混合集成部件及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及用于实现混合集成部件的措施。部件（100）包括ASIC构件（10）、具有微机械结构（21）的第一MEMS构件（20）和第一罩晶片（30），微机械结构在第一MEMS衬底（10）整个厚度上延伸，第一罩晶片装配在微机械结构（21）上方。微机械结构（21）具有可偏转的结构元件（23）。在微机械结构（21）和构件（10）之间存在间隙。在构件（10）背侧装配第二MEMS构件（40）。第二构件（40）的微机械结构（41）在第二MEMS衬底（40）的整个厚度上延伸并且包括可偏转的结构元件。在该微机械结构（41）和构件（10）之间存在间隙并且在该微机械结构（41）上方装配第二罩晶片（50）。
【专利说明】混合集成部件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种混合集成部件，其包括具有经处理的前侧的至少一个ASIC(application specific integrated circuit:专用集成电路)构件、具有微机械结构的第一 MEMS (micro electro mechanical systems:微机电系统)构件和第一罩晶片。第一MEMS构件的微机械结构在MEMS衬底的整个厚度上延伸并且包括至少一个可偏转的结构元件。第一 MEMS构件装配在ASIC构件的经处理的前侧上，从而在微机械结构和ASIC构件之间存在间隙。第一罩晶片装配在第一 MEMS构件的微机械结构上方。
[0002]此外，本发明还涉及一种用于制造这类混合集成部件的方法。
【背景技术】
[0003]具有MEMS构件的部件多年来对于最不同的应用、例如在汽车技术和消费电子领域内批量加工制造。在此，部件的微型化越来越重要。一方面，微型化显著有助于降低部件的制造成本并且因此也有助于降低最终设备的制造成本。另一方面，尤其在消费电子领域内，应将越来越多的功能并且因此将越来越多的部件容纳到最终设备中，而最终设备本身变得越来越小。因此，对于各个部件，在应用印刷电路板上越来越少的空间可供使用。
[0004]实际中已知了用于传感器部件的不同微型化方案，其在部件中提供微机械实现的传感器功能和传感器信号的电路技术的处理和分析的集成。除MEMS功能和ASIC功能在共同的芯片上的横向集成之外，也已经存在用于所谓的垂直混合集成的方案，据此芯片堆叠由ASIC、MEMS和罩晶片构成。
[0005]在US 2011/0049652 Al中描述了这类垂直集成部件及其制造方法。已知的方法提出，将用于MEMS部件的初始衬底键合到已经处理的ASIC衬底上。此后才在MEMS衬底中产生微机械结构，其包括至少一个可偏转的结构元件。与此无关地，罩晶片被结构化并且被预先准备用于装配在MEMS衬底的微机械结构上方和ASIC衬底上。在MEMS衬底的结构化之后将如此经处理的罩晶片键合到ASIC衬底上，从而ASIC衬底和罩晶片之间的微机械结构是密封包围的。
[0006]已知的部件方案能够实现具有微机械功能和信号处理电路的稳固部件的成本有利的大量生产，因为在此不仅在晶片复合体中制造各个部件组成部分——MEMS构件、罩和ASIC，而且在晶片层面上实现其到部件的装配。可以在晶片层面上测试MEMS功能和ASIC功能，并且甚至还可以在分离之前在晶片层面上进行各个部件的调整。此外，已知的部件由于堆叠的结构需要相对较小的装配面，这有利地影响最终设备的制造成本。
[0007]已知的部件方案以MEMS构件与ASIC构件之间的良好面积匹配为前提条件。因此，当微机械MEMS功能与电路技术的ASIC功能具有类似的面积需求时，微型化效果和与此相关的成本优势才特别大。仅仅在这种情况下，可以在不浪费芯片面积的情况下实现两个构件。
