发光二极管的警示系统与方法

专利名称：发光二极管的警示系统与方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管的警示系统与方法，特别是具有发光二极管有效 寿命检测的发光二极管的警示系统与方法。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode, LED),由于具有高耐震性(shock resistance)、寿命长，同时耗电量少、发热度小，所以其应用范围遍及日常生 活中的各项用品，如家电制品及各式仪器的指示灯或光源等。近年来，随着 白光型发光二极管(White Light-Emitting Diode， WLED)的出现，使LED 摆脱过去只能用在指示灯号、霓虹灯饰等场合，开始往电子照明领域迈进， 包括汽车的方向辅助灯、数字相机的闪光灯等，未来更可取代白炽灯和荧光 灯，作为主要的家庭照明。
一般传统的LED是透过一 P/N接口 (junction)来发光，若P/N接口上 发生缺陷，则容易造成电流集中而烧毁LED。但是，LED在使用一段时间后， 亮度会逐渐降低，因此须要加大电流驱动，使得LED的发光亮度可以维持一 定，但是这又增加烧毁LED的机率。此外，目前LED仅能在损坏时进行替 换，不能预先得知LED的损坏程度，用以做为预先替换的考量，对使用者来 说，是不方便且增加危险性。举例来说，车辆所有安全性的組件，如油量与 水温与安全气嚢，在仪表板上几乎都有指示灯，虽然车灯也有开路警示灯号， 不过都是于光源完全失效时才会显示，也就是使用者可能会经历需光源却无 光源的时段。若是发生在号志灯与铁路信号灯上，其危险性就更高了，现有 LED与传统光源中，尤其是LED由于半导体材料特性，光输出都是于使用过 程中逐渐下降，且根据使用溢度不同与环境状态，每一颗LED真正的寿命与 出光状态都为无法准确预估， 一般完全失效都发生在使用中，用于一般照明 虽然有些不便，尚可接受，若用于安全或信号的光源就有极大的危险性，如 车灯与号志灯与铁路信号灯。

发明内容
本发明的可提供一种具有发光二极管有效寿命检测的发光二极管的警示 系统与方法。
本发明亦可提供一种LED光源有效寿命检出之系统，也就是说在LED 光源亮度未下降与完全失效前，提供预警指示灯或晶粒有效百分比信号的显 示功能。
本发明亦可提供一种发光二极管的警示系统，包括发光单元、检测装置 以及警示装置。所述发光单元由多个微晶粒组成。所述检测装置用以检测所 述发光单元，并输出检测结果。所述警示装置根据所述检测结果显示所述发 光单元中的微晶粒的损害状态。


图1为LED微晶粒的结构示意图。
图2A 2F为 一 交流LED中失效的^1晶粒数与交流LED的V-I-W示意图。 图3表示在定电压系统的驱动下，交流LED微晶粒失效特性变动率图。 图4为根据本发明的发光二极管的显示系统的一实施例的方块图。 图5为根据本发明的发光二极管的显示系统的另一实施例的方块图。 图6为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的一实施例 的方块图。
图7为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实施 例的方块图。
图8为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实施 例的方块图。
图9为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实施 例的方块图。
图10为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实 施例的方块图。
图11为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实 施例的方块图。
图12为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实
6施例的方块图。
图13为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实
施例的方块图。
