锰铋纳米粒子的合成和退火的制作方法
【专利摘要】本发明涉及锰铋纳米粒子的合成和退火。本发明还提供了一种制备具有5至200nm的粒径的锰铋纳米粒子的湿化学方法。当在0至3T的场中在550至600K下退火时，该纳米粒子显示出约1T的矫顽力，并且适合用作永磁体材料。还提供了一种包含该退火的MnBi纳米粒子的永磁体。
【专利说明】锰铋纳米粒子的合成和退火
【背景技术】
[0001]本发明涉及用作强的永久硬磁体的新材料的合成和制备。现在许多的先进技术需要有效和强的硬磁体作为设备结构的基本部件。这样的设备范围从移动电话到高性能电动机，并且在整个行业中持续进行显著的努力以寻找不仅能满足当前需要而且满足对于有效、较廉价以及容易制备的硬磁体材料日益增长的需求的材料。
[0002]按照惯例，硼酸钕铁一般被认为是可得到的最强的、表现最好的硬磁体材料之一。但是，由于该材料基于稀土元素钕，因而它是昂贵的，并且可得到的供应经常不稳定。因此，需要一种材料，其作为硬磁铁表现等同于或优于硼酸钕铁但其基于容易得到且较廉价的组分材料。
[0003]在评估的作为硼酸钕铁替代物的各种候选材料中，确定了锰铋合金纳米粒子(MnBi)作为非常关注的材料。
[0004]Yang 等人(Applied Physics Letters,99082502(201I))和(Journal ofMagnetism and Magnetic Materials，330 (2013) 106-110)将许多有利的性能性质归因于低温相锰铋纳米粒子并且描述了通过熔融旋凝和退火方法制备MnBi纳米粒子。通过电弧熔炼制备MnBi锭并且熔化该锭材料并将熔体喷射到旋转的铜轮表面上。退火后，将获得的MnBi带材研磨至如20-30纳米小的晶粒尺寸。
[0005]Suzuki 等人(Journal of Applied Physics 111, 07E303 (2012 年))描述了机械研磨对通过熔融旋凝和退火制备的MnBi的自旋再取向转变温度(Tsk)的影响的研究。
[0006]Iftime等人(US 2012/0236092)描述了作为相变磁性油墨的组分的核壳金属纳米粒子。包括MnBi作为合适的核金属材料的一个例子。这样的材料的制备一般被描述为球磨磨碎接着退火，以实施无定形磨碎产物的结晶化。没有提供制备MnBi纳米粒子的明确描述，并且实施例描述了钴纳米粒子核和铁纳米粒子核。
[0007]Baker等人(US 2010/0218858)描述了纳米结构Mn-Al和Mn-Al-C合金的永磁体。通过合金金属的机械磨碎来制备纳米粒子并且将所得的磨碎材料退火。通过熔化金属混合物然后将熔体淬火来制备初始合金。
[0008]Shoji等人(US 2010/0215851)描述了一种制备核-壳复合物纳米粒子的方法，其中在施加壳之前加热核粒子。MnBi被列为磁性纳米粒子材料的一个例子。虽然指出了通过化学合成方法形成，但是没有提供制备任何合金的具体描述。
[0009]Kitahata等人(US 6143096)描述了一种制备粉末形式Μη-Bi合金的方法，其中将原料混合并加热至高于组分的熔点的温度；将获得的粉末热处理然后湿法磨碎以获得粒径小于5 μ m的粉末。
[0010]Kishimoto等人(US 5，648，160)描述了一种用于制备MnBi粉末的方法，其中混合Mn粉末和Bi粉末。两种粉末均具有50至300目的粒度。将混合物模压成型然后在不高于Bi的熔点的温度下在非氧化性或还原性气氛中热处理。随后将该Mn-Bi锭研磨到0.1至20 μ m的粒度。
[0011]Majetich等人(US 5，456，986)描述了通过包装有锰和铋的石墨棒的碳弧分解获得的直径为5至60nm的涂覆有碳的Mn-Bi纳米颗粒。
[0012]这些文献中均没有描述或建议用于合成具有小于20nm的粒度的MnBi纳米粒子的简单湿化学方法。因此本发明的一个目的是提供一种制备具有20nm或更小的粒度的MnBi纳米粒子的湿式合成方法。