[0008]但在实际中的一系列应用中，MEMS构件的微机械结构占据比其实现附属的ASIC功能所需显著更大的芯片面积。其示例是转速传感器和所谓的IMlXInertial MeasurementUnits:惯性测量单元)，其中具有相对较大的微机械结构的转速与加速度传感器元件集成在一个部件中。
【发明内容】
[0009]借助本发明，提出用于实现开头所述类型的混合集成部件，通过所述混合集成部件可以实现特别高的集成密度和特别有效的面积使用，尤其当用于实现MEMS功能的面积需求比用于实现ASIC功能的面积需求显著更大时。
[0010]这根据本发明借助ASIC构件的背侧上的第二 MEMS构件实现，所述第二 MEMS构件的微机械结构在第二 MEMS衬底的整个厚度上延伸并且包括至少一个可偏转的结构元件。所述第二 MEMS构件如此装配在ASIC构件的背侧上，使得在第二 MEMS构件的微机械结构和ASIC构件之间存在间隙。然后，在第二 MEMS构件的微机械结构上方还装配第二罩晶片。
[0011]因此，根据本发明制造五重晶片堆，所述五重晶片堆包括两个MEMS构件和一个ASIC构件。仅仅通过所述方式，根据本发明制造的部件配备有每装配面积很高的功能性。优选地，MEMS构件和ASIC构件构成例如以两个在其传感器功能方面进行补充的微机械传感器元件形式的功能单元，其信号处理与分析电路集成在ASIC构件上。当所述构件应满足类似的功能时，一个部件的两个MEMS构件的微机械结构可以是相同的或相似的。但在一个根据本发明的部件的范畴中，具有完全不同的传感器或执行机构功能的MEMS构件和因此也完全不同的微机械结构也可以进行组合。
[0012]根据本发明的结构尤其适合于无接触式工作的传感器——例如加速度传感器、转速传感器和其他惯性传感器的实现。在惯性传感器的情况下微机械传感器结构包括至少一个弹性悬挂的振动质量(seismische Masse),其由于加速度而偏转。所述加速度也可以通过离心力或旋转运动引起。检测和分析处理振动质量的偏转。
[0013]因为两个MEMS构件的微机械结构根据本发明分别在相应的MEMS衬底的整个厚度上延伸，所以在此在相对较小的芯片面积上可以实现非常大的振动质量，这积极地影响这类传感器元件的测量灵敏度。
[0014]此外，根据本发明的部件方案提供两个MEMS构件的微机械结构的封装，其方式是，两个MEMS构件三明治状地设置在相应的罩晶片和在晶片堆中央设置的ASIC构件之间。由此，保护传感器结构免受杂质、湿度和颗粒影响。此外，使对测量信号的环境影响最小化。此外，通过这种方式可以提供定义的用于传感器结构的压力比，其基本上共同确定传感器元件的阻尼特性。
[0015]如已经提到的那样，在ASIC构件上优选集成有对MEMS构件的微机械功能进行支持和补充的电路功能。在微机械的传感器元件的情况下，在此涉及分析处理电路的部分，而执行机构部件的ASIC构件优选包括用于控制微机械结构的电路装置。在此证明有利的是:
在 ASIC 构件中构造覆锻通孔(Durchkontakte)-所谓的 TSVs (Through Silicon Vias:
穿透硅过孔)，所述覆镀通孔从背侧延伸至经处理的前侧，在所述前侧处集成了 ASIC构件的电路功能。借助这类ASIC覆镀通孔，可以以简单的方式在背侧的MEMS构件与ASIC构件之间建立特别受保护且稳定的电连接。
[0016]根据本发明的制造方法可以以多种方式变化，这尤其涉及五重晶片堆的各个组件之间的机械的和电的连接以及最终得到的部件的外部电接通。在此，必须考虑待制造的部件的功能、规定和装配地点。
[0017]在任何情况下，根据本发明的制造方法提供ASIC衬底的预处理，其中实现电路功能并且也已经施加ASIC覆镀通孔。在另一方法步骤中可以对ASIC衬底进行背侧减薄，以便整体上减小部件高度。或者可以在预处理范畴中——即在ASIC衬底的经处理的前侧上装配第一 MEMS衬底之前或者也可以在装配第一 MEMS衬底之后——更确切地说最晚在ASIC衬底的随后减薄的背侧上装配第二 MEMS衬底之前实施所述方法步骤。
