用于减少MEMS器件工艺中和使用中的粘附的方法和装置与流程

本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及用于减少mems器件工艺中和使用中的粘附的方法和装置。

背景技术：

半导体集成电路(ic)工业经历了快速增长阶段。ic材料和设计的技术进步带来了多个ic世代，其中，每个世代都具有比先前世代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增大了处理和制造ic的复杂程度，并且为了实现这些进步，需要ic加工和制造中有类似发展。在ic演进过程中，功能密度(即，单位芯片面积中的互连器件的数量)通常都在增加，同时几何尺寸(即，使用制造工艺能够创建的最小组件(或布线))有所减小。这种规模缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本来提供很多益处。

随着半导体技术的发展，微电子机械(或微电气机械)系统(mems)器件可以使用标准的半导体技术和装置来制造。然而，传统的制造mems器件的方法可能遇到粘附(静摩擦力)的问题，这可能会降低mems器件的性能，甚至在一些情形下给器件带来缺陷。

因此，尽管传统的mems器件制造工艺通常已经能够满足于它们的预期目的，但是它们并不能在每个方面都令人满意。

技术实现要素：

根据本发明的实施例，一种制造微电子机械系统(mems)器件的方法，包括：在第一衬底的第一侧上形成层，其中层包括多个嵌入第一衬底的突起部段；将第一衬底粘合至包括空腔的第二衬底，其中在粘合后层设置在第一衬底和第二衬底之间并且在空腔上方；以及蚀刻第一衬底的第二侧以形成微电子机械系统器件的多个可移动的组件，第二侧与第一侧相对，其中微电子机械系统器件的可移动的组件连接到层。

根据本发明的实施例，一种制造微电子机械系统(mems)器件的方法，包括：在第一衬底的第一侧中形成多个开口；在衬底的第一侧上方形成介电层，其中介电层的多个部段填充开口；将第一衬底的第一侧粘合至包括空腔的第二衬底，其中，执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方；将第一衬底的设置在空腔上方的一部分转化为微电子机械系统器件的多个可移动的组件，其中，可移动的组件与介电层物理接触；以及随后在不使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分。

根据本发明的实施例，一种装置，包括：微电子机械系统(mems)器件，其中微电子机械系统器件包括：第一衬底，其中第一衬底包括空腔；以及第二衬底，粘合至第一衬底，其中第二衬底包括设置在空腔上方的多个可移动的组件，其中，每个可移动的组件包括朝向空腔突出的多个凸块。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种组件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论清楚，各种组件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1a至图7a是根据本发明的一些实施例的包括在各个制造阶段的mems器件的半导体器件的示意性俯视图。

图1b至图7b是根据本发明的一些实施例的包括在各个制造阶段的mems器件的半导体器件的示意性截面侧视图。

图5c至图7c是根据本发明的一些实施例的包括在各个的制造阶段的mems器件的半导体器件的不同的示意性截面侧视图。

图8是根据本发明的一些实施例的示出制造mems器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二组件上方或上形成第一组件可以包括第一组件和第二组件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一组件和第二组件之间的附加组件使得第一组件和第二组件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等关系术语以描述如图所示的一个元件或组件与另一元件或组件的关系。除图中所示的方位之外，空间关系术语意欲包括使用或操作过程中的器件的不同的方位。器件可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的关系描述符可同样地作相应地解释。

随着半导体制造技术的不断发展，可以使用标准的半导体工艺和装置来制造微电子机械(或微电气机械)系统(mems)器件。mems器件包括在小型规模上形成的电气/机械器件，诸如传感器、执行器、镜子、陀螺仪、加速度计或其他小型机器。举例来说，这些微小的mems器件可以至少部分地通过图案化晶圆(例如，硅晶圆)的适当部分来形成。mems器件也可以具有通信和/或控制机械组件的一个或多个处理器或控制器。mems器件的器件尺寸从约1微米到约1000微米，并且可以具有尺寸范围为约0.1微米到约100微米的mems器件组件。