[0013]本发明的另一个目的是提供具有20nm或更小的粒度的低温相的MnBi纳米粒子。
【发明内容】
[0014]根据本发明实现了这些和其它的目的，本发明的第一实施方案包括制备锰-铋合金纳米粒子的方法，其包括:伴随搅拌在醚溶剂中用氢化物还原剂处理Mn粉末；
[0015]向Mn-氢化物还原剂混合物添加长链羧酸酯的铋盐溶液同时继续搅拌；
[0016]在完成铋盐溶液添加时，添加有机胺同时继续搅拌；以及
[0017]继续搅拌以形成聚集的MnBi纳米粒子。
[0018]在本发明的一个实施方案中，氢化物处理包括在20-25°C下处理10至48小时，接着在50至70°C下处理10至48小时。
[0019]在本发明的一个特定实施方案中，氢化物还原剂为硼氢化锂以及进一步地氢化物与Mn的当量比为1/1至100/1。
[0020]在另一个实施方案中，本发明提供了具有5至200nm的粒度和约IT的矫顽力的MnBi纳米粒子，其中根据任何上述的实施方案的方法制备纳米粒子并且还在3T场中在600K下将其退火。
[0021]在一个应用实施方案中，本发明提供了包含多个具有5至200nm的粒度和约IT的矫顽力的MnBi纳米粒子的硬磁体。
[0022]以上的描述旨在提供本发明的简要概述而并不旨在进行限制。本领域的普通技术人员将会容易地意识到上述内容以及接下来的详细说明和权利要求书的各种改变。所有这样的改变均被认为处于本发明的范围内。
[0023]除非另有说明，在整个说明书中描述的所有范围均包括其中所有的值和子范围。另外，除非另有说明，在整个说明书中不定冠词“一个(a)”或“一种(an)”具有“一个(种)或多个(种)”的含义。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1显示了实施例1中制备的MnBi纳米粒子的XRD谱。
[0025]图2a显示了实施例1中制备的MnBi纳米粒子的FE-SEM图像(xlO，000)。
[0026]图2b显示了实施例1中制备的MnBi纳米粒子的FE-SEM图像(x200，000)。
[0027]图3显示了在600 K下和在3T外加场下将实施例1中制备的MnBi纳米粒子退火的过程中的M(H)曲线。
[0028]图4显示了退火时间和外加场对实施例1中制备的MnBi纳米粒子的H。值的影响。
[0029]图5a显示了 MnBi相图。
[0030]图5b显示了加热形成高温相(在相图中列为HTP)的实施例1的MnBi纳米粒子的M(H)曲线。
【具体实施方式】
[0031]在磁性材料并且尤其是纳米粒子磁性材料的不断研究中，本发明人确定了纳米粒子形式的锰铋合金作为具有作为用于制造永磁体的硼酸钕铁的替代物的潜在效用的材料。预测MnBi纳米粒子表现出高达4T的矫顽力。当与软磁性纳米粒子基体结合时，所得的纳米复合物应产生标准硼酸钕铁永磁体的不含稀土元素的替代物。
[0032]通常，由MnBi锭的自顶向下球磨制备MnBi纳米粒子。但是，MnBi锭的自顶向下球磨显示了没有产生小于20nm的纳米粒子的限制，恰好缺少了理想的7nm纳米粒子直径。为了制备具有比在球磨法中获得的那些一致地更小的尺寸的纳米粒子，发明人研究了纳米粒子湿式合成，并且发现了本发明中所描述的方法。此外，发明人发现退火处理该湿式合成获得的MnBi纳米粒子导致了作为硬磁性组合物其性能等同于硼酸钕铁的材料。预测MnBi纳米粒子表现出高达4T的矫顽力，
[0033]并且因此当与软磁纳米粒子基体结合时，所得的纳米复合物应产生作为标准硼酸钕铁永磁体的不含稀土元素的替代物。
[0034]在第一实施方案中，本发明提供了一种制备锰铋合金纳米粒子的方法，包括:伴随搅拌在醚溶剂中用氢化物还原剂处理Mn粉末；向Mn-氢化物还原剂混合物添加长链羧酸酯的铋盐溶液同时继续搅拌；在完成铋盐溶液添加时，添加有机胺同时继续搅拌；以及继续搅拌以形成聚集的MnBi纳米粒子。