[0018]此外，在ASIC衬底的处理范畴中，可以进行用于两个MEMS衬底的装配面的结构化。在此，例如可以在ASIC表面中产生凹槽，以便确保邻近的MEMS衬底的结构元件的可运动性。在本发明的一种特别有利的实施方式中，在ASIC衬底的经处理的前侧上产生用于装配第一 MEMS衬底的底座结构，从而在ASIC衬底和所装配的第一 MEMS衬底之间存在间隙。也可以在用于装配第二 MEMS衬底的ASIC衬底的背侧上产生这类直立型结构(Standoff-Struktur)。
[0019]优选在键合工艺中建立第一或者第二 MEMS衬底和ASIC衬底之间的连接，因为通过这种方式不仅可以在MEMS构件和ASIC构件之间实现严密密封的机械连接而且可以在MEMS构件和ASIC构件之间实现可靠的电连接。为此，一些已知的和实践中已试验的工艺变型方案——例如等离子体激活直接键合或共晶键合可供使用。
[0020]分别在结构化工艺中定义和暴露两个MEMS构件的微机械结构，其在相应的MEMS衬底的整个厚度上延伸。因此有利地，在结构化之前首先对两个MEMS衬底进行减薄，直至适合于实现相应的MEMS功能的结构高度。
[0021]优选在开槽工艺(Trenchprozess)中实现MEMS衬底的结构化,因为借助所述方法可以产生具有特别高的纵横比的沟槽结构。
[0022]在尽可能紧凑的部件结构和部件的各个组件之间的可靠的内部电接通方面证明有利的是，在第一 MEMS衬底中和/或第二 MEMS衬底中也产生MEMS覆镀通孔作为与ASIC衬底的电连接。
[0023]与装配在ASIC衬底上之后才被结构化的MEMS衬底不同，对根据本发明的部件的罩晶片进行预结构化。必要时，在所述预处理时还产生用于整个部件的外部电接通的罩覆镀通孔。如在ASIC衬底上装配MEMS衬底那样，也优选在键合工艺中进行经预处理的罩晶片的装配，因为通过这种方式可以简单地建立可靠且持续的机械的和电的连接。
[0024]但当在ASIC构件上构造相应的暴露的连接盘时，根据本发明的部件的外部电接通也可以借助引线键合来实现。在这种情况下，部件通常还设有例如模制壳体形式的再封装(Umverpackung)0
[0025]在本发明的一种特别有利的变型方案中，通过两个罩晶片之一中的罩覆镀通孔实现部件的外部电接通。在这种情况下，可以通过相应的罩晶片将部件直接装配在印刷电路板上，其中除部件的机械固定之外还建立与印刷电路板上的印制导线的电连接。在此不需要五重晶片堆的再封装。因为通过罩晶片实现装配，所以不仅两个MEMS构件而且部件的ASIC构件在机械上相对较好地与印刷电路板解耦合，从而印刷电路板的弯曲在任何情况下轻微地影响部件的功能性。
【专利附图】
【附图说明】[0026]如先前已经讨论的，存在以有利的方式设计和扩展本发明的不同可能性来。为此，一方面参考从属于独立权利要求的权利要求并且另一方面参考根据附图参考对本发明的多个实施例的后续说明。
[0027]图1-13根据示意性的剖视图说明依照根据本发明的部件方案的第一传感器部件100的五重晶片堆的制造，
[0028]图14示出具有用于外部电接通的罩覆镀通孔的根据本发明的第二传感器部件200的示意性剖视图，
[0029]图15示出根据本发明的用于检测z加速度的第三传感器部件300的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0030]根据本发明的用于以具有两个MEMS构件和一个ASIC构件的五重晶片堆的形式制造混合集成部件的方法从经预处理的ASIC衬底出发。优选地，ASIC衬底在预处理范畴内配备用于两个MEMS构件的信号处理与分析或控制电路。但除此以外，还可以实现与MEMS无关的电路功能。
