探针阵列结构以及制造探针阵列结构的方法

专利名称：探针阵列结构以及制造探针阵列结构的方法
探针阵列结构以及制造探针阵列结构的方法
背景技术：
在各种应用中可以构造并使用接触结构的阵列，其中包括探测另一个器件 的应用。探测电子器件以测试该电子器件是这种应用的一个示例。例如，导电 接触结构(或探针)可以被配置成一个阵列，以便接触电子器件的输入和/或输 出端。探针压着待测电子器件的输入和/或输出端，从而与那些输入和/或输出 端形成电连接。然后，通过一些探针将测试信号输入到电子器件，并且通过其 它探针读取由该电子器件所产生的响应数据。半导体管芯是可用探针阵列测试 的电子器件的示例。

发明内容
揭示了探针阵列结构以及制造探针阵列结构的方法的典型实施方式。在一 些典型的实施方式中，提供了多个位于第一基板上的导电细长接触结构。然后， 接触结构可以被部分地装入固定材料中，使得接触结构的末端从固定材料的表 面延伸出来。然后，接触结构的露出部分可以被俘获在第二基板中。


图1示出了根据本发明的一些实施方式用于制造探针阵列结构的工艺。
图2A-2D示出了根据本发明的一些实施方式根据图l的工艺的典型探针阵 列结构的形成过程。
图3显示出图2D的探针阵列结构的底视图。
图4A-4H示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的102的示例。 图5A和5B示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的102的另一 个示例。
图6A和6B示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的102的另一 个示例。图7A和7B示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的102的另一 个示例。
图8A和8B示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的102的另一 个示例。
图9A-9E示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的104的另一个 示例。
图10A和10B示出了根据本发明的一些实施方式用于在牺牲基板上围绕着 探针形成固定材料的模子的典型使用情况。
图11示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的106的示例。
图12A和12B示出了根据本发明的一些实施方式用于在从固定材料中延伸 出来的部分探针周围形成探针基板的模子的典型使用情况。
图13示出了根据本发明的一些实施方式的图1的工艺的108的示例。
图14A和14B示出了根据本发明的一些实施方式用于将牺牲基板上所形成 的探针连接到探针基板的典型备选方法。
图15A和15B示出了根据本发明的一些实施方式将典型的探针阵列结构连 接到电子组件的情况。
图16A示出了根据本发明的一些实施方式将多个典型的探针阵列结构连 接到电子组件的情况。
图16B示出了图16A的底视图。
图17示出了根据本发明的一些实施方式用于测试半导体晶片的管芯的典 型系统。
图18示出了根据本发明的一些实施方式在图17的系统中可对其进行测试 的典型半导体晶片。
图19示出了根据本发明的一些实施方式可用在图17的系统中的典型探针 卡组件的简化方框图和示意图。
具体实施方式
本说明书描述了本发明的典型实施方式和应用。然而，本发 明并不限于这些典型的实施方式和应用，或者并不限于典型实施方式和应用操 作或描述的方式。
7图I示出了根据本发明的一些实施方式用于制造探针阵列结构的工艺IOO，
图2A-2D示出了根据图1的工艺100的探针阵列结构216的典型形成过程。尽 管工艺100并不限于图2A-2D所示的示例，但是为了示出和便于讨论，下文结 合图2A-2D的示例来讨论工艺100。
如图1所示，在102中，提供了设置在牺牲基板上的多个探针。(在本文 中，术语"牺牲基板"包括但不限于可移除的基板。)图2A示出了可根据图1 的102提供的、位于牺牲基板204上的多个探针202的非限制性示例。如图2A 所示，探针202被连接到牺牲基板204的表面207。每一个探针可以包括接触 尖端203和远端205。探针202可以是弹性导电结构。合适的探针202的非限 制性示例包括由芯线构成的复合结构，芯线接合到探针头组件108上的导电端 (未示出)，探针头组件108上涂敷有弹性材料，比如美国专利5,476,211、美 国专利5,917,707和美国专利6,336,269对此进行过描述。探针202可以是光刻 形成的结构，比如美国专利5,994,152，美国专利6,033,935，美国专利6,255,126， 美国专利6,945,827，美国专利申请公报2001/0044225，和美国专利申请公报 2004/0016119所揭示的弹簧元件。美国专利6,827,584，美国专利6,640,432， 美国专利6,441,315，美国专利申请公报2001/0012739中揭示探针202的其它 非限制性示例。探针202的其它非限制性示例包括导电的弹簧单高跷插针、凸 起、接线柱、冲压的弹簧、针、屈曲柱等。在下述图4A到8B中显示探针202 的五种非限制性示例。牺牲基板204可以是适于支撑探针202的任何类型的基 板。合适的牺牲基板204的非限制性示例包括半导体晶片(比如硅晶片)； 陶瓷基板；印刷电路板基板；金属基板；有机材料构成的基板；无机材料构成 的基板；金属基板；塑料基板等。
再次参照图1，探针被固定在位置(104)上。图2B示出了一个示例，其 中固定材料210形成于探针202的周围。在图2B所示的示例中，在探针202 的其它部分中，固定材料210将接触尖端203固定在合适的位置。然而，探针 202的远端部分212被暴露出来并且从固定材料210的表面延伸出来。如下文 更详细地讨论的那样，工艺100的执行104的一种非限制性方式是在探针202 的整个部分周围浇铸固定材料210，然后，除去固定材料210的一部分以露出 探针202的远端部分212。固定材料210可以是用于将探针202固定在合适的位置的任何合适的材料。合适的材料的非限制性示例包括填充材料、环氧树脂 模制化合物以及团块顶部材料。
再次返回图l，在106中，探针的露出的末端被俘获在探针基板中。图2C 示出了一个示例，其中探针202的远端部分212被俘获在探针基板214中。在 图2C所示的示例中，探针基板204是通过下列过程形成的在探针202的远 端部分212周围，浇铸可流动的材料；然后，使可流动的材料硬化成基板214。