图14为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实 施例的方块图。
附图中的各附图标记说明如下
21 电压S1 LED单元
22 电流82 第一电压源
23 功率83 功率变化检出装置
31 单PN接面LED失效曲线84 警示装置
32~功率85 光耦合器
33 光通量86 第二电压源
34 转换率101 LED单元
41~电压源102~电压源
42 可变电阻103~放大电路
43~LED单元104 控制器
44~光检测器105~显示装置
51 控制器111 LED单元
52~电流源112 电压源
53 LED单元113~控制器
54~光检测器114 编码器
61 LED单元115~译码器
62~电压源116监控单元
63 检测装置117 警示装置
64 警示装置12卜LED单元
71 LED单元122~电压源
72~电压源123~警示装置
73 功率变化检出装置 、131~LED单元
74 警示装置132~电压源
75 限流电阻133~电感
76~显示单元134~警示装置136 显示单元 141-LED单元
135 限流电阻
142 电压源
143 功率变化检出装置 144 警示装置
具4本实施方式
图1为LED微晶粒的结构示意图。图1中所示的LED芯片可为交流LHD 或是高压直流LED。在LED芯片上，将LED先分割成数十个微晶粒，再电 性连接而成，因此在芯片缺陷特征上也被完全分割成数十个区块，不会有并 联连锁效应。当LED芯片上有一微晶粒失效时，并不会让整个LED完全不 发光，因此单一微晶粒失效影响程度会以总微晶粒数为分母来计算。因此微 晶粒数分割越多，单一微晶粒失效影响度会越低，以36微晶粒数组成的交流 LED而例，单一微晶粒失效影响度仅2.7。/。且影响的范围又极可能仅限在交流 电之某一半波。
若以较高电压的方式设计，交流LED或高压LED微晶粒可能)00颗以 上，其每一个微晶粒失效影响度就会降至1%。根据交流LED失效特性分析 推估，若以目前实验资料及失效标准30%而论，100颗微晶粒的交流LED, 等于须有30颗微晶粒失效才达失效条件，此时光源输出尚高于初始亮度，只 是效率较差而已，LED寿命可摆脱缺陷效应而充分延长。
图2A为一交流LED中失效的微晶粒数与交流LED的电压-电流-功率 ((V小W))示意图。在第2图中，以一 0.06mm2 36/54pcs的交流UiD为例 说明。曲线21表示一固定交流电压，曲线22为交流LED所接收到的电流， 曲线23为交流LED所消耗的功率。由图2 A至图2F可以发现，失效的微晶 粒数目越多，交流LED所接收到的电流越高，这也使得交流LED所发出的 光的亮度也跟着增加。虽然交流LED的发光效率会变得较差，但是确能将 LED寿命有效的延长。这样的特征也出现在以微晶粒组成的高压直流I丄:D 上。
图3表示在定电压的驱动下，交流LED微晶粒失效特性变动率图。在图 3中，以0.06mm2 36/54pcs的交流LED为例说明。曲线31表示现有的I丄D 失效示意曲线。由于一般LED的PN接面只要有发生缺陷，在定电压系统的 驱动下，光通量与等效内阻会急速下降，电流会瞬间升高烧毁LED形成开路。 曲线32表示交流LED中不同数量的微晶粒失效时的输入功率变化百分比。曲线33表示交流LED中不同数量的微晶粒失效时的交流LED的光通量变化 百分比。曲线34表示交流LED中不同数量的微晶粒失效时的交流LEI)的发 光效率变化百分比。由图上可知，微晶粒失效数量越高，交流LED所发出的 光通量越多。当交流LED中的微晶粒失效数量为8颗时，输入的功率增加了 159%，交流LED输出的光通量增加了 53%，发光效率则下降了 41.5%。交流 LED或高压直流LED在定电乐驱动下，在部分微晶粒失效短路时，会有 一段 光通量上升区间，这种现象起因于输入功率与电流上升，且与微晶粒失效数 成正比关系。此时交流LED的失效只会降低自身的发光效率，并不会像现有 的LED因等效内阻急速下降而烧毁。若交流LED上有部分微晶粒为开路， 亦有可能保持半波点量(亦即在交流电压的正电压或负电压区间时，交流LED 仍会发光)。