[0031]在图1中示出在这样的预处理之后的ASIC衬底10。首先，ASIC电路功能12已集成到初始衬底11中。随后，在初始衬底11中施加经金属化的盲孔形式的ASIC覆镀通孔13，以便最后在初始衬底11上产生具有多个电路层面14的层结构。电路层面14以嵌入到绝缘层15中的经结构化的金属层14的形式实现。ASIC衬底10的如此经处理的前侧最后还设有氮化物钝化部16。
[0032]在此应注意，还可以在半导体功能12之前产生用于ASIC覆镀通孔的经金属化的盲孔13或者也可以事后才将其引入到设有层结构的ASIC衬底11中。此外，在此不详细描述ASIC衬底10的预处理，因为除ASIC覆镀通孔的施加之外，本发明不详细规定所述ASIC衬底的预处理。
[0033]在下一方法步骤中，对氮化物钝化部16进行结构化，以便能够实现ASIC衬底10的最上面的电路层面141的电接通。随后，在ASIC衬底10的表面上沉积以及结构化氧化层171，以便实现用于第一 MEMS衬底的装配的直立型结构171。图2示出所述结构化工艺的结果并且表明在氧化层171的结构化时也已实现用于ASIC衬底10的第一电路层面141的电接通的入口。
[0034]经结构化的氧化层171构成用于未经结构化的第一 MEMS衬底20的装配面。第一MEMS衬底20与ASIC衬底10之间的连接在此以等离子激活直接键合方法建立并且是严密密封的。现在例如以磨削工艺对相对较厚的MEMS衬底20进行减薄，直至其厚度大约等于第一 MEMS构件的所追求的结构高度。所述厚度通常位于IOym和150 μ m之间的范围内。图3示出ASIC衬底10以及经减薄但尚未经结构化的第一 MEMS衬底20并且表明直立型结构171作为ASIC衬底10的闭合表面和第一 MEMS衬底20之间的间隔件的功能。
[0035]在与ASIC衬底10结合的情况下才对第一 MEMS衬底20进行结构化。在本实施例中分两个步骤进行所述结构化。
[0036]第一结构化步骤用于产生覆镀通孔、所谓的过孔22。在此，在MEMS衬底20中产生具有基本上圆形的横截面的通孔，所述通孔通到直立型结构171中的开口中，更确切地说，在那里钝化层16已经打开用于ASIC衬底10的电接通。所述通孔通常具有5:1至20:1的纵横比并且在MEMS衬底20的整个厚度上延伸。通常，在沉积工艺中借助导电材料22——例如铜或钨填充这些通孔之前，借助导电的扩散势垒——例如氮化钛或钛钨涂覆这些通孔的壁。图4示出在填充通孔之后并且在此已经重新移除了在MEMS衬底20的表面上沉积的导电材料之后的ASIC衬底10连同第一 MEMS衬底20。
[0037]在第二结构化步骤中产生第一 MEMS构件20的微机械结构21。所述微机械结构在MEMS衬底20的整个厚度上延伸，如在图5中示出的那样。不仅对于第一结构化步骤而且对于第二结构化步骤优选使用开槽工艺，因为借助所述方法可以产生具有特别高的纵横比的结构。
[0038]在当前情况下,第一 MEMS构件涉及摆动设计(Wippendesign)中的z_加速度传感器。微机械传感器结构21包括在中心弹性支承的摆动结构23作为振动质量，其通过第一MEMS衬底20中的沟槽24定义和暴露。
[0039]在第一 MEMS衬底20的结构化之后，将经预结构化的第一罩晶片30装配在传感器结构21上方，以便在定义的压力条件下将传感器结构21严密密封地包围在ASIC衬底10和第一罩晶片30之间的空腔25中。根据图6，第一罩晶片30在此已设置在第一 MEMS构件20上方并且以键合方法——例如通过共晶键合与ASIC衬底20连接，从而MEMS构件20完全设置在ASIC衬底10和罩晶片30之间的空腔25中。在此应注意，在相应的晶片设计中，第一罩晶片基本上也可以装备在MEMS衬底上，从而仅仅封装传感器结构。