在图1的108中，从固定材料210和牺牲基板204中剥离探针202，从而 留下了一个探针阵列结构，比如图2D所示典型的探针阵列结构216。如图2D 所示，探针阵列结构216包括探针202和探针基板214。探针202的远端部分 212被固定在探针基板214之内，探针202的接触尖端203向离开探针基板214 的方向延伸。
为了便于说明和讨论，图2A-2D显示出探针202、牺牲基板204、固定材 料210和探针基板214的侧视图。尽管从图2A-2D所示的侧视图看并不明显， 但是探针202可以被设置成二维阵列。图3显示出图2D的探针阵列结构的底 视图，它显示出设置成四乘四的阵列302的探针202。当然，可以使用更多或 更少的探针202，并且不同尺寸和配置的阵列也是可行的。事实上，探针的数 量和布局不是重要的，任何探针数量和布局都是可以使用的。102中所提供的 牺牲基板204可以是相对较大的，并且可以包含相对大数量的探针202。在图 1的工艺IOO期间的任何时刻，牺牲基板可以被分成较小的基板(未示出)， 每一个都包括较小数量的探针202。例如，如果牺牲基板204是硅晶片，则可 以利用已知的切割硅晶片的技术来切割牺牲基板204。牺牲基板204的这种分 离可以是在102之后发生，其中每一个较小的基板都可以根据104、 106和108 进行单独地处理。作为另一个示例，这种分离可以是在104之后发生，其中每 一个较小的基板都可以根据106和108进行单独地处理。由此，例如，图2B 所示结构可以被分成较小的基板，并且每一个较小的基板上的探针202都像图 2C所示那样被俘获在探针基板214之中。
图1的工艺100因此而示出了用于制造探针阵列结构的工艺，该探针阵列 结构包括按任何期望的布局设置且被固定到探针基板的多个探针。图4A-4H、 图5A和5B、图6A和6B、图7A和7B以及图8A和8B示出了工艺100 (图
91)的102的详细非限制性示例，即在牺牲基板上设置探针。图9A—般地示出 了图4A-8B所示任何示例中所提供的探针和牺牲基板，图9B-9E示出了根据图 1的工艺100的104进一步处理那些探针的详细非限制性示例。图11和13示 出了根据图1的工艺100的106和108作进一步处理的详细非限制性示例。
如上所述，图4A-4H示出了图1的工艺100的102的一个示例(在牺牲基 板上设置探针)。可以看出，在图4A-4H所示的示例中，在牺牲基板402上制 造多个探针424。
图4A示出了典型的牺牲基板402，它采用具有表面404的半导体晶片的 形式。例如，牺牲基板402可以是硅晶片。如图4B所示，它显示出图4A的晶 片402的部分侧面横截面图，在牺牲基板402的表面404中可以蚀刻出凹坑406。 可以看出，凹坑406可以限定将要在牺牲基板402上制造出的探针424的尖端 特征。凹坑406的形状可以根据探针424的尖端特征的期望形状来选择。尖端 形状的非限制性示例包括角锥、截棱锥、叶片、凸起等。可以用任何合适的手 段来形成凹坑406，其中包括但不限于化学蚀刻、冲压、雕刻、激光消融、摩 擦等。合适的化学蚀刻剂的非限制性示例包括氧化剂，其中包括但不限于氧化 钾(KOH)。也可以使用活性离子蚀刻技术。
也可以利用在半导体材料中形成集成电路所用的那些光刻技术来形成凹 坑406。例如，牺牲基板402可以是硅晶片，用于形成凹坑406的非限制性典 型工艺可以是这样的在晶片上形成氧化层；在氧化层上施加掩模材料层(比 如光刻胶)，并且在掩模材料中形成开口，从而露出与凹坑406的期望位置相 对应的部分氧化层；除去露出的部分氧化层(比如，通过用像氟化氢这样的蚀 刻剂来进行蚀刻)，从而露出晶片的选定部分；除去掩模材料；以及在晶片的 露出部分中蚀刻出凹坑406。可以使用氢氧化钾或其它各向异性的蚀刻剂来形 成锥形的凹坑，像凹坑406那样。利用上述或其它光刻技术，可以使凹坑406 的位置以及所得的探针424的尖端特征精确地定位，并且尖端特征可以按紧凑 的节距来形成。例如，通过使用这种光刻技术，凹坑406彼此间隔150微米或 更少的节距是可行的。
接下来，如图4C所示，在牺牲基板402的表面404上，可以沉积剥离/晶 种层408。例如，剥离/晶种层408可以具有两个特征。首先，剥离/晶种层408
10可以很容易被除去，这使得后来从牺牲基板402中除去探针424更容易。其次， 剥离/晶种层408可以是导电的，并且可以在电镀过程中充当阳极或阴极，通过 电镀过程，形成探针424的材料被电镀到剥离/晶种层408上。用于剥离/晶种 层408的合适材料包括但不限于铝、铜、金、钛、钨、银及其合金。可以用任 何合适的方法沉积剥离/晶种层408，其中包括但不限于化学汽相沉积、物理汽 相沉积、溅射沉积、无电淀积、电子束沉积以及热蒸镀。
或者，可以用多层材料替代剥离/晶种层408。例如，剥离层(它可以很容 易除去并且使得从牺牲基板402中除去探针更容易)可以被沉积到表面404上， 导电晶种层可以被沉积在剥离层上。
如图4D所示，掩模材料410可以被沉积在剥离/晶种层408上并被图形化 从而具有开口411。可以看出，探针424的尖端被制造在开口 411中，因此， 它们是根据探针424的尖端414的期望的位置和形状而被定位到牺牲基板402 上且被定形的。掩模材料410可以是适于沉积在牺牲基板402上并图形化以形 成开口411的任何材料。例如，掩模材料410可以是光刻胶材料。光刻胶材料 可以作为覆盖层被沉积在剥离/晶种层408的整个表面上，然后，在除了期望有 开口 411以外的每一处利用已知的技术(比如曝光)对其进行选择性地硬化。 之后，利用己知的技术可以除去光刻胶中未硬化的部分，从而产生了开口411。 同样，通过使用在半导体材料中形成集成电路的那些光刻技术，可以在准确的 位置中形成开口 411。
接下来，如图4E所示，尖端材料可以被沉积在开口 411中以形成尖端414， 每一个尖端具有由凹坑406 (参照图4B)限定的尖端特征412。在图4A-4G所 示的示例中，剥离/晶种层408是导电的，所以尖端材料可以被电镀到通过开口 411露出的部分晶种层408上。或者，可以使用除电镀以外的方法来沉积尖端 材料。这种方法的示例包括化学汽相沉积、物理汽相沉积、溅射沉积、无电淀 积和热蒸镀。当然，如果尖端材料是用除电镀以外的方式沉积的，则剥离/晶种 层408不需要导电。不管尖端材料是如何沉积在剥离/晶种层408中的，尖端材 料都可以是任何合适的材料，其中包括但不限于钯，金，铑，镍，钴，银， 铂，导电的氮化物，导电的碳化物，钨，钛，钼，铼，铟，锇，铑，铜，难熔 金属，以及包括上述组合的合金。尽管图4E中未示出，但是尖端414可以包括多层相同或不同的材料。