因为本发明所提的交流LED或高压直流LED在部分微晶粒失效时，输 出的光通量会递增，因此，若要维持交流LED或高压直流LED输出的光通 量固定，则必需在交流LED或高压直流LED输出的光通量增加时，降低输 入交流LED或高压直流LED的电压或电流。与现有的必须提高驱动电压或 驱动电流来维持发光組件的亮度的特征刚好相反。
图4为根据本发明的发光二极管的显示系统的一实施例的方块图。un) 单元43由交流LED或高压H LED所组成，其中交流LED或高压直流LED 皆由如图1所示的多个微晶粒所组成。电压源41透过可变电阻42与LED单 元43耦接。光检测器44用以检测LED单元43所输出的光通量变化，或是 LED发光单元43亮度变化。光检测器44根据所述LED发光单元43增加的 亮度来调整可变电阻42的电阻值，使得输入LED发光单元43的电流减少， 以维持LED发光单元43输出固定的光通量。这样以来也可以延长LED发光 单元43的使用寿命。在本实施例中，LED发光单元43可以为单一交流LED 或高压直流LED,或是由多个交流LED或高压直流LED組成的模块，如汽
车的车灯或是交通号志灯具。
图5为根据本发明的发光二极管的显示系统的另一实施例的方块图。 LED单元53由交流LED或高压直流LED所組成，其中交流LED或高压直 流LED皆由如图1所示的多个微晶粒所组成。光检测器54用以检测LED单 元53所输出的光通量，并将检测到的结果传送给控制器51 。控制器51根据 LED发光单元53增加的亮度，控制电流源52来减少输入所述LED发光单元53的驱动电流。在本实施例中，若LED单元53由高压直流LED所组成，则 用以驱动LED单元53的驱动电流可以为一脉冲宽度调变信号，由一脉冲宽 度调变电路产生。并可藉由调整所述脉冲宽度调变信号的责任周期，来控制 LED发光单元53的亮度。
图6为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的一实施例 的方块图。LED单元61由电压源62驱动。LED单元61由如图1所示的多 个微晶粒的高压直流LED所组成。检测装置63用以检测LED单元61所输 出的光通量变化或亮度变化，并将检测到的结果传送给电压源62，用以调整 电压源62输出到LED单元61的驱动电压，使得LED单元43所输出的光通 量维持一定。在另一实施例中，检测装置63将检测到的结果传送给警示装置 64，警示装置64还根据检测到的结果判断LED单元61中失效的微晶粒数。 若失效的微晶粒数超出预定值时，此时LED单元61仍可正常运作，但是警 示装置64输出警示信号，如闪烁的灯号，警告音或是味道，提醒使用者进行 更换。
警示装置64与调整电压源62的输出电压可同时运作，亦即可同时知道 LED单元61中失效的微晶粒数，亦可调整电压源62的输出电压使得LED单 元43所输出的光通量维持一定。在一实施例中，可先藉由警示装置64记录 完目前LED单元61中失效的微晶粒数后，再调整电压源62的输出电压。
在另 一实施例中，检测装置63检测LED单元61所输出的光通量变化， 或是LED发光单元61亮度变化，并将检测到的结果转换为LED发光单元61 中微晶粒的失效数。若LED发光单元61中微晶粒的失效数大于一预定值， 或是失效的微晶粒数占全部微晶粒数的百分比大于一定预定百分比时，检测 装置63输出控制信号，使警示装置64输出警示信号，如闪烁的灯号，警告 音或是味道，提醒使用者进行更换。
在另 一实施例中，电压源62为定电压源，因此不须根据检测装置63的 检测结果调整输出电压。检测装置63可能为电压变化检测电路、电流变化检 测电路或功率变化检测电路，并将检测到的结果传送给警示装置64。若LED 发光单元61中微晶粒的失效数大于一预定值，或是失效的微晶粒数占全部微 晶粒数的百分比大于一定预定百分比时，警示装置64输出警示信号，如闪烁 的灯号，警告音或是味道，提醒使用者进行更换。
图7为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实施