作为微型机器，mems器件可以具有可移动(例如向上或向下、向左或向右、向前或向后)的小的机械组件。这些可移动的组件可以(或与其他邻接的表面)接近进入彼此中并由于各种力粘合在一起，如毛细管作用力、分子的范德瓦尔斯力或静电引力等。一旦可移动组件相互接触，它们需要克服静摩擦力(简称粘附力)来再次分离。粘附力问题可能出现在mems器件的制造过程期间(也被称为工艺中的的粘附)或在mems器件的实际使用期间(也被称为使用中的粘附)。如果粘附问题不能克服，那么mems器件的性能会降低，甚至可能发生器件故障。

本发明涉及关于减少工艺中的粘附和使用中的粘附问题的mems器件及其制造方法，以下将参考图1a至图7a、图1b至图7b、图5c至图7c和图8具体讨论。图1a至图7a是在各个制造阶段的mems晶圆50的一部分的示意性俯视图；图1b至图7b是在各个制造阶段的mems晶圆50(或mems衬底)的该部分的示意性截面侧视图；以及图5c至图7c是在各个制造阶段的mems晶圆50的该部分的示意性截面侧视图(从不同角度截取)。

参考图1a至图1b，mems晶圆50是用作制造一个或多个mems器件的晶圆。在一些实施例中，mems晶圆50包括硅，或者可以被称为硅晶圆或硅衬底。mems晶圆50具有侧部60(如图1b中的底侧所示)和相对的顶侧65(如图1b中的顶侧所示)。应当理解，图1a中的俯视图是通过从顶侧65“俯视”得到的。

现参考图2a至图2b，从侧部60在mems晶圆50中形成多个沟槽或开口70。沟槽70可以通过蚀刻工艺形成，例如干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺。在图2b的俯视图中，即使沟槽70不能从俯视图中直接可见(因为mems晶圆50的余下部分会阻碍沟槽70的视图)，也用虚线或断线表示沟槽70。

现参考图3a至图3b，在mems晶圆50的侧部60上形成层80。该层80可以通过本领域已知的合适的沉积工艺形成。在一些实施例中，该层80包括介电材料，例如氧化硅。在其它实施例中，层80可以包括光刻胶。层80填充沟槽70。填充到沟槽70的层80的部段在图3b中被标记为部段90，其“嵌入”mems晶圆50中。或者说，层80的部段90向mems晶圆50的侧部65突出。此外，为了清楚起见，即使层80的部段90无法在图3a的顶视图中直接可见，也在图3a中用虚线或断线表示部段90。

现参考图4a至图4b，晶圆100通过侧部60粘合到mems晶圆50上。在一些实施例中，粘合可以是光学粘合工艺或熔融粘合工艺。晶圆100可以是半导体晶圆或包括半导体衬底，并且可以包括多种无源和有源微电子器件，诸如电阻器、电容器、电感器、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管、双极结型晶体管(bjt)、横向扩散mos(ldmos)晶体管、高功率mos晶体管或其他类型的晶体管。晶圆100也可称为硅晶圆或cmos晶圆。

晶圆100包括空腔110，其在图4b的截面图中示出，但为了简明起见，没有在图4a的俯视图中具体示出。在mems晶圆50和晶圆100之间进行粘合，从而使得层80粘合在晶圆50和100之间，并且粘合后层80位于空腔110上方。

现参考图5a、图5b和图5c，通过从侧部65图案化(例如，蚀刻)mems晶圆50来形成多个可移动的微mems组件150。在图案化mems晶圆50来形成可移动的mems组件150的过程中，层80可作为蚀刻停止层。当mems制造完成并且在使用时，可移动的mems组件150设计为移动的(例如垂直地或横向地)，但是因为可能会导致粘附问题，因此在mems器件的制造过程中，不期望可移动的mems组件150进行过多活动。在此，层80限制可移动的组件150在制作过程中的活动，从而减少粘附问题。

更为具体地，图5a是粘合于晶圆100的mems晶圆50的示意性局部俯视图。图5b是mems晶圆50和晶圆100的示意性截面侧视图，其中，截面侧视图沿x方向或者x轴截取(如图5a至图5b中示出的x-x’方向)。图5c是mems晶圆50和晶圆100的另一示意性截面侧视图，其中，截面侧视图沿着y方向或者x轴截取(如图5a和图5c中示出的y-y’方向)。在所示的实施例中，x轴和y轴相互垂直并且共同限定水平面(或x-y平面)。z方向或z轴垂直于(或正交于)x方向/轴和y方向/轴。换而言之，鉴于x轴和y轴共同限定水平面，z方向/轴是垂直方向/轴。mems晶圆50和晶圆100在z方向/轴上粘合在一起。图5a的俯视图也是通过沿z轴“俯视”mems晶圆50和晶圆100得到的。