如图4F所示，接下来，可以将探针体连接到尖端414。在图4A-4H所示 的示例中，探针体416是接合在尖端414一端的引线。这种引线可使用标准引 线接合技术接合到尖端414，这种技术相似于在半导体管芯的接合焊点与管芯 封装的前框之间接合引线时所用的技术。已知，这种接合技术可能包括在使引 线的一端压着尖端414的同时产生超声波震动，这就使引线末端接合到尖端 414。上述压着和震动的过程也可以包括对引线末端和/或尖端414加热。已知， 这种技术将引线牢固地接合到尖端414。在图4E中，接合部分420代表了这种 接合。然后，引线被放出且被切断，从而形成探针体416的引线部分418。通 过在缠绕引线时移动线轴，可以使探针体416定形。
可以由相对较软的材料制成用于形成探针体416的引线，当引线被放出时 该材料很容易地接合到尖端414并被定形。然而，该引线可以包括更硬的材料。 适用于引线的材料的示例包括但不限于金，铝，铜，焊料，银，铂，铅，锡， 铟，以及它们的合金，包括具有铍、镉、硅和镁的合金。
如图4G所示，通过在探针体416上沉积外涂层材料422，可以加强这种 探针体416，和/或可以使其它机械特性赋予探针体416。例如，外涂层材料422 可以包括一种能向探针体416赋予弹性、强度和/或硬度的材料。作为另一个示 例，外涂层材料422可以包括比用于构成探针体416的引线更大的屈服强度。 通过适当选择外涂层材料422，探针可以具有弹性，由此是弹性探针。通过外 涂层422，可以向引线体416赋予除机械特性以外的性质(比如导电性、耐磨 性等)。适用于外涂层422的材料包括但不限于铜、镍、钴、锡、硼、磷、铬、 钨、钼、铋、铟、铯、锑、金、银、铑、钯、铂、钌以及它们的合金。
如图4G所示，外涂层材料422也可以包着接合部分420，由此进一步将 探针体416的接合部分420固定到尖端414。由此，外涂层材料422可以加强 探针体416和尖端414的接合。合适的外涂层材料的非限制性示例包括镍、铁、 钴、它们的组合、以及上述的合金。
如图4H所示，可以除去掩模材料410，从而在牺牲基板402上留下多个 探针424。如图4H所示，每一个探针424包括尖端414以及探针体416，探针 体包括接合到尖端414的引线以及外涂层材料422。如上所述，尖端414被连
12接到牺牲基板402上，远端403向离开牺牲基板402的方向延伸。
可以使附加的材料(未示出)沉积在外涂层材料422上以增强探针424的
选定特征。例如，可以使一个或多个材料(未示出)沉积在外涂层材料422上
以增强探针424的耐用性或耐磨性、导电性等。
美国专利5,472,211、美国专利5,917,707、美国专利6,336,269和美国专利
5,773,780揭示了关于引线接合、外涂敷引线以及形成包括外涂敷引线的探针结
构的附加信息。
图4A-4H由此示出了根据图1的工艺IOO的102用于提供多个连接到牺牲 基板402的探针424的典型方法。
图5A和5B示出了根据本发明的一些实施方式用于在牺牲基板上设置多个 探针的另一个典型方法(图1的102)。如图5B所示，该方法产生了设置在牺 牲基板502上的探针524，探针524包括光刻形成的尖端514、杆518和柱522。 如图5A所示，尖端514、杆518和柱522可以形成于设置在牺牲基板502上的 掩模材料的多个层510、 516和520中。可以在一系列按顺序执行的步骤中形 成图5A所示的结构，下文会进行讨论。
可以通过用牺牲基板502开始而形成图5A所示的结构，牺牲基板502可 以与图4A所示基板402相同或相似。用于限定尖端514的尖端特征512的凹 坑(图5A中未示出)可以形成于牺牲基板502中，其方式与在牺牲基板402 中形成凹坑406的方式相同。剥离/晶种层508 (如图5A所示，可以使它沉积 在牺牲基板502上)可以与剥离/晶种层408相同或相似，并且可以以与剥离/ 晶种层408相同或相似的方式来沉积剥离/晶种层508。
如图5A所示，接下来可以使第一层掩模材料510沉积在剥离/晶种层508 之上并且使其图形化从而具有用于限定尖端514的开口 (未示出)。第一层掩 模材料510可以相似于掩模材料410，并且可以像掩模材料410那样使其沉积 和图形化。然后，可以使尖端材料电镀到通过第一层掩模材料510中的开口 (未 示出)露出的部分的剥离/晶种层508上。 一旦在第一层掩模材料510中的开口 (未示出)中沉积了用于形成尖端514的尖端材料，就使尖端514的露出的表 面以及第一层掩模材料510平整化。
接下来可以使第二层掩模材料516沉积在尖端514和第一层掩模材料510的露出的表面之上，并且使其图形化从而具有用于限定杆518的开口(未示出)。 使第一层导电晶种材料515沉积在第二层掩模材料516中的开口 (未示出)之 中。第一晶种材料515 (它通过尖端514电连接到剥离/晶种层508)可以在电 镀过程中充当阴极或阳极，并且允许将用于形成杆518的杆材料电镀到第二层 掩模材料516的开口 (未示出)中。在使杆材料沉积到第二层掩模材料516中 的开口 (未示出)中从而形成杆518之后，可以使杆518和第二层掩模材料516 的露出的表面平整化。
然后，接下来可以使第三层掩模材料520沉积在杆518和第二层掩模材料 516的露出的表面之上，并且使其图形化从而具有用于限定柱522的开口 (未 示出)。可以使第二层导电晶种材料517沉积在第三层掩模材料520中的开口 (未示出)中。第二晶种材料517可以通过尖端514、第一晶种层515和杆518 而电连接到剥离/晶种层508，并且在电镀过程中充当阴极或阳极，并且允许将 用于形成柱522的柱材料电镀到第三层掩模材料520中的开口 (未示出)中。 在使柱材料沉积到第三层掩模材料520中的开口 (未示出)中从而形成柱522 之后，可以使柱522以及第三层掩模材料520的露出的表面平整化。
第一层掩模材料510、第二层掩模材料516以及第三层掩模材料520可以 相似于上文参照图4A-4H所讨论的掩模材料410，并且可以用上文参照掩模材 料410所讨论的相同技术来沉积这些掩模材料并使其图形化。第一晶种层515 和第二晶种层517可以是任何导电材料，并且可以用上文参照剥离/晶种层408 所讨论的任何技术来进行沉积。用于形成尖端514、杆518和柱522的尖端材 料、杆材料和柱材料可以用上文参照图4A-4H中的尖端414所讨论的任何材料 来构成。另外，可以通过与使用上文参照尖端414所标识的备选沉积方法的电 镀不同其它方法来沉积这些材料。此外，尖端514、杆518和柱522中的任何 一个或多个都可以包括多次沉积的多种材料。