[0040]现在对ASIC衬底10进行背侧变薄。在此，对ASIC覆镀通孔13进行磨削。随后，为了产生背侧的连接盘18，如在图7中示出的那样，首先在ASIC衬底10的背侧上沉积和结构化氧化层19。在此，在ASIC覆镀通孔13的区域中打开氧化层19。在其上沉积金属层——例如铝层、铝铜层或铝硅铜层，随后从所述金属层中结构化出用于覆镀通孔13的背侧连接盘18。
[0041]在下一方法步骤中，在ASIC衬底10的如此经处理的背侧上沉积和结构化另一氧化层172，以便实现用于第二 MEMS衬底的装配的直立型结构172。图8示出所述结构化工艺的结果并且表明在氧化层172的结构化时也实现了通向ASIC衬底10的背侧连接盘18的入口。
[0042]如在第一直立型结构171的情况中那样，背侧的直立型结构172也构成用于MEMS衬底40的装配面。所述第二 MEMS衬底40与ASIC衬底10之间的连接在此同样以等离子激活直接键合方法建立并且是严密密封的。也对第二 MEMS衬底40进行减薄，直至第二 MEMS构件的所追求的结构高度。图9示出ASIC衬底10以及经减薄但尚未经结构化的第二 MEMS衬底40，所述第二 MEMS衬底装配在背侧的直立型结构172上。
[0043]也在与ASIC衬底10结合的情况下才对第二 MEMS衬底40进行结构化和处理。在此，又首先产生覆镀通孔42，为此可以恰恰如同第一 MEMS衬底20那样处理第二 MEMS衬底40。图10示出:第二 MEMS衬底40中的覆镀通孔42的一部分与ASIC覆镀通孔13对齐地设置并且通过相应的连接盘18与所述ASIC覆镀通孔13导电连接。通过这种方式，将第二MEMS构件40也连接到ASIC构件10的电路功能上。除此之外还示出MEMS覆镀通孔42，其与ASIC衬底10的背侧上的绝缘的连接盘18连接。
[0044]随后在第二结构化步骤中产生第二 MEMS构件40的微机械结构41，所述微机械结构同样在MEMS衬底40的整个厚度上延伸。在此，所述微机械结构41的布局完全与第一MEMS构件20的微机械结构21的布局无关。图11表明:在根据本发明的部件方案的范畴内可以将两个MEMS构件20和40在晶体堆中进行组合，所述两个MEMS构件不仅在其微机械结构方面而且在其功能方面不同。
[0045]在第二 MEMS衬底40的结构化之后，最后还在ASIC衬底10的背侧上的第二 MEMS构件40上方安装经预结构化的第二罩晶片50，从而MEMS构件40完全设置在ASIC衬底10和罩晶片50之间的空腔45中。这在图12中示出。在此，也以键合方法例如通过共晶键合来建立罩晶片50与ASIC衬底10之间的严密密封的连接。替代整个第二 MEMS构件，也可以仅仅封装第二 MEMS构件的微机械结构，其方式是，将相应配置的第二罩晶片装配在第二MEMS衬底上。随后，为了减小部件高度，在使部件从晶片复合体中脱离和分离之前，也可以对两个罩晶片30和50进行背侧减薄。
[0046]在此可以锯切第一罩晶片30，以便使ASIC衬底10的前侧上的连接盘140暴露。连接盘140在图13中示出的部件100中用于借助引线键合101的外部电接通。
[0047]在图14中以构件200为例表示根据本发明的五重晶片堆的外部电接通。部件100和部件200之间的唯一重要区别在于罩晶片。在部件100的情况下罩晶片50完全不具有电路技术功能，但在预处理范畴内已产生部件200的罩晶片51中的罩覆镀通孔52。在罩晶片51装配在ASIC衬底10的背侧上之后，所述罩覆镀通孔52连同ASIC覆镀通孔13 —起建立ASIC构件10的电路功能和部件下侧之间的电连接。最后，为了部件200的外部电接通，与ASIC衬底10的背侧上的连接盘18类似地，在罩晶片51或者部件背侧上也产生连接盘53。