在图5a的俯视图示出的实施例中，每个可移动的mems组件150具有纵长形状并且在x方向中或沿x轴延伸。层80的部段90中的每个具有纵长形状并且在y方向中或沿y轴延伸。由于部段被可移动的mems组件150“覆盖”，所以部段90的纵长形状在图5a中不明显，但是其纵长形状在图4a中显而易见。可以说，对于每个可移动的mems组件150，多个部段90从侧部60向侧部65嵌入至其中。此外，由图5a至图5c可见，部段90在x方向中或者沿着x轴彼此分离，并且可移动的mems组件150在y方向中或者沿着y轴彼此分离。

层80的形成(或存在)减小了在可移动的mems组件150的制造过程中出现粘附问题的可能性。例如，如果一个或多个可移动的组件150朝向另一个可移动的组件150移动，它们可能会粘在一起，从而导致上述粘附问题。然而，根据本发明的各个方面，层80将mems组件150有效地“锁定”到位，并且防止它们在x方向或y方向运动。例如，层80和可移动的mems组件150之间的粘合力意味着可移动的mems组件150连接到层80或者被层80固定。由于在本文的制造过程中(例如，在蚀刻mems晶圆50以形成可移动的mems组件150期间)层80是静止的或固定的，因此可移动的mems组件150被有效地“锁定”到固定的层80，并且因此不会朝向彼此或向其他的器件表面移动。此外，部段90伸入(从侧部60向侧部65)每个可移动的mems组件150的底部。这进一步防止了可移动的mems组件150在x方向中或沿x轴移动。基于这些原因，可移动的mems组件150不太可能彼此接触或与mems晶圆或晶圆100的其他部分接触。因此，不太可能发生工艺中的粘附问题。

现参考附图6a至6c，应用干法释放工艺以清理可移动的mems组件150的表面，并且去除在空腔110中(或上方)的层80的一部分。进行清理是为了去除在可移动的mems组件形成过程中作为其一部分伴随生成(例如，通过蚀刻工艺)的碎片或其他污染物颗粒。去除层80的在可移动的mems组件150下方的部分使得可移动的mems组件150可以自由移动，这是由于可移动的mems组件将不再会被将它们的限制到位的层80限制。以这种方式，可以说，层80被从可移动的mems组件150“释放”，或者可移动的mems组件150被从层80“释放”。

正如其名称暗示地，干法释放工艺是在不使用液态的(或湿的)化学物质时进行的。在一些实施例中，干法释放工艺包括施用蒸汽氢氟(vhf)酸(蒸气形式的氢氟酸)。使用非液态化学品来去除层80有利于防范粘附。具体而言，作为常规的mems器件制造的一部分，可以执行湿法清理工艺来清理mems组件的表面或者其他表面。这样的湿法清理工艺去除蚀刻工艺形成可移动的mems组件时作为其一部分产生的碎片或其他杂质颗粒。然而，湿法清理工艺导致mems组件表面潮湿，这可能使mems组件更可能粘在一起，并且一旦它们被粘在一起就很难分开。换句话说，在常规的湿法清理工艺中使用的液态化学品可能加剧mems器件的粘附问题。

相比之下，干法释放工艺不涉及任何液态化学品，这意味着可移动的mems组件150的表面(和其他器件的表面)基本上比它们使用湿法清理工艺时更干燥。这里的更干燥的表面减少了可移动的mems组件150粘附彼此或粘附到其他表面的可能性，例如，粘附到mems晶圆50的表面或粘附到晶圆100的表面。即使可移动的mems组件150以某种方式彼此物理接触或与其他表面物理接触，这里的更干燥的表面也减少了表面引力，从而使得彼此物理接触的组件仍可以更容易地分离。因此，工艺中的粘附问题不太可能发生，并且即使出现这些问题也可以很容易地解决。

根据本发明的各个方面，使用中的粘附问题也得以改善。如图6b所示，在可移动的mems组件150下方的层80去除后，在每个可移动的mems组件150的底侧(即，侧部60)形成多个凸块200。基于上面讨论的制造工艺，凸块200与可移动的mems组件150“自对准”。