10例的方块图。LED单元71由电压源72驱动。LED单元71可由交流LED或 高压直流LED所组成，其中交流LED或高压直流LED皆由如图1所示的多 个微晶粒所组成。在本实施例中，检测装置为一功率变化检出装置73，用以 判断LED单元71的功率变化。在本实施例中，LED单元71为高压直流LED， 且特性以图3所示的特性曲线为例说明，且电压源72为定电压源。当微晶粒 的失效数为4时，功率增加了 62% ，因为LED单元71系由定电压的系统驱 动，故可得知电流增加了 62%。警示装置74包括一限流电阻75与显示单元 76。在本实施例中，功率变化检出装置73可为一电阻，显示单元76为具有 1.8V启动电压的LED，功率变化检出装置73与警示装置74并联。假设在没 有微晶粒烧毁的情形下，流经LED单元71的电流为100mA,功率变化检出 装置73的电阻值为12Q ，因此功率变化检出装置73产生的电压降为1.2V, 不足以使显示单元76发光。当微晶粒的失效数为4时，流经LED单元71的 电流为162mA，此时功率变化检出装置73产生的电压降为1.92V，便可使显 示单元76发光。利用这样的方式，便可藉由警示装置74来得知LED单元71 中，失效的微晶粒数。此外，亦可并联或串联多个警示装置，并藉由电路设 计，使得不同的失效的微晶粒数可以使不同的显示装置显示，达到更佳的警 示功能。
图8为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实施 例的方块图。LED单元81由第一电压源82驱动。LED单元81可由交流LED 或高压直流LED所组成，其中交流LED或高压直流LED皆由如图1所示的 多个微晶粒所組成。在本实施例中，检测装置为一功率变化检出装置83,功 率变化检出装置83包括一电阻R1，光耦合器85以及限流电阻R2。光耦合 器85包括LED85a以及一受光組件85b，其中当受光组件85b接收到光时便 会导通。电阻Rl,具有第一端与第二端，其中所述第一端耦接所述LED单 元81，所述第二端耦接第一电压源82。限流电阻R2具有第一端与第二端， 其中所述第一端耦接电阻R1的第一端。光耦合器84具有第一端，耦接所述 限流电阻R2的第二端，光耦合器84还具有第二端，耦接所述电阻R1的第 二端。所述光耦合器耦接所述警示装置84，当所述光耦合器84被致能时， 使得所述警示装置84中的警示发光二极管87停止发光。警示装置84包括 第二电压源、电阻R3与R4，以及警示发光二极管87。电阻R3，具有第一 端，耦接所述第二电压源86。警示发光二极管87，具有第一端，耦接所述电阻R3的第二端，以及第二端，透过电阻R4接地，其中所述警示发光二极 管87的第二端耦接所述受光组件85b的第一端。藉由调整R3与R4的电阻 值调整Vc的电压，使得警示发光二极管87可以发光。在本实施例中，光耦 合器85中的LED85a需要1.1V才会发光。
假设在没有微晶粒烧毁的情形下，流经LED单元81的电流为100mA, Rl的电阻值为7.5Q，因此R1产生的电压降为0.75V,不足以使LED85a发 光。当微晶粒的失效数为4时，流经LED单元81的电流为62mA,此时Rl 产生的电压降为1.21V，便可使LED 85a发光，且受光組件85b被导通。当 受光組件85b导通时，电压Vc被拉至地电位，使得警示发光二极管87无法 发光，达到警示功能。此外，还可利用一监控装置(图上未绘出)，随时监控 电压Vc，当电压Vc变为O时，表示此时LED单元81中微晶粒的失效数目 为4。
图9为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实施 例的方块图。与图8相比，差异在警示发光二极管87的位置，且警示发光 二极管87—开始是不会发光，等到受光组件85b导通时，电压Vc被拉至地 电位，警示发光二极管87才会发光。LED单元81由第一电压源82驱动。 功率变化检出装置83包括一电阻R1，光耦合器85以及限流电阻R2。光耦 合器85包括LED85a以及一受光组件85b，其中当受光组件85b接收到光时 便会导通。电阻R1具有第一端与第二端，其中第一端耦接所述LEI)单元81， 第二端耦接第一电压源82。限流电阻R2具有第一端与第二端，其中第一端 耦接电阻R1的第一端。光耦合器84具有第一端，耦接所述限流电阻R2的 第二端，光耦合器84具有第二端，耦接所述电阻R1的第二端。所述光耦合 器耦接所述警示装置84，当所述光耦合器84被致能时，使得所述警示装置 84中的警示发光二极管87导通。警示装置84包括第二电压源86、电阻R3 与R4，以及警示发光二极管87。藉由调整R3与R4的电阻值调整Vc的电 压，使得警示发光二极管87 —开始是不会发光。在本实施例中，光耦合器 85中的LED85a需要1.1V才会发光。