如图5B所示，可以从牺牲基板502中除去第一层掩模材料510、第二层 掩模材料516和第三层掩模材料520，从而在牺牲基板502上留下了探针524。 图5A和5B所示的工艺由此产生了设置在牺牲基板502上的多个探针524，每 一个探针524包括具有尖端特征512的尖端514、杆518以及柱522。如图所 示，可以使尖端514连接到牺牲基板502，远端503可以向离开牺牲基板502的方向延伸。
探针结构524可以大致相似于美国专利6,520,778和美国专利6,268,015所 揭示的探针结构，这两个专利包括关于这种探针结构的构造的附加信息。
图5A和5B示出了根据本发明的一些实施方式的根据图1的工艺100的 102用于提供连接到牺牲基板502的多个探针524的另一个典型方法。
图6A和6B示出了根据本发明的一些实施方式用于在牺牲基板上设置多个 探针的另一个典型方法(图1的102)。如图6B所示，该方法可以产生设置在 牺牲基板602上的探针624。探针624包括尖端614和杆618，它们相似于图 5A和5B的尖端514和杆518。此外，可以按照与形成尖端514和杆518相同 的方式来形成尖端614和杆618。即，可以在牺牲基板602中蚀刻出凹坑(未 示出)，然后，可以用剥离/晶种层608将其覆盖。可以通过在第一掩模层610 中的开口 (未示出)中沉积尖端材料而形成尖端614，可以通过在第二掩模层 616中的开口 (未示出)中的晶种层615上沉积杆材料而形成杆618，这大致 就像上文参照图5A和5B所讨论的那样。牺牲基板602可以与牺牲基板502 相同或相似；剥离/晶种层608可以与剥离/晶种层508相同或相似；第一掩模 层610和第二掩模层616可以与第一掩模层510和第二掩模层516相同或相似； 晶种层615可以与晶种层515相同或相似；以及尖端614和杆618可以与尖端 514和杆518相同或相似。
然而，如图6A所示，可以使引线接合到杆518从而形成引线柱622。可 以通过使用标准引线接合技术使引线接合到杆518，如上所述。尽管未示出， 可以用一种或多种材料对引线柱进行外涂敷从而增强柱622的特征，比如导电 性、屈服强度、弹性、硬度、耐磨性等。尽管图6A示出了两个引线柱，但是 也可以使用一个引线柱或三个或更多个引线柱。
如图6B所示，可以从牺牲基板602中除去第一层掩模材料610和第二层 掩模材料616，从而在牺牲基板602上留下探针624。图6A和6B所示的工艺 由此可以产生多个探针624，每一个探针包括设置在牺牲基板602上的具有尖 端特征612的尖端614、杆618以及引线柱622。如图所示，尖端614可以连 接到牺牲基板602，远端603可以向离开牺牲基板602的方向延伸。
探针结构624可以大致相似于美国专利申请公报2001/0044225以及美国专利5,994,152的图7G和7H中所揭示的探针结构，它们包括关于这种探针结构 的构造的附加信息。
图7A和7B示出了根据本发明的一些实施方式用于在牺牲基板上设置多个 探针的方法的另一个典型方法(图1的102)。牺牲基板702可以与图4A-4H 的牺牲基板402相同或相似。按照与凹坑406相同的方式，可以在牺牲基板702 中形成用于限定尖端特征712的凹坑(未示出)。剥离/晶种层708 (如图7A 所示，它被沉积在牺牲基板702之上)可以与剥离/晶种层408相同或相似，并 且可以按照与剥离/晶种层408相同或相似的方式来沉积剥离/晶种层708。
如图7A所示，使一层掩模材料710 (它可以与掩模材料410相同或相似) 沉积在剥离/晶种层708之上，并且使其图形化从而具有开口 711，开口711可 以限定探针724的形状(参照图7B)。可以按多种方式来形成开口 711的形状。 例如，可以使用定形冲压工具在掩模材料710中冲压出开口 711，美国专利申 请公报2001/0044225的图2A-2D对此进行了显示，可以使用沉积到开口 711 中的半月形流体来限定开口 711的形状，美国专利申请公报2001/0044225的图 8A-8F对此进行了显示，或者可以使用美国专利申请09/539,287所揭示的各种 技术来限定开口 711的形状。可以使一层导电材料沉积在开口 711中。材料715 电连接到剥离/晶种层708，因此，可以在电镀过程中充当阴极或阳极。材料715 可以与图5A和5B中的晶种层515或517相同或相似，并且可以使其相似地沉 积。然后，可以使探针材料718电镀到层715上。如图7A和7B所示，材料 715也包括探针724的尖端特征712。因此，材料715可以包括适合用于接触 尖端的材料(比如上文结合尖端414所标识的材料)。
如图7B所示，可以从牺牲基板702中除去掩模材料710，从而在牺牲基 板702上留下了探针724。图7A和7B所示的工艺由此产生了设置在牺牲基板 702上的多个探针724。如图所示，尖端714可以连接到牺牲基板702，远端 703向离开牺牲基板702的方向延伸。
探针结构724可以大致相似于下列美国专利或专利申请中所揭示的探针结 构，它们都包括关于这种探针结构的构造的附加信息美国专利6,064213，美 国专利6,713,374，美国专利申请公报2001/0044225，以及美国专利申请 09/539,287。可以像美国专利6,827,584和6,640,432所大致揭示的那样来形成
16像探针结构724这样的探针结构。
图8A和8B示出了根据本发明的一些实施方式在牺牲基板上设置多个探针 的另一个典型的方法(图1的102)。如图8A所示，可以设置多个自由的探针 774。可以以任何合适的方式来制造探针774。例如，可以按照美国专利申请公 报2004/0016119中所描述的那样来制造探针774。制造探针774的其它非限制 性示例包括从金属片中冲压或切割出探针774，在模子中浇铸出探针774等 等。如图所示，每一个探针774可以包括尖端762和远端753。如图8B所示， 可以使探针774的尖端762固定在对准基板(比如半导体晶片、金属板、有机 或无机的基板等，其中已经产生了用于容纳尖端762的孔(未示出))中的孔 (未示出)中，该对准基板可以是牺牲基板。尖端762可以以任何方式固定在 对准基板中的孔(未示出)中。例如，可以用粘合剂、焊料、磁吸引、摩擦、 重力等将尖端762固定在对准基板752中的孔(未示出)中。可以以任何合适 的方式从对准基板752中剥离探针774。
