选为-〇. 060以上、更优选为-0. 058以上、再更优选为0以上。Ssk的上限优选为0. 2以 下。
[0057] 再次，施与粗化处理等的各种表面处理后的极薄铜层的表面于利用非接触式粗糙 度计进行测定时，将Sku(峰度）设为2. 7?3. 3在形成窄间距的观点上较佳。Sku的下限 优选为2. 8以上、更优选为2. 9以上、更优选为3. 0以上。Sku的上限优选为3. 2以下。
[0058] 在本发明中，关于极薄铜层表面的Rz、Ra的粗糙度参数，是根据JISB0601-1994利 用非接触式粗糙度计来进行测定，关于Rt的粗糙度参数，是根据JISB0601-2001利用非接 触式粗糙度计来进行测定，关于SsKSku的粗糙度参数，是根据IS025178draft利用非接触 式粗糙度计来进行测定。
[0059] 再者，印刷配线板或覆铜积层板等树脂等的绝缘基板与极薄铜层表面接着的情形 时，可通过将绝缘基板溶解去除，而对铜电路或铜箔表面测定上述表面粗糙度（Ra、Rt、Rz)。
[0060] 为了形成窄间距，控制粗化处理面的体积在减少粗化粒子层的蚀刻量上亦重要。 此处的体积是指利用雷射显微镜进行测定的值，为评价粗化处理面所存在的粗化粒子的 体积的指标。在粗化处理面的体积大的情形时，有极薄铜层与树脂的密合力变高的倾向。 而且，有若极薄铜层与树脂的密合力变高则耐迁移性提高的倾向。具体而言，利用雷射显 微镜进行测定，优选为粗化处理面每66524 μ m2面积体积为300000 μ m 3以上，更优选为 350000 μ m3以上。然而，若体积变得过大则蚀刻量増加，无法形成窄间距，故体积优选为设 为500000 μ m3以下，更优选为设为450000 μ m 3以下。
[0061] 进一步，为了形成窄间距，控制粗化处理面的表面积比在确保微细粗化粒子所致 的与树脂的密合性上亦重要。此处的表面积比是指利用雷射显微镜进行测定的值，且是指 在测定面积及实际面积时的实际面积/面积的值。面积是指测定基准面积，实际面积是指 测定基准面积中的表面积。若表面积比变得过大，则密合强度增加，但蚀刻量会増加从而无 法形成窄间距，另一方面，若表面积比变得过小，则无法确保密合强度，因此优选为1.05? 1. 5,优选为L 07?L 47、优选为L 09?L 4、更优选为L 1?L 3。
[0062] < 5.树脂层〉
[0063] 在本发明的附载体铜箔中，亦可在施与粗化处理等的各种表面处理后的极薄铜层 的表面进一步具备树脂层。例如，亦可在粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、或硅 烷偶合处理层上具备树脂层。上述树脂层亦可为绝缘树脂层。
[0064] 上述树脂层可为接着用树脂，即接着剂，亦可为接着用半硬化状态（Β阶段状态） 的绝缘树脂层。所谓半硬化状态（Β阶段状态），包含如下状态：即便用手指触摸其表面亦 无黏着感，可重迭地保管该绝缘树脂层，若进一步进行加热处理，则会引起硬化反应。
[0065] 又，上述树脂层亦可含有热硬化性树脂，亦可为热塑性树脂。又，上述树脂层亦可 含有热塑性树脂。上述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电 体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，上述树脂层例如可使用如下文献 中所记载的物质（树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合 物、预浸体、骨架材料等）及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成，该文献是：国际公 开编号W02008/004399号、国际公开编号W02008/053878、国际公开编号W02009/084533、 日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编 号TO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、 日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专 利第3992225、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687 号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开 2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676 号、日本专利第4178415号、国际公开编号W02004/005588、日本特开2006-257153号、 日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公 开编号W02006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编 号W02006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号 W02007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号W02008/114858、国际公开编号 W02009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号W02009/001850、国际公开编号 W02009/145179、国际公开编号 W02011/068157、日本特开 2013-19056 号。
[0066] 又，上述树脂层其种类并无特别限定，作为优选者，例如可列举含有选自如下 成分的群中的一种以上的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马 来亚酰胺化合物、聚马来亚酰胺化合物、马来亚酰胺系树脂、芳香族马来亚酰胺树脂、 聚乙烯乙醒树脂、胺酯树脂（urethane resin)、聚醚砜（亦称为polyethersulphone、 polyethersulfone)、聚醚讽（亦称为 polyethersulphone、polyethersulfone)树脂、芳香 族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树 月旨、橡胶变性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来亚酰胺 三口井树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯酯系树脂、羧酸的酸酐、多元羧酸的酸酐、具有可 交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2, 2-双（4-氰氧基苯基）丙烷、含磷的酚化合物、 环烷酸锰、2, 2-双（4-缩水甘油基苯基）丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺 酰亚胺树脂、氰酯树脂、膦氮烯系树脂、橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁 二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子环氧树脂、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚 胺树脂及氰酯树脂。
[0067] 又，上述环氧树脂是分子内具有2个以上环氧基者，且只要为可用于电性-电子材 料用途者，则尤其可无问题地使用。又，上述环氧树脂优选为使用分子内具有2个以上缩水 甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。又，可混合使用选自：双酚A型环氧树脂、双 酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛 清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化（brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树 月旨、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型 环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N，N-二缩水甘油基苯胺等缩水 甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯 型环氧树脂、联苯酚醛清漆型