专利名称：一种大行程结构的静电驱动mems变形镜的制作方法
一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法技术领域
本发明属于微光机电系统技术领域，特别涉及一种适用于自适应光学系统的静电吸引型大行程MEMS变形镜的制作方法。
背景技术：
在变形镜领域，静电驱动的MEMS (微电子机械系统)变形镜具有响应速度快、能耗低、体积小、单元密度高以及与集成电路兼容性好的优点，而成为一种最具有发展潜力的微变形镜。然而，现有的静电驱动MEMS变形镜，因收到静电吸引(pull-1n)现象的限制， 其有效行程只有上、下电极初始间隙的三分之一。采用表面硅工艺的制作的MEMS变形镜， 一般采用二氧化硅做牺牲层，受到现有的应力控制技术的制约，牺牲层的厚度较小，一般在 3 μ m-8 μ m,且制作成本高，成品率低，造成变形镜的有效行程小，实用化性能差。发明内容
本发明要解决的技术问题是针对现有的大厚度牺牲层难加工的缺陷，本发明目的是提供一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法。
为了实现所述目的，本发明提供一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，其制作方法的步骤如下
步骤A至步骤E :在硅基底上镀掩膜层；在掩膜层上涂光刻胶，并经过光刻、显影后形成行程腔的腐蚀窗口；
步骤F :刻蚀掩膜层、刻蚀硅基底，形成行程腔；
步骤G :在行程腔底部用等离子干法刻蚀工艺刻蚀通孔；
步骤H :除掉掩膜层和光刻胶，并沉积绝缘层；
步骤1:在行程腔的底部加工下电极和导引线；
步骤J :喷涂光刻胶，光刻后得到制作锚点的窗口，并沉积锚点电镀种子层；
步骤K :洗掉光刻胶，得到具有锚点电镀种子层的结构；
步骤L :涂光刻胶，并光亥IJ、显影后得到锚点电镀窗口 ；
步骤M :电镀锚点，控制电镀厚度不要超出光刻胶的厚度；
步骤N 电镀锚点后，除掉光刻胶；
步骤O :重新涂光刻胶，胶层厚度没过锚点；
步骤P :固化光刻胶，得到固化的光刻胶；
步骤Q CMP抛光固化光刻胶和锚点结构，抛光程度保证得到暴露在外的、端面平整光滑的锚点；
步骤R :在抛光的固化光刻胶上甩胶，光刻、显影并溅射梁电镀种子层及上电极电镀种子层；
步骤S :洗掉光刻胶，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构，得到梁电镀种子层和上电极电镀种子层结构；
步骤T :再次涂光刻胶、光刻后，打开上电极的电镀窗口和梁的电镀窗口 ；
步骤U 电镀梁和上电极；
步骤V 电镀后洗掉光刻胶，并重新甩光刻胶；
步骤W :光刻、显影、溅射支撑柱的支撑柱电镀种子层；
步骤X :洗掉光刻胶,利用lift-off工艺除掉多余的金属结构，重新涂光刻胶,光刻显影后，电镀得到支撑柱，控制电镀支撑柱的高度厚度低于光刻胶的高度；
步骤Y :固化光刻胶，CMP抛平固化后的光刻胶和支撑柱的端面；
步骤Z :在步骤Ti的结构上涂光刻胶、光刻、显影并溅射镜面的电镀种子层；
步骤AA :除掉光刻胶,利用lift-off工艺除掉多余的金属结构,再次涂光刻胶、光刻并电镀镜面结构；
步骤BB :洗掉电镀后的光刻胶，重新涂光刻胶，光刻胶的厚度没过镜面；
步骤CC :高温固化光刻胶，CMP抛平固化的光刻胶和镜面；
步骤DD :干法释放固化的光刻胶，得到大行程结构的静电驱动MEMS变形镜静，采用干法释放固化的光刻胶能有效的防治变形镜各结构间的粘连。
