一种亚像素结构及其制造方法、阵列基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种亚像素结构及其制造方法、阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的不断发展，人们对显示装置的要求也越来越高。为了能够使显示装置实现更高的显示质量，高频驱动显示装置也层出不穷。因此，对于ADS (Advanced SuperDimens1n Switch，高级超维场转换技术)型高频驱动显示装置，如何降低存储电容成为制造显示装置的重要问题。
[0003]为了解决上述问题，现有技术提供了一种能够降低存储电容的电极亚像素结构，其中该亚像素结构的俯视图如图1所示，包括第一电极11和第二电极21，第一电极11与第二电极21之间设置有绝缘层。第一电极11包括至少一组相互平行且间隔排布的第一电极条，第二电极21包括至少一组相互平行且间隔排布的第二电极条。第一电极条与第二电极条间的夹角大于O度且小于等于90度。
[0004]对于现有技术，由于工艺条件的限制，如果想进一步降低存储电容，只能增大电极条之间的间距，然而增加电极条之间的间距会影响显示面板的透过率，且使用上述亚像素结构的显示面板的驱动电压也会增大。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种亚像素结构及其制造方法、阵列基板及显示装置，能够在保证显示面板的驱动电压和透过率的同时，降低显示装置的存储电容。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例提供一种亚像素结构，所述亚像素结构包括:第一电极，位于所述第一电极之上的第二电极，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘，所述第二电极包括多个间隔排布且连接的电极条，所述第一电极对应所述第二电极的区域包括至少一个过孔。
[0008]可选的，所述第一电极为面状电极，所述第一电极对应所述第二电极的每一个电极条的区域包括至少两个过孔。
[0009]可选的，所述第一电极对应所述第二电极的每一个电极条的区域包括均匀分布的所述至少两个过孔。
[0010]可选的，所述电极条的宽度在2微米到7微米的范围内，相邻的所述电极条之间的间隙的宽度在2微米到14微米的范围内，所述过孔的宽度大于或者等于所述电极条的宽度。
[0011]可选的，所述亚像素结构还包括:
[0012]所述多个间隔排布且连接的电极条中的至少一个电极条对应所述第一电极的区域包括至少一个过孔。
[0013]本发明实施例提供一种阵列基板，包括具有上述任一特征的亚像素结构。
[0014]本发明实施例提供一种显示装置，包括具有上述任一特征的阵列基板。
[0015]本发明实施例提供一种亚像素结构的制造方法，包括:
[0016]在衬底基板上形成第一导电层，并对所述第一导电层进行构图得到具有至少一个过孔的第一电极；
[0017]在所述第一电极上形成绝缘层；
[0018]在所述绝缘层上形成第二导电层，并对所述第二导电层进行构图得到第二电极，所述第二电极包括多个间隔排布且连接的电极条；
[0019]其中，所述至少一个过孔位于第一电极与所述第二电极对应的区域。
[0020]可选的，所述在衬底基板上形成第一导电层，并对所述第一导电层进行构图得到具有至少一个过孔的第一电极，包括:
[0021]在所述衬底基板上形成所述第一导电层，并对所述第一导电层进行构图得到具有多个过孔的所述第一电极，其中，所述第一电极为面状电极，所述第一电极对应所述第二电极的每一个电极条的区域包括至少两个过孔。
[0022]可选的，所述在所述衬底基板上形成所述第一导电层，并对所述第一导电层进行构图得到具有多个过孔的所述第一电极，包括:
[0023]在所述衬底基板上形成所述第一导电层，并对所述第一导电层进行构图得到具有多个均勾分布的过孔的所述第一电极，其中，所述第一电极对应所述第二电极的每一个电极条的区域包括均匀分布的所述至少两个过孔。
[0024]可选的，所述电极条的宽度在2微米到7微米的范围内，相邻的所述电极条之间的间隙的宽度在2微米到14微米的范围内，所述过孔的宽度大于或者等于所述电极条的宽度。
[0025]可选的，所述在所述绝缘层上形成第二导电层，并对所述第二导电层进行构图得到第二电极，包括:
[0026]在所述绝缘层上形成所述第二导电层，并对所述第二导电层进行构图得到具有至少一个过孔的第二电极，其中，所述至少一个过孔位于所述多个间隔排布且连接的电极条中的至少一个电极条对应所述第一电极的区域。
[0027]本发明实施例提供了一种亚像素结构及其制造方法、阵列基板及显示装置，亚像素结构包括:第一电极，位于第一电极之上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘，第二电极包括多个间隔排布且连接的电极条，第一电极对应第二电极的区域包括至少一个过孔。基于上述实施例的描述，由于第一电极对应第二电极的区域包括至少一个过孔，即像素电极对应公共电极的区域包括至少一个过孔，或者公共电极对应像素电极的区域包括至少一个过孔，减小了公共电极与像素电极的交叠面积，保证了在显示面板的驱动电压和透过率不变的同时，降低了显示装置的存储电容。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为现有技术中能够降低存储电容的电极结构的结构示意图；
[0030]图2为本发明实施例所提供的亚像素结构的一种结构示意图；
[0031]图3为本发明实施例所提供的亚像素结构的另一种结构示意图；
[0032]图4为本发明实施例所提供的亚像素结构的驱动电压-透过率仿真关系图；
[0033]图5为本发明实施例所提供的亚像素结构的驱动电压-存储电容仿真关系图；
[0034]图6为本发明实施例所提供的一种亚像素结构的制造方法的流程示意图；
[0035]图7为本发明实施例所提供的另一种亚像素结构的制造方法的流程示意图；
[0036]图8为本发明实施例所提供的在衬底基板上形成公共电极层，对公共电极层进行构图，形成具有至少一个过孔的公共电极后的亚像素结构的结构示意图；
[0037]图2、图3和图8中的标记:1-亚像素结构；10-公共电极；11_像素电极；12_过孔。
【具体实施方式】
[0038]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0039]本发明实施例提供的亚像素结构包括“第一电极”和“第二电极”，且“第二电极”位于“第一电极”之上，在实际的生产应用中，“第一电极”可以是像素电极，“第二电极”可以是公共电极，即公共电极位于像素电极之上；“第一电极”也可以是公共电极，“第二电极”也可以是像素电极，即像素电极位于公共电极之上，本发明不做限制。本发明是以“第一电极”是公共电极，“第二电极”是像素电极，像素电极位于公共电极之上进行说明的。同理，“第一电极”是像素电极，“第二电极”是公共电极，即公共电极位于像素电极之上也同样在本申请的保护范围内，本发明实施例不再赘述。
[0040]需要说明的是:本发明实施例中所描述的“上” “下”只是参考附图对本发明进行说明，不作为限定用语。
[0041]本发明实施例提供一种亚像素结构，亚像素结构包括:第一电极，位于第一电极之上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘，第二电极包括多个间隔排布且连接的电极条，第一电极对应第二电极的区域包括至少一个过孔。
[0042]示例性的，本发明实施例提供一种亚像素结构1，其俯视图如图2所示，包括:公共电极10，位于公共电极10之上的像素电极11，公共电极10和像素电极11相互绝缘，其中，像素电极1