一种用于PECVD设备的阀门密封圈挡块的制作方法

本实用新型属于PLC晶圆生产技术领域，涉及PECVD设备，具体地说，涉及一种用于PECVD设备的阀门密封圈挡块。

背景技术：

在PLC晶圆生产中，PECVD(即等离子体增强化学沉积)设备作为第一道也是最重要的一道沉积芯层工序。由于PECVD设备属于高温真空设备，工艺过程中阀门上密封圈由于高温而氧化的情况极其严重，所以改造阀门密封圈挡块以延长阀门密封圈的使用寿命迫在眉睫。

现有技术中，如图1、2所示，PECVD设备传送腔体4内的阀门2上密封圈3的挡块大都采用长方形塑料挡块1'，由于整个阀门2的边缘密封圈3是椭圆形的，因此，现有的挡块1'不能很好地保护阀门边缘密封圈3，尤其处在工艺过程中的高温、高氧工艺环境下，由于射频产生的氧离子使得阀门密封圈极易被氧化。

技术实现要素：

本实用新型的目的是克服现有技术的不足或缺陷，提供一种用于PECVD设备的阀门密封圈挡块，可在高温高氧的工艺环境下有效阻挡腔体阀门密封圈的氧化，有效地延长阀门的使用寿命，提高生产效率。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种用于PECVD设备的阀门密封圈挡块,包括挡块本体；其特征在于，所述挡块本体的外形采用可与阀门上的密封圈边缘紧密贴合的手枪状；

所述手枪状挡块本体一体包括水平段和向外倾斜的把手段；

所述挡块本体的水平段上间隔设有若干个安装用螺丝孔。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型涉及的用于PECVD设备的阀门密封圈挡块，其外形采用可与阀门密封圈的边缘紧密贴合的手枪状，一体包括水平段和向外倾斜的把手段，水平段上间隔设置安装用螺丝孔。

此外，将现有的塑料挡块改进为铝制金属，从而保证工艺过程中阻挡阀门密封圈氧化，延长密封圈的使用寿命。

附图说明

图1是现有技术中阀门密封圈挡块的正面投影结构示意图；

图2是沿图1中A-A线的剖视结构示意图；

图3是本实用新型涉及的阀门密封圈挡块正面投影结构示意图；

图4是图3的左视结构示意图；

图5是沿图3中B-B线的剖视结构示意图；

图6是本实用新型阀门密封圈挡块的安装结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本实用新型作进一步说明。

请参阅图3-4，配合参阅图6，图中示出了本实用新型涉及的一种用于PECVD设备的阀门密封圈挡块,包括挡块本体1；其关键技术方案在于：

挡块本体1的外形采用可与阀门2上的密封圈3边缘紧密贴合的手枪状，手枪状挡块本体1一体包括水平段1A和向外倾斜的把手段1B；挡块本体1的水平段1A上间隔设有若干个安装用螺丝孔1a。

此外，本实用新型将现有的塑料材质挡块1'改进为铝制金属挡块1，从而确保了工艺过程中阻挡阀门密封圈3的氧化，有效地延长了密封圈3的使用寿命。即使处于高温氧化环境下，也不会造成挡块1及密封圈3的变形或被腐蚀的情况。

实验表明，本实用新型涉及的挡块，可在高温高氧的工艺环境下有效阻挡腔体阀门密封圈的氧化，有效地延长阀门的使用寿命，提高生产效率。

以上实施例仅供说明本实用新型之用，而非对本实用新型的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴，应由各权利要求所限定。