本发明的有益效果利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，结合电镀工艺、化学抛光(CMP)以及低压化学沉积工艺(LPCVD)，可以有效的克服现有的基于表硅工艺的厚膜加工难的加工工艺的限制，制作出大初始间距的上、下电极结构，使变形镜获得大的有效行程，最闻可达15μπι以上。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案是通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
图1是一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的结构示意图。
图2Α至图2Ζ、图2ΑΑ至图2DD是一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作工艺流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
下面结合附图和具体实施方式
详细介绍本发明。
如图1示出的大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的结构，图中的部件含有镜面 I、梁2、锚点3、硅基底4、绝缘层5、导引线6、下电极7、行程腔8、上电极9和支撑柱10掩膜层11，其中硅基底4上加工有行程腔8，其上覆盖绝缘层5，在行程腔8的底部制作有下电极7，其下表面连接导体线6。硅基底4通过锚点3利用梁2支撑变形镜的上电极9，上电极 9借助支撑柱10支撑变形镜的镜面1，构成大行程结构的MEMS变形镜。
如附图2Α至图2Ζ、图2ΑΑ至图2DD示出含有掩膜层11、光刻胶12、光刻胶上开的行程腔刻蚀窗口 13、掩膜层11上开的行程腔刻蚀窗口 14、通孔15、锚点电镀种子层16、多余的无用金属层17、锚点的电镀窗口 18、固化的光刻胶19、梁电镀种子层20、上电极电镀种子层21、上电极的电镀窗口 22、梁的电镀窗口 23、支撑柱电镀种子层24和镜面电镀种子层 25的大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作工艺流程步骤如下
如附图2A至图2E示出在硅基底4上镀掩膜层11，掩膜层11可以是金属或氮化硅等物质；在掩膜层11上涂光刻胶12，并经过光刻、显影后形成行程腔8的腐蚀窗口 13 ；
刻蚀掩膜层11、刻蚀硅基底4，形成行程腔8，如附图2F所示；刻蚀方法可用ICP干法刻蚀或KOH溶液湿法刻蚀；
如附图2G示出在行程腔8底部用等离子干法刻蚀工艺(ICP)刻蚀通孔15 ；
如附图2H示出除掉掩膜层11和光刻胶12，并沉积绝缘层5，绝缘层5的材料为氮化硅；
如附图21示出在行程腔8的底部加工下电极7和导引线6，下电极7和导引线6 的材料为金属或掺杂的多晶硅；
喷涂光刻胶12，光刻后得到制作锚点3的窗口，并沉积锚点电镀种子层16，如附图 2J所示；
洗掉光刻胶12，得到具有锚点电镀种子层16的结构，如附图2K所示；
涂光刻胶12，并光刻、显影后得到锚点电镀窗口 18，如图2L所示；
电镀锚点3，控制电镀厚度不要超出光刻胶12的厚度，得到的结构，如图2M所示；
电镀锚点3后，除掉光刻胶12，得到如图2N所示的结构；
重新涂光刻胶12，胶层厚度没过锚点3，如图20所示；
高温固化光刻胶，得到固化的光刻胶19如图2P所示；
CMP抛光固化的光刻胶19和锚点3结构，抛光程度保证可以得到暴露在外的、端面平整光滑的锚点3，所得结构如图2Q所示；
在抛光的固化光刻胶19上甩胶，光刻，显影并溅射梁2的梁电镀种子层20，上电极 9的上电极电镀种子层21，所得结构如图2R所示；
洗掉光刻胶12，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构17，得到梁电镀种子层20 和上电极电镀种子层21结构，如图2S所示；
再次涂光刻胶12、光刻后开上电极的电镀窗口 22和梁的电镀窗口 23，如图2T所示；