[0048]部件200特别良好地适于印刷电路板上的直接装配，因为部件200的电信号通过ASIC覆镀通孔13和罩覆镀通孔52引向外部。不仅部件200在印刷电路板上的机械固定而且电接通在此可以简单地借助焊料凸点54建立。
[0049]最后，再次明确指出，可以十分灵活地使用根据本发明的部件的MEMS面。因此，例如在第一 MEMS构件中可以实现加速度传感器的传感器结构，而第二 MEMS构件配备有转速传感器的传感器结构。第一 MEMS构件还可以包括加速度传感器的和单轴转速传感器的传感器结构，而在第二 MEMS构件中构造有双轴转速传感器的传感器结构。
[0050]但根据本发明的部件的两个MEMS构件也可以配备有完全相似的功能并且因此可以相应地具有相同的或非常相似的微机械结构，如同例如在图15中示出的用于检测z加速度的部件300的情况中那样。两个MEMS构件320和340的微机械结构包括振动质量323或者343，所述振动质量可与衬底层面垂直地偏转。在此分别借助振动质量323和343上的测量电极和ASIC构件10的分别相对置的表面上的固定的对应电极143和183电容式地检测所述偏转。在z加速度的情况下，两个振动质量323和343在相同的方向上由静止位置偏转。在此，在两个振动质量之一中，测量电极和对应电极之间的探测间隔增大，而在另一个振动质量中测量电极和对应电极之间的探测间隔减小。这能够实现电容信号的差分分析处理，这尤其在线性和其振动稳健性方面是有利的。
【权利要求】
1.一种混合集成部件(100)，其至少包括: 具有经处理的前侧的ASIC构件(10)； 具有微机械结构(21)的第一 MEMS构件(20)，所述微机械结构在所述第一 MEMS衬底(10)的整个厚度上延伸， 其中，所述微机械结构(21)的至少一个结构元件(23)是能够偏转的， 其中，所述第一 MEMS构件(20)装配在所述ASIC构件(10)的经处理的前侧上，从而在所述微机械结构(21)和所述ASIC构件(10)之间存在间隙； 第一罩晶片(30 )，所述第一罩晶片装配在所述第一 MEMS构件(20 )的微机械结构(21)上方； 其特征在于， 在所述ASIC构件(10)的背侧上装配有第二 MEMS构件(40)， 所述第二 MEMS构件(40)的微机械结构(41)在所述第二 MEMS衬底(40)的整个厚度上延伸并且包括至少一个能够偏转的结构元件， 在所述第二 MEMS构件(40)的微机械结构(41)和所述ASIC构件(10)之间存在间隙， 在所述第二 MEMS构件(40)的微机械结构(41)上方装配有第二罩晶片(50)。
2.根据权利要求1所述的部件(100)，其特征在于，在所述ASIC构件(10)中构造有至少一个ASIC覆镀通孔(TSV) (13)，所述至少 一个ASIC覆镀通孔建立所述ASIC构件(10)的所述经处理的前侧和所述ASIC构件(10)的背侧上的所述第二 MEMS构件(20)之间的电连接。
3.根据权利要求1或2所述的部件(100)，其特征在于，在所述ASIC构件(10)的所述经处理的前侧上暴露出至少一个连接盘(140)用于所述部件(10)的外部接通。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的部件(200)，其特征在于，至少在两个罩晶片(50)之一中构造有至少一个罩覆镀通孔(52)用于所述部件(200)的外部接通。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的部件(100)，其中，所述两个MEMS构件(20)中的至少一个包括微机械结构(21)，所述微机械结构具有至少一个振动质量(23)，所述微机械结构在所述MEMS构件(20)的整个厚度上延伸，其中，在所述ASIC构件(10)上集成有用于传感器信号的信号处理与分析电路的至少一部分。
