像素阵列及像素单元的修补方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种像素阵列及像素单元的修补方法，特别是一种利于进行暗点化的像素阵列及像素单元的修补方法。
【背景技术】
[0002]近年来，虽然平面显示器技术已趋成熟，但显示面板的组成元件，如主动元件阵列基板，在制造过程之中难免会产生一些点瑕疯(dot defect)。一般来说，若能通过修补方式将上述的点瑕疵修补成暗点，就可以不需要报废丢弃这些有瑕疵的显示面板。
[0003]现行的像素单元的修补方式通常是采用激光恪接(laser welding)及激光切割(laser cutting)的搭配来进行，以将像素电极连接至共用电位，进而达到暗点化效果。然而，由于显示面板的结构趋于复杂，因此像素电极在修补后仍有可能未确实地连接至共用电位，而使得暗点化失败。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种像素阵列，其结构有利于对瑕疵像素进行暗点化。
[0005]本发明另一目的是提供一种像素阵列，其具有经暗点化的瑕疵像素。
[0006]本发明还一目的是提供一种像素单元的修补方法，其可达到将瑕疵像素确实暗点化的目的。
[0007]为了实现上述目的，本发明提供了一种像素阵列，包括多个像素单元，其中每一个像素单元包括第一子像素以及第二子像素。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件的漏极电性连接的第一像素电极。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件的漏极电性连接的第二像素电极，其中第一像素电极与第二主动元件的漏极具有交叠处且形成第一电容。
[0008]为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种像素阵列，包括多个像素单元，其中每一个像素单元包括第一子像素、第二子像素、第一电极以及第二电极。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件的漏极电性连接的第一像素电极。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件的漏极电性连接的第二像素电极，其中第一像素电极与第二主动元件的漏极的交叠处具有第一熔接点。第一像素电极与第二像素电极经由第一熔接点与共同电位电性连接。
[0009]为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种像素单元的修补方法包括以下步骤:提供像素单元，其包括第一子像素、第二子像素、第一电极以及第二电极。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件的漏极电性连接的第一像素电极。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件的漏极电性连接的第二像素电极，其中第一像素电极与第二主动元件的漏极具有第一交叠处。进行激光切割工艺，切割提供信号至第一主动元件与第二主动元件的信号线。进行激光熔接工艺，以于第一交叠处形成第一熔接点，其中第一像素电极与第二像素电极经由第一熔接点与共同电位电性连接。
[0010]本发明的技术效果在于:
[0011]在本发明之像素阵列的第一与第二子像素中，第一像素电极与第二主动元件的漏极具有交叠处且形成电容。当像素单元中的第一或第二子像素发生瑕疵时，第二子像素可以经由第一子像素与熔接点而电性连接至共同电位，即可达到将像素单元暗点化的目的。因此，本发明的像素阵列的设计有利于对像素单元进行修补，使得采用此像素阵列的显示面板具有良好的显不品质。
[0012]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【附图说明】
[0013]图1A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
[0014]图1B为图1A像素单元的局部放大示意图；
[0015]图1C为图1B的像素单元的等效电路示意图；
[0016]图2A为对图1B的像素单元进行修补后的示意图；
[0017]图2B为图2A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
[0018]图3A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
[0019]图3B为图3A像素单元的局部放大示意图；
[0020]图3C为图3B的像素单元的等效电路示意图；
[0021]图4A为对图3B的像素单元进行修补后的示意图；
[0022]图4B为图4A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
[0023]图5A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
[0024]图5B为图5A像素单元的局部放大示意图；
[0025]图5C为图5B的像素单元的等效电路示意图；
[0026]图6A为对图5B的像素单元进行修补后的示意图；
[0027]图6B为图6A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
[0028]图7A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
[0029]图7B为图7A像素单元的局部放大示意图；
[0030]图7C为图7B的像素单元的等效电路示意图；
[0031]图8A为对图7B的像素单元进行修补后的示意图；
[0032]图8B为图8A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
[0033]图9A为本发明一实施例的像素单元的等效电路示意图；
[0034]图9B为本发明一实施例的经修补的像素单元的等效电路示意图。
[0035]其中，附图标记
[0036]10、10a、10b、10c 像素阵列
[0037]100、100a、100b、100c 像素单元
[0038]110电容电极
[0039]C1、C2、C3、CLC1、CLC2、CST1、CST2 电容
[0040]CHl、CH2、CHsh、CHst 通道层
[0041]CL共同线
[0042]CS切割处
[0043]Dl、D2、Dsh、Dst 漏极
[0044]DL数据线
[0045]DL1第一数据线
[0046]DL2第二数据线
[0047]E1第一电极
[0048]E2第二电极
[0049]E3第三电极
[0050]E4 电极
[0051]Gl、G2、Gsh 栅极
[0052]GL扫描线
[0053]P1第一子像素
[0054]P2第二子像素
[0055]PE1第一像素电极
[0056]PE2第二像素电极
[0057]Pw 路径
[0058]Sl、S2、Ssh 源极
[0059]SL信号线
[0060]T1第一主动元件
[0061]T2第二主动元件
[0062]Tsh分享开关元件
[0063]VCS、VC0M 共同电位
[0064]W1第一熔接点
[0065]W2第二熔接点
[0066]W3第三熔接点
【具体实施方式】
[0067]下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述
[0068]图1A为本发明一实施例的像素阵列的示意图，图1B为图1A像素单元的局部放大示意图，图1C为图1B的像素单元的等效电路示意图。为了说明方便，在图1A中是以像素阵列包括2x2个像素单元为例，但本发明不以此为限。
[0069]请同时参照图1A至图1C，像素阵列10包括多个像素单元100。每一个像素单元100