电镀梁2和上电极9，得到如图2U所示的结构；
电镀后洗掉光刻胶12，并重新甩光刻胶12，如图2V所示；
光刻、显影、溅射支撑柱10的支撑柱电镀种子层24，如图2W所示；
洗掉光刻胶12，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构17，重新涂光刻胶12，光刻显影后，电镀得到支撑柱10，控制电镀支撑柱10的高度低于光刻胶12的高度，如图2X所示；
高温固化光刻胶12，CMP抛平固化后的光刻胶19和支撑柱10的端面，如图2Y所示；
在图2Y所示的结构上涂光刻胶、光刻、显影并溅射镜面I的电镜面镀种子层25，如图TL所示；
除掉光刻胶12，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构17，再次涂光刻胶12、光刻并电镀镜面I结构，所得结构如图2AA所示；
洗掉电镀后的光刻胶12，重新涂光刻胶12，光刻胶12的厚度没过镜面1，如图2BB 所示；
高温固化光刻胶12，CMP抛平固化的光刻胶19和镜面1，所得结构如图2CC所示；
干法释放固化的光刻胶19，得到大行程结构的静电驱动MEMS变形镜静，采用干法释放固化的光刻胶19可以有效的防治变形镜各结构间的粘连，如图2DD所示。
其中，电镀形成锚点3后，重新涂光刻胶12，光刻胶12胶层没过锚点3结构，没过的深度在O. 01 μ m-30 μ m,烘胶温度180摄氏度-360摄氏度，烘胶时间30秒-300秒，固化光刻胶12和锚点3结构，用CMP化学抛光固化的光刻胶19和锚点3，得到光滑平整的表面， 锚点3的抛光磨削量O. 01 μ m-20 μ m。
其中，得到电镀支撑柱10结构后，烘胶温度180摄氏度-360摄氏度，烘胶时间30 秒-300秒，固化光刻胶12和支撑柱I结构，CMP化学抛光固化的光刻胶19和支撑柱10，得到光滑平整的表面，研磨抛光支撑柱10的抛光磨削量O. 01 μ m-20 μ m。
其中，电镀镜面I结构后，重新涂光刻胶12，光刻胶12胶层没过镜面I结构，没过的深度在O. 01 μ m-30 μ m,烘胶温度180摄氏度-360摄氏度，烘胶时间30秒-300秒，固化光刻胶12和镜面I结构，CMP抛光固化的光刻胶19和镜面1，得到光滑平整的表面，镜面I 抛光磨削量O. 01 μ m-20 μ m。
下面以行程腔8深20 μ m,行程腔8底部尺寸为300 μ mX 500 μ m的长方形，锚点3 高2. 5 μ m的一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜为例，结合附图对本发明作具体描述。
选用双面抛光、厚度380 μ m的硅片作为大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的硅基底4,如图2A图所不；
在硅基底4上蒸镀500nm厚的金膜作为掩膜层11，如图2B图所示；
在掩膜层11上涂光刻胶12，光刻胶12的厚度2 μ m，如图2C图所示；
光刻，显影，在光刻胶12上开行程腔的胶刻蚀窗口 13，如图2D图所示；
用金腐蚀液，湿法刻蚀金形成的掩膜层11，在掩膜层11上开行程腔的掩膜层刻蚀窗口 14，如图2E所示；
除光刻胶层12，并用KOH腐蚀液刻蚀硅基底4，得到行程腔8，行程腔深20 μ m,如图2F所示；
用金腐蚀液除掉掩膜层11，在行程腔8底部打通孔15，孔直径200 μ m，工艺手段采用ICP，如图2G图所示；
在硅基底4，行程腔8和通孔15的表面上生长氮化硅层，厚度400nm，作为绝缘层 5，工艺手段采用磁控溅射和LPCVD，如图2H图所示；
采用电镀工艺，在行程腔8底部制作下电极7及导引线6，如图21图所示；
保形沉积光刻胶12，厚度4 μ m，光刻，显影后溅射锚点3的锚点电镀种子层16，厚 500nm，如图2J所示；
