环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树 脂的群中的1种或2种以上，或可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。
[0068] 可使用公知的含有磷的环氧树脂作为上述含磷的环氧树脂。又，上述含磷的环 氧树脂优选为例如分子内具备2个以上环氧基的以自9, 10-二氢-9-氧杂-10-磷杂 菲-10-氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂。
[0069] 该以源自9, 10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形式获得的环 氧树脂是使9, 10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物与萘醌或对苯二酚反应而制成以 下化学式I(HCA-NQ)或化学式2(HCA-HQ)所表示的化合物后，使其OH基的部分与环氧树脂 反应而制成含磷的环氧树脂而成者。
[0070] [化学式1]
[0071]
[0072] [化学式2]
【主权项】
1. 一种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层 上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为 1. 6 u m以下。
2. -种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层 上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为 0? 3 u m以下。
3. -种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层 上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rt以非接触式粗糙度计进行测定为 2. 3 u m以下。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz以非接 触式粗糙度计进行测定为1. 4 y m以下。
5. 根据权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接 触式粗糙度计进行测定为〇. 25 y m以下。
6. 根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt以非接 触式粗糙度计进行测定为1. 8 y m以下。
7. 根据权利要求1至3中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz以非接 触式粗糙度计进行测定为1. 3 y m以下。
8. 根据权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接 触式粗糙度计进行测定为〇. 20 y m以下。
9. 根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt以非接 触式粗糙度计进行测定为1. 5 y m以下。
10. 根据权利要求1至3中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz以非接 触式粗糙度计进行测定为〇. 8 y m以下。
11. 根据权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接 触式粗糙度计进行测定为〇. 16 y m以下。
12. 根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt以非接 触式粗糙度计进行测定为1. 〇 U m以下。
13. 根据权利要求1至6中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面其Ssk 为-0? 3 ?0? 3。
14. 根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面其Sku为 2. 7 ?3. 3。
15. -种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层 上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的表面积比为1. 05?1. 5。
16. 根据权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的表面积比 为1. 05?1. 5,其中，所谓表面积比，是利用雷射显微镜测定面积及实际面积时的实际面积 /面积的值；面积是指测定基准面积，实际面积是指测定基准面积中的表面积。
17. 根据权利要求1至16中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的每 66524 y m2面积的利用雷射显微镜测定的体积为300000 y m 3以上。
18. 根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔，其在上述经粗化处理的极薄铜 层上具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层组成的群中的1种以上 的层。
19. 根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔，其在上述经粗化处理的极薄铜 层上具备树脂层。
20. 根据权利要求18所述的附载体铜箔，其在上述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理 层及硅烷偶合处理层组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
21. -种覆铜积层板，其是使用权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔而制造。
22. -种印刷配线板，其是使用根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔而制 造。
23. -种印刷电路板，其是使用根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔而制 造。
24. -种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤： 准备根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤； 将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；以及 在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形 成覆铜积层板， 其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步 骤。
25. -种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤： 根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔的该极薄铜层侧表面形成电路的步 骤； 以埋没上述电路的方式于上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成树脂层的步 骤； 在上述树脂层上形成电路的步骤； 在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体的步骤；以及 在剥离上述载体后，去除上述极薄铜层，由此使形成于上述极薄铜层侧表面的埋没于 上述树脂层中的电路露出的步骤。
26. 根据权利要求25所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路 的步骤是将另一附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于上述树脂层上，使用贴合于上述树脂层的 附载体铜箔来形成该电路的步骤。
27. 根据权利要求25所述的印刷配线板的制造方法，其中，贴合于上述树脂层上的另 一附载体铜箔为根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔。
28. 根据权利要求25至27中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂 层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法 来进行。
29. 根据权利要求25至28中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其中，进一步包含 下述步骤：在剥离载体前，在附载体铜箔的载体侧表面形成基板的步骤。
【专利摘要】本发明提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下。
【IPC分类】C25D7-06, C25D1-04, H05K1-09
【公开号】CN104619889
【申请号】CN201380046519
【发明人】古曳伦也, 永浦友太, 坂口和彦, 千叶徹
【申请人】Jx日矿日石金属株式会社
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年9月11日
【公告号】WO2014042201A1