如上文参照探针424所讨论的那样，可以使附加的材料(未示出)沉积在 探针524、 624、 724和774的任何一个上从而增强探针的选定特征，比如强度、 弹性、耐用性、耐磨性、导电性等。
图4A-4G、 5A和5B、 6A和6B、 7A和7B以及8A和8B由此示出了图1 的102的各种示例(在牺牲基板上设置探针)。之后，可以根据图1的104、 106和108来处理在牺牲基板402上形成的探针424、在牺牲基板502上形成 的探针524、在牺牲基板602上形成的探针624、在牺牲基板702上形成的探 针724、或连接到对准基板752的探针774。图9A-9E示出了根据图1的104 作进一步处理的详细示例固定探针。
图9A是在牺牲基板402、 502、 602或702上制造的或连接到对准基板752 (它可以是牺牲基板)的、如图4G、 5B、 6B、 7B和8B所示的探针424、 524、 624、 724或774的任何一个的一般表示。即，在图9A中，探针824是探针424、 524、 624、 724或774中的任何一个的一般表示；牺牲基板802是牺牲基板402、 502、 602或702或对准基板752中的任何一个的一般表示；并且剥离/晶种层 808是剥离/晶种层408、 508、 608或708中的任何一个的一般表示。剥离/晶种 层808是任选的。例如，图8A和8B所示的示例确实显示出晶种/剥离层。此
17外，远端803是远端403、 503、 603、 703、 753中的任何一个的一般表示；尖 端814是尖端414、 514、 614、 714、 762或连接到图7B中的牺牲基板702的 部分材料715中的任何一个的一般表示。
如图9B所示，探针824和牺牲基板802可以任选地涂有保护性涂层805， 它可以是任何适于保护探针824使其不接触图9C所示固定材料804的涂层。 这种涂层的示例包括但不限于聚对二甲苯。
如图9C所示，接下来可以使固定材料804 (它可以像固定材料210)浇铸 在牺牲基板802上，从而包住探针824。固定材料804可以是任何适于形成于 探针824周围的材料。例如，固定材料804可以是一种以液体或可流动状态涂 到牺牲基板802上且随后硬化成固态的材料。合适的固定材料804的示例包括 但不限于丙烯酸树脂、填充材料、环氧树脂模制化合物以及团块顶部材料。
可以以任何合适的方式来施加固定材料804。图IOA和IOB示出了根据本 发明的一些实施方式施加固定材料804的一个典型方式。图IOA示出了牺牲基 板802和四个探针824的阵列的正视的、透视图。模子902位于牺牲基板802 上，使得探针824处于模子902的开口 904之中，就像图10B所示。然后，将 固定材料804灌入开口 904中。接下来，使模子902保持恰当的位置，直到固 定材料804硬化，之后可以除去模子902。若不是将固定材料804灌入开口 904 中，则通过利用标准注入模制或转移模制技术使固定材料804注入或转移到开 口 904中。也可以使用其它模制技术在探针824周围形成固定材料804。
返回到图9A-9E所示的工艺，如图9D所示，可以磨平、磨光或以其它方 式除去固定材料804从而露出探针824的完成的末端806。也可以磨平、磨光 或以其它方式平整化探针824的多个部分从而使探针824的完成的末端806以 及固定材料804的表面808变得平整。然后，如图9E所示，可以除去固定材 料804的上部890以及涂层805的多个部分从而露出探针824的多个部分813。 可以通过包括但不限于蚀刻的任何合适的方式除去固定材料804的上部8卯。 例如，可以使用湿法蚀刻工艺除去固定材料804的上部890。例如，可以使用 氢氧化钾作为蚀刻剂。例如，可以使用温度介于50-200摄氏度范围内且含5-20% 的KOH的乙二醇作为蚀刻剂。可以使用其它除去工艺，包括但不限于干法蚀 刻，比如用反应气体、激光消融等。通过控制被施加到固定材料804的蚀刻溶
18剂的量，便可以控制被蚀刻掉的固体材料804的量。可以看出，被除去的固定 材料804的量可以对应于将要在固定材料804的表面810上形成的探针基板的 期望厚度。
图9E所示的结构由此代表了根据图1的104对图9A所示结构的处理过程。 图11和13示出了根据图1的106和108对图9E所示结构做进一步处理。
如图11所示，可模制材料1002可以形成于固定材料804的表面810上并 且围绕着探针824的露出的部分813。可模制的材料1002可以是液态或可流动 的材料，它被浇铸在探针824的露出部分813的周围且接下来硬化从而变成探 针基板1002'。由此，可模制的材料1002俘获了探针824的露出部分813，从 而将探针824连接到探针基板1002'。可以磨平、磨光、或以其它方式平整化探 针基板1002'的上表面，从而确保探针424的完成的末端806露出来。
可模制的材料1002可以是适于形成于探针824的露出部分813的周围的 任何材料。例如，可模制的材料1002可以是丙烯酸材料、环氧(填充的或未 填充的)、环氧树脂、低熔点玻璃、有机材料、无机材料等。可用作可模制材 料1002的一种环氧树脂的非限制性示例是碱性-可蚀刻增韧型UV-可固化环氧 树脂。这种碱性-可蚀刻增韧型UV-可固化环氧树脂可以包括两部分液态系统 一部分可以是酸酐/光引发剂，另一部分可以是环氧树脂/增韧剂/丙烯酸盐混合 物。
在另一个非限制性示例中，上述两部分液态系统可以包括部分A和部分B， 其中部分A和部分B如下
部分A:
表现所得的化合物(部分A和部分B的混合物)可碱蚀刻(即，
使用碱溶液(例如在水或者乙二醇之类的有机溶剂中的氢氧化钾 (KOH)可蚀刻的)的组分。该组分的例子包括但不限于六氢化甲
基邻苯二甲酸酐(HMPA),四氢化邻苯二甲酸酐，邻苯二甲酸酐,
以及桥亚甲基四氢化邻苯二甲酸酐。
环氧固化剂，例如2-乙基-4-甲基咪唑(EMl)，烷基咪唑，或者哌啶，
或者任意其他允许所得的化合物热致固化的试剂；以及
19 允许所得的化合物通过对紫外光曝光而室温凝胶化的自由基光引 发剂。这些光引发剂的例子包括任意的产生自由基的化合物，无论
热致活化或光致活化均可。 一个这样的例子是2，2-二甲氧基-2-苯
基苯乙酮。
部分B:
形成所得化合物的主体的主体组分(body component)。这些组 分的例子包括但不限于二环氧化双酚A(例如可购自陶氏化学有限 公司(Dow Chemicals, Inc.)的商标名为Dow Epoxy Resin #383 的产品)，任意芳族二环氧化物(例如BisA, BisF)，任意可热固化的 树月旨(例如三烯丙氧基-1，3，5-三嗪或三烯丙氧基-1，3，5-三嗪酮-三 酮)。