[0035]用于氢化物处理的醚溶剂可以是与氢化物反应条件相容的任何醚。合适的醚溶剂包括四氢呋喃(THF)、2_甲基-四氢呋喃、二乙醚、二异丙醚、1，4-二氧六环、二甲氧基乙烷、二乙二醇二乙醚、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇和甲基叔丁基醚。THF可以是优选的溶剂。
[0036]氢化物还原剂可以是能够与锰反应的任何材料并且包括NaH、LiH、CaH2、LiAlH4和LiBH4。LiBH4可以是优选的氢化物处理剂。
[0037]氢化物处理包括至少两个阶段，其中在初始阶段中在20-25°C下搅拌该混合物10至48小时，接着是在50至70°C下处理10至48小时的第二阶段。如本领域的普通技术人员将会理解的那样，可以优化这些阶段的变量以适当地改变所获得的纳米粒子的性质例如尺寸和结构。
[0038]另外，可以改变氢化物处理剂的量以改变条件和所获得的纳米粒子的性质并且该量可以以1/1至100/1的氢化物与Mn的当量比变化。
[0039]可以以任何醚溶性盐形式添加铋并且优选以长链羧酸的盐添加。
[0040]在一个优选的实施方案中，以新癸酸铋添加Bi。Bi与Mn的摩尔比可以在0.8/1至1.2/1之间变化。优选地，Bi/Mn的比例是0.9/1至1.1/1，并且最优选地，Bi/Mn的比例是1/1。可以改变铋化合物的添加时间以优化和改变MnBi纳米粒子的性质。优选地，添加时间小于一小时，并且在一个优选的实施方案中添加时间大约是20分钟。
[0041]在完成铋化合物添加时，向合金反应混合物添加有机胺、优选具有6至12个碳的碳链的伯胺以沉淀和聚集MnBi纳米粒子。可以从反应母液移除所得的固体并且用水洗去可溶性杂质。
[0042]通过根据本发明的湿式化学合成法获得的纳米粒子的XRD分析(图1)表明该MnBi纳米粒子具有30nm或更小的粒径。通过FE-SEM显微镜法(图2a和2b)证实了该粒度，这也证实了在合成工艺中消耗了 Mn粉末。
[0043]合成状态的MnBi纳米粒子具有相对弱的磁饱和(Ms)和矫顽力(H。)。然而，发明人发现在3T场中在600K下退火该纳米粒子，对磁饱和(Ms)和矫顽力(H。)均产生了改进。此外，用这种退火方案可以改进M^Ms。测得约IT的Hc值，MrZMs比例为45% (图3)。
[0044]因此，在另一个实施方案中，本发明提供了具有5至200nm的粒度和约IT的矫顽力的MnBi纳米粒子,其中根据上述的方法制备该纳米粒子并且将其进一步退火。
[0045]可以在具有O至5T的矫顽力的场中在550至600K的温度下进行该退火处理。退火时间将根据温度而变化并且如实施例所述在600K下需要约11小时并且在550K下增加至约40小时(图4)。优选地，在3T场中在600K下进行该退火。
[0046]如图4所示，在650K下退火不增加矫顽力或磁饱和。
[0047]已知铁磁性MnBi存在于MnBi相图(图5a)的所谓“低温相”区域中。在它的上方存在所谓“高温相”。已知该高温相显示出反铁磁性行为。
[0048]发明人已经确定，当将该湿式合成MnBi纳米粒子加热至800K的温度时，发生从铁磁性低温相至反铁磁性高温相的变化(图5b)。
[0049]在一个应用实施方案中，本发明提供了包含多个具有5至200 nm的粒度和约IT的矫顽力的MnBi纳米粒子的硬磁体。优选地，通过根据本发明的湿式合成方法获得MnBi纳米粒子并且在3T场中在600K下将其退火至少10小时。
[0050]上面的描述提供了本发明的整体概述和一些优选的实施方案。本领域的普通技术人员将意识到本发明的各种不同的变换和变化是可能的，并且这些变化被视为处于本发明的范围内。
[0051]已经大体上描述了本发明，可以通过考虑以下实施例来获得本发明的进一步理解，以下实施例并不旨在进行限制，除非如此指出。
[0052]实施例
[0053]实施例1.MnBi纳米粒子合成
