一种针对mems惯性器件半导体的封装方法
【专利摘要】本发明公开了一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：S1:采用COL(Chip?on?Lead)的引线框架；S2:将大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构；S3:针对MEMS惯性器件特性，进行材料筛选；S4:实验设计(DOE)优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装(QFN)的封装材料。通过改进方形扁平无引脚封装(QFN)所用到的引线框架，解决大面积金属裸露焊盘的热膨胀系数大，导热系数大，弹性模量高等问题，进而避免了机械应力，热应力对MEMS惯性器件工作状态的影响。
【专利说明】一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体的封装方法，尤其涉及一种针对MEMS惯性器件半导体的 封装方法。
【背景技术】
[0002] 现有方形扁平无引脚封装（QFN)，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来 导热与载片。由于这一个大面积裸露焊盘一般为金属材质，金属的热膨胀系数大，导热系数 大，弹性模量高，会在芯片的生产制造，以及使用过程中的不同阶段向芯片内部传导过多的 热应力，机械应力等。而MEMS惯性器件本身并不是高功耗半导体器件，并无过高的散热需 求。因此大面积金属裸露焊盘对MEMS惯性器件工作状态无任何好处。而且，目前标准的方 形扁平无引脚封装（QFN)的封装材料选择也有着随意性，并无针对MEMS惯性器件特性而优 化的封装材料组合。不同封装材料混合使用，而各种材料的膨胀和收缩系数不同，进而引起 的应力（机械应力，热应力）附加在MEMS惯性器件上，导致MEMS惯性器件工作状态发生偏 移。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的是解决现有技术中的大面积金属裸露焊盘的热膨胀系数大、导热系 数大、弹性模量高，而导致MEMS惯性器件工作状态发送偏移的问题，提供一种针对MEMS惯 性器件半导体的封装方法。
[0004] 本发明的技术方案是：一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法，该方法包括如 下步骤：
[0005] S1:采用 COL (Chip on Lead)的引线框架；
[0006] S2:将大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构；
[0007] S3:针对MEMS惯性器件特性，进行材料筛选；
[0008] S4:实验设计（D0E)优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装（QFN)的封 装材料。
[0009] 本发明能够有效减少了金属裸露焊盘的导热面积，梳齿状结构能够在一定程度上 通过形变吸收各种封装材料混合使用时，由于各种材料的膨胀和收缩系数不同，进而引起 的应力。这种应力附加在MEMS惯性器件上，会导致MEMS惯性器件工作状态发生偏移。又 由于梳齿状结构实际上也能承担起承载芯片的作用，应用C0L(Chip on Lead)的引线框架， 并不要求改变目前方形扁平无引脚封装（QFN)的标准封装工艺。
[0010] 通过改进方形扁平无引脚封装（QFN)所用到的引线框架，解决大面积金属裸露焊 盘的热膨胀系数大，导热系数大，弹性模量高等问题，进而避免了机械应力，热应力对MEMS 惯性器件工作状态的影响。通过材料筛选，实验设计（DOE)来优化选择方形扁平无引脚封 装（QFN)的封装材料组合，实现了消除MEMS惯性器件封装过程中由于不同材料混合使用和 各种材料的膨胀和收缩系数不同，进而引起的应力（机械应力，热应力）附加在MEMS惯性
【权利要求】
1. 一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法，其特征在于：该方法包括如下步骤： S1:采用COL (Chip on Lead)的引线框架； S2:将大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构； S3:针对MEMS惯性器件特性，进行材料筛选； S4:实验设计（DOE)优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装（QFN)的封装材 料。
【文档编号】B81B7/02GK104091765SQ201410333741
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年7月14日 优先权日:2014年7月14日
【发明者】丰立涛 申请人:深迪半导体(上海)有限公司