金属的问题；2、脉 宽为几十纳秒，作用时间极短，能够实现微小冲量的单次注入；3、与靶材相互作用的响应时 间快；4、烧蚀束斑小，作用区域精准，便于推进的精确定位；5、可控性能好，通过调节束源 的脉宽、频率、峰值功率密度等，可以完成对推进性能的控制；6、不受靶材物质反射性能的 影响，可以用来烧蚀如金、银、铜、铝等难于与被激光烧蚀的材料；7、每个脉冲的烧蚀质量很 小，小于10-6克，所以推进器的总冲很大，使用寿命长。实施例二如图4所示，本实施例提供一种电子束烧蚀推进方法，该方法包括采用电子束产生装置产生电子束，并使所述电子束经过所述电子束产生装置的出 口射向靶材S401 ；所述电子束烧蚀所述靶材产生反冲推力推动所述靶材，即所述电子束烧蚀所述 靶材，使所述靶材向外喷射出气体或者微小颗粒，同时产生反冲推力；所述反冲推力推动所 述靶材S402。电子束产生装置101可以为短脉冲强流电子束产生装置，包括=Marx发生器-脉 冲形成线-多级放电室，触发器-单级放电室，赝火花放电装置等，本发明仅以赝火花放电 装置为例详细说明电子束烧蚀推进方法。如图2所示，赝火花放电装置包括高压电源(包括调压器201、升压变压器202、 倍压线路20 、放电电容204及赝火花放电室205，高压电源、放电电容204及赝火花放电 室205依次顺序电连接，所述的放电电容204与赝火花放电室205并联连接。赝火花放电装置还包括充电电阻R、进气阀206，真空泵连接口 207，靶材208及 真空室209。充电电阻R连接在放点电容204与倍压线路203之间。真空泵连接口 207与 真空泵连接，用于对真空室209抽真空。赝火花放电室205用来产生脉冲电子束，如图3所示，赝火花放电室205包括金属 电极环301及绝缘片圆环302，多个金属电极环301与绝缘片圆环302交替间隔粘合而成。 赝火花放电室205中间形成一个中心通孔303，作为脉冲电子束的传输通道。放电室保持高 度的轴对称性和密闭性以便产生准直的电子束和保证放电室的低气压。较佳地，本实施例中金属电极环301及绝缘片圆环302的个数可以分别为10及11，本发明不以此为限。较佳地，金属电极环301可以选用45号碳钢，绝缘片圆环302可以选用有机玻璃 或陶瓷。金属电极环301的几何尺寸分别为金属电极圆环的外径为22mm，内径为1mm，厚 度为Imm ；绝缘片圆环302的几何尺寸分别为绝缘片圆环的外径为37mm，内径为11mm，厚 度为2mm，本发明不以此为限。在图2所示的赝火花放电装置中，放电电容204的大小决定了放电频率的大小，放 电电容204可以取2245pF，此时放电频率约为1Hz，本发明不限于此。下面详细说明本实施例的电子束烧蚀推进方法首先，利用机械泵将赝火花放电室205抽低真空至真空度为2 3Pa。然后把市电 加到调压器201上，调节调压器201的旋钮调整初始输入电压的大小，进而改变加到赝火花 放电室205上的输出电压。通过升压变压器202，将市电电压提升到几十千伏高压，此时输 出的交流高压经过倍压电路203调整为直流高压，经过充电电阻R将直流负高压加到赝火 花放电室205上端。然后，通过进气阀206进气，缓慢提升赝火花放电室205的气压，当气压达到7 IOPa时，赝火花放电室205开始稳定放电。产生的强流脉冲电子束与靶材208相互作用，使 得靶材208的表面物质向外喷射，进而产生反冲推力，推动靶材208向前运动，达到推进的 目的。反冲推力的大小通过调节调压器201及赝火花放电室205的真空度进行调节。本实施例中，赝火花放电室205的出束口正对靶材102，靶材可以通过细丝吊挂在 真空室105中，在电子束烧蚀靶材102产生的反冲推力的作用下，靶材102将被推动，做单 摆运动。较佳地，为了更好的验证靶材在电子束烧蚀产生的反冲推力的作用下运动，靶材 可以设计成如图5的放置方式。如图5所示，垂直悬丝501固定在刚性横梁502的两端， 横梁一端粘贴烧蚀靶材，另一端粘贴反射镜503，并且保证二者质量相等。探测激光束照射 反射镜503，光线反射到标尺504上。当电子束垂直入射与靶材相互作用时，粘贴在横梁的 靶材入射点处材料烧蚀。烧蚀物反喷，产生冲量作用于横梁，使横梁转动。之后横梁进行 有阻尼扭转振动直至停止。当横梁发生微小转动时入射到反射镜503上出射光线发生角度 偏转，打到标尺504上的光点发生左右周期摆动。由光点移动位移可计算出最大旋转角度 θ max，之后可由θ max经过相关计算求得脉冲电子束烧蚀反冲作用所产生冲量大小。相对于现有技术，本发明的有益技术效果在于1、能量转换效率非常高(80% 90% )，同样的条件下，靶材与短脉冲强流电子 束相互作用的冲量耦合系数更高，因而可以用比冲性能高的单元素金属作为靶材，解决激 光烧蚀推进技术中因为冲量耦合系数低而不能使用比冲性能高的单元素金属的问题；2、脉 宽为几十纳秒，作用时间极短，能够实现微小冲量的单次注入；3、与靶材相互作用的响应时 间快；4、烧蚀束斑小，作用区域精准，便于推进的精确定位；5、可控性能好，通过调节束源 的脉宽、频率、峰值功率密度等，可以完成对推进性能的控制；6、不受靶材物质反射性能的 影响，可以用来烧蚀如金、银、铜、铝等难于与被激光烧蚀的材料；7、每个脉冲的烧蚀质量很 小，小于10-6克，所以推进器的总冲很大，使用寿命长。本发明的电子束烧蚀推进系统由于体积小，反冲推力大小调节方便，靶材与短脉 冲强流电子束相互作用的冲量耦合系数高，不受靶材物质反射性能的影响等优点，有望代