[0054]组合200mL 的 THF、0.371g Mn 粉末和 11.5mL 的 2M LiBH4/THF 溶液。首先在 23°C下搅拌该反应24小时，然后在60°C下再搅拌24小时。向所得的混合物添加溶解在200mLTHF中的4.413g新癸酸铋的溶液。在20分钟内缓慢向搅拌的Mn/LiBH4溶液添加该新癸酸铋溶液。在完成新癸酸铋添加后，向产物溶液添加0.513g辛胺。纳米粒子在随后的5分钟内聚集并且用水将其洗涤以移除反应副产物。
[0055]MnBi纳米粒子的表征
[0056]XRD 分析
[0057]MnBi纳米粒子的XRD谱表明在试样中存在三种不同的结晶材料=MnBi合金、Mn金属和Bi金属(参见图1)。基于该XRD谱中的峰宽计算该MnBi纳米粒子的直径约为30nm。
[0058]FE-SEM 表征
[0059]对该纳米粒子粉末产物进行了高分辨率FE-SEM显微镜法以进一步研究该湿式合成产物的尺寸(图2a和2b)。如由XRD谱的分析所表明的那样，发现该试样实际上由约30nm直径特征(平均起来)组成。FE-SEM数据还表明在试样中不存在“大的”微米级锰片，这也由XRD谱中不存在非常尖锐的峰所证实。如果在合成中没有一直消耗锰粉末，则预期微米级锰片将会存在于XRD和FE-SEM数据中。
[0060]实施例2 -退火对MnBi纳米粒子的影响
[0061]已经证实了合成状态的MnBi纳米粒子的矫顽力非常弱(〈100 Oe)。用VSM炉附属装置原位退火该纳米粒子的试样。首次发现在3T场中在600K下退火该纳米粒子，对磁饱和(Ms)和矫顽力(H。)均产生了改进。此外，用这种退火方案改进了 A/Ms。测得高达IT的Hc值，Mr/Ms比例为45% (图3)。
[0062]在更低的退火温度(550K)下的研究显示可以达到类似的IT H。，但是其需要超过40小时的退火，这与在600K下的?11小时(图4)形成反差。在650K下将相同批次的MnBi纳米粒子退火产生了非常差的结果，最大H。仅为约500 Oe0
[0063]铁磁性MnBi仅存在于MnBi相图(图5a)的所谓“低温相”区域中。在它的上方存在所谓“高温相”。已知该高温相显示出反铁磁性行为。将MnBi纳米粒子的试样加热至800K以诱发这种从铁磁性低温相至反铁磁性高温相的变化。M(H)曲线(图5b)与高温相形成一致并且进一步支持了通过实施例1的合成来制备合金化的MnBi纳米粒子。
【权利要求】
1.一种制备锰-铋合金纳米粒子的方法，包括: 伴随搅拌在醚溶剂中用氢化物还原剂处理胞粉末； 向1=-氢化物还原剂混合物添加长链羧酸酯的铋盐溶液同时继续搅拌； 在完成铋盐溶液添加时，添加有机胺同时继续搅拌；以及 继续搅拌以形成聚集的1=81纳米粒子。
2.根据权利要求1所述的方法，其中氢化物处理包括在20-251下处理10至48小时，接着在50至701下处理10至48小时。
3.根据权利要求1所述的方法，其中氢化物还原剂为硼氢化锂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中氢化物与胞的当量比为1/1至100/1。
5.根据权利要求1所述的方法，其中胞与81的原子比为10/1至1/10。
6.一种具有5至20011111的粒度和约II的矫顽力的1=81纳米粒子，其中根据权利要求1所述的方法制备该纳米粒子并且在0至31的场中在550至6501(下将其退火。
7.根据权利要求6所述的胞81纳米粒子，其中在31场中在6001(下退火。
8.—种硬磁体，其包含多个根据权利要求6所述的胞81纳米粒子。
【文档编号】B82Y40/00GK104439269SQ201410392522
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年8月12日 优先权日:2013年9月12日
【发明者】M·P·罗 申请人:丰田自动车工程及制造北美公司