6.一种用于制造混合集成部件、尤其是用于制造根据权利要求1至5中任一项所述的部件的方法， 其中，首先处理ASIC衬底(10)， 其中，在所述ASIC衬底(10)的经处理的前侧上装配第一 MEMS衬底(20)， 其中，在所装配的第一 MEMS衬底(20)中产生微机械结构(21)，所述微机械结构(21)在所述第一 MEMS衬底(20)的整个厚度上延伸， 其中，在所述第一 MEMS衬底(20)的微机械结构(21)上方装配第一罩晶片(30)， 其特征在于， 在所述ASIC衬底(10)的背侧上装配第二 MEMS构件(40)， 在所装配的第二 MEMS衬底(40 )中产生微机械结构(41)，所述微机械结构(41)在所述第二 MEMS衬底(40)的整个厚度上延伸， 在所述第二 MEMS衬底(40)的微机械结构(41)上方装配第二罩晶片(50)，以及随后分离所述部件。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述ASIC衬底(10)的处理范畴中，在所述ASIC衬底(10)中施加至少一个ASIC覆镀通孔(13)以及在所述ASIC衬底(10)的前侧上产生具有至少一个电路层面(14)的层结构。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在装配所述第二MEMS衬底(40)之前，对所述经处理的ASIC衬底(10)进行背侧减薄。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其特征在于，在所述经处理的ASIC衬底(10)的前侧上产生第一直立型结构(171 )，将所述第一 MEMS衬底(20)装配在所述第一直立型结构(171)上和/或在所述经处理的ASIC衬底(10)的背侧上产生第二直立型结构(172)以及在所述第二直立型结构(172)上产生所述第二 MEMS衬底(40)。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其特征在于，以键合方法建立所述第一MEMS衬底(20)和所述经处理的ASIC衬底(10)之间的连接和/或所述第二 MEMS衬底(20)和所述经处理的ASIC衬底(10)之间的连接。
11.根据权利要求6至10中任一项所述的方法，其特征在于，在装配在所述经处理的ASIC衬底(10)上之后，对所述第一 MEMS衬底(20)和/或所述第二 MEMS衬底(40)进行减薄，直至待产生的微机械结构(21 ；41)的预给定的结构高度。
12.根据权利要求6至11中任一项所述的方法，其特征在于，以开槽工艺进行所述第一MEMS衬底和/或所述第二 MEM S衬底(20 ；40)的结构化。
13.根据权利要求6至12中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一MEMS衬底(20)中产生至少一个第一 MEMS覆镀通孔(22)作为所述第一 MEMS衬底(20)和所述ASIC衬底(10)之间的电连接和/或在所述第二 MEMS衬底(40)中产生至少一个第二 MEMS覆镀通孔(42)作为所述第二 MEMS衬底(40)和所述ASIC衬底(10)之间的电连接。
14.根据权利要求6至12中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一罩晶片和/或所述第二罩晶片(50)的预处理范畴中产生至少一个罩覆镀通孔(52)用于所述部件的外部电接通。
【文档编号】B81B7/00GK103449357SQ201310174801
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2013年5月13日 优先权日:2012年5月14日
【发明者】J·克拉森, H·韦伯, M·哈塔斯, D·C·迈泽尔 申请人:罗伯特·博世有限公司