假设在没有微晶粒烧毁的情形下，流经LED单元81的电流为100mA， R1的电阻值为7.5Q，因此R1产生的电压降为0.75V,不足以4吏LED85a发 光。当微晶粒的失效数为4时，流经LED单元81的电流为162mA，此时R1 产生的电压降为1.21V,便可使LED85a发光，且受光組件85b被导通。当受光组件85b导通时，电压Vc被拉至地电位，使得警示发光二极管87因而 发光，达到警示功能。此外，还可利用一监控装置(图上未绘出)，随时监控 电压Vc，当电压Vc变为0时，表示此时LED单元81中孩t晶粒的失效数目 为4。
图10为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实 施例的方块图。LED单元101由电压源102驱动。LED单元101可由交流 LED或高压直流LED所組成，其中交流LEI)或高压直流LED皆由如图1所 示的多个微晶粒所組成LED单元101耦接一检测装置，在本实施例中，检测 装置可为一功率变化检出装置，如图中的电阻R1。此外，检测装置还可包含 一放大电路103，用以放大电压VI,并将结果传送给控制器104。在本实施 例中，可在放大电路103之前或之后耦接一模拟数字转换器(analog to digital converter),用以将电压VI转换为一数字信号。控制器104可藉由电压VI 的变化，透过LED单元101中的LED的特性曲线，如图3所示，计算出目 前LED单元lOl中的LED微晶粒的失效数目。控制器104再将结果透过显 示装置105显示。控制器104可将LED单元101中的LED微晶粒的失效数 目以文字或图形方式透过显示装置105显示。
图11为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实 施例的方块图。LED单元111由电压源112驱动丄ED单元111可由交流LED 或高压直流LED所组成，其中交流LED或高压直流LED皆由如图1所示的 多个微晶粒所組成。LED单元111耦接一检测装置，在本实施例中，检测装 置可为一功率变化检出装置，如图中的电阻R1。此外，检测装置还可包含一 控制器113和一编码器114,控制器113监控电压VI的变化，并透过LED 单元111中的LED的特性曲线，如图3所示，计算出目前LED单元111中 的LED微晶粒的失效数目。接着，控制器113将结果传送到编码器114进行 编码后，再传送到警示装寞117。编码器114与警示装置117之 间的传输可以 透过线路、有线或无线网络、蓝芽、红外线等等的传输方式来完成，而且对 应的传输器(transmitter)与接收器(receiver)亦是必要的。在本实施例中， 警示装置117为远程监控，用以监控LED单元lll的使用情形。这可以应用 在交通号志的监控上，在交通号志灯号完全故障前进行更换。译码器115接 收到编码器114的数据并进行译码，将译码后的结果传送给监控单元116。监 控单元116便可得知此时LED单元111中的LED微晶粒的失效数目。在另一实施例中，警示装置117可为一远程服务器，透过线路、有线或无线网络、
蓝芽、红外线等等的传输方式接收并判断编码器114传送的数据。
图12为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实 施例的方块图。在本实施例中，发光二极管125可由交流LED或高压直流 LED所组成，其中交流LED或高压直流LED皆由如图1所示的多个微晶粒 所组成。发光二极管125可以覆晶基板或蟲晶完成。检测装置可为一功率变 化检出装置，如图中的电阻R1，发光二极管125与电阻R1可封装在同一发 光二极管单元121中。警示装置123包括限流电阻R2以及显示单元，在图中， 显示单元为LED 124。发光二极管单元121、警示装置123以及电压源122 的运作方式图7的发光二极管的警示系统相同，在此不赘述。发光二极管125 具有第一电极与第二电极，其中第二电极与电阻R1的一端耦接，电阻R1的 一端则形成第三电极。因此发光二极管单元121便具有三个电极，将电压源 与第一电极以及第二电极连接便可使发光二极管125发光。而测量第二电极 与第三电极的电压变化，再透过如图3的特性曲线，便可得知此时发光二极 管125内微晶粒失效的情形。