这些凸块200由多个间隙或沟槽210在x方向中(或沿着x轴)彼此分开，其中间隙或沟槽210来自上面参考图2b讨论的沟槽70。凸块200在图6a的俯视图中不能直接看到，但是为了清楚起见，它们在图6a中以虚线或断线示出。

具有如图6a至图6b描述的这种结构(即，具有凸块200并且在其底侧被间隙210分离)的可移动的mems组件150提供了改善的使用中的粘附。具体而言，使用中的粘附是指可移动的mems组件150彼此卡住或者与其他表面卡住，诸如空腔110的底面的情形，而mems器件实际是在现实应用中使用的(制造后)。粘附与表面面积的量相关。一般来说，表面积越大，粘附问题越可能出现并且粘附问题也就更难克服。

根据本发明的各个方面，可移动的mems组件150具有减少的表面积。这至少部分地归因于间隙或沟槽210。换句话说，每个可移动的mems组件150的底部部分具有多个没有任何表面积的空心部段(即，间隙或沟槽210)。因此，可移动的mems器件150的底部表面面积和侧表面面积都减少。减少的底部表面面积和减少的侧表面面积从而减轻使用中的粘附问题。

如图6b所示，凸块200具有深度(或高度)250。深度250在z方向上测量，并且也基本上等于沟槽210的深度。在一些实施例中，该深度250在约0.2微米到约2微米的范围内。凸块200还具有临界尺寸260。临界尺寸260在x方向上测量并且也可称为间距。换句话说，临界尺寸260是一个凸块200的横向尺寸和一个间隙/沟槽210的横向尺寸的和。在一些实施例中，临界尺寸260在约0.2微米到约10微米的范围内。

这些深度250和临界尺寸260的尺寸范围不是随机选择的，而实际上是配置为使得沟槽210和凸块200不会太难以形成，并且同时确保：1、部段90(在图5b中示出并且对应图6b中的沟槽210)足够大，以在制作过程中帮助将mems组件150“锁定”到位；以及2、使得可移动的mems组件150的表面积有足够的减少以减轻潜在的使用中的粘附问题。

图6b至图6c也形象化地描述了本文中由干法释放工艺制造的mems器件的一个独特的物理特性—层80的粘合于mems晶圆50和晶圆100之间的部分在执行干法释放工艺后具有凹陷的侧表面280。换句话说，干法释放工艺不仅去除层80直接在可移动的mems组件150下面的部分，还蚀刻掉层80粘合在mems晶圆50和晶圆100之间的部分。在一些实施例中，凹陷的侧表面280向内弯曲约0.2微米至约10微米。相比之下，在传统的mems器件制造中，粘合于mems晶圆和另一晶圆之间的粘合层不会有凹陷或者弯曲的侧表面。相反，这样的粘合层会具有基本直的侧表面。因此，使用上述讨论方法制造的mems器件可能会为粘合层呈现凹陷的侧壁表面，其类似于本文讨论的图6b至图6c示出的凹陷的侧表面280。

图7a是根据本发明的可选实施例的mems器件的示意性局部俯视图，并且图7b至图7c是根据本发明的可选实施例的mems器件的不同的示意性局部截面侧视图。为了一致性和清楚起见，图6a至图6c以及图7a至图7c之间相同的元件在本文中做相同标记。

在图7a至图7c所示的实施例中，执行与图1a至图6a、图1b至图6b和图5c至图6c关联的与上面讨论的相同的制造工艺。也就是说，层80形成在mems晶圆50的底侧60上，层80具有朝向顶侧65延伸进mems晶圆50的多个部段。此外，该层80在制造中将可移动的mems组件150锁定到位，从而减少了“工艺中的”粘附问题。还使用干法释放工艺去除该层80，从而进一步降低“工艺中的”的粘附问题。可移动的mems组件150的底部由间隙210分离的凸块结构200导致表面积减少，从而减少了“使用中的”粘附问题。然而，除了这些方法之外，图7a至图7c所示的实施例还在mems晶圆50和晶圆100之间形成粘合层300。该层300可以包括介电材料，例如在一些实施例中的氧化硅。在其他方面，层300便于mems晶圆50和晶圆100之间的粘合。部分的粘合层300仍可以保留在最终的mems器件产品中的空腔110内。