采用lift-off工艺，除掉光刻胶12，除掉多余的无用金属17，得到锚点3的锚点电镀种子层16，如图2K图所示。
涂光刻胶12，光刻，显影开锚点3的电镀窗口 18，胶厚3. 5 μ m，得到如图2L图所示的电镀结构。
电镀锚点3，控制电镀厚度在2. 5 μ m之间，得到如图2M图所示的结构；
洗掉光刻胶12，得到如图2N所示的结构；
涂光刻胶12，胶层没过锚点3，厚4 μ m-5 μ m,得到如图20所示的结构；
高温固化光刻胶12，形成固化的光刻胶19，温度245摄氏度，烘胶时间90秒，得到如图2P所示的结构；
CMP抛光固化的光刻胶19，得到平整的固化光刻胶19，抛光时保证锚点3的端面露出固化的光刻胶19并被抛光平整，抛光时抛掉锚点3的厚度控制在O. 5μπι左右，如图2Q 所示；
在抛光的固化光刻胶19的胶面上甩光刻胶12，胶厚2 μ m,光刻，显影，溅射梁2的梁电镀种子层20和上电极9的上电极电镀种子层21，种子层厚O. 5 μ m，所得结构如图2R 所示；
超声洗，洗掉光刻胶12，利用lift-off工艺除掉溅射种子层时产生的多余的金属层结构17，得到梁电镀种子层20和上电极的电镀种子层21，如图2S所示；
再次涂光刻胶12，胶厚3 μ m，光刻，显影后开上电极9和上电极电镀窗口 22和和梁2的梁电镀窗口 23，如图2T所示；
电镀梁2和上电极9的结构，电镀时，电镀厚度2 μ m，得到如图2U所示的结构；
电镀后洗掉光刻胶，并重新甩光刻胶12，胶层厚度4 μ m,得到如图2V所示的结构；
光刻、显影、溅射支撑柱10的支撑柱电镀种子层24，种子层厚O. 5 μ m，得到如图2W 所示的结构；
洗掉溅射种子层后的光刻胶，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构17，重新涂光刻胶12，光刻胶的厚度为5. 5 μ m，光刻显影后，电镀得到支撑柱10，电镀支撑柱10的高度为2μηι,如图2Χ所示；
高温固化光刻胶12，得到固化的光刻胶19，CMP抛平固化后的光刻胶19和支撑柱 10的端面，支撑柱10磨削厚度O. 5 μ m，使支撑柱10的端面平整光滑的暴露出来，如图2Y 所示；
在图1中Y图所示的结构上上涂光刻胶12，胶厚2 μ m,光刻，显影并溅射镜面I的镜面电镀种子层25,种子层O. 5 μ m,如图TL图所不；
除掉光刻胶12，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构17，再次涂光刻胶12，胶厚3 μ m，光刻，显影并电镀镜面I结构，电镀厚度2 μ m,所得结构如图2AA所示；
洗掉电镀后的光刻胶12，重新涂光刻胶12，光刻胶12没过镜面I，厚度4 μ m，如图 2BB所示；
高温固化光刻胶12，CMP抛平固化的光刻胶19和镜面1，使镜面平整光滑的暴露出来，镜面磨削深度O. 5 μ m，所得结构如图2CC所示；
干法释放固化的光刻胶19充当的牺牲层，得到大行程结构的静电驱动MEMS变形镜静，如图2DD所示。
以上所述，仅为本发明中的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可理解想到的变换或替换，都应涵盖在本发明的包含范围之内。
权利要求