7替传统的卫星推进器。 以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详 细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限定本发明的保 护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本 发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种电子束烧蚀推进方法，其特征在于，所述的方法包括采用电子束产生装置产生电子束，并使所述电子束经过所述电子束产生装置的出口射 向靶材；所述电子束烧蚀所述靶材产生反冲推力推动所述靶材。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束烧蚀所述靶材产生反冲推力推 动所述靶材，包括所述电子束烧蚀所述靶材，使所述靶材向外喷射出气体或者微小颗粒，同时产生反冲 推力；所述反冲推力推动所述靶材。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的电子束产生装置为短脉冲强流电子束产生装置。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的短脉冲强流电子束产生装置为赝火 花放电装置，所述的赝火花放电装置包括高压电源、赝火花放电室及放电电容，所述的高 压电源、放电电容及赝火花放电室依次顺序电连接，所述的放电电容与赝火花放电室并联 连接。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反冲推力的大小通过调节所述高压电 源的电压及赝火花放电室的真空度进行调节。
6.一种电子束烧蚀推进系统，其特征在于，所述的系统包括电子束产生装置及靶材，其中所述电子束产生装置用于产生电子束，并使所述电子束经过所述电子束产生装置出口 射向所述靶材，以产生烧蚀反冲推力推动所述靶材；所述靶材用于接收所述电子束，并在所述电子束的烧蚀作用下向外产生气体或者微小 颗粒。
7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述的电子束产生装置为短脉冲强流电子束产生装置。
8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述的短脉冲强流电子束产生装置为赝火 花放电装置，所述的赝火花放电装置包括高压电源、放电电容及赝火花放电室，所述的高 压电源及依次顺序电连接，所述的放电电容与赝火花放电室并联连接。
9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述反冲推力的大小通过调节所述高压电 源的电压及赝火花放电室的真空度进行调节。
10.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述靶材与赝火花放电室出束口的距离为1cm。
全文摘要
本发明提供一种电子束烧蚀推进方法及系统，该电子束烧蚀推进方法包括采用电子束产生装置产生电子束，并使所述电子束经过所述电子束产生装置的出口射向靶材；所述电子束烧蚀所述靶材产生反冲推力推动所述靶材。本发明的能量转换效率非常高，解决了激光烧蚀推进技术中因为冲量耦合系数低而不能使用比冲性能高的单元素金属的问题；作用时间极短，能够实现微小冲量的单次注入；与靶材相互作用的响应时间快；烧蚀束斑小，作用区域精准，便于推进的精确定位；通过调节束源的脉宽、频率、峰值功率密度等，可以完成对推进性能的控制；不受靶材物质反射性能的影响；每个脉冲的烧蚀质量很小，所以推进器的总冲很大，使用寿命长。
文档编号F03H1/00GK102116277SQ20101061475
公开日2011年7月6日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者乐小云, 喻晓, 屈卫卫, 张洁, 张高龙, 沈杰, 王立英, 王莹, 荣翠华, 郭晨雷 申请人:北京航空航天大学