图8是根据本发明的各个方面的制造微电子机械系统(mems)器件的方法500的流程图。

方法500包括在第一衬底的第一侧中形成多个开口的步骤510。在一些实施例中，第一衬底是mems衬底或者mems晶圆的一部分，并且可以包括诸如硅的半导体材料。

方法500包括在衬底的第一侧上方形成介电层的步骤520。介电层的多个部段填充开口。在一些实施例中，介电层包括氧化硅。

方法500包括将第一衬底的第一层粘合至包括空腔的第二衬底的步骤530。执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方。在一些实施例中，第二衬底是硅晶圆或cmos晶圆的一部分。

方法500包括将第一衬底的设置在空腔上方的部分转化为mems器件的多个可移动的组件的步骤540。可移动的组件与介电层物理接触。在一些实施例中，转化包括从第一衬底的与第一侧相对的第二侧执行蚀刻工艺，使得第一衬底的一部分蚀刻到mems器件的多个可移动的组件中。介电层可以作为蚀刻工艺的蚀刻停止层。

在一些实施例中，介电层的部段在水平面中沿第一轴线彼此隔开，并且mems器件的可移动的组件在水平面中沿第二轴线彼此间隔开。第二轴线垂直于第一轴线。在一些实施例中，介电层的部段中的每一个沿第二轴线延伸，并且mems器件的可移动的组件中的每一个沿第一轴线延伸。

方法500包括在不使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分的步骤550，也称作干法释放工艺。在一些实施例中，去除步骤包括应用蒸汽氢氟酸(vhf)以去除介电层的部分。

应当理解，可以在方法500的步骤510至550之前、期间或之后执行另外的处理以完成半导体器件的制造。例如，可以用材料涂覆可移动的mems组件以进一步避免粘附，并且本文中的晶圆可以被切割并封装在单独的mems集成电路中。为了简单起见，没有在本文中详细讨论其他另外的制造步骤。

基于以上讨论，可以看出，相对于传统的制造mems器件的方法和器件，本发明提供了优势。然而，应当理解，其他的实施例可以提供另外的优势，而且并非所有的优势都必须在此公开，并且不是所有的实施例都需要特别的优势。一个优势在于工艺中的粘附问题基本上得以缓解。例如，在mems晶圆的底部形成的材料层有效地为可移动的mems组件提供了锁定机制，从而防止这些mems组件在制造过程中移动(并因此粘度到其他表面)。另外，用于清理各种组件的表面和去除上述“锁定”层的干法释放工艺不涉及液态化学品，并且因此mems组件不太可能与其他器件卡住。相比而言，传统的mems制造通常采用湿法清理工艺，这可能造成mems器件组件接触到并卡住其他器件。

另一个优势在于使用中的粘附问题也得以减轻。通常，粘附可以是表面积的函数—也就是说，表面积越大，越有可能发生粘附并且粘附越难克服。根据本发明的各个方面，在此讨论的工艺产生了一种mems器件，其中(当在使用中时)可移动的组件具有包括多个被间隙隔开的凸块的底部。间隙对应于可移动的mems器件组件的减少的表面积。因此，较小的表面积减轻了使用中的粘附问题。

又一个优势在于本发明不需要显著改变mems制造的现有方法。因此，即使制造成本有所增加，也不会显著。

本发明的一个方面涉及一种制造微电子机械系统(mems)器件的方法。在第一衬底的第一侧上形成层。层包括嵌入第一衬底中的多个突出的部段。第一衬底粘合于包括空腔的第二衬底。在接合后，层设置在第一衬底和第二衬底之间并且在空腔上方。第一衬底的第二侧被蚀刻以形成mems器件的多个可移动的组件。第二侧与第一侧相对。mems器件的可移动的组件连接到层。

本发明的另一方面涉及一种制造微电子机械系统(mems)器件的方法。在第一衬底的第一侧中形成多个开口。在衬底第一侧上方形成介电层。介电层的多个部段填充开口。将第一衬底的第一侧粘合到包括空腔的第二衬底。执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方。第一衬底的设置在空腔上方的部分被转化为mems器件的多个可移动的组件。可移动的组件与介电层物理接触。随后，在不使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分。

