至去除光阻剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0035] 图3 :D?F是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例 的自积层树脂及第2层附载体铜箔至雷射开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0036] 图4 :G?I是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例 的自形成通孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0037] 图5 J?K是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例 的自快速蚀刻至形成凸块-铜柱为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
【具体实施方式】
[0038] < 1.载体>
[0039] 使用铜箔作为可用于本发明的载体。典型而言，载体是以压延铜箔或电解铜箔的 形式提供。通常，电解铜箔系使铜自硫酸铜镀浴电解析出在钛或不锈钢的转筒上而制造，压 延铜箔系重复进行利用压延辊的塑性加工及热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜或 无氧铜等高纯度的铜以外，亦可使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合 金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。再者，在本说明书中，单独使用用语 "铜箔"时，亦包含铜合金箔的意思。
[0040] 关于可在本发明中使用的载体的厚度，亦并无特别限制，只要在达成作为载体的 作用的基础上适当地调节为适宜的厚度即可，例如可设为12 μ m以上。然而，若过厚，则生 产成本提高，故而通常优选的设为70 μ m以下。因此，载体的厚度典型为12?70 μ m，更典 型为18?35 μ m。
[0041] <2.剥离层〉
[0042] 在载体上设置剥离层。作为剥离层，可为附载体铜箔中的本领域技术人员所周知 的任意剥离层。例如剥离层优选为由含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、或其等的合 金、或其等的水和物、或其等的氧化物或者有机物中的任一种以上的层所形成。剥离层亦可 构成为多层。
[0043] 在本发明的实施方案中，剥离层是从载体侧由下述层构成，该层是由Cr、Ni、Co、 Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al的元素群中的任一种元素构成的单一金属层、或由选自Cr、Ni、Co、 Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al的元素群中一种以上的元素构成的合金层，与积层于其上的由选自 Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al的元素群中一种以上的元素的水和物或氧化物构成的层。
[0044] 剥离层优选为以Ni及Cr此2层来构成。在此情形时，以Ni层及Cr层分别与和 铜箔载体的界面及和极薄铜层的界面相接的方式来进行积层。
[0045] 剥离层可通过例如电镀、无电解镀敷及浸渍镀敷之类的湿式镀敷，或溅镀、CVD及 PDV之类的干式镀敷而获得。以成本的观点而言优选为电镀。
[0046] < 3.极薄铜层〉
[0047] 在剥离层上设置极薄铜层。优选为极薄铜层可通过利用了硫酸铜、焦磷酸铜、胺基 磺酸铜、氰化铜等的电解浴的电镀而形成，就使用通常的电解铜箔而可在高电流密度下形 成铜箔的方面而言，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常比载体薄，例如 为12μπι以下。典型为0.5?12μπι，更典型为2?5μπι。
[0048] < 4.粗化处理等的表面处理>
[0049] 在极薄铜层的表面通过例如为了使与绝缘基板的密合性变得良好等所施加的粗 化处理而设置粗化处理层。粗化处理可通过例如以铜或铜合金来形成粗化粒子的方式来进 行。以形成窄间距的观点而言，粗化处理层优选为由微细的粒子所构成者。关于形成粗化 粒子时的电镀条件，有若提高电流密度、降低镀敷液中的铜浓度、或者增大库伦量则粒子会 微细化的倾向。
[0050] 粗化处理层可由下述电沉积粒构成，该电沉积粒是由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钥、 铬、钴及锌构成的群中的任一者的单质或含有任一种以上的合金所构成者。
[0051] 再次，在粗化处理后，利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成二次粒子或三次粒子 及/或防锈层及/或耐热层，亦可进一步对其表面施加铬酸盐处理、硅烷偶合处理等表面处 理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由防锈层、耐热层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理 层所构成的群中的1种以上的层。
[0052] 例如，可在粗化处理层上具备耐热层及/或防锈层、在上述耐热层及/或防锈层上 具备铬酸盐处理层，亦可在上述铬酸盐处理层上具备硅烷偶合处理层。再者，并不限定形成 上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层的相互间的顺序，亦可在粗化处理层 上以任何顺序来形成其等的层。
[0053] 施与粗化处理等的各种表面处理后的极薄铜层的表面（亦称为"粗化处理面"）于 利用非接触式粗糙度计进行测定时，将Rz (十点平均粗糙度）设为1. 6 μ m以下在形成窄间 距的观点上极为有利。Rz优选为1.5μπι以下、更优选为1.4μπι以下、再更优选为1.35μπι 以下、再更优选为1. 3 μ m以下、再更优选为1. 2 μ m以下、再更优选为I. 0 μ m以下、再更优 选为0. 8 μ m以下、再更优选为0. 6 μ m以下。然而，Rz若变得过小，则与树脂的密合力会降 低，故而优选为0. 01 μ m以上、更优选为0. 1 μ m以上、再更优选为0. 2 μ m以上。
[0054] 施与粗化处理等的各种表面处理后的极薄铜层的表面（亦称为"粗化处理面"） 于利用非接触式粗糙度计进行测定时，将Ra(算术平均粗糙度）设为0. 30 μ m以下在形 成窄间距的观点上极为有利。Ra优选为0. 27 μ m以下、更优选为0. 26 μ m以下、更优选为 0. 25 μ m以下、更优选为0. 24 μ m以下、更优选为0. 23 μ m以下、再更优选为0. 20 μ m以下、 再更优选为〇. 18 μ m以下、再更优选为0. 16 μ m以下、再更优选为0. 15 μ m以下、再更优选 为0. 13 μ m以下。然而，Ra若变得过小，则与树脂的密合力会降低，故而优选为0. 005 μ m以 上、更优选为〇. 009 μ m以上、0. 01 μ m以上、0. 02 μ m以上、更优选为0. 05 μ m以上、更优选 为0· 10 μ m以上。
[0055] 施与粗化处理等的各种表面处理后的极薄铜层的表面（亦称为"粗化处理面"）于 利用非接触式粗糙度计进行测定时，将Rt设为2. 3 μ m以下在形成窄间距的观点上极为有 利。Rt优选为2. 2μπι以下、优选为2. Ιμπι以下、优选为2. 07μπι以下、更优选为2. Ομ?? 以下、更优选为1. 9 μ m以下、更优选为1. 8 μ m以下、再更优选为1. 5 μ m以下、再更优选为 1. 2 μ m以下、再更优选为I. 0 μ m以下。然而，Rt若变得过小，则与树脂的密合力会降低，故 而优选为〇. 01 μ m以上、更优选为0. 1 μ m以上、更优选为0. 3 μ m以上、更优选为0. 5 μ m以 上。
[0056] 再次，施与粗化处理等的各种表面处理后的极薄铜层的表面于利用非接触式粗糙 度计进行测定时，将Ssk (偏斜度）设为-0. 3?0. 3在形成窄间距的观点上较佳。Ssk的下 限优选为-〇. 2以上、更优选为-0. 1以上、更优选为-0. 070以上、更优选为-0. 065以上、更 优