一种用来例如在热固化和蚀刻过程中使得主体组分韧化并防止所 得化合物裂纹的组分。该组分也可以是可碱蚀刻的。该组分的例子 包括但不限于购自联合碳化物有限公司(Union-Carbide, Inc.)的 商标名为TONE2221的多元醇增韧剂或者任意其它的环氧化增韧 剂。
能够在光引发剂和紫外光的存在下聚合的光敏组分。该组分的非限 制性例子包括光活性材料，例如丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯和硫醇。 例如可以使用丙烯酸羟丙酯(HPA)或季戊四醇四(3-巯基丙酸酯) (pentaerythritol tetrakis(3國mercaptopropionate)。
在一个非限制性实施例中，所述化合物是大约3重量份部分A和大约4重 量份部分B的混合物，其中部分A和部分B如下 部分A:
约重量的88X的六氢化甲基邻苯二甲酸酐(HMPA); 约重量的8%的2-乙基-4-甲基咪唑(EMI);以及 约重量的4%的2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。 部分B:
约重量的41%的Dow Epoxy Resin #383; 约重量的29%的TONE2221;以及 约重量的30c/。的丙烯酸羟丙酯(HPA)。
其中
HMPA可以是EMI可以是 HPA可以是:
而且
R1可以是CH3, H, C1-C20垸基，或者C=C双键
R2可以是C2H5， H， C1-C20烷基，
R3可以是CH3， H， C1-C20烷基，
R4可以是H， C1-C20烷基，
R5可以是H， C1-C5垸基，
n可以是2-10。
上述化合物可通过用紫外光(例如约500毫焦)辐照而聚合(胶凝)，并热 固化(例如通过加热至大约70°C、加热约12小时)。
图12A和12B示出了根据本发明的一些实施方式可用于在探针824的露出 部分813周围形成可模制材料1002的典型模子1102。图12A显示出图9E的 结构的正视的透视图，它显示出在探针824的露出部分813周围形成的固定材 料804。如图12B所示，可以将模子1102置于固定材料804的表面810之上。 然后，可以用可模制材料1002来填充模子1102中的开口 1104。例如，可以用 可模制材料1002来填充开口 1104，之后，可可以压縮且平滑化模制材料从而 与模子1102的上边缘1106齐平。或者，模子1102可以安装一个顶盖(未示 出)并且使用公知的注入模制技术可以通过入口 (未示出)将可模制材料1002 注入到模子1102中。作为另一个示例，可以使可模制材料1002转移模制到像 1102这样的模子中，或者可以旋转浇铸到表面810上。也可以使用其它方法在 固定材料804的表面810上形成可模制材料1002。
一旦可模制材料1002硬化成探针基板1002'(比如如上所述地通过凝胶作用且使可模制材料1002固化)，探针824就可以从固定材料804和牺牲基板 802中剥离下来，就像图13所示那样，这示出了图1的108的示例。通过除去 (比如通过蚀刻或溶解)剥离/晶种层808，便可以从牺牲基板802中剥离探针 824。可使用蚀刻材料或溶剂来溶解或以其它方式除去固定材料804和保护性 涂层805。在从牺牲基板802中剥离探针824之前或之后，可以磨光、磨平可 模制材料1002，或以其它方式使其平滑。
图14A和14B示出了根据本发明的一些实施方式的图1的104和106的备 选方案。图14A示出了位于牺牲基板1302上的探针1324的一般表示，比如可 以是图1的102中所提供的那样。例如，探针1324可以是探针202、 424、 524、 624、 724、 774或824中的任一种，牺牲基板可以是牺牲基板204、 402、 502、 602、 702或802或对准基板752中的任一种。如图14A所示，并不根据图1 的104和106进一步处理探针1324，而是可以把探针1324的远端1305插入探 针基板1320中的开口 1322中。如图14B所示，接下来，可以焊接1310探针 1324，或者以其它方式恰当连接到探针基板1320，之后，根据图1的08从牺 牲基板1302中剥离探针1324。
在图14A和14B所示的示例中，开口 1322大于探针1324的远端1305， 并且对探针1324的末端1305相应地进行焊接、铜焊、或以其它方式固定到探 针基板1320。作为一种备选方案，可以使开口 1322小于探针1324，探针1324 可以通过下列过程连接到探针基板1320:对探针基板1320加热以使开口 1322 扩展直到它们大于探针1324，将探针1324的远端1305插入开口 1322中，一 般如图14A所示那样，然后让探针基板1320冷却。随着探针基板1320冷却， 开口 1322 —般收縮成其原始尺寸(小于探针)。由此，探针基板1320可以俘 获探针1324。
一旦利用上述任何技术制造出固定到探针基板的探针阵列，则探针阵列和 探针基板可以被它们自身利用，或者可以被连接到另一个组件。图15A和15B 示出了根据本发明的一些实施方式的一个示例，其中探针阵列结构1450连接 到另一个电子组件1422。
在图15A中，探针阵列结构1450可以包括多个连接到探针基板1420的探 针1424 (示出了两个，但可以包括更多个)。探针阵列结构1450可以是用上
22述任何技术制成的。由此，例如，探针阵列结构1450可以与图2D的探针阵列 结构216、图13的探针阵列结构1250、或图14B的探针阵列结构1350相同。 如图15A所示，可以把探针1424的远端1403焊接到电子组件1422的端子1428。 由此，探针1424提供了从电子组件1422的端子1428穿过焊料1426且穿过探 针1424到达尖端特征1412的导电路径。通过电子组件1422内所设置的导体 (未示出)，可以将端子1428电连接到电子组件1422上的其它端子或电子元 件(未示出)。可以使用除焊料1426以外的导电粘合材料(比如铜焊材料) 将探针阵列结构1450连接到电子组件1422并且将探针1424的远端1403电连 接到电子组件1422的端子1428。
为了进一步将探针基板1420固定到电子组件1422并且保护且加强探针基 板1420，可以在探针基板1420和电子组件1422之间设置欠填充材料1432， 就像图15B所示那样。电子组件1422可以是任何电子组件，包括但不限于测 试装置的组件，其中电子组件1422是到测试器(未示出)的接口的一部分， 以便控制电子器件(未示出)的测试，并且探针1424被配置成接触被测电子 器件的输入和/或输出端。