本发明的又一方面涉及包括微电子机械系统(mems)器件的装置。mems器件包括第一衬底。第一衬底包括空腔。mems器件还包括粘合于第一衬底的第二衬底。第二衬底包括设置在空腔上方的多个可移动的组件。每个可移动的组件包括朝向空腔突出的多个凸块。

根据本发明的实施例，一种制造微电子机械系统(mems)器件的方法，包括：在第一衬底的第一侧上形成层，其中层包括多个嵌入第一衬底的突起部段；将第一衬底粘合至包括空腔的第二衬底，其中在粘合后层设置在第一衬底和第二衬底之间并且在空腔上方；以及蚀刻第一衬底的第二侧以形成微电子机械系统器件的多个可移动的组件，第二侧与第一侧相对，其中微电子机械系统器件的可移动的组件连接到层。

根据本发明的实施例，进一步包括：在形成微电子机械系统器件的可移动的组件之后，使用干法释放工艺去除层的至少一部分。

根据本发明的实施例，使用蒸汽氢氟酸(vhf)形成干法释放工艺。

根据本发明的实施例，层包括氧化硅。

根据本发明的实施例，在俯视图中，突起部段在第一方向中彼此分离；并且在俯视图中，微电子机械系统器件的可移动的组件在第二方向中彼此分离，第二方向不同于第一方向。

根据本发明的实施例，每个突起部段在俯视图中具有纵长形状并且在第二方向中延伸；并且微电子机械系统器件的每个可移动的组件在俯视图中具有纵长形状并且在第一方向中延伸。

根据本发明的实施例，第一方向垂直于第二方向。

根据本发明的实施例，形成层包括：在第一衬底的第一侧中蚀刻多个沟槽；以及在衬底的第一侧上方沉积层，其中层的填充沟槽的部分形成多个突起部段。

根据本发明的实施例，进一步包括：在粘合前，在第二衬底上方形成氧化硅层，其中，执行粘合使得氧化硅层粘合在第一衬底和第二衬底之间。

根据本发明的实施例，一种制造微电子机械系统(mems)器件的方法，包括：在第一衬底的第一侧中形成多个开口；在衬底的第一侧上方形成介电层，其中介电层的多个部段填充开口；将第一衬底的第一侧粘合至包括空腔的第二衬底，其中，执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方；将第一衬底的设置在空腔上方的一部分转化为微电子机械系统器件的多个可移动的组件，其中，可移动的组件与介电层物理接触；以及随后在不使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分。

根据本发明的实施例，转化包括从第一衬底的与第一侧相对的第二侧执行蚀刻工艺；并且介电层用作蚀刻工艺的蚀刻停止层。

根据本发明的实施例，去除包括应用蒸汽氢氟酸(vhf)来去除介电层的一部分。

根据本发明的实施例，介电层包括氧化硅。

根据本发明的实施例，介电层的部段在水平面中沿着第一轴线彼此间隔开；并且微电子机械系统器件的可移动的组件在水平面中沿着第二轴线彼此间隔开，第二轴线垂直于第一轴线。

根据本发明的实施例，介电层的每个部段沿着第二轴线延伸；并且微电子机械系统器件的每个可移动组件沿着第一轴线延伸。

根据本发明的实施例，一种装置，包括：微电子机械系统(mems)器件，其中微电子机械系统器件包括：第一衬底，其中第一衬底包括空腔；以及第二衬底，粘合至第一衬底，其中第二衬底包括设置在空腔上方的多个可移动的组件，其中，每个可移动的组件包括朝向空腔突出的多个凸块。

根据本发明的实施例，在俯视图中，凸块沿着第一轴线彼此分离；并且在俯视图中，可移动的组件沿着第二轴线彼此分离，第二轴线与第一轴线相交。

根据本发明的实施例，每个可移动的组件在俯视图中具有纵长形状并且沿着第一轴线延伸。

根据本发明的实施例，第一轴线垂直于第二轴线。

根据本发明的实施例，进一步包括设置在第一衬底和第二衬底之间的介电层，其中介电层具有面向空腔的凹陷表面。

上面论述了若干实施例的组件，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他的处理和结构用于达到与本发明所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。