散器件；其中光子器件背表面与传导插入物第一表面热接触，以及其中热耗散器件与传导插入物第二表面热接触。
[0034]在示例10中，示例9的主题可以可选地包括光子器件背表面，其使用导热附着材料热附着到传导插入物第一表面。
[0035]在示例11中，示例9或10的主题可以可选地包括在热耗散器件和传导插入物第二表面之间的热界面材料。
[0036]在示例12中，示例9到11中的任一个的主题可以可选地包括电连接到微电子衬底的光子器件。
[0037]在示例13中，示例12的主题可以可选地包括通过从光子器件活性表面延伸到微电子衬底第一表面的至少一个接合线电连接到微电子衬底第一表面的光子器件。
[0038]在示例14中，示例9到13中的任一个的主题可以可选地包括耦合到光子器件的光传输线。
[0039]下面的示例涉及另外的实施例，其中示例15是光子封装，其包括具有第一表面和相对的第二表面的微电子衬底，其中微电子衬底包括多个传导路线和具有大约18W/mK或更大的热导率的介质材料；包括活性表面和相对的背表面的光子器件，其中光子器件背表面热附着到微电子衬底第一表面；以及热附着到微电子衬底第二表面的热耗散器件。
[0040]在示例16中，示例15的主题可以可选地包括微电子衬底，其包括陶瓷材料。
[0041]在示例17中，示例16的主题可以可选地包括微电子衬底，其包括氧化铝。
[0042]在示例18中，示例15到17中的任一个的主题可以可选地包括光子器件背表面，其使用导热附着材料热附着到微电子衬底第一表面。
[0043]在示例19中，示例15到18中的任一个的主题可以可选地包括在热耗散器件和微电子衬底第二表面之间的热界面材料。
[0044]在示例20中，示例15到19中的任一个的主题可以可选地包括电连接到微电子衬底的光子器件。
[0045]在示例21中，示例20的主题可以可选地包括通过从光子器件活性表面延伸到微电子衬底第一表面的至少一个接合线电连接到微电子衬底第一表面的光子器件。
[0046]在示例22中，示例15到22中的任一个的主题可以可选地包括耦合到光子器件的光传输线。
[0047]由此已经详细描述了本发明的实施例，应理解，由所附权利要求限定的本发明不应由在上面的描述中阐述的特定细节限制，因为其很多显而易见的变化是可能的，而不偏离其精神或范围。
【主权项】
1.一种光子封装，其包括: 微电子衬底，其具有第一表面和相对的第二表面； 光子器件，其接近于所述微电子衬底第一表面，其中所述光子器件包括活性表面和相对的背表面； 阶梯式散热器，其包括基底部分和从所述基底部分延伸的基架部分，其中所述基架部分延伸穿过所述微电子衬底； 其中所述阶梯式散热器基底部分接近所述微电子衬底第二表面，以及其中所述阶梯式散热器基架部分包括基本上对于所述微电子衬底第一表面是平面的第一表面；以及 其中所述光子器件背表面与所述阶梯式散热器基架部分第一表面热接触。2.如权利要求1所述的光子封装，其中所述光子器件背表面使用导热附着材料热附着到所述阶梯式散热器基架部分第一表面。3.如权利要求1和2中的一项所述的光子封装，其中所述阶梯式散热器基底部分包括邻近所述阶梯式散热器基架部分的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。4.如权利要求3所述的光子封装，还包括热耗散器件，其热附着到所述阶梯式散热器基底部分第二表面。5.如权利要求3所述的光子封装，其中所述阶梯式散热器基底部分第一表面附着到所述微电子衬底第二表面。6.如权利要求1所述的光子封装，其中所述光子器件电连接到所述微电子衬底。7.如权利要求6所述的光子封装，其中所述光子器件通过从所述光子器件活性表面延伸到所述微电子衬底第一表面的至少一个接合线电连接到所述微电子衬底第一表面。8.如权利要求1、2、6和7中的一项所述的光子封装，还包括耦合到所述光子器件的光传输线。9.一种光子封装，包括: 微电子衬底，其具有第一表面和相对的第二表面； 传导插入物，其被定位于所述微电子衬底内，其中所述传导插入物包括基本上对于所述微电子衬底第一表面是平面的第一表面和基本上对于所述微电子衬底第二表面是平面的第二表面； 光子器件，其接近所述微电子衬底第一表面，其中所述光子器件包括活性表面和相对的背表面；以及 热耗散器件，其接近所述微电子衬底第二表面； 其中所述光子器件背表面与所述传导插入物第一表面热接触，以及其中热耗散器件与所述传导插入物第二表面热接触。10.如权利要求9所述的光子封装，其中所述光子器件背表面使用导热附着材料热附着到所述传导插入物第一表面。11.如权利要求9和10中的一项所述的光子封装，还包括在所述热耗散器件和所述传导插入物第二表面之间的热界面材料。12.如权利要求9所述的光子封装，其中所述光子器件电连接到所述微电子衬底。13.如权利要求12所述的光子封装，其中所述光子器件通过从所述光子器件活性表面延伸到所述微电子衬底第一表面的至少一个接合线电连接到所述微电子衬底第一表面。14.如权利要求9所述的光子封装，还包括耦合到所述光子器件的光传输线。15.一种光子封装，包括: 微电子衬底，其具有第一表面和相对的第二表面，其中所述微电子衬底包括多个传导路线和具有大约18W/mK或更大的热导率的介质材料； 光子器件，其中包括活性表面和相对的背表面，其中所述光子器件背表面热附着到所述微电子衬底第一表面；以及 热耗散器件，其热附着到所述微电子衬底第二表面。16.如权利要求15所述的光子封装，其中所述微电子衬底包括陶瓷材料。17.如权利要求16所述的光子封装，其中所述微电子衬底包括氧化铝。18.如权利要求15到17中的一项所述的光子封装，其中所述光子器件背表面使用导热附着材料热附着到所述微电子衬底第一表面。19.如权利要求15到17中的一项所述的光子封装，还包括在所述热耗散器件和所述微电子衬底第二表面之间的热界面材料。20.如权利要求15到17中的一项所述的光子封装，其中所述光子器件电连接到所述微电子衬底。21.如权利要求20所述的光子封装，其中所述光子器件通过从所述光子器件活性表面延伸到所述微电子衬底第一表面的至少一个接合线电连接到所述微电子衬底第一表面。22.如权利要求15到17中的一项所述的光子封装，还包括耦合到所述光子器件的光传输线。
【专利摘要】本发明涉及从光子器件的热移除。本描述的实施例涉及用于使热量通过微电子衬底从光子器件传递到热耗散器件的机构。在一个实施例中，微电子衬底可包括高导热介质材料。在另一实施例中，微电子衬底可包括在微电子衬底内的传导插入物，其中光子器件与接近微电子衬底的一个表面的传导插入物热接触，以及热耗散器件与接近微电子衬底的相对表面的传导插入物热接触。在又另一实施例中，具有基底部分和基架部分的阶梯式散热器具有穿过微电子衬底插入的基架部分，其中光子器件与接近微电子衬底的一个表面的基架部分热接触，且热耗散器件与基底部分热接触。
【IPC分类】B81B7/00, B81B7/02
【公开号】CN105600739
【申请号】CN201510659811
【发明人】Z.李, Q.谭, Q.于
【申请人】英特尔公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年10月14日
【公告号】US9397471, US20160141831