1.一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，其特征在于所述制作方法的步骤如下 步骤A至步骤E :在硅基底上镀掩膜层；在掩膜层上涂光刻胶，并经过光刻、显影后形成行程腔的腐蚀窗口； 步骤F :刻蚀掩膜层、刻蚀硅基底，形成行程腔； 步骤G :在行程腔底部用等离子干法刻蚀工艺刻蚀通孔； 步骤H :除掉掩膜层和光刻胶，并沉积绝缘层； 步骤I :在行程腔的底部加工下电极和导引线； 步骤J :喷涂光刻胶，光刻后得到制作锚点的窗口，并沉积锚点电镀种子层； 步骤K :洗掉光刻胶，得到具有锚点电镀种子层的结构； 步骤L :涂光刻胶，并光刻、显影后得到锚点电镀窗口 ； 步骤M :电镀锚点，控制电镀厚度不要超出光刻胶的厚度； 步骤N 电镀锚点后，除掉光刻胶； 步骤O :重新涂光刻胶，胶层厚度没过锚点； 步骤P :固化光刻胶，得到固化的光刻胶； 步骤Q =CMP抛光固化光刻胶和锚点结构，抛光程度保证得到暴露在外的、端面平整光滑的锚点； 步骤R :在抛光的固化光刻胶上甩胶，光刻、显影并溅射梁电镀种子层及上电极电镀种子层； 步骤S :洗掉光刻胶，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构，得到梁电镀种子层和上电极电镀种子层结构； 步骤T :再次涂光刻胶、光刻后，打开上电极的电镀窗口和梁的电镀窗口 ； 步骤U :电镀梁和上电极； 步骤V 电镀后洗掉光刻胶，并重新甩光刻胶； 步骤W :光刻、显影、溅射支撑柱的支撑柱电镀种子层； 步骤X :洗掉光刻胶，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构，重新涂光刻胶，光刻显影后，电镀得到支撑柱，控制电镀支撑柱的高度厚度低于光刻胶的高度； 步骤Y :固化光刻胶，CMP抛平固化后的光刻胶和支撑柱的端面； 步骤Z :在步骤Ti的结构上涂光刻胶、光刻、显影并溅射镜面的电镀种子层； 步骤AA :除掉光刻胶，利用lift-off工艺除掉多余的金属结构，再次涂光刻胶、光刻并电镀镜面结构； 步骤BB :洗掉电镀后的光刻胶，重新涂光刻胶，光刻胶的厚度没过镜面； 步骤CC :高温固化光刻胶，CMP抛平固化的光刻胶和镜面； 步骤DD:干法释放固化的光刻胶，得到大行程结构的静电驱动MEMS变形镜，采用干法释放固化的光刻胶能有效的防治变形镜各结构间的粘连。
2.如权利要求I所述大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，其特征在于电镀形成锚点后，重新涂光刻胶，光刻胶胶层没过锚点结构，没过的深度在O. 01 μ m-30 μ m,烘胶温度180摄氏度-360摄氏度，烘胶时间30秒-300秒，固化光刻胶和锚点结构，用CMP化学抛光固化的光刻胶和锚点，得到光滑平整的表面，锚点的抛光磨削量O. 01 μ m-20 μ m。
3.如权利要求I所述大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，其特征在于得到电镀支撑柱结构后，烘胶温度180摄氏度-360摄氏度，烘胶时间30秒-300秒，固化光刻胶和支撑柱结构，CMP化学抛光固化的光刻胶和支撑柱，得到光滑平整的表面，研磨抛光支撑柱的抛光磨削量O. 01 μ m-20 μ m。
4.如权要求利I所述大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，其特征在于电镀镜面结构后重新涂光刻胶，光刻胶胶层没过镜面结构，没过深度在O. 01 μ m-30 μ m,烘胶温度180摄氏度-360摄氏度，烘胶时间30秒-300秒，固化光刻胶和镜面结构，CMP抛光固化的光刻胶和镜面，得到光滑平整的表面，镜面抛光磨削量O. 01 μ m-20 μ m。
全文摘要
本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
文档编号B81C1/00GK102981271SQ201210461758
公开日2013年3月20日 申请日期2012年11月16日 优先权日2012年11月16日
发明者庄须叶, 邱传凯, 姚军, 汪为民, 王强, 张铁军, 罗吉, 张建飞, 熊伟 申请人:中国科学院光电技术研究所