图13为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另一实 施例的方块图。LED单元131可由交流LED或高压直流LED所组成，其中 交流LED或高压直流LED皆由如图1所示的多个微晶粒所組成。警示装置 134包括一限流电阻135与显示单元136。在本实施例中显示单元136为具有 1.8V启动电压的LED。检测装置为一电感，电感133根据电流I的变化产生 电压降。若由电感133产生的电压降大于显示单元136的启动电压，则显示 单元136便会发光。本实施例以电感作为功率变化检出装置是针对交流Lm)
中若有微晶粒失效，电流会发生变化的特征所做的应用，电感133亦可由一 感应线圈所形成。
图14为根据本发明的具有警示装置的发光二极管的警示系统的另 一实 施例的方块图。LED单元141由电压源142驱动。LED单元141可由交流 LED或高压直流LED所纽成:，其中交流LED或高压直流LED皆由如图1所 示的多个微晶粒所組成。检测装置为一电压检出装置143,由电阻R1与R2 串联所形成。警示装置144具有第一发光二极管145以及第二发光二极管146， 其中第一发光二极管145耦接端点N1与N3，第二发光二极管146耦接端点 N2与N3。当端点N1与N3的电压差大于第 一发光二极管145的启动电压时，第一发光二极管145发光。当端点N2与N3的电压差大于第二发光二极管146 的启动电压时，第二发光二极管146发光。利用这样的方式，就可以依据不 同的微晶粒的失效数点亮不同的发光二极管。若第一发光二极管145与第二 发光二极管146的启动电压相同时，第一发光二极管145会比第二发光二极 管146早发光。在另一实施例中，第一发光二极管145与第二发光二极管146 具有不同的颜色及波长。
虽然本发明已以具体实施例揭露如上，然其仅为了易于说明本发明之技 术内容，而并非将本发明狭义地限定于所述实施例，任何所属技术领域中具 有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰， 因此本发明的保护范围以权利要求书的限定为准。
权利要求
1.一种发光二极管的警示系统，包括发光单元，由多个微晶粒组成；检测装置，用以检测所述发光单元，并输出检测结果；以及警示装置，根据所述检测结果显示所述发光单元中的微晶粒的损害状态。
2. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所迷检测装置为电 阻，用以产生电压降，当该电压降大于预定值时，驱动所述警示装置。
3. 如权利要求l所迷的发光二极管的警示系统，其中所迷检测装置为电 感，根据流经所述发光单元的电流产生电压降，当该电压降大于预定值时， 驱动所述警示装置。
4. 如权利要求3所述的发光二极管的警示系统，其中所述电感包括感应 线圈。
5. 如权利要求l所述的发光二极管的警示系统，其中所述检测装置包括 至少一个电阻、电容或电感，用以检测所述发光二极管的电压、电流或功率 变化。
6. 如权利要求5所述的发光二极管的警示系统，其中所述检测装置还包 括放大电路，用以将检测到的检测结果放大，传送到所述警示装置。
7. 如权利要求5所述的发光二极管的警示系统，其中所述检测装置还包 括编码电路，用以将所述检测装置检测到的检测结果编码后传送给所述警示装置。
8. 如权利要求l所述的发光二极管的警示系统，其中所述警示装置包括 译码电路，用以译码所述检测装置传送来的数据。
9. 如权利要求l所述的发光二极管的警示系统，其中所迷警示装置包括 显示装置、发光二极管、声音产生装置或计算机。
10. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述警示装置用 以产生一味道。
11. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述警示装置为 远程服务器，用以透过线路、有线网络、无线网络、蓝芽或是红外线与所述 检测装置沟通。
12. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述警示装置包括第一显示装置以及第二显示装置，当所述发光单元中的微晶粒损害数量达到第一预定值时，驱动所述第一显示装置；当所述发光单元中的微晶粒损害数量达到第二预定值时，驱动所述第二显示装置。
13. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述第一显示装 置为第一发光二极管，所述第二显示装置为第二发光二极管。'
14. 如权利要求13所述的发光二极管的警示系统，其中所述第一发光二 极管与所述第二发光二极管具有不同的波长。
15. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述发光单元包 括发光二极管，该发光二极管为交流发光二极管或高压直流发光二极管。
16. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述发光单元由 多个具有微晶粒结构的交流发光二极管或高压直流发光二极管所組成。
17. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述发光二极管 与检测装置封装在同 一单元结构中。
18. 如权利要求17所迷的发光二极管的警示系统，其中所述发光二极管 还耦接一电阻，所述发光二极管具有第一端以及第二端，所述电阻具有第一 端与第二端，所述发光二极管的第一端形成第一电极，所述发光二极管的第 一端与所述电阻的第 一端形成第二电极，所述电阻的第二端形成第三电极。
19. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，还包括控制器，根据 所述检测结果求得并记录所述发光单元中的微晶粒损害数量。
20. 如权利要求19所述的发光二极管的警示系统，其中所述控制器根据 检测结果调整输入所述发光二极管的驱动电流或驱动电压。
21. 如权利要求19所述的发光二极管的警示系统，还包括电流源，输出驱动电流至所述发光二极管，并受控于所述控制器调整所 述驱动电流的大小。
22. 如权利要求20所述的发光二极管的警示系统，其中所述电流源包括 电流镜电路。
23. 如权利要求20所述的发光二极管的警示系统，其中所述驱动电流为 脉冲宽度调变信号，所述电流源为脉冲宽度调变电路，所述脉沖宽度调变电 路受控于所述控制器，用以调整所述脉冲宽度调变信号的责任周期。
24. 如权利要求19所述的发光二极管的警示系统，还包括电压源，输出驱动电压至所述发光二极管，并受控于所述控制器调整所述驱动电压的大小。
25. 如权利要求19所述的发光二极管的警示系统，其中检测装置为一光 检测单元，用以检测所述发光二极管的亮度，并将一检测结果传送至所述控 制器。
26. 如权利要求19所述的发光二极管的警示系统，当所述发光二极管的 亮度增加时，所述控制器减少输入所述发光二极管的驱动电流。
27. 如权利要求1所述的发光二极管的警示系统，其中所述检测装置为 功率变化检出装置，包括光耦合器，耦接所述警示装置，当流经所述发光单 元的电流增加预定值时，所述光耦合器被致能时，使得所述警示装置中的一 警示发光二极管导通或关闭。
28. 如权利要求27所述的发光二极管的警示系统，其中所述光耦合器包括发光組件；以及受光組件，耦接所述警示装置，当流经所述发光单元的电流量增加所述 预定值时，所述发光组件被导通而发光，使得所述受光组件被导通。
全文摘要
本发明提供一种发光二极管的警示系统，包括发光单元、检测装置以及警示装置。所述发光单元由多个微晶粒组成。所述检测装置用以检测所述发光单元，并输出检测结果。所述警示装置根据所述检测结果显示所述发光单元中的微晶粒的损害状态。
文档编号G01R31/26GK101592702SQ200810098718
公开日2009年12月2日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者刘芷瑄, 戴光佑, 林明德, 林明耀 申请人:财团法人工业技术研究院