图16A和16B示出了根据本发明的一些实施方式的另一个示例，其中多个 探针阵列结构1450可以被连接到电子组件1502。如图16A所示，多个探针阵 列结构1450被焊接到电子组件1502的端子1428。如图16A所示，通过导电路 径1506 (比如穿过电子组件1502的导电通路和轨迹)，端子1428被电连接到 电子组件1502的其它端子1504。由此设置电路径成为从端子1504到探针1424 的尖端特征1412。如图16B所示，图16B是图16A的结构的底视图，多个探 针阵列结构1450可以被定位于电子组件1502上从而形成较大的探针阵列 1424，它包括每一个探针阵列结构1450的探针1424。
美国专利5,806,181和美国专利6,690,185揭示了关于将包括探针的基板连 接到另一个基板的附加信息，并且在将探针阵列结构(比如216、 1250、 1350 或1450)连接到另一个基板(比如电子组件1422、 1502)的过程中可以使用 那些专利中所揭示的技术。
不管是一个探针阵列结构1450 (如图15B所示)还是多个探针阵列结构 1450 (如图16A和16B所示)连接到电子组件，用于所得装置的一个典型应用
23可以是探针卡组件中的探针头。图17示出了根据本发明的一些实施方式的典
型的半导体探测系统1600，它包括典型的探针卡组件1622，用于测试像图18 所示典型的晶片1612那样的半导体晶片。
如图所示，探测系统1600包括测试头1604以及探测器1602 (它显示出了 切割开的样子1626从而提供了探测器1602的内部的局部视图)。为了测试半 导体晶片1612的一个或多个管芯1704 (参照图18)，晶片1612被置于可动 平台1606上，就像图17所示，并且移动平台1606使得管芯1704的输入和/ 或输出端子1706 (参照图18)与探针卡组件1622的探针1608相接触。由此， 在探针1606以及半导体晶片1612的管芯1704的输入和/或输出端1706之间建 立了临时的龟连接。
同样如图17所示，缆线1610或其它通信手段将测试器(未示出)与测试 头1604连接起来。电连接器1614将测试头1604和探针卡组件1622电连接起 来，并且探针卡组件1622包括到探针1608的电路径(图17中未示出)。由 此，在探针1606与管芯1704的端子1706相接触的同时，缆线1610、测试头 1604、电连接器1614以及探针卡组件1622提供了多个在测试器(未示出)和 管芯1704之间的电路径。测试器(未示出)通过这些电路径将测试数据写到 管芯1704，管芯1704响应于测试数据而产生的响应数据通过这些电路径返回 到测试器。
图19显示出典型的探针卡组件1622的简化框式示意图。图19所示典型 的探针卡组件1622包括具有电连接器1808 (比如零插入力连接器或弹簧单高 跷插针焊点)的电路板1802，电连接器1808用于电连接到图17的连接器1614。 典型的探针卡组件1622也包括具有探针1608的探针头1806，用于接触管芯 1704的端子1706 (参照图18)。通过印刷电路板1802，电连接1810 (比如导 电通路和/或轨迹)通过印刷电路板1802将连接器1808电连接到端子1812。 同样，电连接1818 (比如导电通路和/或轨迹)通过探针头1806将端子1816 电连接到探针1608。端子1812和端子1816通过电连接装置1814而电连接， 电连接装置1814可以是用于将端子1812和端子1816电连接的任何装置。例 如，端子1816可以被焊接或铜焊到端子1812，连接装置1814由此将包括焊料 或铜焊材料。作为另一个备选方式，连接装置1814可以包括插入机构，就像美国专利5,974,662的图5的插入机构504那样，或者包括多个插入机构，就 像美国专利6,509,751的图2中的多个插入机构230那样。利用任何合适的机 构，可以将探针头1806固定到电路板1802，其中包括但不限于支架、螺丝、 螺栓等。
探针头1806可以用上述典型技术中的任一种来制造。例如，探针头1806 可以是图13的探针阵列结构1250，端子1816 (参照图19)被设置在探针阵列 结构1250的探针824的完成的末端806之上并且电连接到这些末端806。作为 另一个示例，探针头1806可以是图14的探针阵列结构1350，端子1816 (参 照图19)被设置在探针阵列结构1350的探针1324的远端1306之上并且与这 些远端1306电连接。作为另一个示例，探针头1806可以是图15A或14B所示 的结构，端子1816 (参照图19)被设置在电子组件1422上，并且电连接(未 示出)通过电子组件1422将端子1816 (参照图19)电连接到端子1428。作为 另一个示例，探针头1806可以是图16A和16B所示的结构。图16A所示的端 子1504将替代图19中的端子1816。
在利用本文所描述的任何技术来制造探针头的过程中，使探针的尖端特征 对应于待测电子器件的输入和/或输出端。由此，例如，牺牲基板402中所形成 的凹坑406 (它们限定了探针424的尖端特征412)被定位成对应于待测电子 器件的输入和/或输出端的布局。如果电子器件包括像图18的晶片1702那样的 半导体晶片的管芯，则凹坑406被布置在牺牲基板402上以对应于晶片1702 的一个或多个管芯1704的所有或至少一些输入和/或输出端1706。如上文参照 图4B所示，利用与在半导体材料中形成集成电路所用的那些工艺相似的光刻 处理技术，可以按紧密的节距精确地对凹坑406定位。可以实现相邻凹坑之间 分隔开150微米或更小的节距。由此，利用本申请所揭示的技术，可以制造出 具有多个探针(比如424)且其尖端特征(比如411)间隔150微米或更短的 探针头。
尽管本说明书中已描述了本发明的具体实施方式
和应用，但是本发明旨在 不限于这些典型实施方式和应用或者不限于这些典型实施方式和应用操作的 方式或被描述的方式。例如，附图所示的任何实施方式中的探针可以被其它类 型的接触结构替代，其中包括但不限于细长的弹性接触结构。
权利要求
