技术特征：
20min，然后用去离子水冲洗第一晶圆和第二晶圆，然后将第一晶圆和第二晶圆置于由盐酸、过氧化氢和水按照1:1:5的体积比制成的混合溶液中，于70-90℃条件下煮10-20min，然后用去离子水冲洗，以去除第一晶圆和第二晶圆表面的金属离子，最后进行干燥即可。7.根据权利要求2或3所述的mems级晶圆的低温熔融键合方法，其特征在于，第一晶圆和第二晶圆在氧化炉中均在1000-1200℃条件下进行干氧氧化处理。8.根据权利要求2或3所述的mems级晶圆的低温熔融键合方法，其特征在于，第一晶圆和第二晶圆表面形成的二氧化硅层的厚度均为250-350nm。9.根据权利要求2或3所述的mems级晶圆的低温熔融键合方法，其特征在于，第一晶圆表面的非晶硅层的厚度为10-15nm，第二晶圆表面形成的非晶硅层的厚度为1-4nm。
技术总结
本发明公开了一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法，包括以下步骤：分别在两块硅晶圆表面沉积非晶硅层，然后将两块硅晶圆的非晶硅层接触并对两块硅晶圆进行加压预键合处理，最后，在惰性气体保护条件下于200-250℃进行退火即可。该键合方法可有效解决现有的低温熔融方法存在的键合强度不足，对操作环境要求高以及键合界面易出现孔洞的问题。及键合界面易出现孔洞的问题。
技术研发人员：胡宗达 张林 张坤 赵鑫 李明兴
受保护的技术使用者：成都凯天电子股份有限公司
技术研发日：2022.11.04
技术公布日：2023/3/7