1. 一种用于制造探针阵列结构的方法，所述方法包括提供多个导电细长接触结构，这些接触结构具有设置在第一基板上的接触部分；以及俘获接触结构的基部以形成一组对齐的接触结构。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获包括将一种材料沉积在第一基板上从而部分地包住每一个接触结构，每一个接触结构的基部延伸到所述材料之外；以及在接触结构的至少一部分基部周围设置第二基板。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述设置包括:在接触结构的至少一部分基部周围模制可流动的材料；使可流动的材料硬化以形成第二基板。
4. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提供包括在第一基板上形成接触结构。
5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，在第一基板上形成接触结构包括:在第一基板上形成尖端；以及在尖端上形成细长结构。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述尖端被图形化以对应于半导体管芯的接合焊点。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成尖端包括形成距相邻尖端少于150微米的各个尖端。
8. 如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成尖端包括在第一基板上所沉积的掩模材料中的开口中，沉积尖端材料。
9. 如权利要求8所述的方法，其特征在于，掩模材料中的开口露出了位于第一基板中用于限定尖端特征的凹坑。
10. 如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成尖端还包括在掩模材料中光刻地形成开口。
11. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成细长结构包括将引线接合到尖端。
12. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，形成细长结构还包括在引线上沉积至少一层材料。
13. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积包括在接触结构周围浇铸所述材料。
14. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积包括将所有接触结构的全部包入所述材料中；以及除去所述材料的一部分从而露出接触结构的基部。
15. 如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述沉积还包括除去所述材料的外部以及所述材料的外部之中所包住的接触结构的末端，其中在包住以及除去所述材料的一部分以露出接触结构的基部之间执行除去所述材料的外部。
16. 如权利要求2所述的方法，还包括将第二基板连接到第三基板。
17. 如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述连接包括将多个接触结构连接到第三基板上的导电端子。
18. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，多个接触结构的接触部分被设 置成接触半导体管芯的导电端子，并且第三基板是探针卡组件的一部分且被配置成 提供一个用于测试管芯的界面。
19. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，第二基板和多个接触结构组成了 探针阵列结构，并且所述方法还包括多次执行所述提供和所述俘获从而制造多个探 针阵列结构。
20. 如权利要求19所述的方法，还包括将多个探针阵列结构连接到第三基板， 其中多个探针阵列结构的多个接触结构的接触部分是以一种与待测电子器件的端 子相对应的模式来设置的。
21. 如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述连接包括将多个探针阵 列结构的多个接触结构电连接到第三基板上的导电端子。
22. 如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述电子器件是半导体管芯， 并且第三基板是探针卡组件的一部分且被配置成提供一个用于测试管芯的界面。
23. 如权利要求2所述的方法，其特征在于， 所述沉积包括将接触结构包入所述材料中，以及 除去所述材料的一部分从而露出接触结构的基部； 所述设置包括在接触结构的至少一部分基部周围模制可流动的材料，以及 使可流动的材料硬化以形成第二基板； 所述方法还包括从固定材料和第一基板中释放接触结构；其中多个接触结构的接触部分被设置成对应于至少一个待测电子器件的至少 一部分的导电端子。
24. —种探针阵列结构，包括 多个细长导电接触结构；以及由可模制材料组成的基板，该材料被模制在接触结构的部分的周围并且被硬 化从而将接触结构的部分嵌入到硬化后的材料中，其中每一个接触结构穿透所述基板从而提供了一个从接触结构的第一末端到 接触结构的第二末端的导电路径，所述第一末端被设置在所述基板的第一侧，所述 第二末端被设置在所述基板的第二侧，即相反的一侧。
25. 如权利要求24所述的探针阵列结构，其特征在于，接触结构的第一末端 包括被设置成与电子器件的至少一部分的端子相对应的尖端。
26. 如权利要求25所述的探针阵列结构，其特征在于，每一个尖端被设置成 与相邻的尖端相距小于150微米。
27. 如权利要求26所述的探针阵列结构，其特征在于，每一个接触结构包括 一个细长结构以及结构上分开的尖端，所述细长结构的一部分被嵌入所述基板中， 并且所述尖端接合到所述细长结构。
28. 如权利要求27所述的探针阵列结构，其特征在于，每一个细长结构包括 引线，它被引线接合到相应的尖端。
29. 如权利要求28所述的探针阵列结构，其特征在于，每一个引线被接合到 相应的尖端而无需焊料或铜焊材料。
全文摘要
揭示了探针阵列结构和制造探针阵列结构的方法。可以提供设置在第一基板上的多个导电细长接触结构。然后，接触结构可以被部分地包入固定材料中，使得接触结构的末端从固定材料的表面延伸出来。然后，接触结构的露出的部分可以被俘获在第二基板中。
文档编号G01R31/02GK101490570SQ200680050179
公开日2009年7月22日 申请日期2006年12月19日 优先权日2006年1月3日
发明者B·N·埃尔德里奇, G·L·马修, I·Y·坎达斯, J·K·格里特斯, T·方, 马伦裕 申请人:佛姆法克特股份有限公司